JPH0470768B2 - - Google Patents

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JPH0470768B2
JPH0470768B2 JP59242141A JP24214184A JPH0470768B2 JP H0470768 B2 JPH0470768 B2 JP H0470768B2 JP 59242141 A JP59242141 A JP 59242141A JP 24214184 A JP24214184 A JP 24214184A JP H0470768 B2 JPH0470768 B2 JP H0470768B2
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JP
Japan
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chip
electronic component
type electronic
container
external connection
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Japanese (ja)
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JPS61120413A (en
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Atsuo Senda
Takuji Nakagawa
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明はチツプ型電子部品の外部接続用電極
を形成する方法およびその方法を実施するための
装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for forming external connection electrodes of chip-type electronic components and an apparatus for carrying out the method.

(従来の技術) チツプ型電子部品として、代表的なものにコン
デンサ、抵抗、インダクタンスなどがある。
(Prior Art) Typical chip-type electronic components include capacitors, resistors, and inductances.

第11図はチツプ型コンデンサ、特にチツプ型
積層セラミツクコンデンサの典型的な構造を示す
側面図である。
FIG. 11 is a side view showing a typical structure of a chip type capacitor, particularly a chip type multilayer ceramic capacitor.

この図において、複数の誘電体セラミツク層2
の間に内部電極3が介挿された状態で積層体1が
構成され、この積層体1の内部電極3に接続され
る外部接続用電極4が積層体の端面に形成されて
いる。
In this figure, a plurality of dielectric ceramic layers 2
A laminate 1 is constructed with an internal electrode 3 inserted between them, and an external connection electrode 4 connected to the internal electrode 3 of this laminate 1 is formed on an end surface of the laminate.

第12図はチツプ型抵抗の典型的な構造を示す
側面図である。
FIG. 12 is a side view showing a typical structure of a chip resistor.

この図において、アルミナなどの基板5の上に
電極6,6が形成され、この電極6,6間にたと
えばRuO2からなる抵抗ペーストを焼き付けて抵
抗体7を形成し、電極6,6にそれぞれ電気接続
する外部接続用電極8が形成されている。
In this figure, electrodes 6, 6 are formed on a substrate 5 made of alumina or the like, and a resistor paste made of, for example, RuO 2 is baked between the electrodes 6, 6 to form a resistor 7. An external connection electrode 8 for electrical connection is formed.

第13図はチツプ型インダクタの典型的な構造
を示す概略側面図である。
FIG. 13 is a schematic side view showing a typical structure of a chip type inductor.

この図において、詳細に図示していないが、導
体パターンを形成したフエライト生シートを複数
枚積み重ね、フエライト生シートに形成したスル
ーホールを介して導体パターンがたとえば上から
下へ連結され、結果的にはコイル9を内部に包含
した状態で形成され、加圧一体化されて焼成さ
れ、得られたチツプ10側面にコイル9の端部と
電気接続するように外部接続用電極11が形成さ
れている。
Although not shown in detail in this figure, a plurality of raw ferrite sheets with conductor patterns formed thereon are stacked up, and the conductor patterns are connected, for example, from top to bottom through through holes formed in the raw ferrite sheets, resulting in is formed with the coil 9 contained therein, integrated under pressure and fired, and an external connection electrode 11 is formed on the side surface of the obtained chip 10 so as to be electrically connected to the end of the coil 9. .

上記した各種のチツプ型電子部品の外部接続用
電極は、通常ガラスフリツト、ワニスを含む銀ペ
ーストを塗布、印刷などの手段で付与し、これを
空気中で焼き付けることによつて形成されてい
る。
The external connection electrodes of the various chip-type electronic components described above are usually formed by applying silver paste containing glass frit or varnish by means such as coating or printing, and then baking this in air.

(発明が解決しようとする問題点) ところが、外部接続用電極は上記したように、
銀ペーストの焼き付けにより形成したものである
ため厚膜状に形成されている。特に、第11図〜
第13図に示した各種のチツプ型電子部品におい
て、両平面の端部に盛り上がり部分Aが形成され
ることになる。たとえば、第11図に示したチツ
プ型コンデンサについて説明すれば、チツプ本体
の厚みが500μmに対して、外部接続用電極の盛り
上がり部分Aの厚みは50μm程度に形成され、上
下の電極の盛り上がり部分Aを合算すると100μm
となり、チツプ本体の厚みの20%にも達する。
(Problem to be solved by the invention) However, as mentioned above, the external connection electrode
Since it is formed by baking silver paste, it is formed into a thick film. In particular, Figure 11~
In the various chip-type electronic components shown in FIG. 13, raised portions A are formed at the ends of both planes. For example, regarding the chip type capacitor shown in FIG. 11, the thickness of the chip body is 500 μm, whereas the thickness of the raised portion A of the external connection electrode is approximately 50 μm. The total is 100μm
This amounts to 20% of the thickness of the chip itself.

このような外部接続用電極の形成構造に起因し
て次のような点が問題とされている。
The following problems arise due to the formation structure of such external connection electrodes.

まず、チツプ型電子部品をプリント基板上に装
着するとき、真空チヤツクでチツプ型電子部品を
吸い上げるが、外部接続用電極が盛り上がり部分
を持つて形成されているため、上面が平坦状態で
はなく、チツプ型電子部品との間に隙間ができる
ことになり、真空チヤツクで吸い上げられないこ
とになる。
First, when mounting a chip-type electronic component on a printed circuit board, a vacuum chuck sucks up the chip-type electronic component, but since the external connection electrode is formed with a raised part, the top surface is not flat and the chip is This creates a gap between the mold and the electronic components, making it impossible for the vacuum chuck to suck it up.

