JPS6112211B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6112211B2
JPS6112211B2 JP52064913A JP6491377A JPS6112211B2 JP S6112211 B2 JPS6112211 B2 JP S6112211B2 JP 52064913 A JP52064913 A JP 52064913A JP 6491377 A JP6491377 A JP 6491377A JP S6112211 B2 JPS6112211 B2 JP S6112211B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etalon
prism
laser
prisms
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52064913A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5313390A (en
Inventor
Deii Baagu Ansonii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coherent Inc
Original Assignee
Coherent Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Coherent Inc filed Critical Coherent Inc
Publication of JPS5313390A publication Critical patent/JPS5313390A/ja
Publication of JPS6112211B2 publication Critical patent/JPS6112211B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/08022Longitudinal modes
    • H01S3/08031Single-mode emission
    • H01S3/08036Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/1805Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0606Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザ技術、とくにレーザビームから
単一出力モードを選択する装置に関する。
レーザはある特定の波長において発振するコヒ
レントな光源またはエネルギ源として広く認識さ
れている。しかしながら、イオンレーザのような
レーザは、実際には前記の特定の公称波長を中心
とした、レーザ利得曲線とよばれるある出力波長
範囲にわたつて発振する。たとえば、6328オング
ストロームの公称波長で発振するヘリウム―ネオ
ン(He―Ne)レーザは実際には公称波長6328オ
ングストロームの中心点の前後に約1.5ギガヘル
ツ、すなわち0.02オングストロームの振動数の広
がりを持つ利得曲線内の任意の位置で発振する。
レーザキヤビテイは一種のフアブリ・ペロー干渉
計であるので、エネルギ出力は利得曲線からほの
めかされるような連続性のものではなくて、キヤ
ビテイ内の鏡の間隔によつてきまる、軸方向モー
ドといわれるいくつかの周波数通過帯域を含む。
通過帯域はc1/2だけ離れている。ここにcは光
速で1はキヤビテイ内の鏡の間隔である。たとえ
ば長さ1メートルのキヤビテイでは通過帯域は
150メガヘルツ分離している。したがつて実際の
レーザ出力は互にこのような通過帯域だけ分離さ
れた多くのとびとびの波長の分布として示され
る。全部の出力波長はレーザ発振利得曲線全体に
分布している。たとえば、1.5ギガヘルツの発振
周波数の広がりと、1メートルの長さの光学キヤ
ビテイとを持つHe―Neレーザにおいては、150メ
ガヘルツの通過帯域間隔の約10本の分離した出力
放射がある。
多くの用途に対しては上記のような振動数スペ
クトルを持つレーザ出力放射は満足すべきもので
あるが、高分解能分光学およびホログラフイのよ
うないくつかの他の用途ではこれよりはるかに狭
い振動数分布が要求される。出力振動数スペクト
ルを狭めるこの要求は広帯域可調ダイレーザの発
展とともにとくに厳しくなつてきた。このダイレ
ーザは比較的広範囲の出力波長にわたつて発振す
ることができ、最大の使用効果を得るためには、
出力の帯域巾をできれば単一軸方向モードにする
何からの手段が必要である。またレーザ出力の全
振動数スペクトル内の任意の点においてこのよう
な単一軸方向モードを選択する手段を設けること
も望まれる。この機能は通常フアブリ・ペローエ
タロンとして知られる光学素子を用いることによ
つて行なわれる。従来技術においては、公知の型
のエタロンは、正確に互に平行な端面を持つガラ
スまたは類似の光学材料のブロツクを含む固体型
と空気またはガス離間型とを含む。これらの型の
いずれのエタロンにおいても、光路の垂線に対し
てごくわずか傾き、光路が貫通する2つの正確に
平行な面を含む構造になつている。これらのエタ
ロンの平行面は適当な間隔を持つていてそれらの
間に共振キヤビテイを形成し、ある振動数のビー
ムエネルギはエタロンを通過し、他の振動数のも
