JPS61139018A - Formation of electrode for external connection of chip type electronic component - Google Patents
Formation of electrode for external connection of chip type electronic componentInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はチップ型電子部品の外部接続用電極を形成す
る方法 ゛ 、）瞥に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for forming external connection electrodes for chip-type electronic components.
（従来の技術）
チップ型電子部品として、代表的なものにコンデンサ、
抵抗、インダクタンスなどがある。(Conventional technology) Typical chip-type electronic components include capacitors and
There are resistance, inductance, etc.
第６図はチップ型コンデンサ、特にチップ型積層セラミ
ックコンデンサの典型的な構造を示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing a typical structure of a chip type capacitor, particularly a chip type multilayer ceramic capacitor.
この図において、複数のＭ電体セラミック層２の間に内
部電極３が介挿された状態で積層体１が構成され、この
積層体１の内部電極３に接続される外部接続用電極４が
積層１句側面に形成されている。In this figure, a laminate 1 is constructed with internal electrodes 3 interposed between a plurality of M electric ceramic layers 2, and an external connection electrode 4 connected to the internal electrode 3 of this laminate 1. A laminated layer is formed on the side.
第７図はチップ型抵抗の典型的な構造を示す側面図であ
る。FIG. 7 is a side view showing a typical structure of a chip type resistor.
この図において、アルミナなどの基板５の上に電１ｆｉ
６，６が形成され、この電極６．６間にたとえばＲＩ
Ｊ ０２からなる抵抗ペーストを焼き付けて抵抗体７を
形成し、電極６．６にそれぞ机電気接続する外部接続用
電極８が側面に形成されている。In this figure, an electric current 1fi is placed on a substrate 5 such as alumina.
For example, RI
A resistor paste made of J02 is baked to form a resistor 7, and external connection electrodes 8 are formed on the side surfaces to be electrically connected to the electrodes 6 and 6, respectively.
第８図はチップ型インダクタの典型的な構造を示す概略
側面図である。FIG. 8 is a schematic side view showing a typical structure of a chip type inductor.
この図において、詳細に図示していないが、導体パター
ンを形成したフェライト生シートを複数枚積み重ね、フ
ェライト生シートに形成したスルーホールを介して導体
パターンがたとえば上から下へ連結され、結果的にはコ
イル９を内部に包含した状態で形成され、加圧一体化さ
れて焼成され、得られたチップ１０の側面にコイル９の
端部と電気接続するように外部接続用電極１１が形成さ
れている。Although not shown in detail in this figure, a plurality of raw ferrite sheets with conductor patterns formed thereon are stacked up, and the conductor patterns are connected, for example, from top to bottom through through holes formed in the raw ferrite sheets, resulting in is formed with the coil 9 contained therein, integrated under pressure and fired, and an external connection electrode 11 is formed on the side surface of the obtained chip 10 so as to be electrically connected to the end of the coil 9. There is.
上記した各種のチップ型電子部品の外部接続用電極は、
通常ガラスフリット、ワニスを含む銀ペーストを塗布、
印刷などの手段で付与し、これを空気中で焼き付けるこ
とによって形成さ机ている。The external connection electrodes of the various chip-type electronic components mentioned above are
Usually coated with glass frit, silver paste containing varnish,
It is formed by applying it by means such as printing and baking it in the air.
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、外部接続用ｌ１ｆｆｌは上記したように、銀
ペーストの焼き付けにより形成したものであるため厚膜
状に形成されている。特に、第６図〜第８図に示した各
種のチップ型電子部品において、両平面の端部に盛り上
がり部分Ａが形成されることになる。たとえば、第６図
に示したチップ型コンデンサについて説明すれば、チッ
プ本体の厚みが５００μｍに対して、外部接続用電極の
盛り上がり部分への厚みは５０μｍ程度に形成され、上
下の電極の盛り上がり部分Ａを合算すると１００μ硼と
なり、チップ本体の厚みの２０％にも達する。(Problems to be Solved by the Invention) However, as described above, since the external connection l1ffl is formed by baking silver paste, it is formed in a thick film shape. In particular, in the various chip-type electronic components shown in FIGS. 6 to 8, raised portions A are formed at the ends of both planes. For example, in the case of the chip capacitor shown in FIG. 6, the thickness of the chip body is 500 μm, whereas the thickness of the raised portion of the external connection electrode is approximately 50 μm, and the raised portion A of the upper and lower electrodes is The total amount is 100μ, which is 20% of the thickness of the chip body.
このような外部接続用電極の形成構造に起因して次のよ
うな点が問題とされている。The following problems arise due to the formation structure of such external connection electrodes.
まず、チップ型電子部品をプリント基板上に装着すると
き、真空チャックでチップ型電子部品を吸い上げるが、
外部接続用電極が盛り上がり部分を持って形成されてい
るため、上面が平坦状態ではなく、チップ型電子部品と
の間に隙間ができることになり、真空チャックで吸い上
げられないことになる。First, when mounting chip-type electronic components on a printed circuit board, a vacuum chuck sucks up the chip-type electronic components.
Since the external connection electrode is formed with a raised portion, the top surface is not flat and a gap is created between it and the chip-type electronic component, which prevents it from being sucked up by the vacuum chuck.
また、上記したように外部接続用電極の盛り上がり部分
があると、チップ型電子部品の薄膜化に逆行し、厚みが
制約されている電子機器への組み込みができなくなると
いう問題を含んでいる。Further, as described above, if the external connection electrode has a raised portion, it goes against the trend toward thinning of chip-type electronic components, and there is a problem in that it cannot be incorporated into electronic devices where thickness is restricted.