また、上記したように外部接続用電極の盛り上
がり部分があると、チツプ型電子部品の薄膜化に
逆行し、厚みが制約されている電子機器への組み
込みができなくなるという問題を含んでいる。
Further, as described above, if there is a raised portion of the external connection electrode, it goes against the trend toward thinning of chip-type electronic components, and there is a problem that it becomes impossible to incorporate them into electronic devices where thickness is restricted.

さらに、チツプ型コンデンサの場合、外部接続
用電極の盛り上がり部分だけ、誘電体層の積層数
を減らして、チツプ型電子部品の薄膜化を阻害し
ないようにすることも考えられる。しかし逆に容
量が小さくなるという問題を含むことになる。
Furthermore, in the case of chip-type capacitors, it may be possible to reduce the number of dielectric layers stacked only in the raised portions of external connection electrodes so as not to impede thinning of chip-type electronic components. However, this also involves the problem of a decrease in capacity.

そこで、接続用外部電極の厚みを薄くし、盛り
上がり部分をなくするため、真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレーテイング法などの薄膜
形成技術によりこの外部接続用電極を形成するこ
とが提案されている。
Therefore, in order to reduce the thickness of the external connection electrode and eliminate the raised parts, it has been proposed to form the external connection electrode using thin film formation techniques such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. .

特開昭58−64017号はこの発明の最も好適な従
来技術を開示したものである。
JP-A-58-64017 discloses the most suitable prior art for this invention.

第14図はチツプ型積層セラミツクコンデンサ
の端面にスパツタリング法にて外部接続用電極を
形成する状態を示した側断面図である。
FIG. 14 is a side cross-sectional view showing how external connection electrodes are formed on the end face of a chip-type multilayer ceramic capacitor by sputtering.

この図において、マスキング装置12のポケツ
ト13に積層ユニツト14を装着し、この状態で
スパツタリング装置に設置し、ターゲツト15を
スパツタリングして、積層ユニツト14の端面に
スパツタ粒子を付着して外部接続用電極16を形
成している。なお、17,18はそれぞれ内部電
極である。
In this figure, a laminated unit 14 is attached to a pocket 13 of a masking device 12, and in this state, it is installed in a sputtering device, and a target 15 is sputtered, sputter particles are attached to the end face of the laminated unit 14, and an electrode for external connection is formed. 16 is formed. Note that 17 and 18 are internal electrodes, respectively.

しかしながら、このような方法で形成された外
部接続用電極16は次のような問題を有してい
る。
However, the external connection electrode 16 formed by such a method has the following problems.

つまり、積層ユニツト14の端面にしか外部接
続用電極16が形成されていないため、積層ユニ
ツト14に対する十分な接合強度が得られないと
いうことである。このため、外部接続用電極16
を形成する前に、スパツタエツチング処理を施
し、端面表面を荒らすことが明示されているが、
このような処理をもつてしても十分な接合強度を
得るには至つていない。
In other words, since the external connection electrodes 16 are formed only on the end faces of the laminated unit 14, sufficient bonding strength to the laminated unit 14 cannot be obtained. Therefore, the external connection electrode 16
It is clearly stated that before forming a sputter etching process, the end surface is roughened.
Even with such treatment, sufficient bonding strength has not yet been achieved.

したがつて、外部接続用電極を構造的な点から
改善する必要がある。つまり、第11図〜第13
図に示したように、外部接続用電極を端面にだけ
形成するのではなく、端面および端面から上下面
の端部にまで延びた形状、つまり断面コ字状をな
す外部接続用電極とする必要がある。
Therefore, it is necessary to improve the external connection electrode from a structural point of view. In other words, Figures 11 to 13
As shown in the figure, the external connection electrode should not be formed only on the end face, but should have a shape that extends from the end face and the end face to the ends of the upper and lower surfaces, that is, it has a U-shaped cross section. There is.

しかし、第14図に図示したマスキング装置で
は、チツプ型電子部品の本体の上下面にまで達つ
する外部接続用電極を形成することは不可能であ
る。しかも、従来の方法では、ポケツト13と積
層ユニツト14との間に隙間が存することは不適
当であり、ポケツト13ならびに積層ユニツト1
4の寸法精度を上げなければならない。また装填
作業や取り出し作業の点から見てもかなり面倒な
ものであることは明らかである。
However, with the masking device shown in FIG. 14, it is impossible to form external connection electrodes that reach the upper and lower surfaces of the main body of a chip-type electronic component. Moreover, in the conventional method, it is inappropriate for a gap to exist between the pocket 13 and the laminated unit 14, and the gap between the pocket 13 and the laminated unit 14 is
The dimensional accuracy of item 4 must be improved. Also, it is clear that it is quite troublesome from the point of view of loading and unloading operations.

(発明の目的) したがつて、この発明は、チツプ型積層セラミ
ツクコンデンサ、積層チツプ型抵抗、チツプ型イ
ンダクタなどのようなチツプ型電子部品の外部接
続用電極を真空蒸着法、スパツタリング法、イオ
ンプレーテイング法などの薄膜形成技術により形
成するに際して、チツプ型電子部品の端部に断面
コ字状をなす形状の外部接続用電極を形成する方
法を提供をすることを目的とする。
(Object of the Invention) Therefore, the present invention provides electrodes for external connection of chip-type electronic components such as chip-type multilayer ceramic capacitors, multilayer chip-type resistors, chip-type inductors, etc. by vacuum evaporation, sputtering, and ion spraying. An object of the present invention is to provide a method for forming an external connection electrode having a U-shaped cross section at the end of a chip-type electronic component when forming it using a thin film formation technique such as the Teing method.

