JPS61148816A - 半導体基板の処理方法 - Google Patents
半導体基板の処理方法Info
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- JPS61148816A JPS61148816A JP27117984A JP27117984A JPS61148816A JP S61148816 A JPS61148816 A JP S61148816A JP 27117984 A JP27117984 A JP 27117984A JP 27117984 A JP27117984 A JP 27117984A JP S61148816 A JPS61148816 A JP S61148816A
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- Japan
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- deposit
- etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体基板の処理方法に係り、半導体基板面に
薄膜を堆積したり、又は、基板面をエツチングしたりす
る処理の効率化に関する。
薄膜を堆積したり、又は、基板面をエツチングしたりす
る処理の効率化に関する。
従来、ＩＣなどの半導体装置を製造する際、ウェハープ
ロセスにおいて、半導体基板面をエツチングしたり、薄
膜を堆積したりする処理が繰り返えし行なわれており、
その場合に、基板を加熱し昇温しで処理を行なっている
。それは、接続性を良（したり（例えば、結晶性の良い
エピタキシャル成長膜を形成する等）、堆積やエツチン
グの速度を早くするためである。
ロセスにおいて、半導体基板面をエツチングしたり、薄
膜を堆積したりする処理が繰り返えし行なわれており、
その場合に、基板を加熱し昇温しで処理を行なっている
。それは、接続性を良（したり（例えば、結晶性の良い
エピタキシャル成長膜を形成する等）、堆積やエツチン
グの速度を早くするためである。
しかし、半導体装置の発展に伴って、素子は微細化され
、ＩＣは高集積化されてきた。それは、微細化して高集
積化する程、高性能化される利点があるからである。
、ＩＣは高集積化されてきた。それは、微細化して高集
積化する程、高性能化される利点があるからである。
一方、上記のような加熱による昇温は、ＩＣ素子内の他
の部分、例えば既に設けた不純物領域を変動させて、半
導体装置の性能にバラツキを与える原因となっており、
それは微細化される程、その影響は大きくなる。
の部分、例えば既に設けた不純物領域を変動させて、半
導体装置の性能にバラツキを与える原因となっており、
それは微細化される程、その影響は大きくなる。
従って、高集積化の進行と共に、プロセスの低温度化が
重要な懸案となってきており、堆積やエツチングの処理
は、可能な限りに低温度で、しかも、局部的に加熱する
ことが要望される。
重要な懸案となってきており、堆積やエツチングの処理
は、可能な限りに低温度で、しかも、局部的に加熱する
ことが要望される。
［従来の技術］
このような趣旨の下に、処理面のみ局部的に高温度にし
て、周囲を出来るだけ低温度にしたままとする処理方法
（堆積処理やエツチング処理）は既に一部で検討され、
実施されている。
て、周囲を出来るだけ低温度にしたままとする処理方法
（堆積処理やエツチング処理）は既に一部で検討され、
実施されている。
それは、加熱炉を用いる熱エネルギーの代わりに、瞬間
的に光を照射する光エネルギーを用いる方法である。こ
れは、光を処理面にのみ直接照射すれば、加熱の不要な
部分まで高温度に昇温させなくて済むからである。
的に光を照射する光エネルギーを用いる方法である。こ
れは、光を処理面にのみ直接照射すれば、加熱の不要な
部分まで高温度に昇温させなくて済むからである。
例えば、エピタキシ苓ル成長面に、光を照射させて活性
化しながら成長させる方法が検討されおり、その−例を
第３図に示す。図は概要断面図で、１は処理チャンバ、
２は半導体基板、３はレンズ。
化しながら成長させる方法が検討されおり、その−例を
第３図に示す。図は概要断面図で、１は処理チャンバ、
２は半導体基板、３はレンズ。
４は遠紫外光で、レンズで集光した光が基板２の処理面
を照射して加熱する。処理チャンバ１のガス流入口１１
からモノシラン、（ＳｉＨ４）、を流入して、反応ガス
が処理チャンバｌの中を左から右に流れ、排気口１２か
ら反応ずみのガスが排出される。かくして、その途中で
加熱された半導体基板２面で反応ガス（ＳｉＨ４）が分
解してシリコン膜が成長する。
を照射して加熱する。処理チャンバ１のガス流入口１１