のはエタロンの面で内部反射されてレーザキヤビ
テイの光軸からそれてエタロンを通過するビーム
から除外される。
エネルギが再びレーザキヤビテイ内にもどるの
を防止するためにエタロンを傾けたとき、固有の
多重内部反射によつて、Arplied Physics誌、6
号、267〜72頁、1975年のWalter R.Leedによる
Losses Introduced by Tilting Intra―Cavity
Etalonsという論文およびその中に引用された文
献に述べられているように、ビーム中に「立ち去
り」(Walk―off)損失が起こる。周知の厚い固
体エタロンは、一定の屈折率と反射面間の比較的
大きな間隔とのために、立ち去り損失は低いが、
エタロンを同調させるのに必要な反射面間の間隔
の急速な変化を行なう手段を持たないことがわか
つている。通常の空気またはガス離間エタロンは
一般に互に間隔をとつて平行に並んだ1対の比較
的薄い板状ガラス部材を含んでいる。空気離間エ
タロンにおいてはレーザビームは両板を通過す
る。これらの板の外面には反射防止コーテイング
が施され、それらの向き合つた内面には部分反射
コーテイングが施されている。エタロンの板状部
材間の間隔を変えることによつてレーザの出力放
射の波長を容易に調節することができる。しかし
ながらこの通常の空気離間エタロンにおいては、
比較的薄い板状部材と、それらの間に空気または
ガス空間があることとによつて比較的大きな立ち
去り損失が起こる。この損失はダイレーザのよう
なある型のレーザに対して許されるものよりしば
しば大きい。従来の空気離間エタロンの一改良が
米国特許第3775699号に示されている。この特許
では光学素子は1対の間隔をとつたプリズムでで
きていて、それらの外面は反射防止コーテイング
を必要としないようにブリユースタ角に傾斜して
いる。この傾斜プリズム型のエタロンにおいては
レーザビームは2つのプリズム間の空間をそれら
の互に向い合つた2つの面にほとんど垂直な方向
に通過する。上記米国特許のエタロンは間隔をと
つた平行板のエタロンより光学的に効率がよい
が、いくつかの大きな欠点がある。1つの重大な
欠点はエタロンにはいるビームとそれを出るビー
ムとの間にかなりのずれが起こることである。さ
らに、上記米国特許に示されているようにプリズ
ム材料中において光の異なる波長の分散が起こる
ため、出力および入力ビーム間のずれは波長によ
つて変る。プリズムに固有のこの分散によつて、
各所望の波長において効率の高い発振を行なうた
めには、全エタロンを入射光ビームに対して異な
る角に傾ける必要があるので、広範囲の波長にわ
たつて用いるためには繰り返しエタロンの角度調
整をしなければならない。
本発明の目的は、レーザの公称出力波長のまわ
りに密に分布している複数のとびとびの波長か
ら、レーザの出力波長を選択するエタロンを得る
ことである。本発明の他の目的は、反射防止コー
テイングを必要とせず、レーザ光学系の効率を改
善するエタロンを得ることである。本発明のさら
に他の目的はエタロンにはいるビームとエタロン
から出るビームのずれを最小にした1対の間隔を
とつたプリズムでできたエタロンを得ることであ
る。本発明のさらに他の目的は異なる振動数を選
択するために同調でき、しかも立ち去り損失の小
さいエタロンを得ることである。本発明のさらに
他の目的はプリズム中の分散の効果を無視できる
まで減少させて本質的に色消しの装置を与える二
重プリズムエタロンを得ることである。
簡単にいうと、本発明は、公称波長のまわりに
密に分布した複数のとびとびの波長からレーザの
出力波長を選択する、レーザの光学キヤビテイ内
に設けられたフアブリ・ペローエタロンである。
このエタロンはレーザキヤビテイの光軸に沿つて
設けられた、レーザビームが貫通する1対の間隔
をとつたプリズムで構成されている。各プリズム
はエタロンの外方に面し、キヤビテイの光軸の垂
線にわずかに傾いた第1の面を持つている。この
第1面はエタロンの共振周波数を決定するエタロ
ン反射面で構成されている。各プリズムはまた第
1面に対して傾き、光学的に他方のプリズムの第
2面の近くでそれから離間されている第2面を含
む。
本発明のエタロンの実施例が第1図に示されて
いる。第1図はエタロンの軸線に沿つた鉛直断面
である。このエタロンを構成する2つのプリズム
が第2図に拡大して示してある。プリズムの間隔
と、レーザビームの変位と、プリズムの面に対す
るその角関係は図示のため大巾に誇張して示して
ある。
縦方向と光軸を通る鉛直面との両方について一
般に対称な本実施例のエタロンは、溶融シリカで
つくられた、リトロウプリズム2,2′のような
2つの間隔をとつたプリズムと、それらの装着構
体6とで本質的に構成されている。
エタロンの装着構体6は、動作上はレーザキヤ
ビテイ内に支持された外部ハウジング8と、2つ
のプリズムを支持する1対の調整装着構体とで構
成されている。光軸に垂直な面に関するエタロン
の縦方向の対称性のために、第1図におけるエタ
ロンの右側の装着構体とプリズムについて詳述す
る。左側の構成要素は実質的に右側のそれに対応
するので、左側の構成要素には右側のそれの参照
番号にダツシユをつけて示す。
プリズム2の装着には角度調整装着プレート1
0を用いる。プレート10はそれを貫通し、ハウ
ジング8にねじ込まれる複数の調整装着ボルト1
2によつてハウジング8に取り付ける。プレート
10の環状リツプ14とハウジング8の円すい状
傾斜面16との係合のために、種々のボルト12