さらに、チップ型コンデンサの場合、外部接続用電極の
盛り上がり部分だけ、誘電体層の積層数を減らして、チ
ップ型電子部品の薄膜化を阻害しないようにすることも
考えられる。しかし逆に容重が小さくなるという問題を
含むことになる。Furthermore, in the case of a chip-type capacitor, it is conceivable to reduce the number of laminated dielectric layers only in the raised portion of the external connection electrode so as not to impede the thinning of the chip-type electronic component. However, on the contrary, it involves the problem that the volume and weight become smaller.
そこで、接続用外部電極の厚みを薄くし、盛り上がり部
分をなくするため、真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法などの薄膜形成技術によりこの外
部接続用電極を形成することが提案されている。Therefore, in order to reduce the thickness of the external connection electrode and eliminate the raised parts, it has been proposed to form this external connection electrode using thin film formation techniques such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. .
特開昭５８−６４０１７号はこの発明の最も好適な従来
技術を開示したものである。JP-A-58-64017 discloses the most suitable prior art for this invention.
第９図はチップ型積層セラミックコンデンサの端面にス
パッタリングＷにて外部接続用′Ｒ極を形成する状態を
示した側断面図である。FIG. 9 is a side cross-sectional view showing a state in which an R pole for external connection is formed by sputtering W on the end face of a chip-type multilayer ceramic capacitor.
この図において、マスキング装置１２のポケット１３に
積層ユニット１４を装着し、この状態でスパッタリング
装置に設置し、ターゲット１５をスパッタリングして、
積層ユニット１４の側面にスパッタ粒子を付着して外部
接続用電極１６を形成している。In this figure, a stacking unit 14 is attached to a pocket 13 of a masking device 12, and in this state, it is installed in a sputtering device, and a target 15 is sputtered.
Sputtered particles are attached to the side surface of the laminated unit 14 to form the external connection electrode 16.
なお、１７．１８はそれぞれ内部電極である。Note that 17 and 18 are internal electrodes, respectively.
しかしながら、このような方法で形成された外部接続用
電極１６は次のような問題を有している。However, the external connection electrode 16 formed by such a method has the following problems.
つまり、積層ユニット１４の側面にしか外部接続用電橋
１６が形成されていないため、積層ユニット１４に対す
る十分な接合強度が得られないということである。この
ため、外部接続用電極１６を形成する前に、スパッタ＋
−４エツチング処理を施し、側面表面を荒らすことが明
示されているが、このような処理をもってしても十分な
接合強度を得るには至っていない。In other words, since the external connection bridge 16 is formed only on the side surface of the laminated unit 14, sufficient bonding strength to the laminated unit 14 cannot be obtained. Therefore, before forming the external connection electrode 16, sputtering +
Although it is specified that -4 etching treatment is applied to roughen the side surfaces, even with such treatment, sufficient bonding strength cannot be obtained.
したがって、外部接続用電極を構造的な点から改善する
必要がある。つまり、第６図〜第８図に示したように、
外部接続用電極を側面にだけ形成するのではなく、側面
および側面から上下面の端部にまで延びた形状、つまり
断面口字状をなす外部接続用Ｎ極とする必要がある。Therefore, it is necessary to improve the external connection electrode from a structural point of view. In other words, as shown in Figures 6 to 8,
Rather than forming the external connection electrode only on the side surface, it is necessary to form the external connection N electrode in a shape extending from the side surface and the side surface to the ends of the upper and lower surfaces, that is, in a cross-sectional shape.
しかし、第９図に図示したマスキング装置では、チップ
型電子部品の本体の上下面にまで達っする外部接続用電
極を形成することは不可能である。However, with the masking device shown in FIG. 9, it is impossible to form external connection electrodes that reach the upper and lower surfaces of the main body of the chip-type electronic component.
しかも“、従来の方法では、ポケット１３と積層ユニッ
ト１４との間に隙間が存することは不適当であり、ポケ
ット１３ならびに積層ユニット１４の寸法精度を上げな
ければならない。また装填作業や取り出し作業の点から
見てもかなり面倒なものであることは明らかである。Moreover, in the conventional method, it is inappropriate for a gap to exist between the pocket 13 and the laminated unit 14, and the dimensional accuracy of the pocket 13 and the laminated unit 14 must be improved. It is clear that it is quite troublesome from the point of view.
（発明の目的）
したがって、この発明は、チップ型積哨セラミックコン
デンサ、積層チップ型抵抗、チップ型インダクタなどの
ようなチップ型電子部品の外部接続用電極を真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの１
１１％形成技術により形成するに際して、チップ型電子
部品の端部に断面口字状をなす形状の外部接続用電極を
形成する方法を提供することを目的とする。(Object of the Invention) Therefore, the present invention provides an electrode for external connection of a chip-type electronic component such as a chip-type integrated ceramic capacitor, a multilayer chip-type resistor, a chip-type inductor, etc. by vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. law etc. 1
It is an object of the present invention to provide a method for forming an external connection electrode having a cross-sectional shape of an opening at the end of a chip-type electronic component when formed using a 11% formation technique.
また、この発明は、チップ型電子部品の端部に外部接続
用電極を形成するに際して、作業性のよい方法を提供す
ることを目的とする。Another object of the present invention is to provide a method with good workability when forming external connection electrodes on the ends of chip-type electronic components.
