JPS61136202A - 小型・非誘導性層状抵抗の製造方法 - Google Patents

小型・非誘導性層状抵抗の製造方法

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JPS61136202A
JPS61136202A JP60252581A JP25258185A JPS61136202A JP S61136202 A JPS61136202 A JP S61136202A JP 60252581 A JP60252581 A JP 60252581A JP 25258185 A JP25258185 A JP 25258185A JP S61136202 A JPS61136202 A JP S61136202A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 厚膜の抵抗物質をシルクスクリーニングで基板上に形成
した非誘導性層状抵抗は公知である。例えば、米国特許
第3858.147号は円筒形基板上にシルクスクリー
ンされた薄層物質の蛇行パター/を教示している。他の
例として英国特許第1314.388号は円筒形基板上
にジグザグ状に抵抗物質をシルクスクリーンにより形成
することを教示している。
シルクスクリーニングによって蒸着された抵抗物質にレ
ーザーによって溝を切って蛇行状抵抗を形成することも
公知である。これは例えば平らな厚膜抵抗に関して行な
われ、レーザーで溝を切る前に抵抗上の膜が溶かされる
。米国特許第4,159,459号は蛇行した非誘導性
のパターンにレーザーで切られた薄膜の円筒形抵抗を教
示している。
基板上の抵抗層をレーザーで切る際、2本又はそれ以上
の平行で隣り合う除去部を設け、除去された抵抗物質又
は残りの抵抗物質の間の間隙が1本の除去部のみの場合
よりも広くなる区域を作るのが共通のやり方でちる。出
願人が仰る限り、こうした平行な除去部は同じ長さであ
る。
平板状又は円筒形の高電圧用非誘導性層状抵抗もまた公
知である。しかしながら、こうした抵抗は比較的大形で
ある。これは、電圧破壊即ち隣接する起伏の間の橋絡(
短絡)を防止するのに適切な間隙中を保持する必要があ
るからである。
発明の要約 本発明によると、平板状1円筒形その他の形状の基板に
抵抗層被覆が形成され、その後、蛇行状その他の形とは
識別できるジグザグ状の非誘導性パターンを有する除去
されない残存部分を作るように、レーザーを用いて抵抗
被覆の一部を除去する。こうして作られた層状抵抗は高
電圧用に使われる。ジグザグ状・ξターンの隣接する頂
点の間の間隙は充分広いので、これら頂点の間又はパタ
ーンの他の部分の間に電圧破壊や点弧が生じることかな
い。
上述の方法及びパターンのため、得られた高電圧用抵抗
は、同じ電圧容量を有する従来の非誘導性層状抵抗より
もずっと小型になる。更に、重要なことは、高電圧用抵
抗を製造するのに要するレーザ一時間が、ジグザグ状で
はなく蛇行状のパターンを切る場合に比べて短いことで
ある。
好ましい実施例によると、互いに階段状をなす平行な除
去部をレーザーで作ることによって・eターンが生じる
。隣接する除去部は漸進的に長く又は短くなる。したが
って、抵抗のなす線には段状      !の側部があ
ることになる。隣接するジグとジグとの間の区域は三角
形であり、図に示されているように、二等辺三角形又は
直角(その他の)三角形をなす。
抵抗層のジグザグ線は、フルクスクリーニングのみを採
用する場合よりも実質的に広くならないようにしうるし
、そうするのが好ましい。
線の巾は間隙の巾(ジグザグ線の隣接する頂点の間の距
離)に対して3A〜1の範囲内にある。抵抗体が最も小
型化されるのは、線の巾が間隙の巾の%のときである。
定義 本発明において、「蛇行状」という語は、広い意味では
なく狭い意味で使われておシ、抵抗線の隣接する長さく
アーム)が頂点の部分を除いて互いに平行である抵抗層
パターンを表わす。
「ジグザグ状」という語は、抵抗線の隣り合う長さくジ
グ及びジグと呼ばれるアーム)が平行ではなく角度をな
すことを表わす。
「線」という語は、電流が流れる抵抗層の細片を表わす
「間隙」という語は、すでに述べたように、ジグザグ状
の線の隣接する頂点と頂点との間の間隔を表わす。
実施例 本発明の層状抵抗は平板状9円筒形その他の形をとり得
る。説明を簡単にするために、図には平板状のものが示
されている。平板状9円筒形その他(例えば楕円形)の
どのような形であろうと、各抵抗は終端部や保護体など
を備えている。終端部や保護体の典型的な例は米国特許
第385a147号の要素23..24.26.27.