また、この発明は、チツプ型電子部品の端部に
外部接続用電極を形成するに際して、作業性のよ
い方法を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method with good workability when forming external connection electrodes on the ends of chip-type electronic components.

(問題点を解決するための手段) この発明は、真空蒸着法、スパツタリング法、
イオンプレーテイング法などの薄膜形成技術によ
りチツプ型電子部品の端部に外部接続用電極を形
成するに際して、まず第2図に示すような六面体
状のチツプ型電子部品20を対象とする。このチ
ツプ型電子部品20は図示した位置からみて、左
右側面A1,A2、前後側面B1,B2、および
上下主面C1,C2を有する。
(Means for Solving the Problems) This invention includes vacuum evaporation, sputtering,
When forming external connection electrodes at the ends of chip-type electronic components using a thin film forming technique such as ion plating, a hexahedral chip-type electronic component 20 as shown in FIG. 2 is first targeted. This chip-type electronic component 20 has left and right side surfaces A1, A2, front and rear side surfaces B1, B2, and upper and lower main surfaces C1, C2 when viewed from the illustrated position.

まず、このチツプ型電子部品には、第3図に示
すように、下主面C2の左端部C2Lに導電部2
1aを形成する一方、右端部C2Rに導電部22
aを形成するとともにこの導電部22aに連続し
て右側面A2に導電部22bを形成する。
First, as shown in FIG.
1a, while a conductive part 22 is formed at the right end C2R.
a, and a conductive portion 22b is formed on the right side surface A2 continuously from the conductive portion 22a.

次いで、チツプ型電子部品を裏返し、つまり、
左右側面A1,A2が互いに逆の位置に位置し、
上下平面C1,C2が互いに逆の位置に位置する
ように裏返す。そして、第4図に示すように、上
平面C1の右端部C1Rに導電部22Cを形成す
る一方、左端部C1Lに導電部21Cを形成する
とともにこの導電部21Cに連続して導電部21
bを形成する。なお、第4図に示した状態の位置
関係は第2図の状態で定義した位置関係にもとづ
いて説明した。したがつて、第4図においては上
下あるいは左右の位置関係が逆転していることに
注意されたい。
Next, turn the chip type electronic component over, that is,
The left and right sides A1 and A2 are located in opposite positions,
Turn it over so that the upper and lower planes C1 and C2 are located at opposite positions. As shown in FIG. 4, a conductive part 22C is formed at the right end C1R of the upper plane C1, and a conductive part 21C is formed at the left end C1L, and a conductive part 21 is formed continuously from the conductive part 21C.
form b. The positional relationship in the state shown in FIG. 4 has been explained based on the positional relationship defined in the state in FIG. Therefore, please note that in FIG. 4, the vertical or horizontal positional relationship is reversed.

上記した工程を経ることにより、チツプ型電子
部品の端部に断面コ字状の外部接続用電極が形成
されたことになる。
By going through the above steps, an external connection electrode having a U-shaped cross section is formed at the end of the chip-type electronic component.

(効 果) この発明によれば、次のような種々の効果が得
られる。
(Effects) According to the present invention, the following various effects can be obtained.

薄膜状の外部接続用電極が形成でき、従来の
ように銀の焼き付け電極のように盛り上がり部
分は形成されない。
A thin film-like external connection electrode can be formed, and unlike conventional silver baked electrodes, raised parts are not formed.

電極の盛り上がり部分がないため、真空チヤ
ツク装置でチツプ型電子部品を吸着することが
でき、プリント基板への自動装填が可能になる
とともに位置決め精度が上がる。
Since there is no raised part of the electrode, chip-type electronic components can be picked up by a vacuum chuck device, making it possible to automatically load printed circuit boards and improving positioning accuracy.

電極の盛り上がり部分の厚みだけ、チツプ型
電子部品本体の厚みを増やすことができ、たと
えば積層型セラミツクコンデンサであれば誘電
体セラミツク層を増加できるため、容量の増大
を図ることができる。さらには、抗折強度も増
大させることができる。
The thickness of the chip-type electronic component body can be increased by the thickness of the raised portion of the electrode. For example, in the case of a multilayer ceramic capacitor, the number of dielectric ceramic layers can be increased, so that the capacitance can be increased. Furthermore, the bending strength can also be increased.

銀の焼き付け電極には、ガラスフリツト成分
であるアルカリ金属成分が含有されているた
め、耐湿性が悪いという欠点が見られるが、こ
の発明によれば上記したアルカリ金属成分を含
有しない電極材料で電極を形成するため、すぐ
れた耐湿性を有するチツプ型電子部品を提供す
ることができる。
Baked silver electrodes have the disadvantage of poor moisture resistance because they contain alkali metal components, which are glass frit components, but according to the present invention, electrodes can be made from electrode materials that do not contain the above-mentioned alkali metal components. Therefore, it is possible to provide a chip-type electronic component having excellent moisture resistance.

電極材料としてニツケル、クロム、銅、アル
ミニウムなどの卑金属を用いることができるの
で、コストダウンを図ることができる。
Since base metals such as nickel, chromium, copper, and aluminum can be used as electrode materials, costs can be reduced.