（問題点を解決するための手段）
この発明は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法などの薄膜形成技術によりチップ型電子
部品の端部に外部接続用電極を形成するに際して、まず
第２図に示すような六面体状のチップ型電子部品２１を
対象とする。このチップ型電子部品２１は図示した位置
からみて、左右側面ＡＩ、Ａ２．前侵側面３１．［３２
および上下主面Ｃ１゜Ｃ２を有する。(Means for Solving the Problems) This invention first provides a method for forming external connection electrodes at the ends of chip-type electronic components using thin film forming techniques such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. The target is a hexahedral chip-type electronic component 21 as shown in FIG. This chip type electronic component 21 has left and right sides AI, A2. Anterior invasion surface 31. [32
and has upper and lower main surfaces C1°C2.
このチップ型電子部品２１の端部、つまり左右側面へ１
．Ａ２および上下主面Ｃ１，Ｃ２の一部に断面口字状の
外部接続用電極を形成する順序を第３図に従って説明す
る。1 to the ends of this chip type electronic component 21, that is, to the left and right sides.
．． The order in which external connection electrodes having a cross-section shape are formed on parts of A2 and the upper and lower principal surfaces C1 and C2 will be described with reference to FIG.
まず、第３図（ａ ＞に示すように、チップ型電子部品
２１を準備する。First, as shown in FIG. 3(a), a chip type electronic component 21 is prepared.
次いで、第３図（ｂ）に示すように、下主面Ｃ２の左端
部０２Ｌおよびこの左端部Ｃ２Ｌに連続して左側面Ａ
１の一部に導電部２２ａを形成する一方、右端部Ｃ２Ｒ
およびこの右端部Ｃ２Ｒに連続して右側面Ａ２の一部に
導電部２３ａを形成する。Next, as shown in FIG. 3(b), the left end 02L of the lower main surface C2 and the left side surface A continuing from this left end C2L.
1, while the right end portion C2R
Further, a conductive portion 23a is formed in a part of the right side surface A2 continuously from the right end portion C2R.
さらに、第３図（Ｃ）に示すように、チップ型電子部品
２１を裏返し、つまり、上下主面ＣＩ、Ｃ２が互いに逆
の位置に位置するように裏返す。Furthermore, as shown in FIG. 3(C), the chip type electronic component 21 is turned over, that is, turned over so that the upper and lower main surfaces CI and C2 are located at opposite positions.
つづいて、第３図（ｄ ）に示すように、上主面Ｃ１の
左端部ＣＩＬおよびこの左端部ＣＩＬに連続して左側面
Ａ １の一部に導電部２２ｂを形成する一方、右端部Ｃ
ＩＲおよびこの右端部Ｃ１Ｒに連続して右側面Ａ２の一
部に導電部２３ｂを形成する。Subsequently, as shown in FIG. 3(d), a conductive portion 22b is formed in the left end CIL of the upper main surface C1 and a part of the left side surface A1 continuously from the left end CIL, while the right end CIL is formed in a part of the left side surface A1.
A conductive portion 23b is formed in a part of the right side surface A2 continuously from the IR and this right end portion C1R.
このとき、チップ型電子部品２１の左側面ＡＩ、右側面
Ａ２に形成される導電部２２ａと２２ｂ１および導電部
２３ａと２３ｂは互いに重なる状態で形成される。At this time, the conductive parts 22a and 22b1 and the conductive parts 23a and 23b formed on the left side AI and right side A2 of the chip type electronic component 21 are formed in a state where they overlap with each other.
なお、第３図（ｄ ）に示した状態のチップ型電子部品
２１の位置関係は第２図の状態で定義した位置関係にも
とづいて説明した。したがって、第３図（ｄ ）での説
明では上下の位置関係が逆転していることに注意された
い。The positional relationship of the chip type electronic component 21 in the state shown in FIG. 3(d) has been explained based on the positional relationship defined in the state shown in FIG. Therefore, please note that in the explanation with reference to FIG. 3(d), the vertical positional relationship is reversed.
また第３図（ｂ）の状態からチップ型電子部品２１を第
３図（Ｃ）の状態に裏返したとき、上下の位置を逆にし
たが、左右側面を互いに逆の位置になるようにしてもよ
い。Furthermore, when the chip type electronic component 21 is turned over from the state shown in FIG. 3(b) to the state shown in FIG. Good too.
上記した工程を経ることにより、チップ型電子部品２１
の端部に断面口字状の外部接続用電極が形成されたこと
になる。By going through the steps described above, the chip type electronic component 21
This means that an external connection electrode with an open-shaped cross section is formed at the end of the electrode.
第４図はチップ型電子部品２１の完成した状態を示す図
であり、両端部に断面口字状の外部接続用電極２２．２
３がそれぞれ形成されている。第３図（ｄ）の状態では
、チップ型電子部品２１の左右側面ＡＩ、Ａ２に導電部
２２ａ、２２ｂ 、および導電部２３ａ。FIG. 4 is a diagram showing the completed state of the chip type electronic component 21, in which external connection electrodes 22.
3 are formed respectively. In the state shown in FIG. 3(d), conductive parts 22a, 22b and conductive part 23a are formed on the left and right sides AI and A2 of the chip type electronic component 21.
