JPS6113354B2 - - Google Patents

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JPS6113354B2
JPS6113354B2 JP19155381A JP19155381A JPS6113354B2 JP S6113354 B2 JPS6113354 B2 JP S6113354B2 JP 19155381 A JP19155381 A JP 19155381A JP 19155381 A JP19155381 A JP 19155381A JP S6113354 B2 JPS6113354 B2 JP S6113354B2
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JP
Japan
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output
signal
inverter
load
pot
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Application number
JP19155381A
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Japanese (ja)
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JPS5893186A (en
Inventor
Yoshihisa Tajima
Yoshihiro Hayashi
Masayuki Morishima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は誘導加熱調理器に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to an induction heating cooker.

誘導加熱調理器は商用交流電源を整流して脈流
とし、或はこの脈流電源をさらに平滑して直流に
変換し、この直流電源によりインバータ回路を、
約20〜40KHz程度の高周波数にて発振させこれに
より発生する高周波交番電流をワークコイルに加
えて磁界を発生させこの磁界をワークコイルに近
接して配置した鉄系金属よりなる調理鍋に加えて
これを誘導加熱するものである。
Induction heating cookers rectify commercial alternating current power into pulsating current, or further smooth the pulsating current and convert it into direct current, and use this direct current to run an inverter circuit.
It oscillates at a high frequency of about 20 to 40 KHz, and the resulting high-frequency alternating current is applied to a work coil to generate a magnetic field. This magnetic field is applied to a cooking pot made of ferrous metal placed close to the work coil. This is heated by induction.

この種誘導加熱調理器は炎による加熱ではない
ため外観からは加熱動作中であるかどうかの判断
ができず、調理鍋を鍋載置台であるトツププレー
ト上に置かない状態で加熱してしまつたり、或は
加熱動作中であることに気づかず、ナイフ、フオ
ーク等の鉄系金属よりなる小物負荷をトツププレ
ート上に置いて加熱してしまうという問題が生じ
る。
Since this type of induction heating cooker does not use flame for heating, it is impossible to tell from the outside whether the cooking pot is in operation or not, and the cooking pot may be heated without being placed on the top plate, which is the pot-mounting base. Or, a small load made of ferrous metal such as a knife or fork may be placed on the top plate and heated without realizing that the heating operation is in progress.

これは前者の場合電気部品の破損を招来すると
いう危惧があるばかりでなく電力消費の無駄であ
り、また後者の場合使用者が加熱されたナイフ等
に触れて火傷を負うという危険があり安全上好ま
しくない。従来このような問題に対処して、トツ
ププレートの下面に磁石を配置して鍋載置をこの
磁石にて検知する装置が提案されているが、かか
る装置は磁石を吸引しない特殊なステンレス鍋に
は適用できないという不利がある。
In the former case, there is a risk of damage to electrical parts, as well as a waste of power consumption, and in the latter case, there is a risk of the user getting burnt by touching the heated knife, etc., which is a safety issue. Undesirable. To address this problem, a device has been proposed in which a magnet is placed on the underside of the top plate and the magnet detects when the pot is placed. has the disadvantage that it cannot be applied.

また他の入力検知方法として、入力電流を検知
して、その大小を判定することにより小物負荷或
は無負荷を検知することも知られている。この方
法は適当な間隔で、インバータを発振させてこの
とき流れる入力電流を検知するものであるが、イ
ンバータを少なくとも一サイクル発振させなけれ
ばならず、それ故検知タイミングを約2秒ないし
5秒程度と比較的長い時間々隔をおかなければな
らない。なぜなら例えば、秒単位以下の短時間タ
イミングで検知すると、検知のための発振サイク
ル期間々隔が短かくなり、小物負荷が加熱されて
しまう危惧があるからである。一方調理の種類に
よつては、鍋をトツププレートから頻繁に上げ下
ろしすることがあり、このような場合前述の検知
方法では上げ下げのたびに約2ないし5秒間加熱
動作が停止することとなる。それ故事実上このよ
うな調理は不可能である。
As another input detection method, it is also known to detect a small object load or no load by detecting an input current and determining its magnitude. This method oscillates the inverter at appropriate intervals and detects the input current flowing at this time, but the inverter must oscillate for at least one cycle, so the detection timing is set at about 2 to 5 seconds. There must be a relatively long time interval between the two. This is because, for example, if detection is performed at a short timing of seconds or less, the interval between oscillation cycles for detection becomes short, and there is a risk that the small object load may be heated. On the other hand, depending on the type of cooking, the pot may be frequently raised and lowered from the top plate, and in such a case, the above-mentioned detection method would cause the heating operation to stop for approximately 2 to 5 seconds each time it is raised or lowered. Therefore, such cooking is virtually impossible.

本発明はこのような実情に鑑みてなされたもの
で、磁石を吸引しないステンレス鍋を含む適性な
負荷が載置されていないとき、若しくはナイフ、
フオーク等不適性な小物負荷がトツププレート上
に載置されているときは、これを検知して加熱動
作を停止し、装置内部の回路部品の保護及び調理
の安全化を図つたものである。
The present invention was made in view of these circumstances, and is intended to be used when an appropriate load is not placed, including a stainless steel pot that does not attract magnets, or when a knife,
When an unsuitable small load such as a fork is placed on the top plate, this is detected and the heating operation is stopped to protect the circuit components inside the device and make cooking safer.

さらに本発明は、負荷となる調理鍋をトツププ
レート上に置いたときこれを検知して高周波イン
バータの発振を可能とする負荷検知回路と、調理
鍋をトツププレート上から取り去つたときこれを
検知して高周波インバータの発振を禁止する無負
荷検知回路を備え、これらを約10msec前後のタ
イミングで動作させることにより、負荷検知応答
性を改善したものである。
Furthermore, the present invention includes a load detection circuit that detects when a cooking pot serving as a load is placed on the top plate and enables oscillation of the high frequency inverter, and a load detection circuit that detects when the cooking pot is removed from the top plate. The system is equipped with a no-load detection circuit that inhibits oscillation of the high-frequency inverter, and operates at a timing of approximately 10 msec to improve load detection response.

以下本発明実施例を図を参照して説明する。第
1図において1は、商用交流電源、SPWは電源
スイツチ、2は4個のダイオード(図示せず)を
ブリツジ接続してなる整流回路、CHはチヨーク
コイル、COは、チヨークコイルCHを介して整流
回路2に接続されたコンデンサで、商用交流周波
数(50/60Hz)に対してはインピーダンスが高く
かつ高周波に対してはインピーダンスが低い10μ
F程度の小容量の高周波バイパスコンデンサが使
用される。したがつてコンデンサCOとチヨーク
コイルCHの接続点には、0〜140V間で振動する
脈流信号VCC1(第3図)が得られる。Lは一端
側をチヨークコイルCHを介して整流回路2の正
極側に接続されたワークコイル、GTRはスイツ
チング素子例えばスイツチングトランジスタで、
コレクタをワークコイルL他端に、エミツタを整
流回路2の負極側に、またベースを後述する駆動
回路3に接続されている。このスイツチングトラ
ンジスタGTRとしては本実施例で使用する大容
量のジヤイアントトランジスタ或はゲート・ター
ンオフ・サイリスタGTO等が使用できる。また
上記ワークコイルLは渦巻状に巻回されており、
これに近接してセラミツク板等の絶縁性トツププ
レート4が配置されさらにこのトツププレート4
上には鉄系金属よりなる調理鍋5が載置される。
したがつてワークコイルLにて発生する高周波交
番磁界はトツププレート4を透過して鍋5に加え
られる。C1はスイツチングトランジスタGTR
と並列に接続された共振コンデンサ、D1はスイ
ツチングトランジスタGTRと逆並列に接続され
たダイオードである。これらの各部分によりイン
バータ回路が構成される。CTはワークコイルL
とダイオーD1間の線路に巻かれたカレントトラ
ンスで、出力端子Xに入力電圧に比例した電圧x
を出力する。6は制御電源で、電源スイツチ
SPWを介して交流電源1が供給され、それぞれ
所定の値をもつ直流電圧VCC2,VDDおよび脈流
信号VCC3を出力する。ここで直流電圧VCC2は、
約24Vであり、駆動回路3の駆動用電源として利
用される。また直流電圧VDDは、制御電源6内の
定電圧回路7により約13Vの値をもつ安定な直流
電圧とされ、後述する各回路の駆動用電源として
利用される。さらに脈流信号VCC3は、0〜40V
の振幅をもち、起動回路8に加えられる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In Figure 1, 1 is a commercial AC power supply, SPW is a power switch, 2 is a rectifier circuit formed by connecting four diodes (not shown) in a bridge, CH is a chiyoke coil, and CO is a rectification circuit via a chiyoke coil CH. A 10μ capacitor connected to 2, which has high impedance for commercial AC frequencies (50/60Hz) and low impedance for high frequencies.
A high frequency bypass capacitor with a small capacitance of about F is used. Therefore, a pulsating current signal V CC1 (FIG. 3) which oscillates between 0 and 140 V is obtained at the connection point between the capacitor CO and the choke coil CH. L is a work coil whose one end is connected to the positive electrode side of the rectifier circuit 2 via a choke coil CH, and GTR is a switching element such as a switching transistor.
The collector is connected to the other end of the work coil L, the emitter is connected to the negative electrode side of the rectifier circuit 2, and the base is connected to a drive circuit 3, which will be described later. As the switching transistor GTR, a large capacity giant transistor or a gate turn-off thyristor GTO used in this embodiment can be used. Further, the work coil L is spirally wound,
An insulating top plate 4 such as a ceramic plate is arranged close to this, and this top plate 4
A cooking pot 5 made of ferrous metal is placed on top.
Therefore, the high frequency alternating magnetic field generated by the work coil L passes through the top plate 4 and is applied to the pot 5. C1 is switching transistor GTR
D1 is a diode connected in anti-parallel with the switching transistor GTR. Each of these parts constitutes an inverter circuit. CT is work coil L
A current transformer is wound on the line between the diode D1 and the output terminal X, and a voltage x proportional to the input voltage
Output. 6 is the control power supply, the power switch
An AC power supply 1 is supplied through the SPW, and outputs DC voltages V CC2 and V DD and a pulsating current signal V CC3 having predetermined values, respectively. Here, the DC voltage V CC2 is
It has approximately 24V and is used as a power source for driving the drive circuit 3. Further, the DC voltage V DD is made into a stable DC voltage having a value of about 13V by a constant voltage circuit 7 in the control power supply 6, and is used as a power source for driving each circuit to be described later. Furthermore, the pulsating current signal V CC3 is 0 to 40V
, and is applied to the starting circuit 8.

起動回路8は、駆動電源として電圧VDDを、ま
た信号として脈流信号VCC3を入力してインバー
タ回路を起動する起動信号を出力するものであ
る。
The starting circuit 8 receives the voltage V DD as a driving power source and the pulsating current signal V CC3 as a signal, and outputs a starting signal for starting the inverter circuit.

該回路8について説明すると、VR1は、一端
を電源VDDに他端をコンデンサC2の一端に接続
された可変抵抗、Q1は、電源VDDがアノードに
また可変抵抗VR1、コンデンサC2接続点電位
がゲートに加えられるSCRで、そのカソードに
接地されている。R1,C3はSCR(Q1)の
アノード・カソード間に並列に介挿された抵抗お
よびコンデンサで、電源投入時に生じる可能性の
ある突入電流等ノイズを吸収するものである。
NAND1はSCR(Q1)のアノード電位が抵抗R
2を介して得られる信号Aが一端に加えられるナ
ンドゲートで、ゲート開放信号Aがこのゲートの
閾値電圧Vth以上となつたとき導通する。Q2は
ナンドゲートNAND1の出力がコンデンサC4、
抵抗R3を経てそのベースに加えられるトランジ
スタでそのコレクタは抵抗R4を介して電源VDD
に、またエミツタは抵抗R5を介して接地されて
いる。C5は、トランジスタQ2のコレクタ側に
接続されたコンデンサで、その出力としてパルス
信号Bを得る。
To explain the circuit 8, VR1 is a variable resistor whose one end is connected to a power supply V DD and the other end is connected to one end of a capacitor C2. An SCR applied to the gate and grounded to its cathode. R1 and C3 are a resistor and a capacitor inserted in parallel between the anode and cathode of the SCR (Q1), and are used to absorb noise such as rush current that may occur when the power is turned on.
For NAND1, the anode potential of SCR (Q1) is resistance R
This is a NAND gate to which a signal A obtained through a gate 2 is applied to one end, and becomes conductive when the gate open signal A exceeds the threshold voltage Vth of this gate. For Q2, the output of the NAND gate NAND1 is the capacitor C4,
The transistor is connected to its base via a resistor R3, and its collector is connected to the power supply V DD via a resistor R4.
Furthermore, the emitter is grounded via a resistor R5. C5 is a capacitor connected to the collector side of the transistor Q2, and obtains the pulse signal B as its output.

