JPS61148829A - Wire bonding method - Google Patents

Wire bonding method

Info

Publication number
JPS61148829A
JPS61148829A JP59270756A JP27075684A JPS61148829A JP S61148829 A JPS61148829 A JP S61148829A JP 59270756 A JP59270756 A JP 59270756A JP 27075684 A JP27075684 A JP 27075684A JP S61148829 A JPS61148829 A JP S61148829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
semiconductor pellet
bonding
lead frame
bonded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59270756A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsu Nagai
長井 達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Mechatronics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Seiki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Seiki Co Ltd filed Critical Toshiba Seiki Co Ltd
Priority to JP59270756A priority Critical patent/JPS61148829A/en
Publication of JPS61148829A publication Critical patent/JPS61148829A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To discriminate the quality of the positioning of a wire bonding against the position of an electrode pad surely and easily during the wire bonding by detecting the electric conductivity between the wire bonded to a pad for inspection and a lead frame. CONSTITUTION:A pad 13 for inspection is formed at the corner and the opposite corner of a semiconductor pellet 10, a non-conductive part 14 is provided at the center and a conductive part 15 is provided at the periphery. A conductive paste for jointing is coated on the upper surface of an island part 17 where the semiconductor pellet 10 is positioned, the lower surface of the semiconductor pellet 10 and the upper surface of the island part 17 are jointed and the conductive part 15 and a lead frame 16 are made electrically conductive. As a result, an automatic position detection system detects the joint position of the semiconductor pellet 10 in X-Y directions as the coordinates of the position of each electrode pad 12 against the lead terminal 18 of the lead frame 16 and wire bonding is carried out with the electrode pad 12 and the lead terminal 18.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 未発明は、ワイヤボンディング方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application fields] TECHNICAL FIELD The invention relates to a wire bonding method.

[従来の技術] IC,LSI等の製造は、先ずリードフレームのアイラ
ンド部の所定位置に半導体ペレットを接合し、次いで自
動位置検出装置により半導体ペレットの接合位置を検出
する状態でワイヤボンディング装置により1位置検出の
行なわれた半導体ペレットの表面の電極パッドとリード
フレームのリード端子とをAu線等のワイヤによってボ
ンディングするようにしている。ワイヤボンディングの
行なわれたリードフレームは、該ボンディング部分に対
して樹脂封止が行なわれ、この状態でリードフレームを
各チップごとに切断して分離し、複数の端子を備えたI
C,LSI等を製造するようにしている。
[Prior Art] In the manufacture of ICs, LSIs, etc., semiconductor pellets are first bonded to predetermined positions on the island portion of a lead frame, and then a wire bonding device is used to detect the bonding position of the semiconductor pellets using an automatic position detection device. The electrode pad on the surface of the semiconductor pellet whose position has been detected and the lead terminal of the lead frame are bonded with a wire such as an Au wire. The wire-bonded lead frame is resin-sealed at the bonding portion, and in this state, the lead frame is cut and separated into individual chips to form an integrated circuit with multiple terminals.
The company manufactures C, LSI, etc.

上記ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディング
は、アイランド部に対する半導体ペレットの接合位置を
自動検出して行なわれ、該接合位置における半導体ペレ
ットの各電極パッドの座標位置を自動位置検出装置によ
り自動検出するとともに該位置とリードフレームにおけ
るリード端子をそれぞれ自動的にワイヤボンディングす
るようにしている。
Wire bonding using the above-mentioned wire bonding device is performed by automatically detecting the bonding position of the semiconductor pellet with respect to the island portion, and automatically detecting the coordinate position of each electrode pad of the semiconductor pellet at the bonding position using an automatic position detection device. and lead terminals on the lead frame are automatically wire bonded.

このため、自動位置検出装置による半導体ペレット接合
位置の検出が実接合位置に対しずれる状態とされる場合
、所定の電極パッド以外の半導体ペレットの表面位置と
所定のリード端子がワイヤボンディングされる状態とな
ってしまい、このようにして製造されるIC,LSI等
は所定の動作状態が得られないため、不良品として扱わ
れることとなる。
Therefore, if the detection of the semiconductor pellet bonding position by the automatic position detection device deviates from the actual bonding position, the wire bonding will occur between the surface position of the semiconductor pellet other than the predetermined electrode pad and the predetermined lead terminal. As a result, ICs, LSIs, etc. manufactured in this manner cannot obtain a predetermined operating state, and are thus treated as defective products.