チツプ型電子部品の端面のみに電極を形成し
た場合にくらべて接合強度が大きく、高信頼性
のチツプ型電子部品の作成が可能となる。
Compared to the case where electrodes are formed only on the end faces of a chip-type electronic component, the bonding strength is greater and it becomes possible to create a highly reliable chip-type electronic component.

装填作業がやりやすく作業性や量産性に富
む。
It is easy to load and is highly workable and mass-producible.

(実施例) 以下この発明を図示した実施例に従つて詳細に
説明する。
(Embodiments) The present invention will be described in detail below with reference to illustrated embodiments.

第1図は電極の被着体であるチツプ型電子部品
を収容した容器を示す部分的斜視図である。
FIG. 1 is a partial perspective view showing a container containing chip-type electronic components to which electrodes are adhered.

この図において、31は容器であり、側壁31
a,31b、および底面31cを有する。この場
合側壁31bは必ずしも必要ではないが、チツプ
型電子部品の落下を防止するとともに、チツプ型
電子部品の位置決めという観点から設けておくほ
うが好ましい。容器の底面には開孔部32,33
が形成されている。
In this figure, 31 is a container, and the side wall 31
a, 31b, and a bottom surface 31c. In this case, the side wall 31b is not necessarily necessary, but it is preferable to provide it from the viewpoint of preventing the chip-type electronic component from falling and positioning the chip-type electronic component. There are openings 32 and 33 on the bottom of the container.
is formed.

この容器31は、側壁31a、底面31c、お
よび底面31cに形成された開孔部32,33か
ら構成されることを要し、側壁31aで区画され
た領域がチツプ型電子部品を収容する一単位とな
る。したがつて、チツプ型電子部品を収容する領
域を複数、すなわち複数単位としてもよい。
This container 31 is composed of a side wall 31a, a bottom surface 31c, and openings 32 and 33 formed in the bottom surface 31c, and the area partitioned by the side wall 31a is a unit for accommodating chip-type electronic components. becomes. Therefore, a plurality of regions, that is, a plurality of units, may be used to accommodate the chip-type electronic components.

20はチツプ型電子部品を示し、第2図に示し
たものに相当し、同一番号を付した。したがつ
て、チツプ型電子部品の左側面をA1、右側面を
A2、前側面をB1、後側面をB2、上平面をC
1、下平面をC2とそれぞれ定義する。
Reference numeral 20 indicates a chip-type electronic component, which corresponds to that shown in FIG. 2 and is given the same number. Therefore, the left side of the chip type electronic component is A1, the right side is A2, the front side is B1, the rear side is B2, and the top plane is C.
1. Define the lower plane as C2.

容器31にチツプ型電子部品20を収容したと
き、その収容状態は次のようにされる。
When the chip type electronic component 20 is housed in the container 31, the housing condition is as follows.

つまり、チツプ型電子部品20の左側面A1が
容器31の側壁31aに当接し、チツプ型電子部
品20の下平面C2が容器31の底面31cに面
接触する状態で収容される。
That is, the chip-type electronic component 20 is housed in a state in which the left side surface A1 is in contact with the side wall 31a of the container 31, and the lower surface C2 of the chip-type electronic component 20 is in surface contact with the bottom surface 31c of the container 31.

したがつて、容器31をその裏側から見たと
き、容器31の開孔部32からはチツプ型電子部
品20の下平面C2の左端部C2L側が露出して
おり、また容器31の開孔部33からはチツプ型
電子部品20の下平面C2の右側部C2R側およ
び右側面A2が露出するような状態となつてい
る。
Therefore, when the container 31 is viewed from the back side, the left end C2L side of the lower plane C2 of the chip-type electronic component 20 is exposed through the opening 32 of the container 31, and the opening 33 of the container 31 From this, the right side C2R side of the lower plane C2 of the chip type electronic component 20 and the right side surface A2 are exposed.

開孔部33について云えば、開孔部33の幅は
チツプ型電子部品20の右側面A2よりもさらに
右側にも開口領域を有する空間距離Dを持つて形
成されている。この開孔部33の空間距離Dは後
述する電極形成材料飛散源から飛散する電極形成
材料が開孔部33を通つてチツプ型電子部品20
の右側面A2にまわり込んで付着するに有効な程
度に形成されていればよい。この開孔部33の空
間距離Dは実験結果から0.1mm以上あればよい。
Regarding the aperture 33, the width of the aperture 33 is formed to have a spatial distance D having an opening area further to the right of the right side surface A2 of the chip type electronic component 20. The spatial distance D of the opening 33 is such that the electrode forming material scattered from the electrode forming material scattering source, which will be described later, passes through the opening 33 to the chip-type electronic component 20.
It suffices if it is formed to an extent that is effective for wrapping around and adhering to the right side surface A2. According to experimental results, the spatial distance D of the opening 33 should be 0.1 mm or more.

容器31の裏面側には、外部接続用電極を形成
するための材料、つまり電極形成材料飛散源51
が容器31に対して並行に設置されている。たと
えば、電極形成材料飛散源51は真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法では通常蒸発源と称され、
ヒータ、ボート、るつぼなどを加熱して、その上
に蒸発材料が設置される。またスパツタリング法
ではターゲツトと称される。
On the back side of the container 31, a material for forming external connection electrodes, that is, an electrode forming material scattering source 51 is provided.
is installed parallel to the container 31. For example, the electrode forming material scattering source 51 is usually called an evaporation source in a vacuum evaporation method or an ion plating method.
A heater, boat, crucible, etc. is heated and the evaporated material is placed above it. Also, in the sputtering method, it is called a target.