INV1はトランジスタQ2のコレクタに接続さ
れ、コレクタ電位を反転するインバータ、D2は
インバータINV1出力端に設けられた逆流防止用
ダイオードで起動パルスCを出力する。出力信号
DはトランジスタQ2のコレクタより出力される
信号で、信号Bと略同一波形である。
INV1 is an inverter connected to the collector of the transistor Q2 and inverts the collector potential, and D2 is a backflow prevention diode provided at the output end of the inverter INV1, which outputs a starting pulse C. Output signal D is a signal output from the collector of transistor Q2, and has substantially the same waveform as signal B.

9は出力制御回路でQ3はカレントトランス
CTの端子Xからの信号xが抵抗R7を介してそ
のベースに加えられるトランジスタで、そのコレ
クタは抵抗R8を介して電源VDDにまたインバー
タINV2の入力端に接続され、そのエミツタは接
地されている。D3は、トランジスタQ3のベー
ス・エミツタ間に接続され入力信号xを半波整流
するダイオード、INV3は、上記インバータINV
2の出力が抵抗R9,R10を介して加えられる
インバータで、その入力端は、起動回路8のダイ
オードD2のカソードに接続され起動信号Cが加
えられる。C6は抵抗R9,R10間接続点(以
下Y点という)アース間に設けられたコンデン
サ、INV4は、インバータINV3の出力が入力さ
れるインバータで、上記インバータINV3ととも
にシユミツト回路を構成している。R11は、イ
ンバータINV3の入力端とインバータINV4の出
力端との間に介挿された抵抗でインバータのスイ
ツチング速度を速くするものである。C7,R1
2,D4はコンデンサ、抵抗、およびダイオード
で、インバータINV4の出力端とアースとの間に
接続されている。上記コンデンサC7、抵抗R1
2接続点(以後Z0という)電位は抵抗R13を
介してインバータINV5に入力され、さらにこの
インバータINV5の出力は他のインバータINV6
に加えられる。これら2個のインバータINV5,
INV6はシユミツト回路を構成している。R14
はINV5の入力端とインバータINV6の出力端の
間に介挿された抵抗である。インバータINV6の
出力は、抵抗R15を介して駆動回路3へ加えら
れる。なお、この駆動回路3は、上記インバータ
INV6からの出力信号をトランジスタ或はトラン
ス(図示せず)にて増幅し、これをスイツチング
トランジスタGTRのベースに加えられるもの
で、この起動信号が正信号のときスイツチングト
ランジスタGTRをターンオンし他方負信号のと
きターンオフするよう構成されている。かかる増
幅回路よりなる駆動回路3は、上述の如く周知の
回路構成で実現できるからその詳細は省略する。
9 is the output control circuit and Q3 is the current transformer.
A transistor to which the signal x from the terminal There is. D3 is a diode connected between the base and emitter of transistor Q3 for half-wave rectification of the input signal x, and INV3 is the inverter INV.
2 is applied via resistors R9 and R10, and its input terminal is connected to the cathode of the diode D2 of the starting circuit 8, and the starting signal C is applied thereto. C6 is a capacitor provided between the connection point between resistors R9 and R10 (hereinafter referred to as point Y) and the ground, and INV4 is an inverter to which the output of the inverter INV3 is input, and together with the inverter INV3 constitutes a Schmitt circuit. R11 is a resistor inserted between the input terminal of the inverter INV3 and the output terminal of the inverter INV4, and serves to increase the switching speed of the inverter. C7, R1
2, D4 is a capacitor, a resistor, and a diode, which are connected between the output terminal of the inverter INV4 and the ground. Above capacitor C7, resistor R1
The potential of the two connection point (hereinafter referred to as Z0) is input to the inverter INV5 via the resistor R13, and the output of this inverter INV5 is input to the other inverter INV6.
added to. These two inverters INV5,
INV6 constitutes a Schmitt circuit. R14
is a resistor inserted between the input terminal of INV5 and the output terminal of inverter INV6. The output of inverter INV6 is applied to drive circuit 3 via resistor R15. Note that this drive circuit 3 includes the above-mentioned inverter.
The output signal from INV6 is amplified by a transistor or transformer (not shown), and this is applied to the base of the switching transistor GTR. When this startup signal is a positive signal, the switching transistor GTR is turned on and the other transistor is turned on. It is configured to turn off when there is a negative signal. The drive circuit 3 made up of such an amplifier circuit can be realized with a well-known circuit configuration as described above, so its details will be omitted.

10は出力遅延回路で、C7は一端に電源VDD
が加えられるコンデンサ、Q4はこのコンデンサ
C7の他端に抵抗R16を介してそのベースが接
続されるトランジスタで、このトランジスタQ4
のコレクタは、抵抗R17を介して抵抗R13の
Z0点に、またエミツタは接地されている。D5
はトランジスタQ4のベース・エミツタ間に接続
されたダイオードでコンデンサC7の充電電荷を
放電するものである。この出力遅延回路10の意
義及び動作については後述する。
10 is an output delay circuit, and C7 is connected to the power supply V DD at one end.
The capacitor Q4 to which Q4 is added is a transistor whose base is connected to the other end of this capacitor C7 via a resistor R16.
The collector is connected to the Z0 point of the resistor R13 via the resistor R17, and the emitter is grounded. D5
is a diode connected between the base and emitter of the transistor Q4, which discharges the charge stored in the capacitor C7. The significance and operation of this output delay circuit 10 will be described later.

11は、過負荷検知回路で、鍋5の材料の違い
による過大入力や、偶発的な突入電流の発生によ
る電気部品の破損から装置を保護するものであ
る。
Reference numeral 11 denotes an overload detection circuit that protects the device from damage to electrical components due to excessive input due to differences in the material of the pot 5 or accidental generation of rush current.

図中INV7はカレントトランスCT出力端の信
号xを抵抗R18を介して入力するインバータ、
FF1は2個のナンドゲートNAND2,NAND3
よりなるフリツプフロツプでインバータINV7の
出力はナンドゲートNAND2の一入力に加えら
れ、また他方のナンドゲートNAND3の一入力に
は起動回路8のトランジスタQ2のコレクタ電位
信号Dが加えられリセツトされる。Q5はフリツ
プフロツプFF1のナンドゲートNAND2の出力
が抵抗R19を介してそのベースに入力されるト
ランジスタで、コレクタは抵抗R20を介して抵
抗R13のZ0点に、またエミツタは抵抗R21
を介して接地されている。R22,D9はインバ
ータINV7の入力端とアースとの間に並列に介挿
された抵抗およびダイオードで、カレントトラン
スCT出力信号xを抵抗R18とともに分圧し、
半波整流するものである。
In the figure, INV7 is an inverter that inputs the signal x from the current transformer CT output end via resistor R18.
FF1 has two NAND gates NAND2, NAND3
The output of the inverter INV7 is applied to one input of the NAND gate NAND2, and the collector potential signal D of the transistor Q2 of the starting circuit 8 is applied to one input of the other NAND gate NAND3 to reset it. Q5 is a transistor whose base receives the output of the NAND gate NAND2 of the flip-flop FF1 via a resistor R19. Its collector is connected to the Z0 point of the resistor R13 via a resistor R20, and its emitter is connected to the resistor R21.
is grounded through. R22 and D9 are a resistor and a diode inserted in parallel between the input terminal of the inverter INV7 and the ground, and divide the current transformer CT output signal x together with the resistor R18.
It performs half-wave rectification.

12は無負荷検知回路でトツププレート4上に
載置されていた鍋5を取り去つたときこれを検知
するものである。ナンドゲートNAND4の一入力
端には抵抗R2の出力端より信号Aが、また他の
入力端には抵抗R23,R24を介して分圧され
たカレントトランスCTの検知出力信号xが入力
される。この信号xの分圧信号は同時にカウンタ
CNTのクロツク入力端CKに接続される。
12 is a no-load detection circuit that detects when the pot 5 placed on the top plate 4 is removed. The signal A is input from the output terminal of the resistor R2 to one input terminal of the NAND gate NAND4, and the detection output signal x of the current transformer CT, which is voltage-divided via resistors R23 and R24, is input to the other input terminal. The divided voltage signal of this signal x is simultaneously
Connected to CNT clock input terminal CK.

ZD1は抵抗R24と並列接続されたツエナー
ダイオードでナンドゲートNAND4を保護するも
のである。
ZD1 is a Zener diode connected in parallel with resistor R24 to protect the NAND gate NAND4.

13はトツププレート4上に鍋5を載置したと
きこれを検知する負荷検知回路で、上記カウンタ
CNTを有している。このカウンタCNTは10個の
出力端子をもちクロツクパルスを計数してそれぞ
れ対応出力端子より信号を発するいわゆるジヨン
ソンカウンタとして知られるものである。
13 is a load detection circuit that detects when the pot 5 is placed on the top plate 4;
Contains CNT. This counter CNT is known as a Johnson counter that has 10 output terminals and counts clock pulses and outputs a signal from each corresponding output terminal.

本実施例では、上記出力端子のうち第6出力端
子q6すなわち6発のクロツクパルスが計数され
たとき信号を出力する端子が使用される。それ故
このカウンタCNTは、信号xのパルスのうち一
定値以上の値をもつパルスを計数し、このパルス
数が6個になつたとき出力q6を発生する。この
数値「6」は負荷の存在と、無負荷若しくは小物
負荷の存在の判定基準となるもので6個以上のと
き負荷なしと判定され、また5個以下のとき負荷
ありと判定される。なお上記カウンタCNTの端
子CLは、クリア信号入力端子で、起動回路8か
ら信号Aが加えられて、交流信号の半周期ごとに
クリアされる。FF2はナンドゲートNAND5,
NAND6よりなるフリツプフロツプで、ナンドゲ
ートNAND5の一入力端には、起動回路8よりの
信号Bが加えられ、またナンドゲートNAND6の
一入力端にはカウンタCNTの出力信号がインバ
ータINV8を介して加えられる。ナンドゲート
NAND7はSCR(Q1)からの信号Aおよびナン
ドゲートNAND5の出力信号Iを2入力とし出力
Jを得る。FF3は、ナンドゲートNAND8,
NAND9よりなるフリツプフロツプで、上記ナン
ドゲートNAND4の出力信号Kをナンドゲート
NAND3の一入力端に、またナンドゲートNAND
7の出力信号JをナンドゲートNAND9の一入力
端にそれぞれ入力し、ナンドゲートNAND9の出
力より信号Lを得る。この信号Lは、逆流防止用
ダイオードD7を介してインバータINV3の入力
側Y点に入力される。R25,D6はナンドゲー
トNAND5の出力端とナンドゲートNAND7の入
力端間に介挿された抵抗およびダイオードで、ナ
ンドゲートNAND4出力KがLレベルとなつと
き、ナンドゲートNAND9の入力側をLレベルと
し、フリツプフロツプFF3の2入力がともにL
レベルになるのを防ぐものである。14は、前述
の無負荷検知回路12および負荷検知回路13の
機能を停止する動作解除回路で、ナンドゲート
NAND9の一入力端とアースとの間に常開スイツ
チSOおよび抵抗R26を介挿してなる。
In this embodiment, the sixth output terminal q6 of the above output terminals, that is, the terminal that outputs a signal when six clock pulses are counted, is used. Therefore, this counter CNT counts pulses having a value equal to or greater than a certain value among the pulses of the signal x, and generates an output q6 when the number of pulses reaches six. This numerical value "6" serves as a criterion for the presence of a load, no load, or the presence of a load of small objects; when there are six or more, it is determined that there is no load, and when there are five or less, it is determined that there is a load. Note that the terminal CL of the counter CNT is a clear signal input terminal, and the signal A is applied from the starting circuit 8 to be cleared every half cycle of the AC signal. FF2 is NAND gate NAND5,
In a flip-flop consisting of a NAND6, a signal B from a starting circuit 8 is applied to one input terminal of the NAND gate NAND5, and an output signal of a counter CNT is applied to one input terminal of the NAND gate NAND6 via an inverter INV8. nand gate
NAND7 has two inputs, signal A from SCR (Q1) and output signal I of NAND gate NAND5, and obtains output J. FF3 is NAND Gate NAND8,
A flip-flop consisting of NAND9 converts the output signal K of the NAND gate NAND4 into a NAND gate.
At one input end of NAND3, also NAND gate NAND
The output signals J of 7 are respectively input to one input terminal of the NAND gate NAND9, and the signal L is obtained from the output of the NAND gate NAND9. This signal L is input to the input side Y point of the inverter INV3 via the backflow prevention diode D7. R25 and D6 are resistors and diodes inserted between the output terminal of the NAND gate NAND5 and the input terminal of the NAND gate NAND7. Both inputs are L
This is to prevent the level from becoming too high. 14 is an operation cancellation circuit that stops the functions of the above-mentioned no-load detection circuit 12 and load detection circuit 13;
A normally open switch SO and a resistor R26 are inserted between one input terminal of the NAND 9 and the ground.