このような不良品の発生を防止するため、ワイヤボンデ
ィングの行なわれた半導体ペレットが所定の電極パッド
にワイヤボンディングされているか否か目視検査を行な
うことが考えられる。また、不良品の出荷を防止するた
め、回路テスタを用いてワイヤボンディングの行なわれ
たIC1LSI等やリード端子の検査を行なうことも考
えられる。
In order to prevent the occurrence of such defective products, it is conceivable to visually inspect whether the wire-bonded semiconductor pellet is wire-bonded to a predetermined electrode pad. Furthermore, in order to prevent the shipment of defective products, it is conceivable to use a circuit tester to inspect IC1LSIs and lead terminals that have undergone wire bonding.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、ワイヤボンディング作業とは別に半導体
ペレットのワイヤボンディング状態の目視検査を行なっ
たり、また、ワイヤボンディングの行なわれたIC,L
SI等のリード端子の検査を行なうことは煩雑であり、
電極パッド位置に対するワイヤボンディング位置合わせ
の良否を適確に判別する方法の開1発が望まれている。
[Problems to be Solved by the Invention] However, apart from the wire bonding work, visual inspection of the wire bonding state of semiconductor pellets is often performed, and ICs and L
Inspecting lead terminals such as SI is complicated,
It is desired to develop a method for accurately determining whether the wire bonding alignment with respect to the electrode pad position is good or bad.

本発明は、ワイヤボンディング中に適確かつ容易に電極
パッド位置に対するワイヤボンディング位置合わせの良
否を判別することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to accurately and easily determine whether wire bonding alignment with electrode pad positions is good or bad during wire bonding.

[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明は、リードフレーム
上に接合されている半導体ペレットの電極パッドと、リ
ードフレームのリード端子とをワイヤによってボンディ
ングするワイヤボンディング方法において、リードフレ
ームと電気的に導通ずる導通部を少なくとも一部に備え
る検査用パッドを、半導体ペレットの所定位置に設け、
リードフレームをボンディング作業位置に位置決めし、
該半導体ペレットをリードフレームの所定、位置に接合
する状態下で、ワイヤを該半導体ペレットの検査用パッ
ドにボンディングし、検査用パッドにボンディングされ
たワイヤとリードフレームとの電気的導通の有無を検出
することにより、電極パッド位置に対するワイヤのボン
ディング位置合わせの良否を判別することとしている。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a wire bonding method in which an electrode pad of a semiconductor pellet bonded on a lead frame and a lead terminal of the lead frame are bonded with a wire. In the method, a test pad having at least a portion thereof electrically conductive with the lead frame is provided at a predetermined position of the semiconductor pellet,
Position the lead frame at the bonding work position,
While the semiconductor pellet is bonded to a predetermined position of the lead frame, a wire is bonded to the test pad of the semiconductor pellet, and the presence or absence of electrical continuity between the wire bonded to the test pad and the lead frame is detected. By doing so, it is determined whether the bonding alignment of the wire with respect to the electrode pad position is good or bad.

[作 用] 本発明によれば、ワイヤボンディング中に、リードフレ
ーム上に接合されている半導体ペレットの実接合位置が
、自動位置検出装置により検出された接合位置に対して
なすずれの程度を検出することが可能となり、半導体ペ
レットの所定位置に配列されている電極パッドがリード
フレームに対してなすずれの判別を行なうことが可能と
なる。これにより、ワイヤボンディング中に適確かつ容
易に電極パッド位置に対するワイヤボンディング位置合
わせの良否を判別することが可能となる。
[Function] According to the present invention, during wire bonding, the degree of deviation of the actual bonding position of the semiconductor pellet bonded onto the lead frame from the bonding position detected by the automatic position detection device is detected. This makes it possible to determine the misalignment of the electrode pads arranged at predetermined positions on the semiconductor pellet with respect to the lead frame. This makes it possible to accurately and easily determine whether the wire bonding alignment with respect to the electrode pad position is good or bad during wire bonding.