の締め方やゆるめ方を変えることによつて、プレ
ート10とハウジング8との角関係を光学的整列
のために要求されるように調節することができ
る。
だいたいエタロンの光軸18を中心としてプレ
ート10を貫通して光路20がある。この光路2
0とだいたい同心で光軸18と小さな角度をなす
円筒形ガラスリング22の一端がプレート10に
取り付けられている。リング22の他端にはリン
グ22と同軸のピエゾ電気材料の円筒部材24の
一端が取り付けてある。下記の目的で導線を取り
付けるために円筒部材24の円外面はそれぞれ導
電面26,28としてある。部材24の他端には
プリズム2と同様な熱特性を持つ溶融シリカでで
きたくさび形環状部材30の一側が取り付けてあ
る。部材30の他側にプリズム2が取り付けてあ
る。部材30のくさびの角度は光軸に関してリン
グ22の装着角を補償するように選ばれる。
第2図の2つのプリズム2,2′はこれらの間
の関係と、これらのプリズムとこのエタロンが用
いられるキヤビテイ中のレーザビームが通る光路
との関係とをよく示している。レーザビームはレ
ーザキヤビテイ中でエタロンを両方向から通過す
るが、この図ではレーザビームはエタロンにプリ
ズム2′を通つてはいり、プリズム2から出るも
のとして示してある。レーザビームはプリズム
2′の外に面した第1面40′を通つてエタロンに
はいり、第2面42′を通つてこのプリズムを出
る。ビームはそれからプリズム2の第2面42を
通つてプリズム2にはいり、それから第1面4
0′に平行な外に向いた第1面40を通つてこの
プリズムとエタロンを出る。簡単のために両プリ
ズムの向き合つてレーザキヤビテイの光路に沿つ
てとなり合つた第2面42,42′を「光学的に
となり合つた」面とよぶことにする。これらの光
学的にとなり合つた面42,42′は、1ミリメ
ートルの程度が好ましい間隔dを持つている。
第2図においてはプリズム2′の外面40′はレ
ーザキヤビテイの光軸と整列したビームの垂線に
対して小角αだけ傾いている。この角度αは1度
より小さく、できれば数ミリラジアンの程度がよ
く、レーザエネルギが面40′からキヤビテイ内
にもどつて結合するのを防止するのに必要な最小
角であることが望ましい。プリズム2の外に面し
た第1面40も同様に角αだけ傾いている。第2
面42′も第1面40′に対して傾いていて、光軸
に対しては角βだけ傾いている。できれば光軸に
対する第2面の傾角βは、レーザの公称波長に対
して、数度のブリユースタの角に一般に等しいか
または少くともそれ以下であることが好ましい。
プリズムの第2面42,42′のこのブリユース
タ角のカツトによつてこれらの面に反射防止コー
テイングを施す必要がなくなり、系の効率を改善
する。しかしながらプリズムの外に面した第1面
40,40′には20パーセント広帯域反射コーテ
イングのような反射コーテイングを施すことが望
ましい。
面42,42′間の間隔すなわち空気ギヤツプ
は約1ミリメートルの程度に小さく保つて入射ビ
ームと出射ビームとの間のずれを最小にする。さ
らに、ビームはプリズムの一面にほとんど垂直に
はいり、他の面からはブリユースタの角で出、プ
リズム間の空気ギヤツプはきわめて小さいので、
プリズム中の分散の効果は無視できる程度に小さ
くなる。したがつてこの系は本質的に色消しであ
る。
2つのプリズム間の間隔を変えてエタロンを通
つてレーザ出力となる波長を選択することができ
る。第2面42,42′のブリユースタ角カツト
と、エタロンの全体の厚さに比較してこれらの両
間の間隔がきわめて小さいこととのために、この
エタロンは同程度の全体の厚さの固体エタロンと
実質的に同じ低い立ち去り損失特性を持つてい
る。しかしながら、エタロンを構成する2つのプ
リズムが分離しているために、これら2つのプリ
ズム間の間隔、したがつて2つの反射エタロン面
40,40′間の間隔を容易に調節してエタロン
を「同調」させることができる。
本実施例のエタロンを「同調」して異なる波長
を選択するためにプリズムのどちらかまたは両方
を互に近づけたり遠ざけたりすることができる。
この運動はプリズムを支承しているピエゾ電気部
材で行なわれる。ピエゾ電気部材24,24′の
接触子26,28または26′,28′に変化する
電位を選択的に印加することによりこれらの部材
の長さが選択的に変り、プリズム2,2′が互に
近づいたり遠ざかつたりする。ピエゾ電気部材は
入力電位によつて長さが調節できるので、選択調
整電位を印加することによつてプリズムを一定量
動かすことも急速な運動をさせることもできる。
2つのプリズム2,2′の間隔を変えることによ
つて2つの反射エタロン面40,40′の間隔も
同様に変えられ、エタロンのc1/2共振周波数が
変わる。エタロンの共振周波数を変えることによ
り光の選択的に異なる振動数または波長がエタロ
ンを透過し、選択的に他の振動数または波長がエ
タロンによつて反射されてレーザの光軸からはず
れる。したがつてレーザの出力波長は選択的発射
波長内の軸方向モードに限定され、予め選択され
たスペクトル範囲にわたつてレーザの出力を制御
する。
以上本発明の好ましい実施例を示した。しかし
ながら当業者にとつては多くの変形は明らかであ
り、本発明の範囲内にはいると考えられるので、
本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲内にはいるものはすべて含