このスイツチSOの操作によりフリツプフロツ
プFF3の出力は、H(ハイ)レベルに固定され
加熱動作は、負荷の有無に関係なく実行される。
この動作解除回路14は、小物負荷と同程度の負
荷をもつ小型の調理鍋を加熱したい場合等に利用
される。
By operating this switch SO, the output of flip-flop FF3 is fixed at H (high) level, and the heating operation is performed regardless of the presence or absence of a load.
This deactivation circuit 14 is used when it is desired to heat a small cooking pot that has a load comparable to the load of small items.

15は温度出力調節回路で、出力一定状態で調
理鍋の加熱温度を制御する温度調節機能と、出力
を所定の範囲(本実施例では約500Wないし約
1350Wの範囲)で調節できる出力調節機能とを有
している。本例では温度調節は、60℃〜100℃ま
での低温領域と、160℃〜200℃までの高温領域に
分割してなるが、これは一温度領域のみでも、ま
た3以上の温度領域とすることもできる。かかる
温度調節機能は、天ぷら料理等最適調理温度を有
するものに利用して有効である。他方出力調節機
能は、その出力を500Wから1350Wの範囲で切換
えることにより、調理鍋へのエネルギー供給量す
なわち他の調理器でいえば火力に相当するものを
調節するものであり、料理途中で出力を変えた方
がよい場合、例えば最初出力を「強」とし、後出
力を「弱」とする方がよい場合等に利用される。
また湯を沸かしたい場合は出力「強」とすれば最
も早く沸かすことができる。なお温度調節或は出
力調節の表示は後述する出力表示回路にてなさ
れ、温度調節機能がはたらいている場合、設定温
度に達するまでは発光ダイオードLED1〜LED
5が点灯しており、設定温度に達すると消灯す
る。これにより設定温度に達したかどうかが判
る。また出力調節機能がはたらいている場合は、
出力に応じて所望の発光ダイオードLED1〜
LED5が点灯することとなる。
Reference numeral 15 denotes a temperature output adjustment circuit, which has a temperature adjustment function that controls the heating temperature of the cooking pot with a constant output state, and a temperature output adjustment circuit that controls the output within a predetermined range (in this example, approximately 500W to approximately 500W).
It has an output adjustment function that can be adjusted within a range of 1350W). In this example, temperature control is divided into a low temperature range from 60°C to 100°C and a high temperature range from 160°C to 200°C, but this may be just one temperature range or three or more temperature ranges. You can also do that. Such a temperature adjustment function is effective when used for foods that have an optimal cooking temperature, such as tempura dishes. On the other hand, the output adjustment function adjusts the amount of energy supplied to the cooking pot, which is equivalent to the heat power in other cookers, by switching the output between 500W and 1350W. This is used when it is better to change the output, for example, when it is better to set the initial output to "strong" and the subsequent output to "weak."
Also, if you want to boil water, you can boil it fastest by setting the output to "High". In addition, the display of temperature adjustment or output adjustment is done by the output display circuit described later, and when the temperature adjustment function is working, the light emitting diodes LED1 to LED are displayed until the set temperature is reached.
5 is lit and turns off when the set temperature is reached. This tells you whether the set temperature has been reached. Also, if the output adjustment function is working,
Depending on the output, select the desired light emitting diode LED1~
LED5 will turn on.

図にもどつて構成の説明を続けると、Thは電
源VDDとアース間にコンデンサC9とともに介挿
された感熱素子で例えば負特性サーミスタが使用
される。S1〜S4は3接点切換スイツチで端子
,,上をスライド接片が移動するものであ
り、各スイツチはともに連動するように構成され
ている。
Continuing the explanation of the configuration by returning to the figure, Th is a thermal element inserted together with a capacitor C9 between the power supply V DD and the ground, and for example, a negative characteristic thermistor is used. S1 to S4 are three-contact changeover switches in which sliding contact pieces move over the terminals, and each switch is configured to interlock with each other.

ここでスイツチS1,S2は、温度調節用であ
つて加熱温度領域の切換えに、スイツチS3は温
度調節から出力調節への切換えに、またスイツチ
S4は基準レベルの設定に使用される。ここでス
イツチS1の端子,はそれぞれ抵抗R27,
R28を介して電源VDDに接続され端子は抵抗
R32を介して接地される。スイツチS1の共通
端子はサーミスタThの一端および差動増幅器
OPの負電位入力端に接続されている。スイツ
チS2の端子,はそれぞれ抵抗R29,R3
0を介して差動増幅器OPの負電位入力端およ
びサーミスタThの一端に接続されまた端子は
空位にある。このスイツチS2の共通端子は可
変抵抗VR2を介して接地されるとともに、スイ
ツチS3の端子に接続されている。スイツチS
3の端子,は共通の抵抗R31を介して接地
され、共通端子は、抵抗R20を介してZ0点
に接続されている。スイツチS4の端子は抵抗
R33を介して接地され、端子,はともに空
位にあり、また共通端子は抵抗R34を介して
差動増幅器OPの正電位入力端に接続される。
Here, switches S1 and S2 are used for temperature adjustment and are used to change the heating temperature range, switch S3 is used to change from temperature control to output control, and switch S4 is used to set a reference level. Here, the terminals of switch S1 are resistors R27 and R27, respectively.
It is connected to the power supply V DD via R28, and its terminal is grounded via resistor R32. The common terminal of switch S1 is one end of thermistor Th and the differential amplifier.
Connected to the negative potential input terminal of OP. The terminals of switch S2 are resistors R29 and R3, respectively.
0 to the negative potential input terminal of the differential amplifier OP and one end of the thermistor Th, and the terminal is at an empty level. A common terminal of this switch S2 is grounded via a variable resistor VR2, and is also connected to a terminal of the switch S3. Switch S
Terminal No. 3 is grounded via a common resistor R31, and the common terminal is connected to point Z0 via a resistor R20. The terminal of the switch S4 is grounded via a resistor R33, both terminals are at an empty level, and the common terminal is connected via a resistor R34 to the positive potential input terminal of the differential amplifier OP.

この正電位入力端には、直流電圧VDDが抵抗
R35,R36により分圧されて基準電圧として
入力される。また抵抗R36にはコンデンサC1
0が並列に介挿される。OPは上述の差動増幅器
で、正電位入力端に入力する信号が負電位入力
端に入力する信号より大きいとき、Hレベル信
号を出力し、逆に負電位入力信号が正電位入力信
号より大きいときLレベル信号を出力する。この
差動増幅器OPの出力は、ナンドゲートNAND1
の一入力端に加えられる。ここで上記各スイツチ
S1〜S4の具体的構成について第2図に基いて
説明しておく。18は、調理器操作面、16はこ
の操作面18に設けられた切換摘みで、この切換
摘み16を上方より下方へ3段階(図中矢印で示
す)に切換えることにより上2段で温度調節、下
段で出力調節が可能となる。すなわち、上段に
は、スイツチS1〜S4の端子が、中段には端
子が、さらに下段には端子がそれぞれ設定さ
れる。そしていまの場合端子設定状態は60℃な
いし100℃の低温加熱領域、端子設定状態は160
℃ないし200℃の高温加熱領域、端子設定状態
は出力調節領域に設定されている。
The DC voltage V DD is divided by resistors R35 and R36 and input as a reference voltage to this positive potential input terminal. Also, the capacitor C1 is connected to the resistor R36.
0 is inserted in parallel. OP is the differential amplifier mentioned above, which outputs an H level signal when the signal input to the positive potential input terminal is greater than the signal input to the negative potential input terminal, and conversely, the negative potential input signal is greater than the positive potential input signal. outputs an L level signal. The output of this differential amplifier OP is the NAND gate NAND1
is applied to one input terminal of Here, the specific configuration of each of the switches S1 to S4 will be explained based on FIG. 2. Reference numeral 18 indicates a cooking device operating surface, and 16 indicates a switching knob provided on the operating surface 18. By switching the switching knob 16 from the top to the bottom in three stages (indicated by arrows in the figure), the temperature can be adjusted in the upper two stages. , the output can be adjusted at the bottom. That is, the terminals of the switches S1 to S4 are set in the upper stage, the terminals in the middle stage, and the terminals in the lower stage. In this case, the terminal settings are in the low temperature heating range of 60℃ to 100℃, and the terminal settings are 160℃.
High temperature heating range from ℃ to 200℃, terminal setting state is set to output adjustment area.

LED1〜LED5は出力表示をなす発光ダイオ
ードである。例えばいま端子設定状態にあると
すると、差動増幅器OPの正電位入力端に加わ
る基準電位は、スイツチS4の端子に連なる抵
抗R33の並列挿入により低いレベルにある。
LED1 to LED5 are light emitting diodes that display output. For example, if the terminal is currently in the terminal setting state, the reference potential applied to the positive potential input terminal of the differential amplifier OP is at a low level due to the parallel insertion of the resistor R33 connected to the terminal of the switch S4.

他方負電位入力端に加わる比較電圧は、抵抗
R27,R29、サーミスタThおよび可変抵抗
VR2によつて決まりかつ温度上昇によりサーミ
スタThの抵抗値は低下することから、比較電圧
が基準電圧に達し差動増幅器OPの出力をLレベ
ルに変えてしまう。それ故低温加熱領域での温度
調節が可能となる。他方端子に切換えた場合
は、スイツチS4の端子は空位にあるから、前
述の抵抗R33の並列介挿は遮断され、差動増幅
器OPの正電位入力端子の基準電位を変える。
それ故抵抗R28,R30、サーミスタThおよ
び可変抵抗VR2で決まる比較電圧により低温領
域と同様に動作し高温領域での加熱が可能とな
る。このようにして設定された各温度領域におい
て、さらに任意の温度に設定するときはスライド
摘み17が使用される。このスライド摘み17は
可変抵抗VR2を制御するもので、リニアな温度
制御が可能となる。端子設定状態は、出力調節
を可能とするもので、その詳細は後述するが、上
記同様可変抵抗VR2の制御により可変調節でき
るものである。
On the other hand, the comparison voltage applied to the negative potential input terminal is connected to resistors R27, R29, thermistor Th, and variable resistor.
Since it is determined by VR2 and the resistance value of the thermistor Th decreases as the temperature rises, the comparison voltage reaches the reference voltage and changes the output of the differential amplifier OP to L level. Therefore, temperature control in the low temperature heating region is possible. When switching to the other terminal, since the terminal of switch S4 is vacant, the above-mentioned parallel insertion of resistor R33 is interrupted, and the reference potential of the positive potential input terminal of differential amplifier OP is changed.
Therefore, the comparison voltage determined by the resistors R28, R30, thermistor Th, and variable resistor VR2 allows the device to operate in the same manner as in the low temperature region and to heat in the high temperature region. In each temperature range thus set, the slide knob 17 is used to further set an arbitrary temperature. This slide knob 17 controls the variable resistor VR2, allowing linear temperature control. The terminal setting state allows the output to be adjusted, and the details will be described later, but the output can be variably adjusted by controlling the variable resistor VR2 as described above.

