JPS61102742A - 誘導体分離用の溝の充填方法 - Google Patents
誘導体分離用の溝の充填方法Info
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- JPS61102742A JPS61102742A JP60155292A JP15529285A JPS61102742A JP S61102742 A JPS61102742 A JP S61102742A JP 60155292 A JP60155292 A JP 60155292A JP 15529285 A JP15529285 A JP 15529285A JP S61102742 A JPS61102742 A JP S61102742A
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- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝を充填
するための方法に係わる。
するための方法に係わる。
Ｂ、開示の概要
２乃至２０００ｃｓの粘度を有している、反応性エチニ
ル基を有する芳香族重合体オリゴマ（ｐｏｌｙａｒｏｍ
ａｔｉｃ ｏ目ｇｏｍａｒ）の濾過された溶液を用い
る方法により、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝が
充填される。
ル基を有する芳香族重合体オリゴマ（ｐｏｌｙａｒｏｍ
ａｔｉｃ ｏ目ｇｏｍａｒ）の濾過された溶液を用い
る方法により、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝が
充填される。
Ｃ１従来技術
より高密度及びより高速度の改良された半導体素子を得
るために、深い誘電体分離用の溝を用いることが必要と
されている。そのような溝は、ポリイミド樹脂又はポリ
／リフ／で充填することができる。これについては、例
えば、発明協会技術公開ノ１６５８−１３８０４９号、
第４６頁、及び■８Ｍテクニカル−ディスクロージャー
ビュレテイン、第２５巻、第１２号、１９８３年５月、
第６６１１頁乃至第６６１４頁の文献に記載されている
。
るために、深い誘電体分離用の溝を用いることが必要と
されている。そのような溝は、ポリイミド樹脂又はポリ
／リフ／で充填することができる。これについては、例
えば、発明協会技術公開ノ１６５８−１３８０４９号、
第４６頁、及び■８Ｍテクニカル−ディスクロージャー
ビュレテイン、第２５巻、第１２号、１９８３年５月、
第６６１１頁乃至第６６１４頁の文献に記載されている
。
米国特許第４５３９５２６号明細書は、アセチレン末端
基を有する、枝分れしたポリフェニレン・プリポリマを
、集積回路素子の保護膜として用ハることを示している
。しかしながら、その明細Ｈは、深い誘電体分離用の溝
を充填することについては何ら論じておらず、本発明の
方法を開示していない。
基を有する、枝分れしたポリフェニレン・プリポリマを
、集積回路素子の保護膜として用ハることを示している
。しかしながら、その明細Ｈは、深い誘電体分離用の溝
を充填することについては何ら論じておらず、本発明の
方法を開示していない。
Ｄ６発明が解決しようとする問題点
ｉｔｔ体分離用の溝（約１乃至２ミクロンの幅及び約５
ミクロンの深さ）を用いた半導体素子の開発に於て、ポ
リイミド又はポリシリコンを用いた場合に、多くの問題
が生じている。従来技術に於て用いられているポリイミ
ドは、それらの溝を完全に充填しない。更に、それらの
ポリイミドは、溶媒、水及び気体を吸収し、彼の処理を
著しく複雑にする。ポリイミドは、限定された数の溶媒
中にしか溶解せず、通常は付着促進剤を必要とする。