からモノシラン、（ＳｉＨ４）、を流入して、反応ガス
が処理チャンバｌの中を左から右に流れ、排気口１２か
ら反応ずみのガスが排出される。かくして、その途中で
加熱された半導体基板２面で反応ガス（ＳｉＨ４）が分
解してシリコン膜が成長する。
これは、エピタキシャル成長法に光エネルギーを用いる
例であるが、化学気相成長（ＣＶ Ｄ）法にも光エネル
ギーが利用されている。
例であるが、化学気相成長（ＣＶ Ｄ）法にも光エネル
ギーが利用されている。
また、その他、エツチング面に光を照射してエツチング
を増速させる方法も行なわれている。
を増速させる方法も行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］
このように光エネルギーを用いれば、従前の加熱炉によ
る間接的な加熱に比べて、処理面が直接加熱されるから
、素子内の周囲部分に与える悪い影響は著しく低下する
。
る間接的な加熱に比べて、処理面が直接加熱されるから
、素子内の周囲部分に与える悪い影響は著しく低下する
。
ところが、その照射光は広範囲の波長を含んだ遠紫外光
であったり、また、複数の波長を含んだレーザ光であっ
たりして、必ずしも照射光のすべての波長の光エネルギ
ーが、その処理に役□立っているわけではない。また、
適切な励起エネルギーをもった波長の光エネルギーとは
限らず、むしろ無駄な波長や効率の悪い光エネルギーを
照射している方が多いと思われる。
であったり、また、複数の波長を含んだレーザ光であっ
たりして、必ずしも照射光のすべての波長の光エネルギ
ーが、その処理に役□立っているわけではない。また、
適切な励起エネルギーをもった波長の光エネルギーとは
限らず、むしろ無駄な波長や効率の悪い光エネルギーを
照射している方が多いと思われる。
一方、通切な励起エネルギーをもった波長の光について
は、現在、光励起機構が未だ不明であるから、それを解
明することも困難である。
は、現在、光励起機構が未だ不明であるから、それを解
明することも困難である。
本発明はこの未解明な問題は別として、現時点で最も効
率的と思われる、上記の光照射法より効果的な処理方法
を提案するものである。
率的と思われる、上記の光照射法より効果的な処理方法
を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、半導体基板上の堆積面、も＜シ＜は、半導
体基板上のエツチング面に、堆積材料、もしくは、被エ
ツチング材料と同一物質の共鳴線の光を照射しながら、
堆積処理、もしくはエツチング処理を台こなうようにし
た半導体基板の処理方法によって達成されるｄ ［作用］ 即ち、被処理材料と同じ物質からの共鳴線の光エネルギ
ーは、その被処理材料のエネルギー励起に最も効率的で
あり、そうすれば、゛素子内の周囲部分に最も少ない影
響を与え、換言すれば、周囲部分を最も低温化した状態
として、堆積やエツチングの処理を行なうことができる
。
体基板上のエツチング面に、堆積材料、もしくは、被エ
ツチング材料と同一物質の共鳴線の光を照射しながら、
堆積処理、もしくはエツチング処理を台こなうようにし
た半導体基板の処理方法によって達成されるｄ ［作用］ 即ち、被処理材料と同じ物質からの共鳴線の光エネルギ
ーは、その被処理材料のエネルギー励起に最も効率的で
あり、そうすれば、゛素子内の周囲部分に最も少ない影
響を与え、換言すれば、周囲部分を最も低温化した状態
として、堆積やエツチングの処理を行なうことができる
。
［実施例］
以下９図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる照射光を発光させるための中空
陰極灯（ホローカソードランプ）５の断面図を示してお
り、５１は陽極、５２は陰極、５３は発光窓、５４はソ
ケットである。このような中空陰極灯５は微量金属元素
の分析に利用されているが、グロー放電管の一種で、陰
極５２からその陰極材料特有のシャープな共鳴線（スペ
クトルｉ）が発せられる。
陰極灯（ホローカソードランプ）５の断面図を示してお
り、５１は陽極、５２は陰極、５３は発光窓、５４はソ
ケットである。このような中空陰極灯５は微量金属元素
の分析に利用されているが、グロー放電管の一種で、陰
極５２からその陰極材料特有のシャープな共鳴線（スペ
クトルｉ）が発せられる。
本発明はこのような中空陰極灯５を用いるが、その中空
陰極灯の陰極５２を処理材料で作成して、その中空陰極
灯で処理面を照射する。例えば、シリコン層をエピタキ
シャル成長する場合には、シリコン材料で作成した中空
陰極灯で処理面を照射する。
陰極灯の陰極５２を処理材料で作成して、その中空陰極
灯で処理面を照射する。例えば、シリコン層をエピタキ
シャル成長する場合には、シリコン材料で作成した中空