む。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のエタロンとその装着構体との
エタロンの光軸に沿つた断面図である。第2図は
本発明の光学プリズムの全体的な形状と配置とを
示す図である。 2,2′…プリズム、6…プリズムの装着構
体、8…ハウジング、10,10′…装着プレー
ト、18…光軸、20,20′…光路、22,2
2′…ガラスリング、24,24′…ピエゾ電気部
材、26,26′,28,28′…導電面(接触
子)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 レーザの光学キヤビテイ内に設けられた、公
    称波長のまわりに密に分布した複数のとびとびの
    波長からレーザの出力放射の波長を選択するフア
    ブリ・ペローエタロンであつて、前記キヤビテイ
    の光軸に沿つてわずかな間隔をとつて設けられた
    レーザビームが通過する1部のプリズムを備え、
    各前記プリズムは前記エタロンの外方に面する第
    1面を有し、前記第1面は他方のプリズムの第1
    面と平行に前記光軸の垂線に対してわずかな角度
    だけ傾いており、前記プリズムの第1面は前記エ
    タロンの共振周波数を決めるエタロンの反射面を
    構成し、各前記プリズムの第2面は他方のプリズ
    ムの第2面と光学的に間隔をとつて隣接し、各前
    記第2面は各第1面に対して傾斜しており、それ
    により当該エタロンは厚い固体エタロンの低い立
    ち去り損失特性を持つが、エタロンの同調を容易
    にするためにエタロンの反射面間の間隔を容易に
    調節することができるフアブリ・ペローエタロ
    ン。 2 特許請求の範囲第1項記載のエタロンであつ
    て、各前記プリズムの第2面は前記キヤビテイの
    光軸に対して前記レーザの公称波長に対するブリ
    ユースタ角にほぼ等しい角だけ傾斜しているエタ
    ロン。 3 特許請求の範囲第1項記載のエタロンであつ
    て、前記プリズムの第1面の傾斜角は数ミリラジ
    アン程度であるエタロン。 4 特許請求の範囲第1項記載のエタロンであつ
    て、各前記プリズムの第1面には部分的反射コー
    テイングがあるエタロン。 5 特許請求の範囲第1項記載のエタロンであつ
    て、前記複数のとびとびの波長の1つから他の1
    つに前記レーザ出力放射の波長を選択的に変える
    手段を含むエタロン。 6 特許請求の範囲第5項記載のエタロンであつ
    て、前記出力放射の波長を変える手段は前記エタ
    ロンの光路長を選択的に変える手段を含むエタロ
    ン。 7 特許請求の範囲第6項記載のエタロンであつ
    て、前記エタロンの光路長を変える手段は前記プ
    リズム間の間隔を選択的に変える手段を含むエタ
    ロン。 8 特許請求の範囲第7項記載のエタロンであつ
    て、前記プリズムの間隔を変える装置はだいたい
    前記光学キヤビテイの縦方向に延びて前記プリズ
    ムの1つが取り付けられるピエゾ電気材料の部材
    を含み、前記ピエゾ電気部材の長さは印加電位の
    変化によつて変り、前記ピエゾ電気部材はそれに
    選択的に調節しうる電位源を接続する手段を具備
    し、前記ピエゾ電気部材に印加される電位を予め
    選択された範囲にわたつて調節することによつて
    前記ピエゾ電気部材の長さ、したがつてそれに取
    り付けられたプリズムと他方のプリズムとの間隔
    が変化し、そのために前記エタロン共振反射面間
    の間隔が変り、もつて前記エタロンは選択的に異
    なる波長のビームを前記キヤビテイの光軸からは
    ずれるように反射し、レーザの出力放射の波長を
    予め選択されたスペクトル範囲にわたつて制御す
    るエタロン。
JP6491377A 1976-06-03 1977-06-03 Ethane laser mode selector Granted JPS5313390A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/692,537 US4081760A (en) 1976-06-03 1976-06-03 Etalon laser mode selector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5313390A JPS5313390A (en) 1978-02-06
JPS6112211B2 true JPS6112211B2 (ja) 1986-04-07

Family

ID=24780970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6491377A Granted JPS5313390A (en) 1976-06-03 1977-06-03 Ethane laser mode selector

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4081760A (ja)
JP (1) JPS5313390A (ja)
CA (1) CA1075800A (ja)
DE (1) DE2723418A1 (ja)
FR (1) FR2353974A1 (ja)