ここで温度調節用スイツチS1および出力調節
用スイツチS3には、その機能上次のように条件
が付される。先ずスイツチS1の端子,間の
切換えに際しては切換切片が一旦端子から離れ
た後に端子に接触する構成がとられなければな
らない。なぜなら仮にこの,端子間切換時に
両方が接続状態になつてとすると、各端子,
に連結された抵抗R27,R28が並列に接続さ
れることとなりサーミスタThとの合成抵抗が瞬
間的に減少し、したがつて差動増幅器OPの負電
位入力信号が上昇して基準電圧を越えてその出力
をLレベルに変え加熱動作を停止してしまうから
である。かかるスイツチとしては周知の非短絡型
(non−shorting)スイツチが使用される。
Here, the following conditions are attached to the temperature adjustment switch S1 and the output adjustment switch S3 in terms of their functions. First, when switching between the terminals of the switch S1, a configuration must be adopted in which the switching piece comes into contact with the terminal after it is once separated from the terminal. This is because, if both terminals are connected when switching between terminals, each terminal,
The resistors R27 and R28 connected to the thermistor Th are connected in parallel, and the combined resistance with the thermistor Th decreases instantaneously, so that the negative potential input signal of the differential amplifier OP rises and exceeds the reference voltage. This is because the output is changed to L level and the heating operation is stopped. As such a switch, a well-known non-shorting switch is used.

次にスイツチS3の端子,,の切換えに
際しては、切換時3端子にともに接触する期間が
存在する短絡型(shorting)スイツチが使用され
ねばならない。これは例えば端子からへ切換
えられるとき、遮断状態が生じると、この間の抵
抗値が無限大となり、コンデンサC7とにより決
まる時定数がトランジスタGTRの定格以上とな
り、これを破壊する惧れがあるからである。
Next, when switching the terminals of switch S3, a shorting type switch must be used in which there is a period in which all three terminals are in contact during switching. This is because, for example, if a cut-off state occurs when switching from a terminal to be.

19は、出力表示回路で、カレントトランス
CTの出力信号xが、ダイオードD8を介して整
流され、さらにコンデンサC11にて平滑されて
入力される。ZD2はこの直流交換されたカレン
トトランスCT信号が加えられるツエナーダイオ
ードで上記信号がそのツエナー電圧以上となつた
とき導通する。LED1は上記ツエナーダイオー
ドZD2のカソードに抵抗R37を介して連結さ
れた発光ダイオード、LED2,LED3,LED
4,LED5はそれぞれ抵抗R38,R39,R
40,R41およびツエナーダイオードZD3,
ZD4,ZD5,ZD6を介して上記ツエナーダイオ
ードZD2のカソード側にそれぞれ並列に接続さ
れた発光ダイオードである。ここでツエナーダイ
オードZD3〜ZD6および抵抗R38〜R41の
ツエナー電圧および抵抗値は図中右方向へいくほ
ど値を大きくしてある。これにより、例えばカレ
ントトランスCT出力電圧信号xが上昇すれば、
図中左側の発光ダイオードLED1から順次右方
向へ点灯していき、その出力のレベルを表示す
る。これら、発光ダイオードLED1〜LED5は
操作面18上に配置される。
19 is an output display circuit, which is a current transformer.
The output signal x of the CT is rectified via a diode D8, and further smoothed by a capacitor C11 before being input. ZD2 is a Zener diode to which this DC-exchanged current transformer CT signal is applied, and becomes conductive when the signal exceeds the Zener voltage. LED1 is a light emitting diode connected to the cathode of the Zener diode ZD2 through a resistor R37, LED2, LED3, LED
4. LED5 is resistor R38, R39, R respectively
40, R41 and Zener diode ZD3,
These are light emitting diodes connected in parallel to the cathode side of the Zener diode ZD2 via ZD4, ZD5, and ZD6. Here, the Zener voltages and resistance values of the Zener diodes ZD3 to ZD6 and the resistors R38 to R41 increase as they move toward the right in the figure. As a result, for example, if the current transformer CT output voltage signal x increases,
The light emitting diode LED1 on the left side of the figure is lit up sequentially toward the right, and its output level is displayed. These light emitting diodes LED1 to LED5 are arranged on the operation surface 18.

次にこのような構成の誘導加熱調理器の動作を
説明する。
Next, the operation of the induction heating cooker having such a configuration will be explained.

(1) 正常な加熱動作がなされる場合。(1) When normal heating operation is performed.

トツププレート4上に、適正な負荷をもつ鍋5
が設置される。また温度出力調節回路15は、切
換摘み16によりスイツチS1〜S4が端子に
設定されているとする。なお、この設定状態で
は、60〜100℃までの低温加熱領域にありかつス
ライド摘み17によりさらに任意の温度例えば80
℃に決定されることは既述の通りである。かかる
状態でいま第3図に示す期間T0において電源ス
イツチSPWをオンしたとすると、制御電源6か
ら脈流電膜VCC3が出力し起動回路8に加えられ
る。
A pot 5 with an appropriate load is placed on the top plate 4.
will be installed. It is also assumed that in the temperature output adjustment circuit 15, the switches S1 to S4 are set to terminals by the switching knob 16. In addition, in this setting state, the temperature is in the low temperature heating range of 60 to 100℃, and the slide knob 17 can be used to further adjust the temperature to an arbitrary temperature, for example, 80℃.
As mentioned above, the temperature is determined at ℃. In this state, if the power switch SPW is turned on during the period T0 shown in FIG .

この電圧Vcc3の0Vから始まる期間T1におい
て0Vから所定の時間t1後にSCR(Q1)がターン
オンとなる。なお上記時間t1は、可変抵抗VR1
とコンデンサC2の時定数により決定され約1m
secである。かかるSCR(Q1)のアノード・カ
ソード間電圧信号Aを第3図に示す。
During a period T1 of this voltage Vcc3 starting from 0V, the SCR ( Q1 ) is turned on after a predetermined time t1 from 0V. Note that the above time t 1 is the variable resistor VR1
It is determined by the time constant of capacitor C2 and is about 1 m.
sec. FIG. 3 shows the anode-cathode voltage signal A of such SCR (Q1).

このSCR(Q1)の導通は、脈流電源Vcc3
0Vから立上つた後t1時間後から、再び0Vに近づ
いた時点t2まで続く。このようにSCR(Q1)の
ターン・オン・オフが脈流電源VCC3の周期に応
じて燥返される。この電源VCC3の周期は商用交
流信号の1/2であり10msec(50Hzの場合)であ
る。上記SCR(Q1)が導通するとナンドゲー
トNAND1の一入力端はHレベルからLレベルに
変わる。このときナンドゲートNAND1の他方の
入力はHレベルにあるからナンドゲートNAND1
の出力はLレベルからHレベルに変る。上記ナン
ドゲートNAND1の他の入力については既述した
如く温度出力調節回路15の差動増幅器OPの出
力信号が加えられ、加熱初期状態ではサーミスタ
Thは常温にあるからその出力はHレベルとなつ
ている。
The conduction of this SCR (Q1) is caused by the pulsating power supply V cc3 .
This continues from t 1 hour after rising from 0V until time t 2 when it approaches 0V again. In this way, the SCR (Q1) is turned on and off in accordance with the cycle of the pulsating power supply V CC3 . The period of this power supply V CC3 is 1/2 of the commercial AC signal, which is 10 msec (in the case of 50 Hz). When the SCR (Q1) becomes conductive, one input terminal of the NAND gate NAND1 changes from H level to L level. At this time, the other input of NAND gate NAND1 is at H level, so NAND gate NAND1
The output changes from L level to H level. As mentioned above, the output signal of the differential amplifier OP of the temperature output adjustment circuit 15 is applied to the other inputs of the NAND gate NAND1, and in the initial state of heating, the thermistor
Since Th is at room temperature, its output is at H level.

さてHレベルに変つたナンドゲートNAND1の
出力信号はコンデンサC4および抵抗R3を経て
トランジスタQ2に加わり、これを上記コンデン
サC4、抵抗R3の時定数で決まる期間導通し、
トランジスタQ2のコレクタには信号Dが得られ
る。この信号DはインバータINV1にて反転され
起動信号Cとなり、出力制御回路9内のインバー
タINV3に加えられる。
Now, the output signal of the NAND gate NAND1 which has changed to H level is applied to the transistor Q2 via the capacitor C4 and the resistor R3, and is conducted for a period determined by the time constant of the capacitor C4 and resistor R3.
A signal D is obtained at the collector of transistor Q2. This signal D is inverted by an inverter INV1 to become a starting signal C, which is applied to an inverter INV3 in the output control circuit 9.

この起動信号CによりインバータINV3の入力
はHレベルとなりしたがつて次段のインバータ
INV4の出力EはHレベルに変る。なお、信号E
から信号Gまでの波形は20〜40KHzの高周波発振
となり、第3図に示す波形に比して時間スケール
が格段に小さいので、第4図として別に図示す
る。
Due to this start signal C, the input of inverter INV3 becomes H level, and therefore the input of the next stage inverter
The output E of INV4 changes to H level. In addition, signal E
The waveform from signal G to signal G is a high frequency oscillation of 20 to 40 KHz, and since the time scale is much smaller than the waveform shown in FIG. 3, it is shown separately in FIG. 4.

さて信号EはコンデンサC7およびZ0点接地
間の合成抵抗の時定数により決まる時間立下りそ
の出力すなわちインバータINV5の入力信号は波
形Fに示す如く立上り時より漸次減少するパルス
となる。この信号FがインバータINV5の閾値電
圧Vth以上のときインバータINV6の出力GはH
レベルとなる。この信号Gは抵抗R15を介して
駆動回路3に加えられここで増幅されてスイツチ
ングトランジスタGTRをターンオンする。この
トランジスタGTRの導通によりワークコイルL
に負荷電流iLが流れ始め、この電流iLはカレント
トランスCTにて検知され、その出力端Xに、負
荷への入力電圧に比例した電圧信号xが得られ
る。この信号xが一定値まで上昇するとこの信号
は、トランジスタQ3をターンオンし、インバー
タINV2の入力をLレベルに変える。したがつて
インバータINV2の出力はHレベルとなり次段の
インバータINV3へ加えられる。ここでコンデン
サC6とインバータINV3,INV4は遅延回路を
形成しているため、インバータINV4の出力はイ
ンバータINV3の入力に対して僅かな時間遅れて
発生する。なお上記遅延回路の意義については後
述する。上記インバータINV4の出力がHレベル
となるとインバータINV5の入力はHレベル、イ
ンバータINV6の出力もまたHレベルとなる。ま
たコンデンサC7とZ0点−接地間合成抵抗によ
り決まる時定数によつてコンデンサC7の充電時
間が決まり充電が終了するとZ0点−接地間電圧
は低下する。この電圧がインバータINV5の閾値
電圧Vthより低くなるとインバータINV6出力G
はLレベルに変り、駆動回路3を停止してスイツ
チングトランジスタGTRをターンオフする。い
まこの期間を第4図にTaで示す。その後前記期
間TaにてワークコイルLに充電されたエネルギ
ーの放電が始まり(期間Tb)、このエネルギーは
共振コンデンサC1に充電される。コンデンサC
1への充電が終了すると続く期間Tcにてコンデ
ンサC1の充電々荷はコンデンサC1から、ワー
クコイルL、コンデンサC0を通つて再びコンデ
ンサC1に至る経路を通つて放電され、同時にワ
ークコイルLに充電される。続いてワークコイル
Lに充電された電荷の放電がワークコイルL、コ
ンデンサC0ダイオードD1、ワークコイルLよ
りなる経路を通つてなされる(期間Td)。
Now, the signal E falls for a time determined by the time constant of the combined resistance between the capacitor C7 and the grounding point Z0, and its output, that is, the input signal of the inverter INV5, becomes a pulse that gradually decreases from the rise as shown by waveform F. When this signal F is higher than the threshold voltage Vth of inverter INV5, the output G of inverter INV6 is high.
level. This signal G is applied to the drive circuit 3 via the resistor R15, where it is amplified and turns on the switching transistor GTR. Due to the conduction of this transistor GTR, the work coil L
A load current iL begins to flow, this current iL is detected by a current transformer CT, and a voltage signal x proportional to the input voltage to the load is obtained at its output terminal X. When this signal x rises to a certain value, this signal turns on transistor Q3 and changes the input of inverter INV2 to L level. Therefore, the output of the inverter INV2 becomes H level and is applied to the next stage inverter INV3. Here, since the capacitor C6 and the inverters INV3 and INV4 form a delay circuit, the output of the inverter INV4 is generated with a slight time delay with respect to the input of the inverter INV3. Note that the significance of the delay circuit will be described later. When the output of the inverter INV4 becomes H level, the input of the inverter INV5 becomes H level, and the output of the inverter INV6 also becomes H level. Further, the charging time of the capacitor C7 is determined by a time constant determined by the capacitor C7 and the combined resistance between the Z0 point and the ground, and when charging is completed, the voltage between the Z0 point and the ground decreases. When this voltage becomes lower than the threshold voltage Vth of inverter INV5, inverter INV6 output G
changes to L level, stopping the drive circuit 3 and turning off the switching transistor GTR. This period is now shown as Ta in Figure 4. Thereafter, the energy charged in the work coil L during the period Ta begins to be discharged (period Tb), and this energy is charged into the resonant capacitor C1. Capacitor C
1, the charge in the capacitor C1 is discharged from the capacitor C1 through the work coil L, the capacitor C0, and then back to the capacitor C1 during the period Tc, and at the same time, the work coil L is charged. be done. Subsequently, the electric charge charged in the work coil L is discharged through a path consisting of the work coil L, the capacitor C0 diode D1, and the work coil L (period Td).