チツプ型電子部品20を収容する容器31、な
らびに電極形成材料飛散源51は真空容器内に設
置され、真空雰囲気中で外部接続用電極の形成処
理が行われる。
The container 31 containing the chip-type electronic component 20 and the electrode forming material scattering source 51 are placed in a vacuum container, and the process of forming external connection electrodes is performed in a vacuum atmosphere.

次に、外部接続用電極をチツプ型電子部品20
に形成する工程を説明する。
Next, the external connection electrodes are connected to the chip type electronic component 20.
The process of forming this will be explained.

まず、第1段階として、第5図に示した状態で
乾式メツキを行う。
First, as a first step, dry plating is performed in the state shown in FIG.

電極形成材料飛散源51からチツプ型電子部品
20を見た場合、容器31の開孔部32から下主
面C2の左端部C2Lが露出している。また開孔
部33から下主面C2の右端部C2Rが露出して
いるとともに右側面A2が露出している。この状
態で電極形成材料飛散源51から粒子を飛散させ
ると、粒子は露出している左端部C2L、右端部
C2Rならびに右側面A2に付着する。このとき
チツプ型電子部品20の右側面A2は電極形成材
料飛散源と対向していないが、飛散粒子の斜め方
向からの飛来により右側面A2に飛散粒子が付着
する。チツプ型電子部品20のその他の個所につ
いては、容器31がマスクになつたり、チツプ型
電子部品が互いに密着していること、つまり前後
側面B1,B2同志が密着しているために飛散粒
子は被着しない。
When the chip-type electronic component 20 is viewed from the electrode forming material scattering source 51, the left end C2L of the lower main surface C2 is exposed from the opening 32 of the container 31. In addition, the right end C2R of the lower main surface C2 is exposed through the opening 33, and the right side surface A2 is also exposed. When particles are scattered from the electrode forming material scattering source 51 in this state, the particles adhere to the exposed left end C2L, right end C2R, and right side surface A2. At this time, the right side surface A2 of the chip-type electronic component 20 does not face the source of the electrode forming material scattering, but the scattered particles adhere to the right side surface A2 due to the flying particles from an oblique direction. Regarding other parts of the chip-type electronic component 20, the container 31 acts as a mask, and the chip-type electronic components are in close contact with each other, that is, the front and rear sides B1 and B2 are in close contact with each other, so that the scattered particles are not exposed. I don't wear it.

この状態を示したのが第6図である。 FIG. 6 shows this state.

次いで第2段階として、チツプ型電子部品を第
6図に示すように、矢印aあるいは矢印b方向に
180゜反転させ、次いで第7図に示すように、チツ
プ型電子部品20の右側面A2を容器31の側壁
31aに当接し、上平面C1を容器31の底面3
1cに面接触する状態で収容する。
Next, in the second step, the chip-type electronic component is moved in the direction of arrow a or arrow b, as shown in Figure 6.
Then, as shown in FIG.
It is housed in surface contact with 1c.

この段階で、容器31をその裏側から見たと
き、容器31の開孔部32から上平面C1の右端
部C1Rが露出している。また開孔部33から上
平面C1の左端部C1Lが露出しているとともに
左端面A1が露出している。この状態で電極形成
材料飛散源51から粒子を飛散させると、粒子は
露出している右端部C1R、左端部C1L、なら
びに左側面A1に付着する。このときチツプ型電
子部品20の左側面A1は電極形成材料飛散源5
1と対向していないが、飛散粒子の斜め方向から
の飛来により左側面A1に飛散粒子が付着する。
チツプ型電子部品20のその他の個所について
は、容器31がマスクになつたり、チツプ型電子
部品20が互いに密着していること、つまり前後
側面B1,B2同志が密着しているために飛散粒
子は被着しない。
At this stage, when the container 31 is viewed from the back side, the right end C1R of the upper plane C1 is exposed from the opening 32 of the container 31. Further, the left end C1L of the upper plane C1 is exposed from the opening 33, and the left end surface A1 is also exposed. When particles are scattered from the electrode forming material scattering source 51 in this state, the particles adhere to the exposed right end C1R, left end C1L, and left side surface A1. At this time, the left side surface A1 of the chip type electronic component 20 is the electrode forming material scattering source 5.
1, but the scattered particles adhere to the left side surface A1 due to the flying particles coming from an oblique direction.
Regarding other parts of the chip-type electronic component 20, the container 31 serves as a mask, and the chip-type electronic component 20 is in close contact with each other, that is, the front and rear sides B1 and B2 are in close contact with each other, so that the scattered particles are prevented. Does not adhere.

この工程を経たのちの状態を示したのが第8図
である。
FIG. 8 shows the state after this process.

以上、第1工程および第2工程を経たチツプ型
電子部品は第4図に示したように、チツプ型電子
部品の端面およびこの端面に連続した平面端部
に、つまり断面コ字状の外部接続用電極が形成さ
れた状態となつている。
As shown in FIG. 4, the chip-type electronic component that has gone through the first and second steps has an external connection that is connected to the end surface of the chip-type electronic component and the flat end that is continuous to this end surface, that is, the external connection that has a U-shaped cross section. electrodes are now formed.