[実施例] 以下1本発明の実施例を図面を参照して説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明に係るワイヤボンディング方法に適用さ
れる半導体ペレットを示す一部破断の斜視図、第2図は
リードフレーム上に接合される半導体ペレットの電極パ
ッドとリードフレームあり一ド端子をワイヤによりボン
ディングする状態を示す斜視図、第3図は第2図の■−
■線に沿う断面図、第4図は自動位置検出装置により検
出された接合位置に対してずれた状態で接合される半導
体ペレットを示す平面図、第5図は検査用パッドにワイ
ヤボンディングする状態を示す断面図、第6図は自動位
置検出装置により検出された接合位置に対してずれた状
態で接合される半導体ペレットの検査用パッドにワイヤ
ボンディングを行なう状態を示す平面図、第7図は自動
位置検出装置により検出された接合位置に接合される半
導体ペレットの検査用パッドにワイヤボンディングを行
なう状態を示す平面図、第8図は半導体ペレットが自動
位置検出装置により検出された接合位置から角度0度ず
れた状態を示す模式図である。
Fig. 1 is a partially cutaway perspective view showing a semiconductor pellet applied to the wire bonding method according to the present invention, and Fig. 2 shows an electrode pad of the semiconductor pellet to be bonded on a lead frame and a lead terminal with the lead frame. A perspective view showing the state of bonding with wire, Figure 3 is the same as ■- in Figure 2.
■A cross-sectional view along the line; Figure 4 is a plan view showing the semiconductor pellets being bonded in a position shifted from the bonding position detected by the automatic position detection device; Figure 5 is the state of wire bonding to the inspection pad. FIG. 6 is a plan view showing wire bonding to the test pad of a semiconductor pellet that is bonded at a position shifted from the bonding position detected by the automatic position detection device. FIG. A plan view showing a state in which wire bonding is performed to a test pad of a semiconductor pellet to be bonded to a bonding position detected by an automatic position detection device. FIG. It is a schematic diagram which shows the state shifted by 0 degrees.

半導体ペレットlOは、正方形状のウェハとされ、全体
をシリコン等の半導体材料で形成するとともに、その表
面層に回路パターンを焼付けて形成される。半導体ペレ
ット10の周部表面層には、回路パターンと接続される
複数の電極パッド12が所定間隔で形成される。さらに
、半導体ペレットlOの4つの隅部のうちの一箇所およ
びその対角線位置には、第2図に示すように検査用パッ
ド13が形成されてなる。検査用パッド13は、第1図
に示すように中心に絶縁材料で形成される非導通部14
を、その周部に導電性材料で形成される導通部15を備
えてなる。
The semiconductor pellet IO is a square wafer made entirely of a semiconductor material such as silicon, and is formed by baking a circuit pattern on its surface layer. A plurality of electrode pads 12 connected to a circuit pattern are formed at predetermined intervals on the peripheral surface layer of the semiconductor pellet 10 . Furthermore, as shown in FIG. 2, an inspection pad 13 is formed at one of the four corners of the semiconductor pellet IO and at a diagonal line thereof. The test pad 13 has a non-conducting part 14 formed of an insulating material at the center, as shown in FIG.
A conductive portion 15 made of a conductive material is provided around the periphery of the conductive portion.

このような構成からなる半導体ペレットlOは、XY方
向に所定の斉整状態で位置決めされるリードフレーム1
6に対し接合される。リードフレーム16は、第2図に
示すように中心に略正方形状のアイランド部17を、そ
の周囲に複数のリード端子18を備えてなり、全体を導
電性材料で形成してなる。リードフレーム16に対する
半導体ペレット10の接合は、リードフレーム16のア
イランド部17に対して行なわれ、アイランド部17の
上面に導電性を有する接合用ペーストを塗布し、該位置
に半導体ペレッ)10を位置決めして行なわれる。この
結果、第3図に示すように半導体ペレットlOの下面と
アイランド部17の上面が接合されることとなり、これ
により、検査用パッド13における導通部15がリード
フレーム16と電気的に導通されることとなる。アイラ
ンド部17に対し半導体ペレットlOの位置決めおよび
接合が行なわれると、不図示の自動位置検出装置により
XY方向における半導体ペレット10の接合位置が検出
される。すなわち、この接合位置の検出は、リードフレ
ーム16のリード端子18に対する各電極パッド12の
座標位置を検出して行なわれる。
Semiconductor pellets 1O having such a configuration are placed on a lead frame 1 that is positioned in a predetermined uniform state in the XY directions.
6. As shown in FIG. 2, the lead frame 16 includes a substantially square island portion 17 at the center and a plurality of lead terminals 18 around the island portion 17, and is made entirely of a conductive material. The semiconductor pellet 10 is bonded to the lead frame 16 on the island portion 17 of the lead frame 16. A conductive bonding paste is applied to the top surface of the island portion 17, and the semiconductor pellet 10 is positioned at that position. It is done as follows. As a result, as shown in FIG. 3, the lower surface of the semiconductor pellet 10 and the upper surface of the island portion 17 are joined, and thereby the conductive portion 15 in the test pad 13 is electrically connected to the lead frame 16. That will happen. When the semiconductor pellet 10 is positioned and bonded to the island portion 17, the bonding position of the semiconductor pellet 10 in the XY directions is detected by an automatic position detection device (not shown). That is, the bonding position is detected by detecting the coordinate position of each electrode pad 12 with respect to the lead terminal 18 of the lead frame 16.

