JPS61139225A - ゲ−ト回路 - Google Patents

ゲ−ト回路

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Publication number
JPS61139225A
JPS61139225A JP59258518A JP25851884A JPS61139225A JP S61139225 A JPS61139225 A JP S61139225A JP 59258518 A JP59258518 A JP 59258518A JP 25851884 A JP25851884 A JP 25851884A JP S61139225 A JPS61139225 A JP S61139225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
gate
circuit
time
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP59258518A
Other languages
English (en)
Inventor
幸憲 弦田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59258518A priority Critical patent/JPS61139225A/ja
Publication of JPS61139225A publication Critical patent/JPS61139225A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野の説明] 本発明はゲートターンオフサイリスタ(以下、GTOと
略称する)素子を#1mするオフゲート回路に係り、特
にオフゲート電流を供給するためのコンデンサの充電時
間を短縮する効果のあるゲート回路に間するものである
[発明の技術的背景とその@照点] GTOのオフゲート回路として、従来より、パルストラ
ンスを使用したオフゲート回路としては、第4図に示す
ような構成のものが用いられている。
GTO素子1は、パルストランス2の2次巻線N3の一
端がそのゲートへ接続され、他端はダイオード7a、7
bを介して、そのカソードに接続される。ゲート電源3
は、ダイオード6を介して、パルストランス2の1次巻
線N1の一端に接続され、ゲート電力を供給する。1圧
巻I N 1の他端は、1次巻線N2の一端およびコン
デンサ4の一端と接続される。1次巻線N2の他端は、
トランジスタ5を介して、コンデンサ4の他端、ゲート
11i113のマイナス側に接続される。
第5図(a)は、第4図の回路の動作時における各部波
形である。(I)はコンデンサ4の両端の電圧波形Vc
、(II)はパルストランス2の2次巻線N3より出力
するオフゲート電流1OFF、(III)はGTO素子
1のゲート・カソード間電圧波形Va−にである。時刻
tIIよりトランジスタ5にベース信号が供給されると
、トランジスタ5がオンすることにより、コンデンサ4
の図示摸性Vcoに充電された電荷は、パルストランス
2の1次巻線N2、トランジスタ5を介して放電し、2
次巻線N!に電圧を誘起する。2取巻wAN3からの出
力電流1OFFは、図示しないオンゲート回路のオンゲ
ート電流の流れ込みを防止するダイオード7a、7bを
介してGTO素子1のカソードからゲートへ負の゛電流
として出力される。時刻1、からtlまでの時間TOF
Fの間、トランジスタ5にベース信号が与えられ、トラ
ンジスタ5はオンしている。時間TOFF経過後、トラ
ンジスタ5が時刻t1でオフすると、パルストランス2
の励磁電流は、時刻t1から時刻t2までの時間Tcの
間、ゲートit源3のプラス側、ダイオード6.1次巻
線Nl、コンデンサ4、ゲート電源3のマイナス側の電
路で流れ、コンデンサ4の再充電を行う。この時の等両
回路を第5図(b)に示す。
近年、GTOを使用した変換装置で、PWM制御等のG
TOのスイッチング周波数を高くするニーズがある。こ
の場合、前記したオフゲート回路のコンデンサ群 間TOFFの時間で、動作周波数の限界があった。
又、コンデンサの充電が完了しないうちに、オフ電流出
力信号がでて、トランジスタ5がオンすると充分なオフ
ゲート電流l0FFが出力されず、GTO素子1が、タ
ーンオフ失敗で破損するという故障も考えられた。
[発明の目的] 本発明は前述の点に鑑みなされたものであって、コンデ
ンサの充電時間を短縮出来るゲート回路を提供すること
を目的とする。
[発明の概要] 本発明は、上記目的を達成するために、オフゲート回路
のコンデンサを分割して設け、オフゲート電流出力時に
は、該コンデンサ群の充電電荷が全て並列に放電し、コ
ンデンサの充電時には、該コンデンサ群が直列に充電さ
れるように構成することにより、充電時間の短縮をはか
つたことを特徴とするものである。
[発明の実施例] 第1図に、本発明の一実施例を示す。第4図と同一ある
いは同相当部分には同一符号を付して、その説明を省略
する。コンデンサは2分割され、各コンデンサ4a、4
bは並列に充電されるのを防止するダイオード8a、3
bと直列接続され、直列に充電するために、コンデンサ
4aとダイオード8aの接続点とダイオード8bとコン
デンサ4bの接続点間に、図示の極性に、ダイオード8
Cを接続する。
次に、本発明の作用を、第1図および動作時の等価回路
第2図を参照して説明する。第2図は、本発明の実施例
における充電時の等両回路(a)、放電時の等両回路(
b)を示す。各部動作波形は、第5図(a)の中で、コ
ンデンサ4の電圧波形VCをコンデンサ4aと4bの直
列の電圧波形とすれば、同様である。まず、コンデンサ
4a、4bには、第2図(b)に図示する極性に、各々
、vca、 V cbに充電されているとする。第5図
(a)の時刻1.においてトランジスタ5にベース信号
が供給されると、トランジスタ5がオンし、コンデンサ
