JPS61108978A - 半導体装置の熱抵抗測定方法 - Google Patents
半導体装置の熱抵抗測定方法Info
- Publication number
- JPS61108978A JPS61108978A JP23095384A JP23095384A JPS61108978A JP S61108978 A JPS61108978 A JP S61108978A JP 23095384 A JP23095384 A JP 23095384A JP 23095384 A JP23095384 A JP 23095384A JP S61108978 A JPS61108978 A JP S61108978A
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- JP
- Japan
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- diode
- semiconductor device
- voltage
- thermal resistance
- high current
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子を外装容器内に収納した半導体装
置、号に、前記半導体素子にダイオードが含まれている
半導体装置の熱抵抗測定方法に関する◇ 〔従来の技術〕 半導体装置の熱抵抗測定に際してよく用いられる方法は
次の様なものでおる０すなわち、第２図（ａ）に示すよ
うに、ダイオード１２．トランジスタ１３からなる測定
用半導体素子１１を保論容器１４内に収納し、第１段階
として、半導体素子１１内のダイオード１２の順方向に
、電流計６を通して１ｍＡ程度の微小電流を流し、ダイ
オード１２の両端の電圧を電圧計７で測定する。同時に
、この状態でこの容器全体を恒温槽３の中に入れ、槽内
の温度を数段階変化させ、各温度に対するダイオード両
端の電圧を測定すると、第２図（ｂ）に示す様な温度−
電圧特性が得られる。この特性がダイオードの温度に対
する特性を示し、ここで、傾きＡ＝ΔＶ −ＸＴ−（７７℃）で表わされる。
置、号に、前記半導体素子にダイオードが含まれている
半導体装置の熱抵抗測定方法に関する◇ 〔従来の技術〕 半導体装置の熱抵抗測定に際してよく用いられる方法は
次の様なものでおる０すなわち、第２図（ａ）に示すよ
うに、ダイオード１２．トランジスタ１３からなる測定
用半導体素子１１を保論容器１４内に収納し、第１段階
として、半導体素子１１内のダイオード１２の順方向に
、電流計６を通して１ｍＡ程度の微小電流を流し、ダイ
オード１２の両端の電圧を電圧計７で測定する。同時に
、この状態でこの容器全体を恒温槽３の中に入れ、槽内
の温度を数段階変化させ、各温度に対するダイオード両
端の電圧を測定すると、第２図（ｂ）に示す様な温度−
電圧特性が得られる。この特性がダイオードの温度に対
する特性を示し、ここで、傾きＡ＝ΔＶ −ＸＴ−（７７℃）で表わされる。
第２段階としてダイオードに流す電流はそのまましてお
き、第３図（ａ）に示す回路にて電源９からトランジス
タ１３に電流を流し、室温の状態でダイオード１２の電
圧を測定する。半導体装置容器１４はこのトランジスタ
１２で消費される電力により温度が上昇する。この時の
消費電力を数段階に変化させ、各電力におけるダイオー
ド両端の電圧を測定すると第３図ｆｂ）に示す様な消費
電力−電圧特性が得られる。この図に示される傾き１３
＝−ΔＷ （Ｙ／Ｗ）とする。
き、第３図（ａ）に示す回路にて電源９からトランジス
タ１３に電流を流し、室温の状態でダイオード１２の電
圧を測定する。半導体装置容器１４はこのトランジスタ
１２で消費される電力により温度が上昇する。この時の
消費電力を数段階に変化させ、各電力におけるダイオー
ド両端の電圧を測定すると第３図ｆｂ）に示す様な消費
電力−電圧特性が得られる。この図に示される傾き１３
＝−ΔＷ （Ｙ／Ｗ）とする。
上記の２段階で得られた値よシ次式
％式％
■＝：１フ■＝コ＝Ｒｔ ｈ （’Ｑ／ｗ ）から熱抵
抗Ｒｔｈ（’Ｏ／ｗ）が得られる◇ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしこの方法を用いた場合は、測定用の特別な素子を
搭載した容器が必要となシ、又、この素子は轟然大きさ
が限られているため、実際の半導体素子とは大きさが異
なシ、素子の大きさによる熱抵抗の差を考慮しなければ
ならない◇しかしながら、熱抵抗はこの素子の大きさに
大幅に依存しておシ、測定素子と実際の素子との差を算
出することは非常に困難であるという欠点があった。
抗Ｒｔｈ（’Ｏ／ｗ）が得られる◇ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしこの方法を用いた場合は、測定用の特別な素子を
搭載した容器が必要となシ、又、この素子は轟然大きさ
が限られているため、実際の半導体素子とは大きさが異
なシ、素子の大きさによる熱抵抗の差を考慮しなければ
ならない◇しかしながら、熱抵抗はこの素子の大きさに
大幅に依存しておシ、測定素子と実際の素子との差を算
出することは非常に困難であるという欠点があった。
上記問題点に対し５本発明では、ダイオードが含まれる
半導体素子の前記ダイオードの温度対電圧の熱特性を得
、つぎに室温において前記ダイオードに高電流を流して
おいて、これを１ミリアンペア程度の低電流に切換えて
この切換え前後の前記ダイオードの電圧を測定すること
を前″記高電流の値を変えて数回行い、前記半導体素子
を外装容器内に封じた半導体装置の電力特性を得、この
電力特性と前記熱特性とから前記半導体装置の熱抵抗を
算出する。
半導体素子の前記ダイオードの温度対電圧の熱特性を得
、つぎに室温において前記ダイオードに高電流を流して
おいて、これを１ミリアンペア程度の低電流に切換えて
この切換え前後の前記ダイオードの電圧を測定すること
を前″記高電流の値を変えて数回行い、前記半導体素子
を外装容器内に封じた半導体装置の電力特性を得、この
電力特性と前記熱特性とから前記半導体装置の熱抵抗を
算出する。
（実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する０第１図は本発明
の一実施例の測定回路図である。
の一実施例の測定回路図である。
第１図において、ダイオード２が含まれている半導体素
子１は外装容器４内に封じられているものでアシ、この
ような半導体装置のダイオード２に対し、スイッチ８の
接点をａ側に倒しておいて、電源５から低抵抗Ｒを通し
て１００ミリアンペア以上の高電流を流しておき、半導
体装置の温度が安定した頃を見計らい、ダイオードの端
子間電圧Ｖ、を電圧計７で測る。それからスイッチ５ｔ
−ｂに切換え、高抵抗Ｒ０を通して１ミリアンペア程度
の一定電流を流し、切換え後少くとも１ｍ秒以内に端子
間電圧ｖ０を測定する。ここで先に得られた値からこの
時素子で消費している電力がｈかシ、後で得られた値か
らダイオードの特性値がわかる。
子１は外装容器４内に封じられているものでアシ、この
ような半導体装置のダイオード２に対し、スイッチ８の
接点をａ側に倒しておいて、電源５から低抵抗Ｒを通し
て１００ミリアンペア以上の高電流を流しておき、半導
体装置の温度が安定した頃を見計らい、ダイオードの端
子間電圧Ｖ、を電圧計７で測る。それからスイッチ５ｔ
−ｂに切換え、高抵抗Ｒ０を通して１ミリアンペア程度