28″T:ある。該特許は円筒形の抵抗に関するもので
はあるが、同じ終端部や保護体を平板状抵抗に採用する
ことは可能であり、終端膜23.24(上記特許の第8
図)及びエンドキャップ26(同第9図)が円筒形では
なく平板状となる点が異なるだけである。公知の他の終
端部や保護体を採用することもできる。
第1図及び第2図において(第2図の抵抗は第1図の抵
抗を少し縮小したものである)、第1段階として、所望
の大きさと形の基板10を用意し、その上を抵抗物質の
層で被覆する。図示の基板1゜は四角であり、電気絶縁
体で作られている。好ましくは、このような絶縁体は酸
化アルミニウムのような適当な耐熱セラミックがよい。
抵抗物質は厚膜で、基板10上にフルクスクリーニング
によって形成されるのが好ましい。例えば米国特許第3
、88Q 609号に開示された装置及び方法によって
、基板10の一面上に上記の厚膜が形成される。この後
、ガラス地の導電性合成金属酸化物から成る合成酸化物
抵抗物質のような層が、上記米国特許に述べられている
ように、焼成され溶融される。
次の段階は、被覆された基板を適当なレーザー装置内に
置くことである。レーザーは米国特許第4388、46
1号に示されている。
この次に、このレーザーを使って、ジグザグ状の線に沿
って存在する抵抗層を残し、その他の全ての被覆を基板
から除去する。この線は数字11で示されている。
線11の形成は、ジグザグ線の隣り合うジグとジグの間
から、除去区域の細長い部分を次第に長く、その後次第
に短く除去することによって行われる。
この除去区域はレーザービームで打れて浴けた抵抗層の
蒸発によって作り出される。例えば、第1図の左下側を
みると、レーザーで最初に除去される部分12は比較的
短い。その次に除去される部分13はそれより長く、以
下それに続く除去部14.15゜16、17は全て順に
長くなっている。その後、レーザーで除去される18.
19.20.21.22の部分は順に短くなっていく。
これら各除去部は基板10の下端から延びている。
その結果、抵抗物質をレーザーで除去した後の段付きの
二等辺三角形又はピラミッド形ができる。
レーザーによって抵抗物質は完全に除去されるので、第
2図に示されているように、基板10は抵抗層が設けら
れていなかったかのように露出される。
各三角形又はピラミッドは基部即ち基板の下縁のところ
が広く、基部から上端へ向って(二等辺三角形の等辺に
沿って段状に)チーノー付けされている、即ち収束して
いる。その後、最も狭い点(この場合にはレーザーによ
る除去部の最も内側の端部17)に到達する。
後に述べる直角三角形の場合を除いて、好ましくは三角
形は中心軸即ち除去部17の軸に関して対称である。つ
まり、一番外側の除去部12・22は同じ長さであり、
以下同様に除去部13・21.その隣りの14・20.