かくして起動信号Cによる振動の1サイクルが
終了する。その後電流iLがゼロから正方向に立上
つたとき出力するカレントトランスCTの信号x
が、トランジスタQ3に加えられこれをターンオ
ンとする。これによりインバータINV2の入力は
Lレベル、出力はHレベルに変る。
Thus, one cycle of vibration caused by the activation signal C is completed. After that, when the current iL rises from zero in the positive direction, the current transformer CT signal x
is applied to transistor Q3, turning it on. As a result, the input of the inverter INV2 changes to L level and the output changes to H level.

一方このときフリツプフロツプFF3のナンド
ゲートNAND9の出力がLレベルにあるとする
と、このLレベル信号により抵抗R10への入力
はLレベルにホールドされている。したがつてイ
ンバータINV2の出力が上述の如くHレベルとな
つても、次段のインバータINV3の入力はLレベ
ルのまま変化せず、したがつて駆動回路3への信
号は出力されずトランジスタGTRはオフ状態を
保持する。それ故、上記期間Td以後はワークコ
イルLおよび共振コンデンサC1により減衰振動
が生じる。これを第4図および第5図の期間T1
に示す。この減衰振動は、トツププレート4上に
正常な鍋5が載置されていることから、急速に衰
える。この減衰振動は、カレントトランスCTに
て検知されその出力信号xは抵抗R23,R24
にて分圧されてナンドゲートNAND4へ加えられ
ると同時にカウンタCNTのクロツク端子CKへ入
力される。ここで上記信号xに含まれる閾値電圧
Vth以上のパルスのみが計数されるが、今の場合
このパルス数は2発程度である。よつて出力q6
はLレベルのままでありインバータINV8の出力
HはHレベルのまま変化しない。なおフリツプフ
ロツプFF2のナンドゲートNAND5の入力には
トランジスタQ2のコレクタからコンデンサC5
を経て得られるパルス信号Bが、期間T1の初期
にて印加されるためナンドゲートNAND5の出力
信号IはHレベルにある。
On the other hand, if the output of the NAND gate NAND9 of the flip-flop FF3 is at the L level at this time, the input to the resistor R10 is held at the L level by this L level signal. Therefore, even if the output of the inverter INV2 becomes H level as described above, the input of the next stage inverter INV3 remains at the L level, and therefore no signal is output to the drive circuit 3 and the transistor GTR Remains off. Therefore, after the period Td, damped vibration occurs due to the work coil L and the resonant capacitor C1. This is the period T 1 in Figures 4 and 5.
Shown below. This damped vibration rapidly weakens because a normal pot 5 is placed on the top plate 4. This damped vibration is detected by the current transformer CT, and its output signal x is generated by the resistors R23 and R24.
It is divided into voltages and applied to the NAND gate NAND4, and simultaneously input to the clock terminal CK of the counter CNT. Here, the threshold voltage included in the above signal x
Only pulses equal to or higher than Vth are counted, and in this case the number of pulses is about two. Yotsute output q6
remains at L level, and the output H of inverter INV8 remains at H level and does not change. Note that the input of the NAND gate NAND5 of the flip-flop FF2 is connected from the collector of the transistor Q2 to the capacitor C5.
Since the pulse signal B obtained through the period T1 is applied at the beginning of the period T1 , the output signal I of the NAND gate NAND5 is at H level.

続く期間T2において起動パルスCを発生する
と、この起動信号Cは前述の如く出力制御回路9
を経て駆動回路3に加えられ、さらにトランジス
タGTRがターンオンとなつて発振が開始され
る。一方起動パルスCの発生に伴いこの間ナンド
ゲートNAND7の出力JはLレベルに変り、この
信号Jは、次段のナンドゲートNAND9に入力し
てこのフリツプフロツプFF3を反転してナンド
ゲートNAND9出力LをHレベルに変える。した
がつて上記起動パルスCにて一サイクルの発振が
終了し、負荷電流iLがゼロから立上つたとき、カ
レントトランスCT端子Xに信号xが現われる
と、この信号xによりトランジスタQ3がターン
オンされ、インバータINV2の入力をLレベルと
する。これによりインバータINV2の出力はHレ
ベル、さらにインバータINV3,INV4および
INV5,INV6を経て出力されたHレベル信号G
は駆動回路3に加わりスイツチングトランジスタ
GTRを導通し、負荷電流iLが流れ始める。かか
る場合ナンドゲートNAND9の出力LはHレベル
にあるから、インバータINV3の入力側は、Hレ
ベルにホールドされており、カレントトランス
CTからの信号xがここで遮断されることはな
い。このようにして自励発振が継続されこの発振
は脈流電源VCC1が下降し0V付近になり増幅率が
低下してトランジスタGTRがオフとなる時点t2
で続く、この状態を第4図および第5図の期間
T2,T3に示す。かかる発振は、交流周波数の半
周期ごとに繰返され各周期内では約20〜40KHzの
高周波発振が実行されワークコイルLには20〜
40KHzの高周波交番電流が流れる。これによりワ
ークコイルLに近接配置された鍋5に高周波交番
磁界が印加されることとなり誘導加熱が実施され
る。このようにして加熱が開始されると、トツプ
プレート4裏面に設けられたサーミスタThによ
り鍋5の温度が検知されスライド摘み17の調整
により予め決められた温度80℃に達すると差動増
幅器OPの負電位入力端入力信号が正電位入力
端入力信号より大きくなる。それ故差動増幅器
OPの出力はHレベルからLレベルに変り、起動
回路8内のナンドゲートNAND1を閉じ、起動パ
ルスCの発生を停止する。これにより出力制御回
路9への起動パルス送出はなくなるからインバー
タ回路は発振を停止し加熱動作は中止される。そ
の後鍋5の温度が下り、サーミスタThの抵抗値
が上昇すると、差動増幅器OPの負電位信号入力
端信号は下降し、再び正電位信号入力端信号
より小さくなり、差動増幅器OPの出力はHレベ
ルに変つてナンドゲートNAND1を開き再び起動
パルスCの送出を開始し、インバータ発振を開始
し、加熱動作を再開する。このようにして鍋5の
加熱温度は設定温度80℃に保たれる。
When the starting pulse C is generated in the following period T2 , this starting signal C is output to the output control circuit 9 as described above.
The signal is then applied to the drive circuit 3, and the transistor GTR is turned on to start oscillation. On the other hand, with the generation of the activation pulse C, the output J of the NAND gate NAND7 changes to L level during this time, and this signal J is input to the next stage NAND gate NAND9, inverts this flip-flop FF3, and changes the output L of NAND gate NAND9 to H level. . Therefore, when one cycle of oscillation is completed by the starting pulse C and the load current iL rises from zero, when a signal x appears at the current transformer CT terminal X, the transistor Q3 is turned on by this signal x. The input of inverter INV2 is set to L level. As a result, the output of inverter INV2 becomes H level, and inverters INV3, INV4 and
H level signal G output via INV5 and INV6
is added to drive circuit 3 and becomes a switching transistor.
GTR becomes conductive and load current iL begins to flow. In this case, the output L of the NAND gate NAND9 is at the H level, so the input side of the inverter INV3 is held at the H level, and the current transformer
The signal x from the CT is not blocked here. In this way, self-sustained oscillation continues, and this oscillation continues until time t2 when the pulsating current power supply V CC1 drops to around 0 V, the amplification factor decreases, and the transistor GTR is turned off. This state is illustrated in Figure 4 and Period shown in Figure 5
Shown in T 2 and T 3 . This oscillation is repeated every half cycle of the AC frequency, and within each cycle, high frequency oscillation of about 20 to 40 KHz is performed, and the work coil L has a frequency of about 20 to 40 KHz.
A high frequency alternating current of 40KHz flows. As a result, a high frequency alternating magnetic field is applied to the pot 5 disposed close to the work coil L, and induction heating is performed. When heating is started in this way, the temperature of the pot 5 is detected by the thermistor Th provided on the back side of the top plate 4, and when the temperature reaches the predetermined temperature of 80°C by adjusting the slide knob 17, the differential amplifier OP is turned on. The negative potential input terminal input signal becomes larger than the positive potential input terminal input signal. hence the differential amplifier
The output of OP changes from H level to L level, closes the NAND gate NAND1 in the starting circuit 8, and stops generating the starting pulse C. As a result, the starting pulse is no longer sent to the output control circuit 9, so the inverter circuit stops oscillating and the heating operation is stopped. After that, when the temperature of the pot 5 decreases and the resistance value of the thermistor Th increases, the negative potential signal input terminal signal of the differential amplifier OP decreases and becomes smaller than the positive potential signal input terminal signal again, and the output of the differential amplifier OP becomes When the level changes to H level, the NAND gate NAND1 is opened, and the sending of the starting pulse C is started again, inverter oscillation is started, and the heating operation is restarted. In this way, the heating temperature of the pot 5 is maintained at the set temperature of 80°C.

次に前述した遅延回路の意義について説明す
る。
Next, the significance of the aforementioned delay circuit will be explained.

この遅延回路は、コンデンサC6、インバータ
INV3,INV4にて構成されインバータINV4の
出力EをインバータINV3入力に対し僅かな時間
(約2μsec)だけ遅らせるものである。通常周波
数制御により出力調節を行なう場合、共振周波数
を例えば低周波数側(出力強)で調節すると、周
波数が高くなつたとき(出力弱)回路上の抵抗分
R(=2πoL+1/2πoC)が大きくなりコンデ ンサC1の充電容量が小さくなつて早く放電が終
了する。それ故スイツチングトランジスタGTR
のコレクタ・エミツタ間電圧が0Vに下らないう
ちにトランジスタGTRがオン状態となり、発熱
さらには破損の原因となる。
This delay circuit consists of capacitor C6, inverter
It is configured by INV3 and INV4, and delays the output E of the inverter INV4 by a short time (about 2 μsec) with respect to the input of the inverter INV3. When adjusting the output by normal frequency control, for example, if the resonance frequency is adjusted on the low frequency side (strong output), the resistance R (= 2πoL + 1/2πoC) on the circuit will increase as the frequency increases (weak output). The charging capacity of the capacitor C1 becomes smaller and the discharge ends quickly. Therefore switching transistor GTR
The transistor GTR turns on before the voltage between the collector and emitter of the device falls to 0V, causing heat generation and even damage.

第6図波形Mは共振周波数を低周波数側で調整
しかつ低周波数領域すなわち出力大の場合の動作
状態を示し、負荷電流iLおよびスイツチングトラ
ンジスタGTRのコレクタ・エミツタ間電圧VCE
は正常な関係にあることを示す。他方同図波形N
は上述の如く低周波数側で調整しかつ高周波数領
域すなわち出力小の状態で動作させた場合を示し
スイツチングトランジスタGTRのコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEが0Vに下らないうちにトラン
ジスタGTRが導通していることが判る。
Waveform M in Figure 6 shows the operating state when the resonant frequency is adjusted to the low frequency side and in the low frequency region, that is, when the output is large, and shows the load current iL and the collector-emitter voltage VCE of the switching transistor GTR.
indicates a normal relationship. On the other hand, the same waveform N
As mentioned above, indicates the case where the adjustment is made on the low frequency side and the transistor is operated in the high frequency region, that is, in a low output state, and the transistor GTR is conductive before the collector-emitter voltage VCE of the switching transistor GTR falls to 0V. I understand that.

これを防止するためにインバータINV4の出力
Eを僅か遅らせてスイツチングトランジスタ
GTRのオン時間を僅か遅らせ、コレクタ・エミ
ツタ間電圧VCEが完全に0Vになつた後にトラン
ジスタGTRがターンオンされるのである。
To prevent this, the output E of inverter INV4 is slightly delayed and the switching transistor
The on-time of GTR is slightly delayed, and the transistor GTR is turned on after the collector-emitter voltage VCE reaches completely 0V.