ミクロンの深さ）を用いた半導体素子の開発に於て、ポ
リイミド又はポリシリコンを用いた場合に、多くの問題
が生じている。従来技術に於て用いられているポリイミ
ドは、それらの溝を完全に充填しない。更に、それらの
ポリイミドは、溶媒、水及び気体を吸収し、彼の処理を
著しく複雑にする。ポリイミドは、限定された数の溶媒
中にしか溶解せず、通常は付着促進剤を必要とする。
それらの硬化は、揮発性生成物の発生を伴う。硬化され
たポリイミドは、多くの処理溶剤中で膨？関し、それら
の平坦化には限界がある。同様に従来技術に於て用いら
れているポリノリコンは、極めて高価な気相付着工程を
必要とし、局部的応力を生じ、又極めて良好な電気的絶
縁体ではないという欠点を有する。本発明の方法に於て
用いられる材料は、従来技術に於けるそれらの欠点をす
べて克服する。
たポリイミドは、多くの処理溶剤中で膨？関し、それら
の平坦化には限界がある。同様に従来技術に於て用いら
れているポリノリコンは、極めて高価な気相付着工程を
必要とし、局部的応力を生じ、又極めて良好な電気的絶
縁体ではないという欠点を有する。本発明の方法に於て
用いられる材料は、従来技術に於けるそれらの欠点をす
べて克服する。
Ｅ９ 問題点を解決するための手段
本発明の方法は、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝
を充填するための方法に於て；反応性エチニル基を有す
る芳香族重合体オリゴマを溶媒中に溶解して、２乃至２
０００ｃｓの粘度を有する溶液を形成し；上記溶液を濾
過し；上記溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、
被膜を形成し；上記溶媒を蒸発させ；上記被膜を加熱し
、硬化させることを含む；誘電体分離用の溝の充填方法
を提供する。
を充填するための方法に於て；反応性エチニル基を有す
る芳香族重合体オリゴマを溶媒中に溶解して、２乃至２
０００ｃｓの粘度を有する溶液を形成し；上記溶液を濾
過し；上記溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、
被膜を形成し；上記溶媒を蒸発させ；上記被膜を加熱し
、硬化させることを含む；誘電体分離用の溝の充填方法
を提供する。
本発明の方法建於ては、初めに、反応性エチニル基を有
する芳香族重合体オリゴマを溶媒中に溶解して、制御さ
れた粘度を有する溶液を形成する。
する芳香族重合体オリゴマを溶媒中に溶解して、制御さ
れた粘度を有する溶液を形成する。
次に、上記溶液を極めて微細なフィルタを通して濾過し
、溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、被膜を形
成する。上記半導体素子を加熱すると、上記溶媒が蒸発
し、上記被膜が慶化する。上記溶媒は蒸発したが、上記
被膜が硬化する前建、上記オリゴマは、周囲条件程度か
ら１６０℃程度迄のａ度範囲、特に８０乃至１２５℃に
於て、溶解し、流動して、溝を充填する。それから、上
記オリゴマは、より高い温度に於て、エチニル基の反応
により重合する。
、溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、被膜を形
成する。上記半導体素子を加熱すると、上記溶媒が蒸発
し、上記被膜が慶化する。上記溶媒は蒸発したが、上記
被膜が硬化する前建、上記オリゴマは、周囲条件程度か
ら１６０℃程度迄のａ度範囲、特に８０乃至１２５℃に
於て、溶解し、流動して、溝を充填する。それから、上
記オリゴマは、より高い温度に於て、エチニル基の反応
により重合する。
本発明の方法は、溝を充填する材料として、反応性エチ