・・・・・・も同じ長さである。
基板10の上縁を基部とする逆三角形を形成するため、
別の除去部がその後に施こされる。例えば、次のレーザ
ーによる除去部23は除去部22と対向し、基板10の
下縁ではなく上縁から延びる。その後、段々と長くなる
除去部が上縁から施こされて、除去区域24−28が形
成された麦、段々と短くなる除去部が上縁から施こされ
て除去区域29−33が形成される。(除去部の移動方
向は重要ではない。単に説明と図示のために、上記の除
去部の方向を述べたにすぎない。) レーザーによる除去部23−33によって形成された三
角形又はピラミッドは、除去部12−22によって形成
されたのと同じであることが好ましい。ただし、上縁と
下縁から逆の方向に延びている点が異なっている。
線11のジグとジグとを所望の数だけ作るために、基板
上の他の部分に更にレーザーによる除去部が施こされる
。こうした除去部はそれぞれ除去部12−22及び23
−33に対応したものであシ、したがって図にはそのよ
うに番号付けされている。
図示のように、レーザーで除去された区域である三角形
又はピラミッドはインターリーズ状であって、ジグとジ
グ11α、 llj、 11C・・・・・・を画定する
。線11のジグとジグは頂点区域29α、30α、31
α。
・・・・・・で交叉する。こうした頂点は最も長い除去
部17、28.・・・・・・と基板10の上縁又は下縁
との間にある。
説明のため、第1図及び第2図に示された抵抗の左端が
高電圧側であると仮定する。第1図の左上の端からジグ
11αに沿って頂点29αへ、その後上向きにジグll
jに沿って頂点30αへ、さら忙下向きにジグ11Cに
沿って頂点31αへ、と進むにつれて、電圧降下は徐々
にしかも直線的に増加していく。最大の電圧降下はジグ
ザグ線11の隣り合う頂点(例えば29αと31αと)
の間に生じる。隣り合う2個の頂点の間には上述の間隙
(第1図にGで示されている)が存在する。
ジグ11αとジグ11bとの間隔は、例えば頂点29α
へ近づくにつれて階段状に徐々に減少する。図示されて
いるように、レーザーによる除去部26・30の内側部
分はその間にある除去部と重なシ合い、間隔Gよりも狭
い間隙を作る。しかしながら、レーザーによる除去部2
6・30の内側部分に隣接する線状区域の間の電圧降下
は、間隔Gでの電圧降下よりもずっと小さいので・、上
記の重な)合いは何等害にはならない。
後述するように抵抗に高電圧が印加されても線11に沿
ってどこにも絶対に絶縁破壊が起きないようにするのに
必要な間隔以上には、ジグとジグとの間を広くしない。
この点は蛇行形抵抗と好対照をなすものであって、蛇行
形抵抗では均一な巾の間隔によって平行な線状部分が分
離されている。
こうした蛇行形抵抗は、所定の印加電圧に対して、本発
明のジグザグ形抵抗よりもずっと長くなる。
そのため、本発明の抵抗の方が蛇行形抵抗よりもかなり
小型化される。
本発明の小型な抵抗は極めて好ましい低インダクタンス
特性を備えている。これは、各ジグとそれに隣り合うジ
グとの間の角度が充分に小さいので、そこを反対方向に
流れる電流が有効にインダクタンスを打ち消すからであ
る。
極めて重要なことは、レーザー装置が非常に高価である
ために生産コストの重要なファクタとなるレーザーの使
用時間を本発明は大巾に減らすことができる。例えば、
パターンがジグザグではなく蛇行である場合、レーザー
による除去部12−16及び18−22は図示の中央の
除去部17と同じ長さであった。一方、本発明では、例
えば外側の除去部12・22は中央の除去部17の長さ
のほんの数分の−にすぎない。
抵抗の線(図示の実施例では符号11)の巾は、頂点以
外の領域でははソ間隔Gと等しいかその半分までの領域
(最大の巾でGまで)内にあるのが     !好まし
い。第1図では線11の中は頂部の部分を除いてGの6
0%前麦である。後述する第3図では、線の巾は同図の
間隔G′よりもわずかに太きい。
基板を最大限に小型化するためには、線の巾を該間隔の
50%にとる。
再び第1図において、反対方向の除去部の隣シ合う端部
は、抵抗の軸に平行な線に沿って終っている。例えば、
除去部18と24(又は19と25等)は仮想の同じ水
平線ところ終つそいる。したがって、線の両側の縁部は
水平方向には実質上同じ点で「ステップ」することにな
る。このことは図示のように線全体がステップすること
を意味する。その結果、線は実質的に均一な巾となる。
ピラミッド又は三角形の高さが基板の縁に垂直であるこ
とは必須ではない。(例えば、基板が円筒状であるとき
、レーザーによる全ての除去部は、基板の軸と一致する
軸をもつ同じラセンに沿うことになる。基板はその軸の
回りに回転され、レーザービームは抵抗薄膜が完全に除
去される所望の実質上三角形又はピラミッド形区域を作
るようにオン・オフされる。米国特許第3.85a14
7号の第1図に示されるような間隙13に対応する、基
板上に露出された線がこうして作られる。)レーザーは
ビームが収束されたYAGレーザー装置であることが好
ましい。例えばビームの直径は0、037 mtx (
i,5ミル)である。該レーザー装置はある値ずつビー