4a、4bの各充電電荷は、ダイオード8aおよびダイ
オード8bを介して、パルストランス2の1次巻線N2
とトランジスタ5に対して並列に放電路を形成し、放電
電流■。、Sl。
1o+s2が通流し、GTOlのゲート・カソード間に
対して、第5図(a)の(I[)に示すオフゲート電流
l0FFが出力される。時刻t(1からtiまでの時間
ToFFの間、トランジスタ5にベース信号が与えられ
、トランジスタ5はオンしている。時間Topp経過後
、トランジスタ5が時刻t1においてオフすると、パル
ストランス2の励磁電流ICは、第2図(a)に図示す
る電路(ゲート電源3のプラス側、ダイオード6、パル
ストランス2の1次巻線N1、コンデンサ4a。
ダイオード8C、コンデンサ4b、ゲート電源3のマイ
ナス側)で、コンデンサ4a 、4bを直列に充電する
以上のように、本発明の実施例として示す第1図では、
コンデンサ4a 、4bはパルストランス2の励!!電
流による充電時に直列回路を形成する。
従来例として示す第4図において、コンデンサ4の充電
時間Tcは、パルストランス2の励磁インダクタンスL
O、トランジスタ5がオフした時の励磁電流IO、コン
デンサ4の静電容量CO、ゲート電源3の電圧をEdと
すると、下記(1)、(2)式%式% 従って、例えば第4図のコンデンサ4の静電容量をC1
第5図のコンデンサ4a 、4bの静電容量を各々、C
/2として、その他のパラメータを等しくすると、第4
図のコンデンサ4の充電時間Tc  (Go−C)と第
1図のコンデンサ4a、4bの充電時間Tc  (Co
−C/2>は、概略、下記の関係が成立する。
Tc  (Co −C) =2xTc  (Go −C
/2)・・・(3) 従って、充電時間は本発明の場合、従来の約1/2に短
縮されることがわかる。
分割するコンデンサ群は、第1図に示すように2分割と
する以外に、少なくとも2分割以上とすることも可能で
ある。例えば、3分割として、第3図に示すコンデンサ
4Cを追加して設ける。ダイオード8dをコンデンサ4
aとダイオード8aの接続点とコンデンサ4bとダイオ
ード8bの接続点間に接続し、ダイオード8eをコンデ
ンサ4bの他端とコンデンサ4Cとダイオード8Cの接
続点間に接続するように構成しても、第1図と同様の効
果を得ることができる。
1発明の効果] 以上、本゛発明によれば、オフゲート回路のコンデンサ
を少なくとも2分割以上で構成し、オフゲート電流出力
時には、該コンデンサ群の充電電荷が、全て並列に放電
し、充電時には、該コンデンサ群が直列に充電されるよ
うに構成されるので、大幅に充電時間が短縮され、動作
周波数をより高くできる効果のあるゲート回路を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は第1
図の動作を説明するための等価回路図、第3図は本発明
の他の実施例を示す構成図、第4図は従来のオフゲート
回路の構成図、第5図は第4図の動作を説明する各部波
形と等価回路図である。 1・・・GT○、2・・・パルストランス、3・・・ゲ
ート電源、4,4a 、4b 、4c・・・コンデンサ
、5・・・トランジスタ、6・・・ダイオード、7a、
7b・・・ダイオード、8a、8b、Ba、8d、Be
−・・ダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 (a)       (b) 第3図 第4 M 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コンデンサに電荷を蓄積し、この放電によりオフ
    ゲート電流を出力するように構成した自己消弧形素子の
    オフゲート回路において、前記コンデンサを少なくとも
    2分割以上のコンデンサ群とし、オフゲート電流出力時
    には、全て並列接続とし、該コンデンサ群の充電時には
    、直列接続とする手段を具備したことを特徴とするゲー
    ト回路。
JP59258518A 1984-12-07 1984-12-07 ゲ−ト回路 Pending JPS61139225A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59258518A JPS61139225A (ja) 1984-12-07 1984-12-07 ゲ−ト回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP59258518A JPS61139225A (ja) 1984-12-07 1984-12-07 ゲ−ト回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61139225A true JPS61139225A (ja) 1986-06-26

Family

ID=17321321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59258518A Pending JPS61139225A (ja) 1984-12-07 1984-12-07 ゲ−ト回路

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JP (1) JPS61139225A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05269398A (ja) * 1992-03-26 1993-10-19 Shinwa Plant Kiko Kk 粉砕装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05269398A (ja) * 1992-03-26 1993-10-19 Shinwa Plant Kiko Kk 粉砕装置

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