GB (1) GB1583183A (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324475A (en) * 1979-06-26 1982-04-13 Barr & Stroud Limited Laser component
US4400058A (en) * 1980-06-16 1983-08-23 Honeywell Inc. Tunable Fabry-Perot filter
US4466699A (en) * 1982-01-22 1984-08-21 Honeywell Inc. Curved tunable Fabry-Perot filter
US4530600A (en) * 1982-02-22 1985-07-23 Northrop Corporation Variable attenuator for optical transceiver
JPS60145413U (ja) * 1984-03-08 1985-09-27 東京光学機械株式会社 視準望遠鏡
US4962503A (en) * 1984-11-13 1990-10-09 Westinghouse Electric Corp. Wavelength stabilization for a pulsed tunable laser
US4759616A (en) * 1985-08-26 1988-07-26 Eastman Kodak Company Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams
US4805185A (en) * 1986-03-04 1989-02-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Triple cavity laser
AU597971B2 (en) * 1986-04-04 1990-06-14 Eastman Kodak Company Scanning apparatus
GB2205990A (en) * 1987-06-16 1988-12-21 Exitech Ltd Technique for efficient line narrowing of excimer lasers
US4998255A (en) * 1989-10-11 1991-03-05 Lightwave Electronics Corporation Resonant phase modulator
US5048031A (en) * 1990-04-23 1991-09-10 Coherent, Inc. Laser with actively stabilized etalon for single frequency operation
US5144632A (en) * 1990-04-23 1992-09-01 Coherent, Inc. Laser with actively stabilized etalon for single frequency operation
US5128798A (en) * 1991-02-07 1992-07-07 International Business Machines Corporation Addressable wedge etalon filter
US5384803A (en) * 1993-02-22 1995-01-24 Lai; Shui T. Laser wave mixing and harmonic generation of laser beams
US6137821A (en) * 1997-06-04 2000-10-24 Cymer, Inc. Durable etalon based output coupler
US6647046B1 (en) 1999-11-23 2003-11-11 Corning Lasertron, Inc. Mode-selective facet layer for pump laser
EP1255097B1 (en) * 2001-05-02 2007-08-29 Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. A device for monitoring the emission wavelength of a laser
JP5936910B2 (ja) * 2012-05-15 2016-06-22 京セラクリスタルデバイス株式会社 エタロンフィルタ及びエタロンの製造方法
WO2014208111A1 (ja) * 2013-06-27 2014-12-31 ギガフォトン株式会社 光ビーム計測装置、レーザ装置及び光ビーム分離装置
JP2015068887A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びmemsデバイス
US9905990B1 (en) 2014-04-17 2018-02-27 Alakai Defense Systems, Inc. Background removal from Raman spectra by an intracavity active-tuning element for a laser
CN105241481B (zh) * 2015-10-08 2017-08-25 许继电源有限公司 一种激光检测装置及其棱镜固定装置
CN111256822A (zh) * 2020-02-17 2020-06-09 北京华泰诺安技术有限公司 一种光谱仪