２３ｂが重なった状態で形成されている様子が示されて
いるが、説明の便宜上厚みをもって図示しており、いず
れも薄膜状に形成されるため、実際には第４図に示すよ
うな状態に外部接続弔電Ｉｆ！２２゜２３が形成される
。23b are shown to be formed in an overlapping state, but for convenience of explanation, the thickness is shown in the figure, and since both are formed in a thin film shape, they are actually in the state shown in FIG. 4. External connection condolence call If! 22°23 are formed.
（効果） この発明によれば、次のような種々の効果が得られる。(effect) According to this invention, the following various effects can be obtained.
■７！膜状の外部接続用電極が形成でき、従来のように
銀の焼き付は電極のように盛り上がり部分は形成されな
い。■7! A film-like external connection electrode can be formed, and unlike conventional electrodes, the silver baking does not form a raised part like the electrode.
■電極の盛り上がり部分がないため、真空チャック装置
でチップ型電子部品を吸着することができ、プリント基
板への自ｖＪ＠Ｗが可能になるとともに位置決め精度が
上がる。■Since there is no raised part of the electrode, chip-type electronic components can be picked up by a vacuum chuck device, making it possible to attach the chip to a printed circuit board and improving positioning accuracy.
■電極の盛り上がり部分の厚みだけ、チップ型電子部品
本体の厚みを増やすことができ、たとえば積層型セラミ
ックコンデンサであればＷ’１Ｍ体ヒラミヒラミック層
できるため、容量の増大を図ることができる。ざらには
、抗折強度も増大させることができる。(2) The thickness of the chip-type electronic component body can be increased by the thickness of the raised portion of the electrode. For example, in the case of a multilayer ceramic capacitor, a W'1M structure can be formed into a helical layer, so that the capacitance can be increased. Furthermore, the bending strength can also be increased.
■根の焼き付は電極には、ガラスフリット成分であるア
ルカリ金属成分が含有されているため、耐湿性が悪いと
いう欠点が見られるが、この発明によれば上記したアル
カリ金属成分を含有しない電極材料で電極を形成するた
め、すぐれた耐湿性を有するチップ型電子部品を提供す
ることができる。■ Root burning is caused by the fact that electrodes contain alkali metal components, which are glass frit components, and have poor moisture resistance.However, according to this invention, electrodes do not contain the above-mentioned alkali metal components. Since the electrodes are formed from the material, it is possible to provide a chip-type electronic component with excellent moisture resistance.
■電極材料としてニッケル、クロム、銅、アルミニウム
などの卑金属を用いることができるので、コストダウン
を図ることができる。(2) Base metals such as nickel, chromium, copper, and aluminum can be used as electrode materials, so costs can be reduced.
■チップ型電子部品の端面のみに電極を形成した場合に
くらべて接合強度が大きく、高信頼性のチップ型電子部
品の作成が可能となる。■Compared to the case where electrodes are formed only on the end faces of chip-type electronic components, the bonding strength is greater, making it possible to create highly reliable chip-type electronic components.
■装填作業がやりやすく作業性や量産性に富む。■Easy to load and highly workable and mass-producible.
（実施例）
以下この発明を図示した実施例に従って詳細に説明する
。(Embodiments) The present invention will be described in detail below according to illustrated embodiments.
第１図は電極の被着体であるチップ型電子部品を治具に
装着した状態を示す一部側断面図である。FIG. 1 is a partial side cross-sectional view showing a state in which a chip-type electronic component, which is an object to which an electrode is attached, is mounted on a jig.
この図において、３１は保持具であり、チップ型電子部
品２１を収容する凹部３２を有する。この凹部３２は溝
状に形成されており、図示した状態そは明らかではない
が、この凹部３２にチップ型電子部品２１が複数個互い
に密着した状態で収容される。つまり第２図で示したチ
ップ型電子部品２１の位置の定義によれば、隣り合うチ
ップ型電子部品の前側面Ｂ１と後側面Ｂ２が互いに密着
した状態となる。In this figure, 31 is a holder, which has a recess 32 in which the chip-type electronic component 21 is accommodated. This recess 32 is formed in the shape of a groove, and although the state shown in the drawing is not clear, a plurality of chip-type electronic components 21 are accommodated in this recess 32 in close contact with each other. That is, according to the definition of the position of the chip-type electronic component 21 shown in FIG. 2, the front side surface B1 and the rear side surface B2 of adjacent chip-type electronic components are in close contact with each other.
また凹部３２は複数条互いに並行して形成され、同時に
複数個のチップ型電子部品２１に外部接続用電極を形成
処理できるようになっている。チップ型電子部品２１を
収容する凹部３２の深さｇはチップ型電子部品２１の厚
み（にくらべて！＜ １／２ｔの関係になるように設
定されている。Further, a plurality of recesses 32 are formed in parallel to each other, so that external connection electrodes can be formed on a plurality of chip-type electronic components 21 at the same time. The depth g of the recess 32 that accommodates the chip-type electronic component 21 is set so as to satisfy the relationship !<1/2t compared to the thickness of the chip-type electronic component 21.
また図示した状態では凹部３２にチップ型電子部品２１
が隙間が形成されないように収容されているが、第５図
に示すように凹部３２の幅Ｗ１をチップ型電子部品２１
の幅Ｗ２（左側面Ａ１と右側面Ａ２どの距１Ｉｌｔ）よ
りやや幅広としてもよい。In addition, in the illustrated state, the chip type electronic component 21 is placed in the recess 32.