ムを横方向にずらし、第1図の平行な除去部をそれぞれ
作っていく。これには、台や支持部又はビーム発生器を
物理的に移動させることは必ずしも必要でなく、その代
シに光学的にビームをシフトさせる。多くの場合あまり
望ましくはないが、ビームの横へのシフトを台の移動、
マスキング等によって行ってもよい。(ビームの直径は
上記の値以外でもよく、例えば0.05mm(2ミル)
の直径のビームを使うことができる。)0、 Olm 
(0,4ミル)ずつビームをシフトさせる特定の装置を
使うものとすると、ビーム径が0.037vx (i,
5ミル)の場合、それぞれの除去部を作るのに装置は三
度のシフトを行う。したがって、抵抗層を完全に除去し
且つ確実に絶縁破壊が起きないようにするために、隣り
合う除去部の間に0.0075 rnrn (0,3ミ
ル)の重なり合う部カテきる。
第1図の上方の32αで示される部分がそれである。
第1図の場合、間隔Gの間に9個の除去部が設けられて
いる。つまり、これらの除去部が0.265mm(i0
,,6ミル)の間隙を作る。この結果でき上った抵抗が
第2図に示されている。0.025mm (iミル)当
シの電圧負荷は20ボルトを越えてはならない。
つまり、間隔Gが0.265+m(i0,6ミル)であ
る既述の特定の実施例では、電圧負荷は200ボルト前
置を越えてはならない。このような電圧負荷は高圧抵抗
に必要とされる電圧負荷の低い方にあり、間隔Gは通常
は0.265 mm (i0,6ミル)よりも大きい。
そのため、0.025翼1I(iミル)当)20ボルト
を越えないなら、一層大きな電圧を印加しうる。
本発明は高効率、小型、安定な非誘導性抵抗パターンを
提供する。レーザーの連続的な通過によって抵抗層を除
去し、V型の即ちジグザグ状の抵抗路を形成する。レー
ザーはY方向に即ち基板の水平な縁に垂直に0.037
龍(i,5ミル)その他の所望の巾の径路を除去する。
レーザーの作動には始点と終点があシ、X方向即ち水平
方向に各除去部が割出しされるにつれて、段状又はスロ
ープの付いた縁部を作るのにレーザーは適している。こ
の発明により、最適な高圧特性が許容される。なぜなら
、隣シ合う線の部分の間の電圧負荷が漸増しているから
である。これは、・ぐターンが蛇行状の場合のような、
レーザーによる除去部が平行且つ等長の場合と対比され
る。
各線の部分即ち各ジグ11α、11Cと各ジグlljの
角度はレーザーによる除去部の高さく長さ)によって決
定される。第1図及び第2図(又は後述の第3図)に関
して述べられた抵抗よりもずっと広い抵抗を作るために
は、それぞれの除去部の長さを所定係数だけ増すのが必
要になるにすぎない。
線の部分の間の絶縁を増すには、除去部の数を増やすと
か、レーザービームの直径を増すとかすればよい。
線の巾を調整するためには、抵抗の一方の縁から延びる
除去部と他方の縁から延びている除去部との間隔を水平
方向に増したり減らしたりすればよい。例えば、第1図
に関しては、ジグ11αの甲を増すためには、除去部2
2を作り終ってから除去部23を作り始めるまでに、ビ
ームを横方向にもつと大きく偏位させればよい。各除去
部は比較的短く、除去部の巾つまりレーザービームの直
径の少なくとも50倍、100倍、またはそれ以上の長
さを有する。
第3図には、二等辺三角形ではなく直角三角形をなす抵
抗が第1図と第2図の中間の縮尺で示されている。二等
辺三角形でも直角三角形でもない形も可能である。この
点を除いては、第3図の実施例は第1図及び第2図の実
施例と同じである。
すでに指摘したように、直角三角形の実施態様が好まし
い。抵抗を一層小型化するために、線の巾は間隔G′(
第3図)よりわずかに大きくする代シに半分前後とする
のが良く、この点を除いては第3図に図示されたものが
推奨される。
実施例には、傾斜したジグ36と垂直なジグ37とが交
互に存在する。直角三角形の斜辺にあたるジグ36は両
縁に沿って均一な段状をなすが、直角三角形の高さに相
当するジグ37は段を持たず、直線状で平行な縁をなす
。第3図の実施例の利点は、ジグとジグとの間の間隔の
変化が他の実施例よりも頻繁で直線的だということであ
る。
第3図の左側に示されているように、左から右へと次第
に長さが減るわずかに重な9合つたレーザー除去部38
−48が平行に設けられている。これらのレーザー除去
部は基板10の下縁から延びている。この隣りに次第に
長さが増す除去部51−61が基板の上縁から下向きに
設けられる。これらの除去部38−48又は51−61
は直角三角形を画定し、必要な回数反復されて所望の長
さと電圧容量の高圧抵抗を形成する。
第1図よりも第3図の方が各ジグ及びジグに対しずっと
多くの段を有している。また各段はレーザービーム1本
分の巾の除去部である。こうして、第3図の実施例は第
1図のものよりも、隣り合うジグとジグとの間に直線的
で且つ電圧に関係した間隔を達成している。
要するに、全実施例とも、多くの応用に極めて要望され
ている安定で実用的で精度がよく小型な高圧抵抗を達成
する。
レーザーによる除去が開始される前に基板全体を抵抗性
被覆で覆っておくことは必ずしも必要ではない。例えば