半導体ペレッ)10のアイランド部17における接合位
置が検出されると第5図に示すようにワイヤボンディン
グ装置19の作業位置において、半導体ペレッ)10の
電極パッド12と、リードフレーム16のリード端子1
8とワイヤボンディングを行なうようにする。ワイヤボ
ンディング装置19の作業テーブル20上に載置される
リードフレーム16は、上方にワイヤボンディングを行
なうキャピラリ21が備えられる。すなわち、キャピラ
リ21は、スプール22に巻回されるAu線からなるワ
イヤ23を供給可能とし、第2図に示すように所定の電
極パッド12と所定のリード端子18との間を移動する
こととし、該移動は、自動位置検出装置により検出され
た電極パッド12のXY座標に基づいて行なわれる。こ
れにより、該電極パッド12と該リード端子18のワイ
ヤ23によるボンディングを可能としている。
When the bonding position of the semiconductor pellet (10) in the island portion 17 is detected, the electrode pad 12 of the semiconductor pellet (10) and the lead terminal 1 of the lead frame 16 are connected at the working position of the wire bonding device 19 as shown in FIG.
8 and wire bonding. The lead frame 16 placed on the work table 20 of the wire bonding device 19 is provided with a capillary 21 above which performs wire bonding. That is, the capillary 21 is capable of supplying a wire 23 made of an Au wire wound around a spool 22, and can be moved between a predetermined electrode pad 12 and a predetermined lead terminal 18 as shown in FIG. , the movement is performed based on the XY coordinates of the electrode pad 12 detected by the automatic position detection device. This enables bonding between the electrode pad 12 and the lead terminal 18 using the wire 23.

スプール22に巻回されるワイヤ23と作業テーブル2
0の間には電流検出回路24が設けられ、該電流検出回
路24には、電源25および検流計26が備えられる0
作業テーブル20上に載置されるリードフレーム16は
、該作業テーブル20との電気的導通が図られ、これに
より、検査用パッド13における導通部15と作業テー
ブル20との間も電気的導通が図られることとなる。
Wire 23 wound around spool 22 and work table 2
A current detection circuit 24 is provided between 0 and 0, and the current detection circuit 24 is equipped with a power supply 25 and a galvanometer 26.
The lead frame 16 placed on the work table 20 is electrically connected to the work table 20, thereby establishing electrical continuity between the conductive portion 15 of the test pad 13 and the work table 20. This will be planned.

すなわち、検査用パッド13の導通部15は電流検出回
路24と接続されることとなる。このようにして、作業
テーブル20上に載置されたリードフレーム16の所定
のリード端子18と半導体ベレ・ント10の所定の電極
パッド12とをキャピラリ21によりワイヤボンディン
グを行なうようにする。
That is, the conductive portion 15 of the test pad 13 is connected to the current detection circuit 24. In this way, wire bonding is performed using the capillary 21 between a predetermined lead terminal 18 of the lead frame 16 placed on the work table 20 and a predetermined electrode pad 12 of the semiconductor beam 10.