The width W1 of the recess 32 is accommodated so that no gap is formed, but the width W1 of the recess 32 is
It may be made slightly wider than the width W2 (distance 1Ilt between the left side surface A1 and the right side surface A2).
４１はスペーサであり、チップ型電子部品２１の左右側
面Ａｌ、Ａ２を露出させる役割を果たす。この場合、ス
ペーサ４１は独立した構成部分として取り扱っているが
、保持具３１と一体に形成してもよい。A spacer 41 serves to expose the left and right side surfaces Al and A2 of the chip type electronic component 21. In this case, the spacer 41 is treated as an independent component, but it may be formed integrally with the holder 31.
またスペーサ４１を後述するマスクと一体に形成しても
よい。Further, the spacer 41 may be formed integrally with a mask described later.
５１はマスクであり、このマスク５１は図示した状態で
上面がチップ型電子部品２１の下主面Ｃ２と密着してい
る。このマスク５１には、スリット５２が形成されてお
り、マスク５１の下方から見たとき、チップ型電子部品
２１の下主面Ｃ２の左端部Ｃ２Ｌおよび右端部Ｃ２Ｒが
露出するような状態となっている。スリット５２の残余
の部分が遮蔽部５３となっている。この遮蔽部５３はチ
ップ型電子部品２１の下主面Ｃ２のほぼ中央部を覆って
あり、後述する導電部の形成工程でこの中央部に電極形
成材料飛散源から飛散する電極形成材料が形成されるの
を阻止されることになる。51 is a mask, and the upper surface of this mask 51 is in close contact with the lower main surface C2 of the chip type electronic component 21 in the illustrated state. A slit 52 is formed in this mask 51, and when viewed from below the mask 51, the left end C2L and right end C2R of the lower main surface C2 of the chip type electronic component 21 are exposed. There is. The remaining portion of the slit 52 serves as a shielding portion 53. This shielding part 53 covers approximately the center of the lower main surface C2 of the chip-type electronic component 21, and the electrode forming material scattered from the electrode forming material scattering source is formed in this central part in the process of forming the conductive part to be described later. will be prevented from doing so.
保持具３１．スペーサ４１およびマスク５１はボルト７
１、ナツト７２で相互に固定される。したがって、チッ
プ型電子部品２１は保持具３１とマスク５１とに挾持固
定され、外部接続用電極を形成する工程に供される状態
に準備される。Holder 31. Spacer 41 and mask 51 are bolts 7
1. They are mutually fixed with nuts 72. Therefore, the chip type electronic component 21 is clamped and fixed between the holder 31 and the mask 51, and is prepared to be subjected to the process of forming external connection electrodes.
マスク５１の下方には、外部接続用電極を形成するため
の材料、つまり電極形成材料飛散源６１がマスク５１に
対して並行に設置されている。この電極形成材料飛散源
６１はたとえば、真空蒸着法、イオンプレーティング法
では通常蒸発源と称され、ヒータ、ボート、るつぼなど
を加熱して、その上に蒸発材料が設置されたもので構成
される。またスパッタリング法ではターゲットと称され
るものが用いられる。図示したものは説明の便宜上、ス
パッタリング法で用いられるターゲットを示した。Below the mask 51, a material for forming external connection electrodes, that is, an electrode forming material scattering source 61 is installed in parallel to the mask 51. This electrode forming material scattering source 61 is usually called an evaporation source in, for example, a vacuum evaporation method or an ion plating method, and is constructed by heating a heater, boat, crucible, etc., and placing the evaporation material on top of it. Ru. Furthermore, in the sputtering method, something called a target is used. For convenience of explanation, the illustration shows a target used in the sputtering method.
チップ型電子部品２１を装着した治具、ならびに電極形
成材料飛散源６１は真空容器内に設置され、真空雰囲気
中で外部接続用電極の形成処理が行われる。The jig on which the chip-type electronic component 21 is mounted and the electrode forming material scattering source 61 are placed in a vacuum container, and the process of forming external connection electrodes is performed in a vacuum atmosphere.
次に、外部接続用電極をチップ型電子部品２１に形成す
る工程を説明する。Next, a process of forming external connection electrodes on the chip-type electronic component 21 will be described.
この工程については、第１図、第３図（ａ ）〜（ｄ
）にもとづいて説明する。This process is shown in Figures 1 and 3 (a) to (d).
).
第１図に示した治具には第３図（ａ ）の位置関係でチ
ップ型電子部品２１がｉ着される。A chip type electronic component 21 is attached to the jig shown in FIG. 1 in the positional relationship shown in FIG. 3(a).