、抵抗が円筒形の場合、シルクスクリーニングの期間中
、軸方向の間隙は印刷されないままにしておいてよい。
これまで詳細に述べてきた事項は図示と説明のためのみ
に提示されたと理解されるべきであって、本発明の精神
及び範囲を限定するのは特許請求の範囲のみである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明で採用されているレーザーによる除去
を示す拡大平面図であって、抵抗層とレーザーによる除
去部とは平らな基板に対して示されている。 第2図は、第1図に図示されたレーザーによる除去から
得られた抵抗層ノミターンの拡大率を小さくした平面図
である。 第3図は、本発明によるレーザー除去の第2の好ましい
実施例を示す平面図である。 10・・・基 板     11・・・ジグザグ状の線
12−33・・・除去部   29α、30α、 31
α・・・頂点31−48・・・除去部   36・・・
ジ グ37・・・ザ グ     51−61・・・除
去部(外5名) +1−33  +  Pp表押 jり : t゛り1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)絶縁基板上に抵抗物質の被覆を設ける工程と
    、 (b)レーザービームを使つて前記被覆を部分的に除去
    して残りの被覆部分に前記基板上に前記抵抗物質のジグ
    ザグ線を形成させるとともに、前記ジグザグ線の各ジグ
    が、隣接するザグに向つて充分小さな角度で収束し、も
    つて各ジグを流れる電流とそれに隣接するザグを流れる
    電流との間でインダクタンスを打ち消させるように、前
    記のレーザーによる除去が行われる工程と から成る高圧用非誘導性層状抵抗の製造方法。 2、前記(b)の工程が (i)前記被覆を細長く除去して前記除去部に前記基板
    を部分的に露出させる工程と (ii)前記除去部と実質的に平行で長さが異なる別の
    除去部をレーザーで形成し、該別の除去部に前記基板を
    部分的に露出させる工程と、 (iii)前記(i)及び(ii)の工程を除去部の長
    さを異ならせて反復し、この反復の期間中、レーザービ
    ームの位置及び除去部の長さを前記抵抗物質のジグザグ
    線を作るように選択するとともに、レーザービームの位
    置及び除去部の長さを前記ジグザグ線の各ジグとそれに
    隣接するザグとの間の区域が実質的に三角形を成すよう
    に選択する工程とから成る特許請求の範囲第1項記載の
    抵抗の製造方法。
JP60252581A 1984-11-14 1985-11-11 小型・非誘導性層状抵抗の製造方法 Expired - Fee Related JPH0630294B2 (ja)

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US06/671,333 US4670734A (en) 1984-11-14 1984-11-14 Method of making a compact, high-voltage, noninductive, film-type resistor

Publications (2)

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JPS61136202A true JPS61136202A (ja) 1986-06-24
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US (1) US4670734A (ja)
EP (1) EP0181766B1 (ja)
JP (1) JPH0630294B2 (ja)
AT (1) ATE34635T1 (ja)
DE (1) DE3562959D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141171A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Taiyosha Electric Co Ltd チップ抵抗器

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3710286A1 (de) * 1987-03-28 1988-10-06 Preh Elektro Feinmechanik Weg- bzw. positionsgeber
US4881057A (en) * 1987-09-28 1989-11-14 Ranco Incorporated Temperature sensing apparatus and method of making same
US5133732A (en) 1987-10-19 1992-07-28 Medtronic, Inc. Intravascular stent
US5360140A (en) * 1988-12-16 1994-11-01 The Cornelius Company Low cost control circuit for sensing the operation of an electrically operable device