の一定電流を流し、切換え後少くとも１ｍ秒以内に端子
間電圧ｖ０を測定する。ここで先に得られた値からこの
時素子で消費している電力がｈかシ、後で得られた値か
らダイオードの特性値がわかる。
そして、高電流の値を数段階に分けて変化させることに
よシ、前述した従来方法の第２段階の図、すなわち、第
３図（ｂ）の特性曲線図と同様のものが得られ、前述の
式で熱抵抗値を算出する。
よシ、前述した従来方法の第２段階の図、すなわち、第
３図（ｂ）の特性曲線図と同様のものが得られ、前述の
式で熱抵抗値を算出する。
本発明方法によれば、従来必要としたような特別な素子
をか不要であシ、また、実際の半導体装置を使用して測
定ができるため、特別な装置を作る手間が省けることは
勿論、素子の大きさによる補正計算が不用となシ、極め
て信頼性の高い測定値が得られる。その上、自動測定も
容易になり、近年次々に出穂する新容器、新形状の半導
体装置に対しても速やかに対応できる。
をか不要であシ、また、実際の半導体装置を使用して測
定ができるため、特別な装置を作る手間が省けることは
勿論、素子の大きさによる補正計算が不用となシ、極め
て信頼性の高い測定値が得られる。その上、自動測定も
容易になり、近年次々に出穂する新容器、新形状の半導
体装置に対しても速やかに対応できる。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図（ａ）は従
来の熱抵抗測定に係るダイオードの温度−電圧特性測定
回路図、同図（ｂｌは温度−電圧特性曲線図、第３図（
ａ）は従来方法に係るダイオードの電力−電圧特性測定
回路図、同図（ｂ）は電力−電圧特性曲線図である。 １．１１・・・・・・半導体素子、２．１２・・・・・
・ダイオード、３・・・・・・恒温槽、４．１４・・・
・・・外装容器、５゜９・・・・・・電源、６・・・・
・・電流計、７・・・・・・電圧計、１３・・・・・・
トランジスタ。
来の熱抵抗測定に係るダイオードの温度−電圧特性測定
回路図、同図（ｂｌは温度−電圧特性曲線図、第３図（
ａ）は従来方法に係るダイオードの電力−電圧特性測定
回路図、同図（ｂ）は電力−電圧特性曲線図である。 １．１１・・・・・・半導体素子、２．１２・・・・・
・ダイオード、３・・・・・・恒温槽、４．１４・・・
・・・外装容器、５゜９・・・・・・電源、６・・・・
・・電流計、７・・・・・・電圧計、１３・・・・・・
トランジスタ。
Claims (1)
- 半導体素子に含まれているダイオードを使用し、該ダイ
オードの温度に対する特性の変化を測定することにより
前記半導体素子を容器に収納した半導体装置の熱抵抗を
測定する方法において、該ダイオードに初期５０ミリア
ンペア以上の高電流を流し、これを１ミリ秒以内に１ミ
リアンペア程度の低電流に切り換え、この切り換え前後
の該ダイオードの電圧を測定することにより、前記半導
体装置の消費電力特性を得、これより前記半導体装置の
熱抵抗を算出することを特徴とした半導体装置の熱抵抗
測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23095384A JPS61108978A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体装置の熱抵抗測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23095384A JPS61108978A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体装置の熱抵抗測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108978A true JPS61108978A (ja) | 1986-05-27 |
Family
ID=16915904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23095384A Pending JPS61108978A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体装置の熱抵抗測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108978A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020173197A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 株式会社クオルテック | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145479A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Toshiba Corp | Temperature characteristics testing method of semiconductor device |
| JPS56161649A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Fujitsu Ltd | Measuring method of thermal resistance of semiconductor package |
| JPS57173767A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Sony Corp | Heat resistance measurement for mos-fet element |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP23095384A patent/JPS61108978A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145479A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Toshiba Corp | Temperature characteristics testing method of semiconductor device |
| JPS56161649A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Fujitsu Ltd | Measuring method of thermal resistance of semiconductor package |
| JPS57173767A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Sony Corp | Heat resistance measurement for mos-fet element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020173197A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 株式会社クオルテック | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 |
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