ワイヤボンディングを行なうように際しては、予め、検
査用パッド13に対して第5図に示すようにワイヤ23
の先端部をキャピラリ21によりボンディングするよう
にする。ボンディングは、自動位置検出装置により検出
された半導体ペレット10の検出された接合位置Aおけ
る検査用パッド13の中心の非導通部14の座標位置に
対して行なうようにする。また、ボンディングは、2つ
の検査用パッド13のそれぞれの非導通部14の座標位
置に対して行なうようにする。この結果、例えば第4図
に示すように半導体ペレット10が検出された接合位置
Aに対しずれた状態で接合されている場合には、第6図
に示すように検査用パッド13における非導通部14か
らずれた位置Bにワイヤ23の先端部がボンディングさ
れる状態となる。すなわち、半導体ペレットlOの実接
合位置が検出された接合位置Aからずれた状態とされる
と、ボンディングが非導通部14の周囲の導通部15に
対して行なわれることとなる。これにより、スプール2
2に巻回されるワイヤ23の先端部と導通部15が電気
的に接続され、電流検出回路24が閉状態となる。この
状態は、検流計26の電流検出により確認され、該検流
計26により電流が検出されると半導体ペレッ)10の
実接合位置が検出された接合位NAから許容範囲を越え
た位置ずれ状態でアイランド部17に接合されるものと
判断できるものである。したがって、このままの位置ず
れ状態で例えばリード端子18と半導体ペレッ)10の
電極パッド12のワイヤボンディング作業を開始した場
合、第6図に示すようにボンディングの位置Cが電極パ
ッド12から外れた半導体ペレッ)10の表面位置に対
してなされることとなり、ボンディングの不良状態が発
生することとなる。そこで検流計26により電流検出が
行なわれたら、その段階で直ちにボンディング作業を中
止し、半導体ペレット10の接合状態の・補正を行なう
こととする。なお、検査用パッド13の表面に占める非
導電部14の大きさは、電極パッド12の許容ボンディ
ング領域と同じかまたはそれより幾分小さくすることが
9ましく、また導電部15の大きさは、自動位置検出装
置により検出された接合位置に対して予想される実接合
位置の位置ずれ誤差の最大範囲と同じかまたはそれより
幾分大きくすることが望ましい、さらに、検流計26に
よる位置ずれ状態の確認は、2つの検査用パッド13の
それぞれについて行なうこととする。すなわ゛ち、第8
図に示すように例えば一つの検査用パッド13の非導通
部14は検出された接合位置に相応する状態で位置すれ
かなく、これに対し、他方の検査パッド13の非導通部
14に角度0度の位置ずれが生じている場合が考えられ
るためである。このような場合、いずれか一方の検査用
パー、ド13についての検流計26の確認では不十分な
ためである。
When performing wire bonding, the wire 23 is attached to the test pad 13 in advance as shown in FIG.
The tip of the capillary is bonded to the capillary 21. Bonding is performed at the coordinate position of the non-conducting portion 14 at the center of the test pad 13 at the bonding position A of the semiconductor pellet 10 detected by the automatic position detection device. Further, bonding is performed at the coordinate positions of the non-conducting portions 14 of each of the two test pads 13. As a result, if the semiconductor pellet 10 is bonded in a shifted state with respect to the detected bonding position A as shown in FIG. 4, for example, as shown in FIG. The tip of the wire 23 is now bonded to a position B shifted from the wire 14. That is, when the actual bonding position of the semiconductor pellet IO is shifted from the detected bonding position A, bonding is performed to the conductive portion 15 around the non-conductive portion 14. As a result, spool 2
The tip of the wire 23 wound around the wire 2 and the conductive portion 15 are electrically connected, and the current detection circuit 24 is closed. This state is confirmed by current detection by the galvanometer 26, and when the current is detected by the galvanometer 26, the actual bonding position of the semiconductor pellet 10 is shifted from the detected bonding position NA beyond the allowable range. It can be determined that it is joined to the island portion 17 in this state. Therefore, if wire bonding work is started between the electrode pad 12 of the lead terminal 18 and the semiconductor pellet 10 in this state of misalignment, as shown in FIG. ) 10, resulting in a defective bonding condition. Therefore, when the current is detected by the galvanometer 26, the bonding operation is immediately stopped at that stage, and the bonding state of the semiconductor pellet 10 is corrected. The size of the non-conductive portion 14 occupying the surface of the test pad 13 is preferably the same as or somewhat smaller than the allowable bonding area of the electrode pad 12, and the size of the conductive portion 15 is , it is desirable that the maximum range of positional deviation error between the actual joining position and the expected joining position detected by the automatic position detection device be equal to or somewhat larger than that; The condition will be checked for each of the two test pads 13. That is, the 8th
As shown in the figure, for example, the non-conducting part 14 of one test pad 13 is only positioned in a state corresponding to the detected bonding position, whereas the non-conducting part 14 of the other test pad 13 This is because there may be a degree of positional deviation. This is because in such a case, checking with the galvanometer 26 for either one of the inspection holes 13 is insufficient.