上記した実施例では、容器31に対して電極形
成材料飛散源51を並行に配置したが、チツプ型
電子部品20の右側面A2または左側面A1と斜
め対向するように、容器31を電極形成材料飛散
源51に対して斜め、第5図に図示した状態では
右下がりに配置するか、電極形成材料飛散源51
を容器31に対して斜め、第5図に図示した状態
では右上がりに配置してもよい。これによればチ
ツプ型電子部品20の右側面A2または左側面A
1に電極形成材料飛散源51からの飛散粒子が確
実にかつ効率よく付着し、外部接続用電極の形成
を一層容易にすることができる。
In the embodiment described above, the electrode forming material scattering source 51 was arranged parallel to the container 31, but the electrode forming material scattering source 51 was placed in the container 31 so as to diagonally face the right side A2 or the left side A1 of the chip type electronic component 20. The scattering source 51 of the electrode forming material may be arranged diagonally to the scattering source 51, or downward to the right in the state shown in FIG.
may be arranged diagonally with respect to the container 31, or upwardly to the right in the state shown in FIG. According to this, the right side surface A2 or the left side surface A of the chip type electronic component 20
The scattered particles from the electrode-forming material scattering source 51 are reliably and efficiently attached to the electrode-forming material scattering source 51, and the formation of the external connection electrode can be further facilitated.

次にこの発明の他の実施例について説明する。 Next, other embodiments of the invention will be described.

第9図はこの実施例における側断面図を示した
ものであり、先に示した実施例との大きな相違点
は容器31の上面に蓋41を被せたことである。
なお、図示しないが、蓋の代わりに容器状のもの
でもよい。蓋41には開孔部42,43がそれぞ
れ設けられており、第5図に示した容器31の
孔、32,33にそれぞれ対応する大きさを有す
る。つまり、開孔部42は開孔部32に対応する
大きさからなり、開孔部43は開孔部33に対応
する大きさからなる。
FIG. 9 shows a side sectional view of this embodiment, and the major difference from the previous embodiment is that the top surface of the container 31 is covered with a lid 41.
Although not shown, a container-shaped container may be used instead of the lid. The lid 41 is provided with openings 42 and 43, respectively, and have sizes corresponding to the holes 32 and 33 of the container 31 shown in FIG. 5, respectively. That is, the aperture 42 has a size corresponding to the aperture 32, and the aperture 43 has a size corresponding to the aperture 33.

蓋41は上記した先の実施例における第1段階
ではその機能を発揮しないが、第2段階でチツプ
型電子部品に外部接続用電極の一部を形成する場
合に有用なものであり、この蓋41は容器の一部
を構成している。
Although the lid 41 does not perform its function in the first step in the above-described embodiment, it is useful in the second step when forming a part of the external connection electrode on a chip-type electronic component. 41 constitutes a part of the container.

なお、先の実施例と重複する個所については同
一番号を付して詳細な説明を省略する。
Note that the same numbers are given to parts that overlap with those in the previous embodiment, and detailed explanations are omitted.

まず、第9図の状態で電極形成材料飛散源(図
示せず)から電極形成材料を飛散させ、チツプ型
電子部品20の左端部C2L、右端部C2Rなら
びに右側面A2に外部接続用電極の一部を構成す
る導電部を形成する。ここまでの工程は先の実施
例の第1段階と同じである。
First, in the state shown in FIG. 9, electrode forming material is scattered from an electrode forming material scattering source (not shown), and an external connection electrode is scattered on the left end C2L, right end C2R, and right side surface A2 of the chip-type electronic component 20. A conductive part constituting the part is formed. The steps up to this point are the same as the first step in the previous embodiment.

次に第2段階に移るが、第9図に示した状態か
ら矢印Cあるいは矢印dで示したように蓋41を
したまま容器31を裏返す。次いで、チツプ型電
子部品20の右側面A2を側壁31aに当接す
る。この状態で蓋41の裏面側から、つまり電極
形成材料飛散源から見たとき、開孔部42からチ
ツプ型電子部品20の上平面C1の右端部C1R
が露出している。また開孔部43から上平面C1
の左端部C1Lが露出しているとともに左側面A
1が露出している。この状態で電極形成材料飛散
源(図示せず)から電極形成材料を飛散させ、チ
ツプ型電子部品20の右端部C1R、左端部C1
Lならびに左側面A1に外部接続用電極の一部を
構成する導電部が形成されることになる。
Next, in the second step, from the state shown in FIG. 9, the container 31 is turned over as shown by arrow C or arrow d, with the lid 41 still on. Next, the right side surface A2 of the chip type electronic component 20 is brought into contact with the side wall 31a. In this state, when viewed from the back side of the lid 41, that is, from the electrode forming material scattering source, the right end C1R of the upper plane C1 of the chip-type electronic component 20 is seen from the opening 42.
is exposed. Also, from the opening 43 to the upper plane C1
The left end C1L of is exposed and the left side A
1 is exposed. In this state, the electrode forming material is scattered from an electrode forming material scattering source (not shown), and the right end C1R and the left end C1 of the chip type electronic component 20 are
A conductive portion constituting a part of the external connection electrode is formed on L and the left side A1.

この第2段階を終えると、チツプ型電子部品の
端部に断面コ字状の外部接続用電極が形成された
ことになる。
When this second step is completed, an external connection electrode having a U-shaped cross section is formed at the end of the chip-type electronic component.