US6344053B1 (en) 1993-12-22 2002-02-05 Medtronic Ave, Inc. Endovascular support device and method
US5119538A (en) * 1990-08-10 1992-06-09 Ranco Incorporated Of Delaware Method of making a temperature sensor
US5231372A (en) * 1991-10-09 1993-07-27 Caddock Electronics, Inc. Method of manufacturing high-voltage and/or high-power thick-film screen-printed cylindrical resistors having small sizes, low voltage coefficients, and low inductance, and resistor thus manufactured
US5922514A (en) 1997-09-17 1999-07-13 Dale Electronics, Inc. Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same
WO2002007196A1 (fr) * 2000-07-19 2002-01-24 Ibiden Co., Ltd. Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs
WO2002007195A1 (fr) * 2000-07-19 2002-01-24 Ibiden Co., Ltd. Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs, son procede de fabrication, et son systeme de fabrication
US6452477B1 (en) * 2000-09-06 2002-09-17 Marconi Medical Systems, Inc. High voltage low inductance circuit protection resistor
US20040035846A1 (en) * 2000-09-13 2004-02-26 Yasuji Hiramatsu Ceramic heater for semiconductor manufacturing and inspecting equipment
SG119230A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-28 Micron Technology Inc Interposer including at least one passive element at least partially defined by a recess formed therein method of manufacture system including same and wafer-scale interposer
US10575973B2 (en) 2018-04-11 2020-03-03 Abbott Cardiovascular Systems Inc. Intravascular stent having high fatigue performance
US10297373B1 (en) * 2018-04-19 2019-05-21 Littelfuse, Inc. Jelly roll-type positive temperature coefficient device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825076U (ja) * 1971-07-31 1973-03-24
JPS5043834U (ja) * 1973-08-20 1975-05-02
JPS5286150A (en) * 1976-01-12 1977-07-18 Hitachi Ltd Method of forming pattern for thinnfilm resistors
JPS54101339U (ja) * 1977-12-27 1979-07-17

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1318030A (en) * 1919-10-07 John thomson
US1068907A (en) * 1910-12-10 1913-07-29 Westinghouse Electric & Mfg Co Resister.
US1321682A (en) * 1918-10-07 1919-11-11 John Thomson Zigzag carbon electric resister.