次に出力制御動作について説明する。出力制御
を行なうときは、温度、出力調節回路15のスイ
ツチS1〜S4を端子へ切換え、さらに可変抵
抗VR2を調節する。かくすれば、Z0点接地間
合成抵抗(この合成抵抗は、可変抵抗VR2、抵
抗R12,R20より構成される)が変化し、コ
ンデンサC7との時定数が変化し、インバータ
INV5の入力信号Fが立上り時から閾値電圧Vth
まで低下する時間Taを変えることができる。し
たがつてスイツチングトランジスタGTRの導通
時間を変えることができることとなり、この変化
に応じてワークコイルLに充電される電磁エネル
ギーの量が変えられる。すなわちこの時間Taを
短かく設定すると、ワークコイルLへ供給される
電磁エネルギーは小さくなり出力は低下する。こ
のとき発振周波数は上昇する。他方上記時間Ta
を長く設定すると、ワークコイルLへ供給される
電磁エネルギーは大きくなり出力は増大する。こ
のとき発振周波数は低下する。この出力レベル
は、出力表示回路19により表示される。すなわ
ち、出力が徐々に上昇していくと、カレントトラ
ンスCTの出力信号xもこれに比例して上昇す
る。この電圧信号xは交流信号であるから、ダイ
オードD8およびコンデンサC1により整流、平
滑され、次段のツエナーダイオードZD2に印加
される。上記整流平滑された信号がツエナーダイ
オードZD2のツエナー電圧以上になると、この
ツエナーダイオードZD2を通して、まず抵抗R
37および発光ダイオードLED1に電流が流れ
この発光ダイオードLED1を点灯する。さらに
出力電圧が上昇すると、次段のツエナーダイオー
ドZD3のツエナー電圧を越え、抵抗R38発光
ダイオードLED2に通電され、この2番目の発
光ダイオードLED2が点灯する。斯様にして、
出力上昇に伴い3番目の発光ダイオードLED
3、4番目の発光ダイオードLED4、と点灯し
ていき、最大出力「強」の状態では、全部の発光
ダイオードLED1,LED2……LED5が点灯す
る。
Next, the output control operation will be explained. When performing output control, the switches S1 to S4 of the temperature and output adjustment circuit 15 are switched to terminals, and the variable resistor VR2 is further adjusted. In this way, the combined resistance between the Z0 point and the ground (this combined resistance is composed of the variable resistor VR2 and the resistors R12 and R20) changes, the time constant with the capacitor C7 changes, and the inverter
Threshold voltage Vth from when input signal F of INV5 rises
You can change the time Ta to decrease up to. Therefore, the conduction time of the switching transistor GTR can be changed, and the amount of electromagnetic energy charged in the work coil L can be changed in accordance with this change. That is, when this time Ta is set short, the electromagnetic energy supplied to the work coil L becomes smaller and the output decreases. At this time, the oscillation frequency increases. On the other hand, the above time Ta
When is set longer, the electromagnetic energy supplied to the work coil L increases and the output increases. At this time, the oscillation frequency decreases. This output level is displayed by the output display circuit 19. That is, as the output gradually increases, the output signal x of the current transformer CT also increases in proportion to this. Since this voltage signal x is an alternating current signal, it is rectified and smoothed by the diode D8 and the capacitor C1, and is applied to the next stage Zener diode ZD2. When the rectified and smoothed signal exceeds the Zener voltage of Zener diode ZD2, it first passes through resistor R
37 and the light emitting diode LED1, a current flows through the light emitting diode LED1 to light up the light emitting diode LED1. When the output voltage further increases, it exceeds the Zener voltage of the Zener diode ZD3 in the next stage, and the resistor R38 is energized to the light emitting diode LED2, which lights up the second light emitting diode LED2. In this way,
3rd light emitting diode LED as output increases
The third and fourth light emitting diodes LED4 are lit up, and when the maximum output is "strong", all the light emitting diodes LED1, LED2...LED5 are lit up.

温度・出力調節回路15は出力制御状態にあつ
ては、スイツチS1〜S4が端子に設定されて
いるため、差動増幅器OPの負電位入力端子はス
イツチS1、抵抗R32を介して接地されてい
る。
When the temperature/output adjustment circuit 15 is in the output control state, the switches S1 to S4 are set as terminals, so the negative potential input terminal of the differential amplifier OP is grounded via the switch S1 and the resistor R32. .

それ故、差動増幅器OPの出力は常にHレベル
となり、このままでは加熱温度は無制限に上昇す
ると考えられる。しかしながら、この状態で鍋5
が加熱されサーミスタThの温度が上昇していく
と、その抵抗値は低下し、サーミスタTh、スイ
ツチS1、抵抗R32にて分割されるスイツチS
1の共通端子点の電圧は上昇する。したがつて
この電圧が、差動増幅器OPの正電位入力端側
への入力信号より大きくなると、この差動増幅器
OP出力はLレベルに変り、ナンドゲートNAND
1を閉鎖するから、起動パルスCの発生を停止
し、インバータ発振は停止される。それ故、無制
限に加熱温度が上昇することはなく、抵抗R32
を適当に選ぶことにより加熱上限温度を適当に設
定しておけば、安全装置としての役割をもたせる
ことができる。
Therefore, the output of the differential amplifier OP is always at the H level, and it is considered that the heating temperature will rise indefinitely if this continues. However, in this state, the pot 5
As the thermistor Th is heated and the temperature of the thermistor Th increases, its resistance value decreases, and the switch S divided by the thermistor Th, switch S1, and resistor R32
The voltage at the common terminal point of 1 increases. Therefore, if this voltage becomes larger than the input signal to the positive potential input terminal of the differential amplifier OP, this differential amplifier
OP output changes to L level, NAND gate NAND
1 is closed, the generation of the starting pulse C is stopped, and the inverter oscillation is stopped. Therefore, the heating temperature does not rise indefinitely, and the resistance R32
If the heating upper limit temperature is appropriately set by appropriately selecting , it can serve as a safety device.

(2) 過負荷鍋が置かれた場合、 一般に誘導加熱調理器にあつては、負荷となる
鍋は、鉄系の磁性体鍋等その材種および大きさが
制限されるが、実際の使用に際しては、加熱に不
適な鍋をトツププレート4上に置くこともある。
(2) If an overloaded pot is placed, generally for induction heating cookers, the type and size of the loaded pot is limited, such as iron-based magnetic pots, but the actual use In this case, a pot unsuitable for heating may be placed on the top plate 4.

例えばSuS304と表示される18−8ステンレス
(クロム18%、ニツケル8%を含む)製鍋を加熱
した場合、その抵抗が小さいため、過大な電流が
流れる。この過大電流によりブレーカが遮断され
たり或は回路素子を破壊するという危険が生じ
る。本発明にあつては、このように不適当な負荷
加熱による過大電流の発生或はその他の偶発的な
原因による突入電流の発生を検知して装置の安全
化が図られている。すなわち、いまワークコイル
Lに正常な負荷電流以上の過大電流が流れたとす
ると、この過大電流はカレントトランスCT両側
の電圧xに変換され、この電圧xは、過負荷検知
回路11内の分圧抵抗R18,R22にて分圧さ
れ、抵抗R22に加わる電圧がインバータINV7
に入力される。通常は、この分圧電圧が、インバ
ータINV7の閾値を越えることはないが、過大電
流発生時にあつては、カレントトランスCT検知
電圧xは、これに比例して上昇するから、インバ
ータINV7の閾値電圧以上となる。これにより、
インバータINV7出力は、Lレベルに変り、フリ
ツプフロツプFF1のナンドゲートNAND2の出
力はLレベルからHレベルにかわる。これ故この
Hレベル信号はトランジスタQ5を導通し、Z0
点接地間合成抵抗に新たに抵抗R21が並列に加
わることになり、その合成抵抗値は下降する。こ
れにより、この合成抵抗とコンデンサC7の時定
数は小さくなり、スイツチングトランジスタ
GTRの導通時間Taは短かくなり、出力は減少す
る。第7図は、カレントトランスCT両端間電圧
xの波形を示し交流周波数信号に20〜40KHzの交
番電圧信号が含まれた波形となる。ここで波形x
は、上記過負荷検知回路11を付加しない場合、
波形x′は、過負荷検知回路11を動作させた場合
をそれぞれ示し、期間Tで示す商用交流周波数の
半周期内において約20〜40KHzの周波数で発振を
繰返している。波形x′に示す時刻taにて、過負荷
検知回路11が動作し、発振周波数を上昇して出
力を低下させると、電圧x′は急低下することが判
る。
For example, when a pot made of 18-8 stainless steel (contains 18% chromium and 8% nickel) labeled SuS304 is heated, an excessive amount of current flows due to its low resistance. There is a risk that this excessive current will trip the breaker or destroy the circuit elements. In the present invention, the safety of the apparatus is improved by detecting the occurrence of excessive current due to inappropriate load heating or the occurrence of inrush current due to other accidental causes. That is, if an excessive current exceeding the normal load current flows through the work coil L, this excessive current is converted to a voltage x on both sides of the current transformer CT, and this voltage x is applied to the voltage dividing resistor in the overload detection circuit 11. The voltage divided by R18 and R22 and applied to resistor R22 is applied to inverter INV7.
is input. Normally, this divided voltage does not exceed the threshold of inverter INV7, but when an overcurrent occurs, the current transformer CT detection voltage x increases in proportion to this, so the threshold voltage of inverter INV7 That's all. This results in
The output of the inverter INV7 changes to the L level, and the output of the NAND gate NAND2 of the flip-flop FF1 changes from the L level to the H level. Therefore, this H level signal makes transistor Q5 conductive and Z0
A new resistor R21 is added in parallel to the point-to-ground combined resistance, and the combined resistance value decreases. As a result, the time constant of this combined resistance and capacitor C7 becomes small, and the switching transistor
The conduction time Ta of GTR becomes shorter and the output decreases. FIG. 7 shows the waveform of the voltage x across the current transformer CT, which is a waveform in which an alternating voltage signal of 20 to 40 KHz is included in the alternating frequency signal. Here the waveform x
If the above-mentioned overload detection circuit 11 is not added,
The waveform x' shows the case where the overload detection circuit 11 is operated, and oscillates repeatedly at a frequency of about 20 to 40 KHz within a half cycle of the commercial AC frequency indicated by a period T. It can be seen that at time ta shown in the waveform x', the overload detection circuit 11 operates, increases the oscillation frequency and lowers the output, and the voltage x' suddenly drops.

これにより負荷への入力電流が過大となること
を防止でき、各回路素子の保護が図れる。特にこ
の電圧x′とスイツチングトランジスタGTRのコ
レクタ・エミツタ間電圧VCEは比例関係にあるか
ら、このトランジスタGTRの保護が図れること
は有意義である。なおフリツプフロツプFF1の
ナンドゲートNAND3の入力端には、起動回路8
のトランジスタQ2のコレクタ電位信号Dが入力
されるから、交流周波数信号半波の初期(第7図
波形x′の時刻tb)にてこのフリツプフロツプFF
1はリセツトされ、トランジスタQ5はオフ状態
となる。したがつて、その後再び過負荷検知回路
11は停止して、通常の発振駆動がなされ、なお
鍋5が過負荷鍋であれば、カレントトランスCT
にて過大電流が検知され、前述と同様に過負荷検
知回路11がはたらいて、出力を低下させる。か
かる動作が交流周波数の半波ごとになされ、鍋が
取り換えられ適正な負荷に変ると、その後は、過
負荷検知回路11は動作せず正常な加熱動作が続
けられる。
This prevents the input current to the load from becoming excessive and protects each circuit element. In particular, since this voltage x' and the collector-emitter voltage V CE of the switching transistor GTR are in a proportional relationship, it is significant that this transistor GTR can be protected. Note that a startup circuit 8 is connected to the input terminal of the NAND gate NAND3 of the flip-flop FF1.
Since the collector potential signal D of the transistor Q2 is inputted, this flip-flop FF is input at the beginning of the AC frequency signal half wave (time tb of waveform
1 is reset and transistor Q5 is turned off. Therefore, the overload detection circuit 11 is stopped again after that, normal oscillation drive is performed, and if the pot 5 is overloaded, the current transformer CT
An excessive current is detected at , and the overload detection circuit 11 operates in the same manner as described above to reduce the output. This operation is performed every half wave of the AC frequency, and when the pot is replaced and the load changes to an appropriate value, the overload detection circuit 11 does not operate and normal heating operation continues.