したがつて、この実施例では先の実施例のよう
に個々のチツプ型電子部品を裏返す作業は必要な
くなり、蓋41をしたまま容器31を裏返し、チ
ツプ型電子部品20の右側面A2を側壁31aに
当接するように配列することによつて、上記した
第2段階の工程を実施することができる。
Therefore, in this embodiment, it is no longer necessary to turn over the individual chip-type electronic components as in the previous embodiment, and the container 31 is turned over with the lid 41 closed, and the right side A2 of the chip-type electronic component 20 is placed on the side wall 31a. By arranging them so that they come into contact with each other, the second stage process described above can be carried out.

なお、第5図、第9図では側壁31aで区画さ
れた領域に一個のチツプ型電子部品20が収容さ
れている状態を示しているが、第1図に示したよ
うに複数個のチツプ型電子部品20を並置した状
態で実施され得ることはもちろんである。
Although FIGS. 5 and 9 show that one chip type electronic component 20 is housed in the area partitioned by the side wall 31a, as shown in FIG. Of course, it can be implemented with the electronic components 20 juxtaposed.

また、後の実施例において、先の実施例と同様
に、容器31を電極形成材料飛散源に対して斜め
に配置するか、あるいは電極形成材料飛散源を容
器31に対して斜めに配置することにより、チツ
プ型電子部品の側面に導電部を形成する場合に、
この側面に飛散粒子が確実にかつ効率よく付着す
るようにしてもよい。
Further, in the later embodiments, as in the previous embodiment, the container 31 may be arranged diagonally with respect to the electrode forming material scattering source, or the electrode forming material scattering source may be arranged diagonally with respect to the container 31. When forming a conductive part on the side surface of a chip-type electronic component,
The scattered particles may be attached to this side surface reliably and efficiently.

また、後の実施例で、第9図に示した状態でチ
ツプ型電子部品20の下主面C2の左端部C2
L、右端部C2Rならびに右側面A2に外部接続
用電極の一部を構成する導電部を形成したのち、
第9図に一点鎖線で示したように、チツプ型電子
部品20を右方向に移動させ、右側面A2を容器
31の側壁31aに当接させ、この状態で容器3
1の上方に配置した電極形成材料飛散源(図示せ
ず)から飛散粒子を付着することにより、蓋41
の開孔部42,43を介してチツプ型電子部品2
0の上主面C1の右端部C1R、左端部C1Lな
らびに左側面A1に導電部を形成することができ
る。その結果、チツプ型電子部品の端部に断面コ
字状の外部接続用電極が形成されることになる。
In the later embodiment, the left end C2 of the lower main surface C2 of the chip type electronic component 20 in the state shown in FIG.
After forming a conductive part constituting a part of the external connection electrode on L, right end C2R and right side A2,
As shown by the dashed line in FIG. 9, the chip type electronic component 20 is moved to the right and the right side surface A2 is brought into contact with the side wall 31a of the container 31.
By depositing scattered particles from an electrode forming material scattering source (not shown) disposed above the lid 41
Chip type electronic component 2 is inserted through the openings 42 and 43 of
A conductive portion can be formed on the right end C1R, left end C1L, and left side surface A1 of the upper main surface C1 of 0. As a result, an external connection electrode having a U-shaped cross section is formed at the end of the chip-type electronic component.