ニル基を有する芳香族電合体オリゴマを用いる。それら
の材料は、従来技術に於て公知でアリ、トリエチニルベ
ンゼン（ＴＥＢ）、 ジェチニルジフェニルエーテル（
ＤＥＤＰＥ）、及びフェニルアセチレン（ＰＡ）を含む
、多数の異なる単量体から誘導される。他の有用な芳香
族のアセチレンを含む単量体は、例えば米国特許第４０
９７４６０号明細書に挙げられている。
ニル基を有する芳香族電合体オリゴマを用いる。それら
の材料は、従来技術に於て公知でアリ、トリエチニルベ
ンゼン（ＴＥＢ）、 ジェチニルジフェニルエーテル（
ＤＥＤＰＥ）、及びフェニルアセチレン（ＰＡ）を含む
、多数の異なる単量体から誘導される。他の有用な芳香
族のアセチレンを含む単量体は、例えば米国特許第４０
９７４６０号明細書に挙げられている。
本発明の方法に於ける１つの利へは、任意の多くの溶媒
とともに用いられることである。初め：τ、上記オリゴ
マは、溶媒中に溶解され、回転被覆により半導体素子上
に付着される。有用な溶媒には、例えば、Ｎ−メチルピ
ロリジノン、キンレン、ジクｌ）ム、メシチレン、ジエ
チルベンゼン、プロピレン・グリコール・モノメチル伊
エーテル拳アセタート、テトラグリム、イソホロン、ペ
ラトｏ −ル、ｍ−ジメトキンベンゼン、ブチロラクト
ン、トルエン、クロロホルム、ジオキサン、ジクロロメ
タン等がある。
とともに用いられることである。初め：τ、上記オリゴ
マは、溶媒中に溶解され、回転被覆により半導体素子上
に付着される。有用な溶媒には、例えば、Ｎ−メチルピ
ロリジノン、キンレン、ジクｌ）ム、メシチレン、ジエ
チルベンゼン、プロピレン・グリコール・モノメチル伊
エーテル拳アセタート、テトラグリム、イソホロン、ペ
ラトｏ −ル、ｍ−ジメトキンベンゼン、ブチロラクト
ン、トルエン、クロロホルム、ジオキサン、ジクロロメ
タン等がある。
被覆処理に於ては、溝が完全に充填されるように、溶液
の粘度を調節すべきである。その粘度は２つの方法で調
節される。１つの方法に於ては、溶質に対する溶媒の比
率が調節され、溶液が希釈されている程、その粘度もそ
れだけ低くなる。他の方１去＋コＦｆｉては、オリゴマ
の分子量が調節され、／） 、ｊ−；ｌが小さい程、そ
の粘度もそれたけ低くなる。
の粘度を調節すべきである。その粘度は２つの方法で調
節される。１つの方法に於ては、溶質に対する溶媒の比
率が調節され、溶液が希釈されている程、その粘度もそ
れだけ低くなる。他の方１去＋コＦｆｉては、オリゴマ
の分子量が調節され、／） 、ｊ−；ｌが小さい程、そ
の粘度もそれたけ低くなる。
一般に、上記溶液の粘度は、約２乃至３００ Ｃ９穆度
であることが好ましい。粘度が約２０００ｃｓよりも高
くなると、特に溝の角部に於て、完全な充填が行われな
い。粘度が約２ｃ３よりも低くなると、均一な密着した
溝の充填は行われ難い。
であることが好ましい。粘度が約２０００ｃｓよりも高
くなると、特に溝の角部に於て、完全な充填が行われな
い。粘度が約２ｃ３よりも低くなると、均一な密着した
溝の充填は行われ難い。
上記被覆処理を行う前に、上記オリゴマ溶液を濾・めし
ておくことが重要である。少量の県濁粒子が存在しても
、半導体素子に重大な汚染を生じること：てなる。その
ような濾過は、例えば、０．５ミクロンのフィルタを用
いて容易に行われる。
ておくことが重要である。少量の県濁粒子が存在しても
、半導体素子に重大な汚染を生じること：てなる。その
ような濾過は、例えば、０．５ミクロンのフィルタを用
いて容易に行われる。
上記溶媒の蒸発は、簡単な加熱により容易に行われ、同
様に、被膜の硬化も、加熱によって行われる。
様に、被膜の硬化も、加熱によって行われる。
本発明の方法により、溝の完全な充填に於て、著しく良
