JPS61120483A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS61120483A JPS61120483A JP59241754A JP24175484A JPS61120483A JP S61120483 A JPS61120483 A JP S61120483A JP 59241754 A JP59241754 A JP 59241754A JP 24175484 A JP24175484 A JP 24175484A JP S61120483 A JPS61120483 A JP S61120483A
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- Japan
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- diffusion
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- light emitting
- metal film
- metal
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 45
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明扛半導体発光素子く関し、％に選択拡散方式によ
る発光素子アレイの配列設計に関するものである。
る発光素子アレイの配列設計に関するものである。
従来、選択拡散に上る拡散領域は非拡散阻止領域蓋びに
拡散阻止領域端部から一定距離を、拡散阻止層下部の横
方向へ進んで形成されることが絡められている。
拡散阻止領域端部から一定距離を、拡散阻止層下部の横
方向へ進んで形成されることが絡められている。
第２図（ａ） 、 ｌｂ）はＧａＡｓＰ ｏｎ Ｇａ
Ａｓ基板を用−１化合物半導体基板へのＺｎ０４択拡散
を従来方式で行なって得た発光素子アレイの平面図及び
そのＢ−Ｂ断面図である。
Ａｓ基板を用−１化合物半導体基板へのＺｎ０４択拡散
を従来方式で行なって得た発光素子アレイの平面図及び
そのＢ−Ｂ断面図である。
先ず金属ａｔ極３で覆われる範囲を除く発光領域２の中
心が隣接する他の発光領域の中心と互いに並ぶよう配列
する。以下同様に他の′４ＩＬ数の発光素子におｉても
厭久厘線上に並ぺて配列する。以上の配列の各発光索子
ｒｃ順方向に通電すると各発光素子の発光領域２の中心
は第２図（ａ）のＸＯ＜直線となり発光素子アレイを形
成する。
心が隣接する他の発光領域の中心と互いに並ぶよう配列
する。以下同様に他の′４ＩＬ数の発光素子におｉても
厭久厘線上に並ぺて配列する。以上の配列の各発光索子
ｒｃ順方向に通電すると各発光素子の発光領域２の中心
は第２図（ａ）のＸＯ＜直線となり発光素子アレイを形
成する。
しかし非拡散阻止領域並びに拡散阻止領域端部から一定
距離拡散阻止層下部へ形成される慣方向拡散距離は開口
部への拡散深さに大きく依存する。
距離拡散阻止層下部へ形成される慣方向拡散距離は開口
部への拡散深さに大きく依存する。
従って種々の理由によシ基板内又は基板間で拡散深さが
変動し易い化合物半導体への拡散においては横方向拡散
の距離が一定とならず、各発光素子領域２の中心が第３
図（ａ） 、 ｌｂ）に平面図とそのＣ−Ｃ断面図とし
て示す如く千鳥状になる場合が多く直線配列に不都合を
生ずる。
変動し易い化合物半導体への拡散においては横方向拡散
の距離が一定とならず、各発光素子領域２の中心が第３
図（ａ） 、 ｌｂ）に平面図とそのＣ−Ｃ断面図とし
て示す如く千鳥状になる場合が多く直線配列に不都合を
生ずる。
本発明の目的は上記欠点を解消し、各発光素子の発光時
の発光範囲輪郭、並びに中心の配列を直線ならしめるこ
とにある。上記目的達成の手段として拡散阻止層下部に
形成された横方向拡散領域に対応した拡散阻止層上に単
独に金属被覆膜を配し、非拡畝阻止憤域並びに拡散阻止
領域地部から金ＪｉＪ４被榎膜端部までの距離は一定と
なるよう配置する。
の発光範囲輪郭、並びに中心の配列を直線ならしめるこ
とにある。上記目的達成の手段として拡散阻止層下部に
形成された横方向拡散領域に対応した拡散阻止層上に単
独に金属被覆膜を配し、非拡畝阻止憤域並びに拡散阻止
領域地部から金ＪｉＪ４被榎膜端部までの距離は一定と
なるよう配置する。
以下実施例に基すき図面を参照して本発明を更に詳細に
説明する。本実施例は従来方式と同様選択拡散による発
光素子アレイに関して行なう。
説明する。本実施例は従来方式と同様選択拡散による発
光素子アレイに関して行なう。
第１図１１） 、 （ｂ）が本発明により配列させた発
光素子アレイの平面図及びそのＡ−Ａ断面図である。
光素子アレイの平面図及びそのＡ−Ａ断面図である。
従来方式と四様、先ずＧａＡｓＰ ｏｎ ＧａＡｓ基板
上に複数個の開口部ｌを設け、続いて公知の方法でＺｎ
の選択拡収を行ない、発光領域２Ｘｔ−形成する。しか
る後開口部の少なくとも一部ｔｌ−残して限定領域ｔ−
覆う形で金属電極３を設はバイアス電圧供給部とするま
しかしながら発光領域２は開口部１から拡散阻止層下部
へ向かって横拡散が行なわれた結果形成されたものでお
り、一般的に横拡散距離は不純物拡散に対する緩衝膜の