この状態で電極形成材料飛散源６１からチップ型電子部
品２１を見たとき、マスク５１のスリット５２から下主
面Ｃ２の左端部Ｃ２Ｌ、右端部Ｃ２Ｒが露出し、またチ
ップ型電子部品２１の左側面ＡＩ、右側面Ａ２が露出し
ている。この状態で電極形成材料飛散源６１から粒子を
飛散させると、粒子は露出している左端部０２Ｌおよび
この左端部Ｃ２Ｌに連続して左側面Ａ１の一部に付着す
る一方、右端部Ｃ２Ｒおよびこの右端部Ｃ２Ｒ１，：１
続して右側面Ａ２に付着する。このときチップ型電子部
品２１の左側面Ａ １と右側面Ａ２とはＩＲ穫影形成材
料飛散源５１対向していないが、飛散粒子の斜め方向か
らの飛来により左側面Ａ１と右側面Ａ２とに飛散粒子が
付着する。チップ型電子部品２１のその他の個所につい
ては、マスク５１の遮蔽部５３により飛散粒子の付着が
阻止されたり、チップ型電子部品２１が互いに密着して
いることにより、つまり前後側面Ｂｌ、Ｂ ２同志が密
着していることにより飛散粒子は被着しない。When the chip type electronic component 21 is viewed from the electrode forming material scattering source 61 in this state, the left end C2L and right end C2R of the lower main surface C2 are exposed from the slit 52 of the mask 51, and the left side of the chip type electronic component 21 is exposed. Surface AI and right side surface A2 are exposed. When particles are scattered from the electrode forming material scattering source 61 in this state, the particles adhere to the exposed left end 02L and a part of the left side surface A1 following this left end C2L, while they adhere to the right end C2R and this left end C2L. Right end C2R1,:1
Next, it attaches to the right side A2. At this time, the left side surface A1 and the right side surface A2 of the chip type electronic component 21 do not face the IR image forming material scattering source 51, but the left side surface A1 and the right side surface A2 due to the flying particles from an oblique direction. Scattered particles adhere. Regarding other parts of the chip-type electronic component 21, the adhesion of scattered particles is prevented by the shielding part 53 of the mask 51, and the chip-type electronic components 21 are in close contact with each other, that is, the front and rear sides B1, B2 comrades Because they are in close contact with each other, scattered particles do not adhere to them.
このような形成状態を示したのが第３図（ｂ ）である
。FIG. 3(b) shows such a formed state.
次いで、チップ型電子部品２１を冶具から取り外ずし、
このチップ型電子部品２１を第３図（Ｃ）に示すように
裏返し、この位置関係で第１図に示したようにチップ型
電子部品２１を治具に装着する。Next, remove the chip type electronic component 21 from the jig,
This chip-type electronic component 21 is turned over as shown in FIG. 3(C), and the chip-type electronic component 21 is mounted on a jig in this positional relationship as shown in FIG. 1.
そして、上記した工程と同じように処理することにより
、第３図（ｄ ）に示したように、チップ型電子部品２
１の上主面Ｃ１の左端部ＣＩＬおよびこの左端部ＣＩＬ
に連続して左側面Ａ１に導電部２２ｂが形成される一方
、右端部ＣＩＲおよびこの右端部Ｃ１Ｒに連続して右側
面Ａ２に導電部２３ｂが形成される。この段階ですでに
第１段階の工程で形成した左側面Ａｔ、右側面Ａ２の導
電部２２ａ、２３ａの上に一部重なって導電部２２ｂ、
２３ｂが形成されることになる。これはすでに上述した
ように、つまり第１図に示したように、凹部３２の深さ
りをチップ型電子部品２１の厚みｔにくらべてＱ ＜
１／ ２ｔの関係になるように設定したことにより、
このような形成状態が実現することになる。したがって
、チップ型電子部品２１の左側面ＡＩ、右側面Ａ２に十
分な厚みをもって導電部２２ａ、２２ｂおよび導電部２
３ａ、２３ｂが形成されることになり、半田付は時に半
田喰われ現象の発生を抑制することができる。しかもこ
のチップ型電子部品２１には角部に不連続な部分が形成
されることのないし字状の導電部２２ａ。Then, by performing the same process as described above, a chip-type electronic component 2 is produced as shown in FIG. 3(d).
The left end CIL of the upper main surface C1 of 1 and this left end CIL
A conductive portion 22b is formed on the left side surface A1 continuously from the conductive portion 22b, while a conductive portion 23b is formed on the right side surface A2 continuously from the right end portion CIR and the right end portion C1R. At this stage, a conductive part 22b is formed, partially overlapping the conductive parts 22a and 23a of the left side surface At and right side surface A2, which have already been formed in the first stage process.
23b will be formed. As already mentioned above, that is, as shown in FIG. 1, when comparing the depth of the recess 32 with the thickness t of the chip type electronic component 21, Q <
By setting the relationship to be 1/2t,
Such a formation state will be realized. Therefore, the conductive parts 22a, 22b and the conductive part 2 are provided with sufficient thickness on the left side AI and right side A2 of the chip type electronic component 21.
3a and 23b are formed, and it is possible to suppress the occurrence of solder eating phenomenon during soldering. Furthermore, this chip-type electronic component 21 has a dowel-shaped conductive portion 22a with no discontinuous portions formed at the corners.
２２ｂおよび導電部２３ａ、２３ｂが形成され、外部接
続用電極のチップ型電子部品２１に対する接着強度を強
固なものにすることができる。22b and conductive parts 23a, 23b are formed, and the adhesive strength of the external connection electrode to the chip-type electronic component 21 can be strengthened.
この工程を経たのちの状態を示したのが第４図であり、
チップ型電子部品２１の両端部およびこの両端部にそれ
ぞれ連続する側面に、断面口字状の外部接続用電極２２
．２３が形成された状態となっている。Figure 4 shows the state after this process.
External connection electrodes 22 each having a cross-sectional shape are provided at both ends of the chip-type electronic component 21 and on the side surfaces continuous to each end.
．． 23 is now formed.
上記した実施例では、冶具に対してＮ極形成材料飛散源
６１を並行に配置したが、治具を電極形成材料飛散源６
１に対して斜め、第１図に示した状態では右下がりか左
下がりに配置してもよい。逆に電極形成材料飛散１１１
６１を冶具に対して斜め、第１図に示した状態では右下
がりか、左下がりに配置してもよい。また処理工程中に
冶具または電極形成材料飛散源６１を互いに斜め状態に
なるように移動させてもよい。In the embodiment described above, the N-electrode forming material scattering source 61 was arranged parallel to the jig.