(3) 加熱動作中に鍋がトツププレート上から取り
去られた場合、 トツププレート4上に適正な鍋5が置かれ加熱
動作が実行中にあるとき、鍋5を取り去ると、イ
ンバータの発振はそのまま続けられ、電力が無駄
に消費されることとなる。それ故このような事態
が生じたとき、インバータの発振を停止してやる
ことが望ましい。本実施例は、かかる処置を施し
たものである。すなわち、加熱動作中に鍋5が取
り去られるとインバータを構成するワークコイル
Lと共振コンデンサC1の共振による減衰振動が
長くなり、商用周波数信号の半波の0V付近でも
発振が持続することとなる。これを第5図波形x
に示す。図中P1は正常な負荷が載つている場
合、P2は無負荷状態におけるそれぞれの発振状
態を示し、負荷があるときは発振は停止しており
負荷がなくなると発振が持続する。これらの差は
無負荷検知回路12にて検知される。その動作を
第4図および第5図に基いて説明すると、期間
T1において鍋5を取り去ると、波形xのP2点
に示す如く、インバータの発振は持続している。
それ故、続く期間Ti+1にてナンドゲートNAND
4の出力Kは信号Aが、このゲートの閾値電圧
Vth以上となる期間に上記発振振動が通過し、L
レベルに変る。このLレベル信号によりフリツプ
フロツプFF3は反転しナンドゲートNAND9の
出力LはLレベルに変る。この信号LのLレベル
は、Y点に加えられてインバータINV3入力をL
レベルに保持するから、トランジスタQ3および
インバータINV2を介して加えられる自励発振信
号xは、ここで遮断され自励発振は行なわれな
い。したがつて期間Ti+1においては最初の起
動パルスのみによる減衰振動が生じることにな
る。この減衰振動は、負荷がないことから比較的
大きく、カウンタCNTへ入力するパルスは6発
以上となる。カウンタCNTは、入力パルスが6
発に達すると出力q6にHレベル信号を発し、こ
の信号はインバータINV8にて反転されて信号H
となり、ナンドゲートNAND6に入力される。こ
れによりナンドゲートNAND5の出力信号Iは6
発のパルスが発せられる期間のみHレベルとな
る。一方ナンドゲートNAND7の入力には、上記
信号Iと、信号Aが加えられるから、その出力波
形はJに示す如くHレベルを保つたままであり、
次段のナンドゲートNAND9の出力Lは変化しな
い。それ故自励発振は行なわれず加熱動作は実行
されない。このようにして鍋5をトツププレート
4上から取り去つた場合には自動的に発振が停止
し、加熱動作がなされなくなるのである。
(3) If the pot is removed from the top plate during the heating operation, when the proper pot 5 is placed on the top plate 4 and the heating operation is in progress, if the pot 5 is removed, the oscillation of the inverter will stop. If this continues, power will be wasted. Therefore, when such a situation occurs, it is desirable to stop the oscillation of the inverter. In this example, such a treatment was applied. That is, if the pot 5 is removed during the heating operation, the damped vibration due to resonance between the work coil L and the resonant capacitor C1 that constitute the inverter becomes longer, and the oscillation continues even at around 0V, which is a half wave of the commercial frequency signal. This is shown in Figure 5 as the waveform x
Shown below. In the figure, P1 indicates the oscillation state when a normal load is applied, and P2 indicates the oscillation state in a no-load state. When there is a load, the oscillation stops, and when the load is removed, the oscillation continues. These differences are detected by the no-load detection circuit 12. To explain its operation based on Figures 4 and 5, the period
When the pot 5 is removed at T1 , the oscillation of the inverter continues as shown at point P2 of the waveform x.
Therefore, in the following period Ti+1, NAND gate NAND
The output K of 4 is that the signal A is the threshold voltage of this gate.
The above oscillation passes during the period when Vth or more, and L
change to the level. This L level signal causes flip-flop FF3 to be inverted, and the output L of NAND gate NAND9 changes to L level. The L level of this signal L is added to the Y point and drives the inverter INV3 input to L.
Since the level is maintained, the self-oscillation signal x applied via the transistor Q3 and the inverter INV2 is cut off here, and no self-oscillation occurs. Therefore, during period Ti+1, damped oscillations occur only due to the first starting pulse. This damped vibration is relatively large since there is no load, and the number of pulses input to the counter CNT is six or more. Counter CNT has 6 input pulses.
When the signal reaches the high level, an H level signal is generated at the output q6, and this signal is inverted by the inverter INV8 and becomes the H level signal.
and is input to the NAND gate NAND6. As a result, the output signal I of the NAND gate NAND5 is 6
It is at H level only during the period when the pulse is emitted. On the other hand, since the above-mentioned signal I and signal A are applied to the input of the NAND gate NAND7, its output waveform remains at the H level as shown in J.
The output L of the next stage NAND gate NAND9 does not change. Therefore, self-oscillation is not performed and no heating operation is performed. In this manner, when the pot 5 is removed from the top plate 4, the oscillation automatically stops and the heating operation is no longer performed.

次にこのような状態にある装置に適正な鍋5を
置いた場合について説明する。第5図に示す期間
Tjにおいて鍋5が置かれると、続く期間Tj+1
では、なお起動パルスCによる減衰振動のみが生
じる。しかしながら、この減衰振動は鍋の存在に
より小さくなるから、カウンタCNTで計数され
るパルス数は2発程度にすぎない。それ故カウン
タCNTからはHレベル信号は出力されずナンド
ゲートNAND5の出力Iは、信号BによつてHレ
ベルに変つた状態で保持される。そして続く期間
Tj+2の初期においてパルス信号Aが発生する
とナンドゲートNAND7の出力JはLレベルに変
りフリツプフロツプFF3を反転させナンドゲー
トNAND9の出力LをHレベルに変える。これに
より出力制御回路9の自励発振禁止は解除され、
正常な発振動作が実行される。
Next, a case will be described in which a proper pot 5 is placed in the apparatus in such a state. Period shown in Figure 5
When pot 5 is placed at Tj, the following period Tj+1
In this case, only the damped vibration due to the starting pulse C still occurs. However, since this damped vibration is reduced by the presence of the pot, the number of pulses counted by the counter CNT is only about two. Therefore, an H level signal is not outputted from the counter CNT, and the output I of the NAND gate NAND5 is maintained at the H level changed by the signal B. and the period that lasts
When the pulse signal A is generated at the beginning of Tj+2, the output J of the NAND gate NAND7 changes to the L level, inverting the flip-flop FF3 and changing the output L of the NAND gate NAND9 to the H level. As a result, the inhibition of self-oscillation of the output control circuit 9 is canceled,
Normal oscillation operation is performed.

さて調理器が加熱動作状態にあり、かつトツプ
プレート4上に置かれた物体が例えばナイフ、フ
オーク等の不適性な小物負荷である場合、これを
検知して加熱動作を停止することが必要である。
Now, if the cooker is in the heating operation state and the object placed on the top plate 4 is an inappropriate small load, such as a knife or fork, it is necessary to detect this and stop the heating operation. be.

本発明では、これを上述した負荷検知回路13
により達成している。すなわち上記小物負荷が載
置された状態では、減衰振動により生じる一定値
以上のパルスは、6発以上となるから、既述の如
き鍋を取り去つた場合と同様の動作で発振動作は
停止する。それ故電源をオンとした状態で、トツ
ププレート4上に上記小物負荷を置いたとして
も、これが加熱されることはなく、したがつて加
熱されたナイフ等に誤つて触れて火傷を負う危険
もない。
In the present invention, this is the load detection circuit 13 described above.
This has been achieved by In other words, when the above-mentioned small load is placed, the number of pulses exceeding a certain value generated by damped vibration is 6 or more, so the oscillation operation stops in the same manner as when the pot is removed as described above. . Therefore, even if the above-mentioned small load is placed on the top plate 4 with the power turned on, it will not be heated, and there is a risk of getting burned by accidentally touching a heated knife, etc. do not have.

無負荷検知回路12及び負荷検知回路13の関
係を次に説明する。第8図に示すように調理鍋5
をトツププレート4に置く際、調理鍋5とトツプ
プレート4の間隔がd1mmになつたとき負荷検知回
路12がはたらいて高周波インバータの発振が開
始されるものとし、一方第9図に示すように調理
鍋5をトツププレート4から取り去る際、調理鍋
5がトツププレート4からd2mm離れたとき無負荷
検知回路13がはたらいて高周波インバータの発
振を停止させるものとする。そしていま仮にd1
d2なる関係にあるとし、かつ調理鍋5距離d1とd2
の間に位置しているとすると、無負荷検知回路1
2は、「鍋なし」と判断し、高周波インバータの
発振を停止させるが、一方負荷検知回路13は
「鍋あり」と判定して発振の禁止を解除する方向
にはたらく。第10図は、かかる状態を示しP3
で無負荷検知回路12がはたらきインバータの自
励発振は禁止され、インバータには起動パルスの
み与えられる。しかしながらこの起動パルスによ
る減衰振動は、鍋の存在により小さいものとな
り、カウンタCNTの計数パルスは6発以下とな
る。それ故P4時点では「鍋あり」と判断され次
の発振サイクルは正常に自励発振が実行される。
このようにして、インバータは一サイクルごとに
発振し、正常時の1/2の出力で加熱動作が行なわ
れることとなる。
The relationship between the no-load detection circuit 12 and the load detection circuit 13 will be explained next. As shown in Figure 8, the cooking pot 5
When the cooking pot 5 and the top plate 4 are placed on the top plate 4, when the distance between the cooking pot 5 and the top plate 4 becomes d 1 mm, the load detection circuit 12 is activated and the high frequency inverter starts oscillating. When the cooking pot 5 is removed from the top plate 4, the no-load detection circuit 13 is activated to stop the oscillation of the high-frequency inverter when the cooking pot 5 is separated from the top plate 4 by d 2 mm. And now suppose d 1
Suppose there is a relationship d 2 , and the cooking pot 5 distances d 1 and d 2
If the no-load detection circuit 1 is located between
2 determines that there is no pot and stops the oscillation of the high frequency inverter, while the load detection circuit 13 determines that there is a pot and works to cancel the prohibition of oscillation. FIG. 10 shows such a state P3
The no-load detection circuit 12 operates to inhibit self-oscillation of the inverter, and only a starting pulse is given to the inverter. However, the damped vibration caused by this starting pulse becomes small due to the presence of the pot, and the number of pulses counted by the counter CNT becomes 6 or less. Therefore, at time P4, it is determined that there is a pot, and self-oscillation is normally executed in the next oscillation cycle.
In this way, the inverter oscillates every cycle, and heating operation is performed at half the normal output.

本実施例ではかかる現象の発生を阻止するた
め、両検知回路12,13の作動距離がd1<d2
なるよう設定されている。第11図はP5時点で
鍋を取り除いた場合の発振状態を示し、距離d1
d2の間に鍋が位置している場合無負荷検知回路1
2のみ動作し(「鍋なし」と判断)、負荷検知回路
13は動作しない(「鍋なし」と判断)から、イ
ンバータの発振は停止した侭である。上記d1は約
5mmないし10mm、d2は約7mmないし12mm程度の範
囲内で設定され、d1=5mmのときd2=7mmとする
ことができる。
In this embodiment, in order to prevent such a phenomenon from occurring, the working distances of both detection circuits 12 and 13 are set so that d 1 <d 2 . Figure 11 shows the oscillation state when the pot is removed at P5, and the distance d 1 and
If the pot is located between d and 2 , no-load detection circuit 1
2 operates (determined that there is no pot), and the load detection circuit 13 does not operate (determines that there is no pot), so the oscillation of the inverter has stopped. The above d 1 is set within a range of about 5 mm to 10 mm, and d 2 is set within a range of about 7 mm to 12 mm, and when d 1 =5 mm, d 2 =7 mm.