半導体ペレッ)10がアイランド部17の検出された接
合位置Aに接合される場合、第7図に示すように検査用
パッド13における非導通部位置りにワイヤ23の先端
部がボンディングされることとなる。この状態では、リ
ードフレーム16とワイヤ23の電気的導通が行なわれ
ず電流検出回路24は開状態となる。したがって検流計
26においての電流検出が、2つの検査用パッド13に
対するボンディングでそれぞれなされない場合、該半導
体ペレッ)10はアイランド部17の検出された接合位
置Aまたはその許容範囲に接合されていることとなる。
When the semiconductor pellet (10) is bonded to the detected bonding position A of the island portion 17, the tip of the wire 23 is bonded to the non-conducting portion position of the test pad 13 as shown in FIG. Become. In this state, there is no electrical continuity between the lead frame 16 and the wire 23, and the current detection circuit 24 is in an open state. Therefore, if current detection in the galvanometer 26 is not performed by bonding to the two test pads 13, the semiconductor pellet 10 is bonded to the detected bonding position A of the island portion 17 or its tolerance. That will happen.

この状態でリード端子18と半導体ペレットlOの電極
パッド12のワイヤボンディング作業を開始した場合、
wIJ7図のボンディング位置Eの示すように、電極パ
ッド12に対する正確なワイヤボンディングが可能とな
る。
When wire bonding work between the lead terminal 18 and the electrode pad 12 of the semiconductor pellet IO is started in this state,
As shown by bonding position E in Figure wIJ7, accurate wire bonding to the electrode pad 12 is possible.

次に、上記実施例の作用を説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained.

上記実施例に係るワイヤボンディング方法によれば、ワ
イヤ23のボンディング中にアイランド部17上に接合
されている半導体ペレット10の実接合位置が、その自
動位置検出装置により検出された接合位!!Aに対して
なすずれの程度を検流計26の電流検出の有無により判
断可能となり、半導体ペレットlOに配設される電極パ
ッド12がリードフレーム16に対してなす位置ずれ状
態の判別を行なうことが可能となる。この結果、ワイヤ
23のボンディング中に適確かつ容易に電極パッド12
に対するワイヤボンディング位置合わせの良否を判別す
ることが可能となる。
According to the wire bonding method according to the above embodiment, the actual bonding position of the semiconductor pellet 10 bonded onto the island portion 17 during bonding of the wire 23 is the bonding position detected by the automatic position detection device! ! The degree of misalignment with respect to A can be determined by the presence or absence of current detection by the galvanometer 26, and the state of misalignment of the electrode pad 12 disposed on the semiconductor pellet IO with respect to the lead frame 16 can be determined. becomes possible. As a result, the electrode pad 12 can be properly and easily bonded to the wire 23 during bonding.
It becomes possible to determine whether the wire bonding alignment is good or bad.

なお、上記実施例に係る半導体ペレッ)10の検査用パ
ッド13は、中心に非導通部14を周囲に導通部15を
配設するようにしているが、逆に中心に導通部15を周
囲に非導通部14を配設し、2つの検査用パッド13に
対するワイヤボンディングでそれぞれ検流計26により
電流検出が確認される場合に該半導体ペレット10が自
動位置検出装置により検出された接合位置Aまたはその
許容範囲に接合されているものと判別させるようにして
もよい。
The test pad 13 of the semiconductor pellet 10 according to the above embodiment has a non-conducting part 14 at the center and a conductive part 15 around it. When the non-conducting portion 14 is provided and current detection is confirmed by the galvanometer 26 during wire bonding to the two test pads 13, the semiconductor pellet 10 is located at the bonding position A or the position detected by the automatic position detection device. It may also be possible to determine that the connection is made within the permissible range.

また、上記実施例に係る半導体ペレッ)10は2つの検
査用パッド13を有するものとしているが、例えば電極
パッドの面積が比較的大きく、検査用パッドの面積を比
較的小さく設定したり、検査精度を比較的粗とすること
が可能である場合等においては、半導体ペレットに設け
る検査用パッドを単一としても良い。
Further, the semiconductor pellet (10) according to the above embodiment has two test pads 13, but for example, the area of the electrode pad is relatively large, the area of the test pad is set relatively small, and the test accuracy is In cases where it is possible to make the area relatively coarse, a single test pad may be provided on the semiconductor pellet.