US2056928A (en) * 1930-05-31 1936-10-06 Resistelite Corp Method of making resistance units
US1975410A (en) * 1931-12-12 1934-10-02 Pittsburgh Res Corp Electric heating furnace
US2680184A (en) * 1951-02-07 1954-06-01 Duncan B Cox Method for severing or slitting metal foil
US2736852A (en) * 1955-01-10 1956-02-28 Eldred C Nelson Automatic digital motor control system for machine tools
US2838427A (en) * 1956-10-23 1958-06-10 Int Resistance Co Method and apparatus for flame spiralling
US3074042A (en) * 1959-11-25 1963-01-15 Gen Electric Low-inductance resistor
US3289139A (en) * 1964-02-24 1966-11-29 Dale Electronics Film resistance unit
US3388461A (en) * 1965-01-26 1968-06-18 Sperry Rand Corp Precision electrical component adjustment method
US3293587A (en) * 1965-10-20 1966-12-20 Sprague Electric Co Electrical resistor and the like
US3530573A (en) * 1967-02-24 1970-09-29 Sprague Electric Co Machined circuit element process
NL6707448A (ja) * 1967-05-30 1968-12-02
US3486221A (en) * 1967-06-14 1969-12-30 Sprague Electric Co High energy beam trimming of electrical components
US3539309A (en) * 1967-07-11 1970-11-10 Sprague Electric Co Circuit component machining
US3699649A (en) * 1969-11-05 1972-10-24 Donald A Mcwilliams Method of and apparatus for regulating the resistance of film resistors
US3675317A (en) * 1970-05-13 1972-07-11 Welwya Canada Ltd Method for spiralling electrical resistors
GB1314388A (en) * 1970-07-13 1973-04-18 Fasterr Transformers Ltd Resistors
DE2036663B2 (de) * 1970-07-23 1973-08-02 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Verfahren zur herstellung belagfreier laengsrandstreifen auf unterlagen, welche mit einem elektrisch leitfaehigen belag versehen sind
US3683213A (en) * 1971-03-09 1972-08-08 Statek Corp Microresonator of tuning fork configuration
US3758745A (en) * 1971-09-07 1973-09-11 Microsystems Int Ltd Substrate positioned determination structure and method
US3845443A (en) * 1972-06-14 1974-10-29 Bailey Meter Co Thin film resistance thermometer
US3880609A (en) * 1972-12-14 1975-04-29 Richard E Caddock Method and apparatus for manufacturing cylindrical resistors by thick-film silk-screening
US3858147A (en) * 1972-12-14 1974-12-31 R Caddock Non-inductive film-type cylindrical resistor
US3881162A (en) * 1974-04-01 1975-04-29 Richard E Caddock Film-type cylindrical resistor and method of manufacturing
US4072921A (en) * 1976-04-27 1978-02-07 Amf Incorporated Low inductance precision resistor deposited on an adhesive backing and wound on a bobbin
US4132971A (en) * 1977-02-28 1979-01-02 Caddock Jr Richard E Noninductive film-type cylindrical resistor and method of making it
US4159459A (en) * 1977-06-23 1979-06-26 Angstrohm Precision, Inc. Non-inductive cylindrical thin film resistor
FR2477829A1 (fr) * 1980-03-07 1981-09-11 Labo Electronique Physique Realisation d'un circuit hyperfrequence en couches serigraphiees
DE3021288A1 (de) * 1980-06-06 1981-12-24 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Abgleichbarer schichtwiderstand, insbesondere fuer hochspannungsanwendung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825076U (ja) * 1971-07-31 1973-03-24
JPS5043834U (ja) * 1973-08-20 1975-05-02
JPS5286150A (en) * 1976-01-12 1977-07-18 Hitachi Ltd Method of forming pattern for thinnfilm resistors
JPS54101339U (ja) * 1977-12-27 1979-07-17

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141171A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Taiyosha Electric Co Ltd チップ抵抗器

Also Published As

Publication number Publication date
EP0181766B1 (en) 1988-05-25
EP0181766A1 (en) 1986-05-21
US4670734A (en) 1987-06-02
DE3562959D1 (en) 1988-06-30
ATE34635T1 (de) 1988-06-15
JPH0630294B2 (ja) 1994-04-20

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