1, or downward to the right or downward to the left in the state shown in FIG. On the contrary, electrode forming material scattering 111
61 may be arranged diagonally with respect to the jig, and in the state shown in FIG. 1, it may be arranged downward to the right or downward to the left. Further, during the treatment process, the jig or the electrode forming material scattering sources 61 may be moved so as to be oblique to each other.
上記した外部接続用電極２２．２３としては、ニッケル
、クロム、銅、アルミニウムなどの卑金属があるが、こ
のほか、酸化ニッケル、酸化錫、酸化マンガン、酸化鉄
、酸化コバルト、窒化ニッケル、酸化ニッケル、（第１
１ｊＩＮ） −窒化ニッケル（第２１１＞で構成して
もよい。侵者の電極材料で構成すれば、たとえばチップ
型積層セラミックコンデンサでは高温での絶縁抵抗の劣
化を生じさせないという効果をもたらす。The external connection electrodes 22 and 23 mentioned above include base metals such as nickel, chromium, copper, and aluminum, but in addition to these, nickel oxide, tin oxide, manganese oxide, iron oxide, cobalt oxide, nickel nitride, nickel oxide, (1st
1jIN) - Nickel nitride (No. 211) may be used. If the electrode material is made of an invading material, for example, in a chip-type multilayer ceramic capacitor, there is an effect that the insulation resistance does not deteriorate at high temperatures.
また、この発明によれば、チップ型積層セラミックコン
デンサのほか、チップ型抵抗、チップ型インダクタなど
、要は六面体状のチップ型電子部品に外部接続用電極を
形成する場合に有用なものである。Furthermore, the present invention is useful for forming external connection electrodes on chip-type multilayer ceramic capacitors, chip-type resistors, chip-type inductors, and other hexahedral chip-type electronic components.
第１図はこの発明を実施するに当って、チップ型電子部
品を冶具に装着した状態を示す一部側断面図である。
第２図はチップ型電子部品の主面および側面の位置を特
定する記号を示すための斜視図である。
第３図（ａ ）〜第３図（ｄ ）はチップ型電子部品に
外部接続用電極を形成する過程を示す側面図である。
第４図はこの発明を実施することによりチップ型電子部
品の端部に外部接続用電極を形成した状態を示す側面図
である。
第５図は凹部にチップ型電子部品を収容した他の態様を
示す一部断面側面図
第６図〜第８図は各種チップ型電子部品の代表的なもの
を示した側面図であり、第６図はチップ型積層セラミッ
クコンデンサの例、第７図はチップ型抵抗の例、第８図
はチップ型インダクタの例である。
第９図はこの発明の従来技術に相当し、チップ型積層セ
ラミックコンデンサの端面にスパッタリング法にて外部
接続用電極を形成する状態を示した側断面図である。
２１はチップ型電子部品、２２．２３は外部接続用電極
、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂは１！電部、３１ハ
保持員、３２は凹部、４１はスペーサ、５１はマスク、
５２はスリット、５３は遮蔽部、６１は電極形成材料飛
散源。
特 許 出 願 人
株式会社村田製作所
駕 Ｊ 図
（α）
（ｂ）
（Ｃ）
（改）FIG. 1 is a partial side sectional view showing a state in which a chip-type electronic component is mounted on a jig in carrying out the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing symbols for specifying the positions of the main surface and side surfaces of the chip-type electronic component. FIGS. 3(a) to 3(d) are side views showing the process of forming external connection electrodes on a chip type electronic component. FIG. 4 is a side view showing a state in which external connection electrodes are formed at the ends of a chip type electronic component by implementing the present invention. FIG. 5 is a partially sectional side view showing another embodiment in which a chip-type electronic component is housed in a recess. FIGS. 6 to 8 are side views showing typical types of various chip-type electronic components. FIG. 6 shows an example of a chip-type multilayer ceramic capacitor, FIG. 7 shows an example of a chip-type resistor, and FIG. 8 shows an example of a chip-type inductor. FIG. 9 corresponds to the prior art of the present invention and is a side sectional view showing a state in which external connection electrodes are formed on the end face of a chip-type multilayer ceramic capacitor by sputtering. 21 is a chip type electronic component, 22.23 is an electrode for external connection, and 22a, 22b, 23a, 23b are 1! electrical part, 31 holder, 32 recess, 41 spacer, 51 mask,
52 is a slit, 53 is a shielding portion, and 61 is an electrode forming material scattering source. Patent application: Murata Manufacturing Co., Ltd. J Figure (α) (b) (C) (Revised)
Claims (3)
、イオンプレーティング法、スパッタリング法による薄
膜形成技術により断面コ字状の外部接続用電極を形成す
るに際し、 前記チップ型電子部品の一方主面を電極形成材料飛散源
に対向させ、 第１段階の工程として、マスクを介して電極形成材料飛
散源より電極形成材料を飛散させることにより、前記チ
ップ型電子部品の一方主面の両端部および両端部のそれ
ぞれに連続する側面に導電部を形成し、 次いで、前記チップ型電子部品の他方主面を電極形成材
料飛散源に対向させ、 第２段階の工程として、マスクを介して電極形成材料飛
散源より電極形成材料を飛散させることにより、前記チ
ップ型電子部品の他方主面の両端部および両端部のそれ
ぞれに連続する側面に導電部を形成し、 結果的に、前記チップ型電子部品の端部に断面コ字状の
外部接続用電極を形成することを特徴とする、チップ型
電子部品の外部接続用電極を形成する方法。(1) When forming an external connection electrode with a U-shaped cross section on the end of a hexahedral chip-type electronic component using a thin film forming technique using vacuum evaporation, ion plating, or sputtering, One main surface is made to face the electrode forming material scattering source, and as a first step, the electrode forming material is scattered from the electrode forming material scattering source through a mask, thereby forming both ends of the one main surface of the chip type electronic component. A conductive part is formed on a continuous side surface of the part and both ends, and then the other main surface of the chip-type electronic component is made to face an electrode forming material scattering source, and as a second step, an electrode is formed through a mask. By scattering the electrode forming material from the forming material scattering source, conductive parts are formed on both ends of the other main surface of the chip-type electronic component and on the side surfaces continuous to each of the both ends, and as a result, the chip-type electronic component A method for forming an external connection electrode for a chip-type electronic component, the method comprising forming an external connection electrode having a U-shaped cross section at an end of the component.