負荷検知回路13の作動距離d1は、カウンタ
CNTの出力パルス数(本例では6発)を変更す
ることにより調節できる。無負荷検知回路12の
作動距離d2は、抵抗R23,R24の値を変更す
ることにより調節できる。第12図はナンドゲー
トNAND4の2入力A及びx,x′の波形を示す。
波形xは、調理鍋5をトツププレート4から離し
た状態であつてその間隔d2が約5mm程度までの波
形を示し、X′はd2=7mmとなつたときの波形を示
す。信号x,x′においてVrefは、ナンドゲート
NAND4が作動する基準電位である。信号x,
x′に示されるように、距離d2が大きくなるにつれ
て、信号谷部の電位は上昇する傾向が見られる。
本実施例では、抵抗R23,R24を調整するこ
とにより、d2=7mmとなつたとき、信号x′の電位
が、起動パルスA発生時期に基準電位Vrefに達
するよう構成されている。すなわち、d2=7mmに
なつたとき、ナンドゲートNAND4は、出力信号
KにLレベルパルスを発し、インバータの発振を
停止させるべく作用するのである。
The working distance d1 of the load detection circuit 13 is determined by the counter
It can be adjusted by changing the number of CNT output pulses (6 in this example). The working distance d2 of the no-load detection circuit 12 can be adjusted by changing the values of resistors R23 and R24. FIG. 12 shows the waveforms of the two inputs A, x, and x' of the NAND gate NAND4.
The waveform x shows the waveform when the cooking pot 5 is separated from the top plate 4 and the distance d 2 is up to about 5 mm, and the waveform X' shows the waveform when d 2 =7 mm. In the signals x and x', Vref is a NAND gate
This is the reference potential at which NAND4 operates. signal x,
As shown in x′, as the distance d 2 increases, the potential at the signal valley tends to increase.
In this embodiment, by adjusting the resistors R23 and R24, when d 2 =7 mm, the potential of the signal x' reaches the reference potential Vref at the time when the starting pulse A is generated. That is, when d 2 =7 mm, the NAND gate NAND4 generates an L level pulse to the output signal K and acts to stop the oscillation of the inverter.

次に出力遅延回路10について説明する。電源
スイツチSPWをオンしたとき、フリツプフロツ
プFF3のナンドゲートNAND9の出力Lは、H
レベル若しくはLレベルの何れかにある。信号L
がHレベルである場合、インバータは発振状態か
ら始まり、適性負荷であれば正常に発振し、また
無負荷若しくは小物負荷であれば無負荷検知回路
12が動作してナンドゲートNAND8の入力にL
レベル信号が加わりそれ故ナンドゲートNAND9
の出力はLレベルに変り、インバータの発振を禁
止する。他方ナンドゲートNAND9出力信号Lが
Lレベルにある場合、無負荷若しくは小物負荷を
検知したときと同様の状態から始まり、適性負荷
が置かれていれば負荷検知回路13が動作してナ
ンドゲートNAND9にLレベル信号が入力し、そ
の出力はHレベルとなりインバータは発振を開始
する。
Next, the output delay circuit 10 will be explained. When the power switch SPW is turned on, the output L of the NAND gate NAND9 of flip-flop FF3 becomes H.
Either level or L level. Signal L
is at H level, the inverter starts in an oscillating state, and if the load is suitable, it will oscillate normally, and if there is no load or a small load, the no-load detection circuit 12 will operate and the input of the NAND gate NAND8 will be low.
Level signal is added therefore NAND gate NAND9
The output changes to L level, inhibiting the oscillation of the inverter. On the other hand, when the NAND gate NAND9 output signal L is at L level, the state starts from the same state as when no load or a small load is detected, and if an appropriate load is placed, the load detection circuit 13 operates and the NAND gate NAND9 is at L level. A signal is input, and its output becomes H level and the inverter starts oscillating.

ところが、出力を周波数制御によつて行なう本
案実施例にあつては、出力を「強」の位置に設定
した場合、小物負荷を置くと商用交流周波数信号
の0V付近で発振が生じず、恰も適性負荷が置か
れたかの如き状態になることが確認された。それ
故この状態では、発振は停止せず、小物負荷が加
熱されてしまう危険が生じる。上記出力遅延回路
10はかかる問題を解決したものである。すなわ
ち本実施例調理器では、共振周波数を出力「強」
のときに合わせているので、ワークコイルL、負
荷による容量および共振コンデンサC1の抵抗分
は出力「強」のとき最も少なく、他方出力「弱」
のとき最大となる。すなわち出力「強」のとき負
荷は重く、出力「弱」のとき負荷は最も軽くなる
のである。そして負荷が軽くなると無負荷時の発
振状態と同様に交流周波数信号の0V付近にて発
振が持続することとなりこの発振動作を無負荷検
知回路12にて検知すれば小物負荷の判別が可能
である。
However, in the case of this embodiment in which the output is controlled by frequency, when the output is set to the "strong" position, oscillation does not occur near 0V of the commercial AC frequency signal when a small load is placed, and the signal is not suitable. It was confirmed that the condition was as if a load had been placed on it. Therefore, in this state, the oscillation does not stop and there is a risk that the small load will be heated. The output delay circuit 10 described above solves this problem. In other words, in the cooker of this embodiment, the resonant frequency is output as “strong”.
Since the capacitance due to the work coil L, the load, and the resistance of the resonance capacitor C1 are the lowest when the output is "strong," on the other hand, when the output is "weak,"
It is maximum when . In other words, when the output is "strong" the load is heavy, and when the output is "weak" the load is the lightest. Then, when the load becomes lighter, the oscillation continues at around 0V of the AC frequency signal, similar to the oscillation state when there is no load, and if this oscillation is detected by the no-load detection circuit 12, it is possible to identify the load of a small object. .

次にその動作を説明する。いま電源スイツチ
SPWをオンとするとコンデンサC7と抵抗R1
6およびトランジスタQ4のベース・エミツタ間
抵抗の時定数によりコンデンサC7が充電され、
トランジスタQ4のベース・エミツタ間に所定値
以上の電圧が加わるため初期の一定時間(約
1sec)のみトランジスタQ4は導通状態となる。
このトランジスタQ4の導通によりZ0点−接地
間抵抗に抵抗R16が新たに並列に接続されるこ
ととなりこの間の合成抵抗は減少する。すなわち
インバータの発振周波数は上昇し、出力は「弱」
の状態となるのである。この出力「弱」の状態で
は、交流周波数信号の0V付近で発振が持続する
から、出力「強」のとき検知されなかつた小物負
荷は確実に検知されることとなる。
Next, its operation will be explained. Power switch now
When SPW is turned on, capacitor C7 and resistor R1
6 and the time constant of the base-emitter resistance of transistor Q4, capacitor C7 is charged,
Since a voltage higher than a predetermined value is applied between the base and emitter of transistor Q4, it will last for an initial period of time (approximately
1 sec), transistor Q4 becomes conductive.
Due to this conduction of the transistor Q4, a resistor R16 is newly connected in parallel to the resistor between the Z0 point and the ground, and the combined resistance during this time decreases. In other words, the oscillation frequency of the inverter increases and the output becomes "weak".
This results in a state of . In this state of "weak" output, oscillation continues near 0V of the AC frequency signal, so small loads that are not detected when the output is "strong" are reliably detected.

本発明誘導加熱調理器は、上述したように鍋加
熱状態においてこの鍋を取り去つた場合、無負荷
検知回路が動作して直ちにインバータの発振を止
め加熱動作を停止するものであるから、電力の無
駄な消費は防止される。またこの無負荷検知回路
が動作した後は、商用交流周波数の半周期ごとに
負荷状態がチエツクされるから、適性鍋が置かれ
ると自動的にもとの正常加熱に戻り効率の良い調
理器が実現できる。さらに無負荷検知がなされた
後、トツププレート上に載置された物体がナイ
フ・フオーク等の不適性な小物負荷であつた場
合、負荷検知回路がこの小物負荷を検知し、イン
バータの発振を停止状態に保持するから、これら
の小物が加熱される惧れはなく、したがつて加熱
されたナイフ等に触つて火傷を負うという危険も
なく調理器としての安全性を向上させることがで
きる。この小物負荷検知は無負荷検知と同様商用
交流周波数の半周期ごとに定期的になされるか
ら、これを取り去り適性鍋が置かれた場合直ちに
加熱動作に移ることとなり、この間外部からのス
イツチ操作は一切不要であり操作が簡単という効
果を奏する。
In the induction heating cooker of the present invention, as described above, when the pot is removed while the pot is heating, the no-load detection circuit is activated and immediately stops the oscillation of the inverter and stops the heating operation. Wasteful consumption is prevented. In addition, after this no-load detection circuit operates, the load status is checked every half cycle of the commercial AC frequency, so when a suitable pot is placed, it automatically returns to normal heating and maintains an efficient cooker. realizable. Furthermore, after no-load detection is performed, if the object placed on the top plate is an inappropriate small load such as a knife or fork, the load detection circuit detects this small load and stops the oscillation of the inverter. Since these small items are kept in the same state, there is no risk of them being heated, and therefore there is no risk of getting burned by touching a heated knife or the like, and the safety of the cooker can be improved. Similar to no-load detection, this small object load detection is performed periodically every half cycle of the commercial AC frequency, so if it is removed and a suitable pot is placed, the heating operation will immediately begin, and during this time no external switch operation is required. It is not necessary at all and has the effect of being easy to operate.

さらに負荷検知回路は、負荷検知時起動パルス
による減衰振動を生じさせるのみであり、かつそ
の期間は極めて短かいからこれにより小物負荷が
加熱されるという危険はなく、それ故にこそ約10
msec前後という負荷検知タイミングが可能とな
つたということができる。かかる応答性の早さか
らフライパン料理等頻繁に鍋を上げ下ろしする調
理も何ら問題なく実行できる。さらにまた本発明
によれば、無負荷検知回路と負荷検知回路の各作
動距離d1及びd2がd1<d2なる関係に設定されてい
るから、鍋のトツププレートからの距離により、
無負荷検知回路が「鍋なし」と判断し、同時に負
荷検知回路が「鍋あり」と判断することによる間
欠発振は阻止することができる。
Furthermore, the load detection circuit only generates damped vibration due to the activation pulse when the load is detected, and the period is extremely short, so there is no risk of the small load being heated by this, and that is why the
It can be said that load detection timing of around msec has become possible. Due to such quick response, cooking that requires frequent raising and lowering of the pot, such as cooking in a frying pan, can be carried out without any problems. Furthermore, according to the present invention, since the working distances d 1 and d 2 of the no-load detection circuit and the load detection circuit are set in the relationship d 1 < d 2 , depending on the distance from the top plate of the pot,
Intermittent oscillation caused by the no-load detection circuit determining that there is no pot and the load detection circuit simultaneously determining that there is a pot can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明誘導加熱調理器の実施例回路
図、第2図は同実施例調理器の斜視図、第3図な
いし第7図は同実施例動作を説明するための信号
波形図、第8図及び第9図は、無負荷検知回路及
び負荷検知回路の動作を説明するための断面図、
第10図ないし第12図は同例信号波形図であ
る。 3……駆動回路、8……起動回路、9……出力
制御回路、10……出力遅延回路、11……過負
荷検知回路、12……無負荷検知回路、13……
負荷検知回路、15……温度・出力調節回路、1
9……出力表示回路。
Fig. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the induction heating cooker of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of the cooker of the embodiment, and Figs. 3 to 7 are signal waveform diagrams for explaining the operation of the embodiment. 8 and 9 are cross-sectional views for explaining the operation of the no-load detection circuit and the load detection circuit,
10 to 12 are signal waveform diagrams of the same example. 3... Drive circuit, 8... Starting circuit, 9... Output control circuit, 10... Output delay circuit, 11... Overload detection circuit, 12... No load detection circuit, 13...
Load detection circuit, 15...Temperature/output adjustment circuit, 1
9...Output display circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ワークコイル及びこのワークコイルに高周波
交番電流を供給する高周波インバータを有する誘
導加熱調理器において、鍋載置台上に調理鍋より
なる負荷が載置されたときこれを検知して高周波
インバータの発振を可能とする負荷検知手段、鍋
載置台から上記負荷が取り除かれたときこれを検
知し高周波インバータの発振を禁止する無負荷検
知手段を備え、上記負荷検知手段が動作可能とな
る負荷・鍋載置台間距離d1と、上記無負荷検知手
段が動作可能となる負荷・鍋載置台間距離d2の関
係が、d1<d2となるよう上記各検知手段の感度を
調整したことを特徴とする誘導加熱調理器。
1. In an induction heating cooker that has a work coil and a high-frequency inverter that supplies a high-frequency alternating current to the work coil, when a load consisting of a cooking pot is placed on the pot mounting table, this is detected and the oscillation of the high-frequency inverter is activated. and a no-load detection means that detects when the load is removed from the pot holder and prohibits oscillation of the high-frequency inverter, and the load/pot mount allows the load detection means to operate. The sensitivity of each of the above-mentioned detection means is adjusted so that the relationship between the distance d 1 between the two and the distance d 2 between the load and the pot mounting table at which the no-load detection means can operate becomes d 1 < d 2 . induction heating cooker.
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