有無や緩衝膜の状況により、拡散深さとの比が決ま木。
上に複数個の開口部ｌを設け、続いて公知の方法でＺｎ
の選択拡収を行ない、発光領域２Ｘｔ−形成する。しか
る後開口部の少なくとも一部ｔｌ−残して限定領域ｔ−
覆う形で金属電極３を設はバイアス電圧供給部とするま
しかしながら発光領域２は開口部１から拡散阻止層下部
へ向かって横拡散が行なわれた結果形成されたものでお
り、一般的に横拡散距離は不純物拡散に対する緩衝膜の
有無や緩衝膜の状況により、拡散深さとの比が決ま木。
又緩衝膜は不純物拡散後不要として除去する場合と除去
せず金属電極３のコンタクト窓を形成する場合がある。
せず金属電極３のコンタクト窓を形成する場合がある。
一般的には新しく絶縁膜を形成し上記絶縁膜にコンタク
ト窓を形成する方法が行なわれている。
ト窓を形成する方法が行なわれている。
本実施例は緩衝膜除去後、絶縁膜によるコンタクト窓を
設けず、直接金属電極３を設けた、併わせて上記横拡散
のうち発光時に外部から視認出来る領域とな９１発光領
域の中心は開口部の中心に対して一方へ片寄る形となる
。従ってあらかじめ開口部の位置は横拡散による不都合
を解消する方向へ移動させて形成する。更に横拡散距離
の変動によシ外部から視認出来る領域の変動を押さえ、
告発光素子の発光領域２が均一となるよう金属電極３と
同一材料で耕たに金属硫榎膜４を横拡散領域に対応した
拡散阻止層上に単独に設ける金属被６ｔｌｉ！ｉ！４の
配置場所は、開１口部端部からの横方向拡散領域の変動
幅ｔ″考濾、横方向拡散の光漏の少なくとも１部が強属
被覆膜４直下に浸入するよう設ける。
設けず、直接金属電極３を設けた、併わせて上記横拡散
のうち発光時に外部から視認出来る領域とな９１発光領
域の中心は開口部の中心に対して一方へ片寄る形となる
。従ってあらかじめ開口部の位置は横拡散による不都合
を解消する方向へ移動させて形成する。更に横拡散距離
の変動によシ外部から視認出来る領域の変動を押さえ、
告発光素子の発光領域２が均一となるよう金属電極３と
同一材料で耕たに金属硫榎膜４を横拡散領域に対応した
拡散阻止層上に単独に設ける金属被６ｔｌｉ！ｉ！４の
配置場所は、開１口部端部からの横方向拡散領域の変動
幅ｔ″考濾、横方向拡散の光漏の少なくとも１部が強属
被覆膜４直下に浸入するよう設ける。
以上の方法により侍られた各発光素子に通電した場合、
各発光素子の発光領域２ｔｉ金ｌＩ４域極３と金Ｍ４ｆ
ｌＥ覆膜４の間に限定され、外部から視認出来る各発光
領域２の大きさは均一となり且つ各発光領域２の中心も
直線となり理想的な発光素子アレイが形成される。
各発光素子の発光領域２ｔｉ金ｌＩ４域極３と金Ｍ４ｆ
ｌＥ覆膜４の間に限定され、外部から視認出来る各発光
領域２の大きさは均一となり且つ各発光領域２の中心も
直線となり理想的な発光素子アレイが形成される。
′Ｉ４１図ｔａ） 、 （ｂ）は本発明による平面及び
その人−入断面図であり、第２図（ａ） 、 （ｂ）、
第３図１１） 、 ｔｂ＞ｕ従来例の平面図及び七０Ｂ
−Ｂ、Ｃ−ＣＩｆｒ面一である。 ｌ・・・・・・開口部、２・・・・・・発光領域、３・
・・・・・金属電極、４・・・・・・金り４＊憶膜。
その人−入断面図であり、第２図（ａ） 、 （ｂ）、
第３図１１） 、 ｔｂ＞ｕ従来例の平面図及び七０Ｂ
−Ｂ、Ｃ−ＣＩｆｒ面一である。 ｌ・・・・・・開口部、２・・・・・・発光領域、３・
・・・・・金属電極、４・・・・・・金り４＊憶膜。
Claims (1)
- 選択拡散法による発光素子形成において拡散阻止領域
下部の少なくとも一方向の横拡散による視認発光領域の
広がり量を前記拡散阻止領域上に配置した金属遮蔽膜に
より制限したことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241754A JPS61120483A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241754A JPS61120483A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61120483A true JPS61120483A (ja) | 1986-06-07 |
Family
ID=17079029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59241754A Pending JPS61120483A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61120483A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882582A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP59241754A patent/JPS61120483A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882582A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
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