[発明の効果] 以上のように、本発明は、リードフレーム上に接合され
ている半導体ペレットの電極パッドと、リードフレーム
のリード端子とをワイヤによってボンディングするワイ
ヤボンディング方法において、リードフレームと電気的
に導通ずる導通部を少なくとも一部に備える検査用パッ
ドを、半導体ペレットの所定位置に設け、リードフレー
ムをボンディング作業位置に位置決めし、該半導体ペレ
ットをリードフレームの所定位置に接合する状態下で、
ワイヤを該半導体ペレットの検査用パッドにボンディン
グし、検査用パッドにボンディングされたワイヤとリー
ドフレームとの電気的導通の有無を検出することにより
、電極パッド位置に対するワイヤのボンディング位置合
わせの良否を判別することとしたため、ワイヤボンディ
ング中に適確かつ容易に電極パッド位置に対するワイヤ
ボンディング位置合わせの良否を判別することができる
という効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention provides a wire bonding method in which an electrode pad of a semiconductor pellet bonded on a lead frame and a lead terminal of the lead frame are bonded using a wire. A test pad having at least a part of the conductive part that is electrically conductive is provided at a predetermined position of a semiconductor pellet, a lead frame is positioned at a bonding work position, and the semiconductor pellet is bonded to a predetermined position of the lead frame.
By bonding a wire to the test pad of the semiconductor pellet and detecting the presence or absence of electrical continuity between the wire bonded to the test pad and the lead frame, it is determined whether the bonding alignment of the wire with respect to the electrode pad position is good or bad. Therefore, it is possible to accurately and easily determine whether the wire bonding alignment with the electrode pad position is good or bad during wire bonding.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係るワイヤボンディング方法に適用さ
れる半導体ペレットを示す一部破断の斜視図、第2図は
リードフレーム上に接合される半導体ペレットの電極パ
ッドとリードフレームのリード端子をワイヤによりボン
ディングする状態を示す斜視図、第3図は第2図のm−
■線に沿う断面図、第4図は自動位置検出装置により検
出された接合位置に対してずれた状態で接合される半導
体ペレットを示す平面図、第5図は検査用パッドにワイ
ヤボンディングする状態を示す断面図、第6図は自動位
置検出装置により検出された接合位置に対してずれた状
態で接合される半導体ペレットノ検査用パッドにワイヤ
ボンディングを行なう状態を示す平面図、第7図は自動
位置検出装置により検出された接合位置に接合される半
導体ペレ、ントの検査用パッドにワイヤボンディングを
行なう状態を示す平面図、第8図は半導体ペレットが自
動位置検出装置により検出された接合位置から角度0度
ずれた状態を示す模式図である。 10・・・半導体ペレット、12・・・電極パッド、1
3・・・検査用パッド、14・・・非導通部、15・・
・導通部、16・・・リードフレーム、18・・・リー
ド端子、23・・・ワイヤ。 代理人  弁理士 塩 川 修 治 第1図
Fig. 1 is a partially cutaway perspective view showing a semiconductor pellet applied to the wire bonding method according to the present invention, and Fig. 2 shows wires connecting electrode pads of the semiconductor pellet to be bonded onto a lead frame and lead terminals of the lead frame. FIG. 3 is a perspective view showing the state of bonding by
■A cross-sectional view along the line; Figure 4 is a plan view showing the semiconductor pellets being bonded in a position shifted from the bonding position detected by the automatic position detection device; Figure 5 is the state of wire bonding to the inspection pad. 6 is a plan view showing wire bonding to a semiconductor pellet inspection pad that is bonded at a position shifted from the bonding position detected by the automatic position detection device, and FIG. 7 is an automatic A plan view showing the semiconductor pellet being bonded to the bonding position detected by the position detection device, and wire bonding to the inspection pad of the pellet. FIG. 3 is a schematic diagram showing a state where the angle is shifted by 0 degrees. 10... Semiconductor pellet, 12... Electrode pad, 1
3... Inspection pad, 14... Non-conducting part, 15...
・Conducting portion, 16...Lead frame, 18...Lead terminal, 23...Wire. Agent Patent Attorney Osamu Shiokawa Figure 1