、 第１段階の工程で形成する導電部の上に第２段階の工程
で形成する導電部を重ねた状態で形成することを特徴と
する、 特許請求の範囲第（１）項記載のチップ型電子部品の外
部接続用電極を形成する方法。(2) The conductive part formed on the side surface of the chip-type electronic component is formed by overlapping the conductive part formed in the second stage process on the conductive part formed in the first stage process. A method for forming an external connection electrode of a chip-type electronic component according to claim (1).
、 前記チップ型電子部品を保持具の凹部に一部収容し、該
チップ型電子部品の一方主面または他方主面のほぼ中央
部をマスクで覆った状態で実施することを特徴とする、 特許請求の範囲第（１）項記載のチップ型電子部品の外
部接続用電極を形成する方法。(3) The step of the first step and the step of the second step include partially housing the chip-type electronic component in a recess of a holder, and approximately at the center of one main surface or the other main surface of the chip-type electronic component. A method for forming an external connection electrode of a chip-type electronic component according to claim (1), characterized in that the method is carried out with a portion covered with a mask.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261364A JPS61139018A (en) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | Formation of electrode for external connection of chip type electronic component |
| US06/807,270 US4756928A (en) | 1984-12-10 | 1985-12-10 | Method of forming electrodes of an electronic component of chip type for connecting to the external |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261364A JPS61139018A (en) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | Formation of electrode for external connection of chip type electronic component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139018A true JPS61139018A (en) | 1986-06-26 |
| JPH0554245B2 JPH0554245B2 (en) | 1993-08-12 |
Family
ID=17360812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59261364A Granted JPS61139018A (en) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | Formation of electrode for external connection of chip type electronic component |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4756928A (en) |
| JP (1) | JPS61139018A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154501A (en) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Koa Corp | Rectangular chip resistor |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5202602A (en) * | 1990-11-01 | 1993-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Metal-glass composite field-emitting arrays |
| US5145435A (en) * | 1990-11-01 | 1992-09-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making composite field-emitting arrays |
| JP3882954B2 (en) * | 1997-03-19 | 2007-02-21 | Ｔｄｋ株式会社 | Chip type multilayer ceramic capacitor |
| TW558919B (en) * | 2001-10-24 | 2003-10-21 | Wistron Corp | Method of making member for dual connection plate of circuit board |
| US20110312222A1 (en) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | Tanaka Yokichi J | Multi-electrode holders |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110024A (en) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | 富士通株式会社 | Ceramic condenser terminal electrode composition |
| JPS58120637U (en) * | 1982-02-10 | 1983-08-17 | 株式会社村田製作所 | multilayer porcelain capacitor |
| JPS59188108A (en) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | 富士通株式会社 | Terminal electrode paste |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4011143A (en) * | 1973-06-25 | 1977-03-08 | Honeywell Inc. | Material deposition masking for microcircuit structures |
| US4149904A (en) * | 1977-10-21 | 1979-04-17 | Ncr Corporation | Method for forming ion-implanted self-aligned gate structure by controlled ion scattering |
| US4278706A (en) * | 1977-12-15 | 1981-07-14 | Trx, Inc. | Method for making discrete electrical components |
| US4278707A (en) * | 1980-05-19 | 1981-07-14 | Hewlett-Packard Company | Method for coating the edge of a printed circuit board to improve its moisture resistance |
| US4444635A (en) * | 1981-07-22 | 1984-04-24 | Hitachi, Ltd. | Film forming method |
| US4469719A (en) * | 1981-12-21 | 1984-09-04 | Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation | Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material |
| US4554732A (en) * | 1982-02-16 | 1985-11-26 | General Electric Company | High reliability electrical components |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP59261364A patent/JPS61139018A/en active Granted
-
1985
- 1985-12-10 US US06/807,270 patent/US4756928A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110024A (en) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | 富士通株式会社 | Ceramic condenser terminal electrode composition |
| JPS58120637U (en) * | 1982-02-10 | 1983-08-17 | 株式会社村田製作所 | multilayer porcelain capacitor |
| JPS59188108A (en) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | 富士通株式会社 | Terminal electrode paste |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154501A (en) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Koa Corp | Rectangular chip resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4756928A (en) | 1988-07-12 |
| JPH0554245B2 (en) | 1993-08-12 |
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