陰極灯で処理面を照射する。
第２図は本発明にがかる一実施例として、シリコン基板
２０にシリコン膜をエピタキシャル成長する成長装置の
断面図を示しており、第３図と同一材料には同一記号が
付しである。このように、エピタキシャル成長するシリ
コン膜と同じ材料の共鳴線を成長面に照射すると、その
光エネルギーを成長面が最も良く吸収しし効率的に加熱
でき、表面が励起されて成長が容易になる。
２０にシリコン膜をエピタキシャル成長する成長装置の
断面図を示しており、第３図と同一材料には同一記号が
付しである。このように、エピタキシャル成長するシリ
コン膜と同じ材料の共鳴線を成長面に照射すると、その
光エネルギーを成長面が最も良く吸収しし効率的に加熱
でき、表面が励起されて成長が容易になる。
従って、従来より低い温度で加熱してエピタキシャル成
長がおこなわれ、また、成長も増速されて、半導体装置
は高品質化される。
長がおこなわれ、また、成長も増速されて、半導体装置
は高品質化される。
上記例は堆積処理で説明したが、エツチング処理も同様
で、例えば、ガリウム砒ａ （ＧａＡｓ）をエツチング
する際には、陰極にガリウム砒素を用いた中空陰極灯で
照射して、ガスエツチングすると、低温度で効率的にエ
ツチングできる。
で、例えば、ガリウム砒ａ （ＧａＡｓ）をエツチング
する際には、陰極にガリウム砒素を用いた中空陰極灯で
照射して、ガスエツチングすると、低温度で効率的にエ
ツチングできる。
［発明の効果］
以上の説明から判るように、本発明によれば処理面の周
囲部分を一層低温にして、周囲への悪影響が緩和され、
且つ、効率的に堆積やエツチングの処理が行なわれるた
め、半導体装置の品質並びに性能の向上に極めて寄与す
るものである。
囲部分を一層低温にして、周囲への悪影響が緩和され、
且つ、効率的に堆積やエツチングの処理が行なわれるた
め、半導体装置の品質並びに性能の向上に極めて寄与す
るものである。
第１図は本発明にかかる照射光を発光させるための中空
陰極管の断面図、 第２図は本発明にかかる一実施例のエピタキシャル成長
法を示す断面図、 第３図は従来のエピタキシャル成長法を示す断面図であ
る。 図において、 １は処理チャンバ、 ２は半導体基板、３はレンズ、
４は遠紫外光、５は中空陰極灯、 １１はガス流入口、 １２は排気口、５１は陽極、
５２は陰極 を示している。
陰極管の断面図、 第２図は本発明にかかる一実施例のエピタキシャル成長
法を示す断面図、 第３図は従来のエピタキシャル成長法を示す断面図であ
る。 図において、 １は処理チャンバ、 ２は半導体基板、３はレンズ、
４は遠紫外光、５は中空陰極灯、 １１はガス流入口、 １２は排気口、５１は陽極、
５２は陰極 を示している。
Claims (1)
- 半導体基板上の堆積面、もくしくは、半導体基板上のエ
ッチング面に、堆積材料、もしくは、被エッチング材料
と同一物質の共鳴線の光を照射しながら、堆積処理、も
しくはエッチング処理をおこなうようにしたことを特徴
とする半導体基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27117984A JPS61148816A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 半導体基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27117984A JPS61148816A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 半導体基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148816A true JPS61148816A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17496442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27117984A Pending JPS61148816A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 半導体基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148816A (ja) |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP27117984A patent/JPS61148816A/ja active Pending
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