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775699A (en) * 1971-02-03 1973-11-27 Ferranti Ltd Laser having a gas-filled fabry-perot etalon mode selector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775699A (en) * 1971-02-03 1973-11-27 Ferranti Ltd Laser having a gas-filled fabry-perot etalon mode selector

Also Published As

Publication number Publication date
FR2353974A1 (fr) 1977-12-30
US4081760A (en) 1978-03-28
DE2723418A1 (de) 1977-12-29
GB1583183A (en) 1981-01-21
CA1075800A (en) 1980-04-15
JPS5313390A (en) 1978-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6112211B2 (ja)
US6108355A (en) Continuously-tunable external cavity laser
US6205159B1 (en) Discrete wavelength liquid crystal tuned external cavity diode laser
US5050179A (en) External cavity semiconductor laser
US6061382A (en) Laser system and method for narrow spectral linewidth through wavefront curvature compensation
US7397837B2 (en) Apparatus and methods for altering a characteristic of a light-emitting device
Bernhardt et al. Design criteria and operating characteristics of a single-mode pulsed dye laser
US3934210A (en) Tuning apparatus for an optical oscillator
US3775699A (en) Laser having a gas-filled fabry-perot etalon mode selector
US4097818A (en) Adjustable etalon laser mode selector and method of adjustment
US7822096B2 (en) Alignment and wavelength selection in external cavity lasers
US6967976B2 (en) Laser with reflective etalon tuning element
US3611436A (en) Mode-selective laser using resonant prisms
Danielmeyer Stabilized efficient single-frequency Nd: YAG laser
US4268800A (en) Vertex-mounted tipping Brewster plate for a ring laser
US4214216A (en) Face-pumped laser with diffraction-limited output beam
US3866139A (en) Apparatus for laser frequency selection
US6959023B1 (en) Laser with reflective etalon tuning element
US5357532A (en) Wavelength variable laser device
US4123149A (en) Unstable resonator having high magnification
US3754195A (en) Double-folded astigmatically compensated optical cavities
US6785305B1 (en) Tuneable, adjustment-stable semiconductor laser light source and a method for the optically stable, largely continuous tuning of semiconductor lasers
US3919665A (en) Laser with transverse mode and frequency selection
US5150374A (en) Method of fabricating a waveguide optical resonant cavity
JP2741060B2 (ja) 多重反射干渉器及びそれを用いた安定化レーザ光源