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)リードフレーム上に接合されている半導体ペレッ
トの電極パッドと、リードフレームのリード端子とをワ
イヤによってボンディングするワイヤボンディング方法
において、リードフレームと電気的に導通する導通部を
少なくとも一部に備える検査用パッドを、半導体ペレッ
トの所定位置に設け、リードフレームをボンディング作
業位置に位置決めし、該半導体ペレットをリードフレー
ムの所定位置に接合する状態下で、ワイヤを該半導体ペ
レットの検査用パッドにボンディングし、検査用パッド
にボンディングされたワイヤとリードフレームとの電気
的導通の有無を検出することにより、電極パッド位置に
対するワイヤのボンディング位置合わせの良否を判別す
ることを特徴とするワイヤボンディング方法。
(1) In a wire bonding method in which an electrode pad of a semiconductor pellet bonded on a lead frame is bonded to a lead terminal of the lead frame using a wire, at least a portion thereof is provided with a conductive part that is electrically conductive with the lead frame. A test pad is provided at a predetermined position on the semiconductor pellet, a lead frame is positioned at a bonding work position, and a wire is bonded to the test pad of the semiconductor pellet while the semiconductor pellet is bonded to the predetermined position of the lead frame. A wire bonding method characterized in that, by detecting the presence or absence of electrical continuity between the wire bonded to the test pad and the lead frame, it is determined whether the bonding position of the wire with respect to the electrode pad position is good or bad.
(2)上記検査用パッドが、その周辺部を導通部とし、
その中央部を非導通部とする特許請求の範囲第1項に記
載のワイヤボンディング方法。
(2) The test pad has its peripheral part as a conductive part,
The wire bonding method according to claim 1, wherein the central portion is a non-conducting portion.
JP59270756A 1984-12-24 1984-12-24 Wire bonding method Pending JPS61148829A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59270756A JPS61148829A (en) 1984-12-24 1984-12-24 Wire bonding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59270756A JPS61148829A (en) 1984-12-24 1984-12-24 Wire bonding method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61148829A true JPS61148829A (en) 1986-07-07

Family

ID=17490543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59270756A Pending JPS61148829A (en) 1984-12-24 1984-12-24 Wire bonding method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61148829A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498997B1 (en) 1997-08-20 2002-12-24 Fuji Xerox Co., Ltd. Method and apparatus for producing a solid actuator and medium storing a program for controlling the same
JP2003084042A (en) * 2001-09-12 2003-03-19 Hitachi Ltd Semiconductor device and inspecting device for it
JP2010281625A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Yamaha Corp Inspection method of semiconductor chip

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498997B1 (en) 1997-08-20 2002-12-24 Fuji Xerox Co., Ltd. Method and apparatus for producing a solid actuator and medium storing a program for controlling the same
JP2003084042A (en) * 2001-09-12 2003-03-19 Hitachi Ltd Semiconductor device and inspecting device for it
JP2010281625A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Yamaha Corp Inspection method of semiconductor chip

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6329637B1 (en) Method and process of contract to a heat softened solder ball array
US5675179A (en) Universal test die and method for fine pad pitch designs
JPH0223627A (en) Integrated circuit module
JPS61148829A (en) Wire bonding method
JPH09246426A (en) Surface mounted type electronic component, wiring board, mounting board and mounting method
JP3214420B2 (en) Film carrier type semiconductor device, inspection probe head, and alignment method
JP3208095B2 (en) Inspection equipment for semiconductor devices
US6184569B1 (en) Semiconductor chip inspection structures
JPH08330368A (en) Semiconductor circuit device group and its probe test
US20240201223A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same
JPH0439950A (en) Semiconductor device
JPH0815361A (en) Inspection method for printed wiring board
JP3456782B2 (en) Semiconductor device inspection method and probe card
JP3437467B2 (en) Inspection method for semiconductor device
JP3261723B2 (en) Semiconductor wafer pellet inspection method
JPH05206233A (en) Aging equipment for semiconductor
JP2652705B2 (en) Inspection method for wiring protrusion height
KR100460047B1 (en) method for inspecting bonding of semiconductor package
JP2004039915A (en) Semiconductor device
JPH0220034A (en) Semiconductor device
JP2024051858A (en) Semiconductor device, semiconductor chip on base side, and semiconductor chip on adhesion side
JPH08306747A (en) Inspection method for semiconductor device and probe card being employed in inspection
JPH0314250A (en) Semiconductor device
JP2012134276A (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of inspecting semiconductor device
JPH1012679A (en) Probe card and method for test using it