なおこの場合、チツプ型電子部品20と蓋41
との間に隙間が形成されないような工夫を施して
おくことはもちろんである。外部接続用電極とし
ては、ニツケル、クロム、銅、アルミニウムなど
の卑金属があるが、このほか、酸化ニツケル、酸
化錫、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、窒
化ニツケル、酸化ニツケル(第1層)−窒化ニツ
ケル(第2層)で構成してもよい。後者の電極材
料で構成すれば、たとえばチツプ型積層セラミツ
クコンデンサでは高温での絶縁抵抗の劣化を生じ
させないという効果をもたらす。
In this case, the chip type electronic component 20 and the lid 41
Of course, measures must be taken to prevent gaps from forming between the two. External connection electrodes include base metals such as nickel, chromium, copper, and aluminum, but also nickel oxide, tin oxide, manganese oxide, iron oxide, cobalt oxide, nickel nitride, and nickel oxide (first layer). It may also be made of nickel nitride (second layer). If the latter electrode material is used, for example, in a chip-type multilayer ceramic capacitor, there is an effect that the insulation resistance does not deteriorate at high temperatures.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明を実施するに当つて、チツプ
型電子部品を容器に収容した状態を示す部分的斜
視図である。第2図はチツプ型電子部品の主面お
よび側面の位置を特定する記号を示すための斜視
図である。第3図〜第4図はチツプ型電子部品に
外部接続用電極を形成する過程を示す側面図であ
る。第5図〜第6図はチツプ型電子部品に外部接
続用電極の一部を形成する態様を説明するための
側断面図である。第7図〜第8図はチツプ型電子
部品に外部接続用電極の他の部分を形成する態様
を説明するための側断面図である。第9図〜第1
0図はチツプ型電子部品に外部接続用電極を形成
する他の態様を説明する側断面図である。第11
図〜第13図は各種チツプ型電子部品の代表的な
ものを示した側面図であり、第11図はチツプ型
積層セラミツクコンデンサの例、第12図はチツ
プ型抵抗の例、第13図はチツプ型インダクタの
例である。第14図はこの発明の従来技術に相当
し、チツプ型積層セラミツクコンデンサの端面に
スパツタリング法にて外部接続用電極を形成する
状態を示した側断面図である。 20はチツプ型電子部品、31は容器、31a
は側壁、31cは底面、32,33は開孔部、5
1は電極形成材料飛散源。
FIG. 1 is a partial perspective view showing a state in which chip-type electronic components are housed in a container in carrying out the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing symbols for specifying the positions of the main surface and side surfaces of the chip-type electronic component. 3 and 4 are side views showing the process of forming external connection electrodes on a chip type electronic component. FIGS. 5 and 6 are side sectional views for explaining a mode in which a part of an external connection electrode is formed on a chip type electronic component. FIGS. 7 and 8 are side sectional views for explaining the manner in which other parts of the external connection electrodes are formed on the chip type electronic component. Figure 9 ~ 1st
FIG. 0 is a side sectional view illustrating another embodiment of forming external connection electrodes on a chip type electronic component. 11th
Figures 1 to 13 are side views showing typical chip-type electronic components. This is an example of a chip type inductor. FIG. 14 corresponds to the prior art of the present invention and is a side sectional view showing a state in which external connection electrodes are formed on the end face of a chip-type multilayer ceramic capacitor by sputtering. 20 is a chip type electronic component, 31 is a container, 31a
is a side wall, 31c is a bottom surface, 32 and 33 are openings, 5
1 is an electrode forming material scattering source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 チツプ型電子部品の端部に真空蒸着法、イオ
ンプレーテイング法、スパツタリング法による薄
膜形成技術により断面コ字状の外部接続用電極を
形成するに際し、 チツプ型電子部品の一方主面を電極形成材料飛
散源に対向させ、 第1段階の工程として、マスクを介して電極形
成材料飛散源より電極形成材料を飛散させること
により、チツプ型電子部品の一方主面の一方端部
およびこの一方端部に連続する一方の側面に導電
部を形成するとともに、チツプ型電子部品の一方
主面の他方端部に導電部を形成し、 次いで、チツプ型電子部品の他方主面を電極形
成材料飛散源に対向させ、 第2段階の工程として、マスクを介して電極形
成材料飛散源より電極形成材料を飛散させること
により、チツプ型電子部品の他方主面の一方端部
およびこの一方端部に連続する一方側面に導電部
を形成するとともに、チツプ型電子部品の他方主
面の他方端部に導電部を形成し、 結果的に、チツプ型電子部品の端部に断面コ字
状の外部接続用電極を形成することを特徴とす
る、チツプ型電子部品の外部接続用電極を形成す
る方法。 2 前記マスクは、第1の開孔部と第2の開孔部
を形成した底面を有するとともに、側壁を有する
ものからなり、 前記第1段階の工程および前記第2段階の工程
は容器の底面と側壁とをマスクとし、 前記第1段階の工程は、チツプ型電子部品の一
方主面の他方側面を容器の側壁に当接させる一
方、電極形成材料飛散源からみて容器の底面に形
成した第1の開孔部および第2の開孔部を介して
チツプ型電子部品の一方主面の一方端部およびこ
の一方端部に連続する一方側面と露出させるとと
もに、チツプ型電子部品の一方主面の他方端部を
露出させた状態で実施し、 前記第2段階の工程は、チツプ型電子部品の他
方主面の一方側面を容器の側壁に当接させる一
方、電極形成材料飛散源からみて容器の底面に形
成した第1の開孔部および第2の開孔部を介して
チツプ型電子部品の他方主面の他方端部およびこ
の他方端部に連続する他方側面を露出させるとと
もに、チツプ型電子部品の他方の主面の一方端部
を露出した状態で実施する、 ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のチ
ツプ型電子部品の外部接続用電極を形成する方
法。
[Scope of Claims] 1. When forming an external connection electrode having a U-shaped cross section at the end of a chip-type electronic component by a thin film forming technique using a vacuum evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method, One end of one main surface of the chip-type electronic component is placed so that the main surface faces the electrode forming material scattering source, and as a first step, the electrode forming material is scattered from the electrode forming material scattering source through a mask. A conductive part is formed on the part and one side surface continuous to this one end, and a conductive part is formed on the other end of one main surface of the chip-type electronic component, and then the other main surface of the chip-type electronic component is By facing the electrode forming material scattering source and scattering the electrode forming material from the electrode forming material scattering source through a mask as a second step, one end of the other main surface of the chip type electronic component and this one side are scattered. A conductive part is formed on one side surface continuous to the end, and a conductive part is formed on the other end of the other main surface of the chip-type electronic component, resulting in a U-shaped cross section at the end of the chip-type electronic component. 1. A method for forming an external connection electrode for a chip-type electronic component, the method comprising forming an external connection electrode for a chip type electronic component. 2. The mask has a bottom surface in which a first opening and a second opening are formed, and a side wall, and the first step and the second step are performed on the bottom surface of the container. and the side wall as a mask, and in the first step, the other side of one main surface of the chip-type electronic component is brought into contact with the side wall of the container, while the electrode forming material formed on the bottom surface of the container is One end of one main surface of the chip-type electronic component and one side surface continuous to this one end are exposed through the first opening and the second opening, and one main surface of the chip-type electronic component is exposed through the first opening and the second opening. The second step is carried out with the other end of the chip-shaped electronic component being brought into contact with the side wall of the container, while the other end of the chip-shaped electronic component is brought into contact with the side wall of the container, and the container is The other end of the other main surface of the chip-type electronic component and the other side surface that is continuous with this other end are exposed through the first hole and the second hole formed in the bottom surface of the chip-type electronic component. 2. A method for forming an external connection electrode for a chip-type electronic component according to claim 1, wherein the method is carried out with one end of the other main surface of the electronic component exposed.
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