好な結果が得られた。その充填材料は、分解又は揮発性
物質の発生を何ら生じることなく、４００℃迄熱的に安
定である。
好な結果が得られた。その充填材料は、分解又は揮発性
物質の発生を何ら生じることなく、４００℃迄熱的に安
定である。
Ｆ、実施例
実施例 １
単量体であるジェチニルジフェニルエーテル（ＤＢＤＰ
Ｅ）（８２５ｍｍｏ４）を、１６入りの４首丸底フラス
コ中に入れた。次に、ニッケルー２゜４−ペンタ／ジオ
ナート（４，１６ｍｍｏｔ）及びトリフェニルホスフィ
ン（１１，６ｍｍｏｔ） を加え、フェニルアセチレン
（１３２０ｍｍｏｔ）及びジオキサン（３０１ｍｔ）中
で洗浄した。上記フラスコには、適合する１対の還流冷
却器、窒素及び真空の導入口並びに真空調節器、オーバ
ーヘッド型攪拌機、加熱用マントル、及び熱電対が備え
られていた。反応系が均質になる迄、内容物を窒素下で
攪拌した。次に、真空及び窒素を用いて、フラスコ内か
ら、６回酸素を除いた。マントルの表面温度を２００℃
にし、フラスコ内の温度衾６時間半の間９０℃に保ち、
その温度に於て還流を制御するために真空調節器を用い
た（１５乃至１８Ｈｒ）。
Ｅ）（８２５ｍｍｏ４）を、１６入りの４首丸底フラス
コ中に入れた。次に、ニッケルー２゜４−ペンタ／ジオ
ナート（４，１６ｍｍｏｔ）及びトリフェニルホスフィ
ン（１１，６ｍｍｏｔ） を加え、フェニルアセチレン
（１３２０ｍｍｏｔ）及びジオキサン（３０１ｍｔ）中
で洗浄した。上記フラスコには、適合する１対の還流冷
却器、窒素及び真空の導入口並びに真空調節器、オーバ
ーヘッド型攪拌機、加熱用マントル、及び熱電対が備え
られていた。反応系が均質になる迄、内容物を窒素下で
攪拌した。次に、真空及び窒素を用いて、フラスコ内か
ら、６回酸素を除いた。マントルの表面温度を２００℃
にし、フラスコ内の温度衾６時間半の間９０℃に保ち、
その温度に於て還流を制御するために真空調節器を用い
た（１５乃至１８Ｈｒ）。
この時点に於て、真空下の還流により、反応系を冷却さ
せた。
せた。
上記の濃い重合体溶液？、少量の水酸化アンモニウム及
びメタノールを含むジオキサンで希釈し、大きな剪断速
変を加える攪拌が行われている、６倍の体積の１０：１
のメタノール及び水酸化アンモニウムにゆっくり加える
ことＫよって沈殿させた。沈殿した上記重合体を濾過し
て分離させ、メタノールで洗浄し、真空下で乾燥させた
。上記重合体のニッケル含有量を、酸を用いた抽出によ
り、更（で減少させた。上記の乾燥した重合体を１．５
６のトルエフ中に溶解させ、５％ＨＣ４水溶液（３ｘ３
００ｍｌ）及び水（２Ｘ５００ｍｔ） を用いて抽出し
、Ｍｙ Ｓ Ｏ４を用いて乾燥し、もう一度濾過した。
びメタノールを含むジオキサンで希釈し、大きな剪断速
変を加える攪拌が行われている、６倍の体積の１０：１
のメタノール及び水酸化アンモニウムにゆっくり加える
ことＫよって沈殿させた。沈殿した上記重合体を濾過し
て分離させ、メタノールで洗浄し、真空下で乾燥させた
。上記重合体のニッケル含有量を、酸を用いた抽出によ
り、更（で減少させた。上記の乾燥した重合体を１．５
６のトルエフ中に溶解させ、５％ＨＣ４水溶液（３ｘ３
００ｍｌ）及び水（２Ｘ５００ｍｔ） を用いて抽出し
、Ｍｙ Ｓ Ｏ４を用いて乾燥し、もう一度濾過した。
得られた重合体溶液を、急速に攪拌されている５倍の体
積のメタノールにゆっくり加えることによって沈殿させ
、重合体を濾過して分離させ、メタノールで洗浄し、５
０℃の真空炉中で乾ｅＬで、２４８Ｆのポリ（エチニル
フェニルエーテル）（ＰＥＰＥ）が得られた。
積のメタノールにゆっくり加えることによって沈殿させ
、重合体を濾過して分離させ、メタノールで洗浄し、５
０℃の真空炉中で乾ｅＬで、２４８Ｆのポリ（エチニル
フェニルエーテル）（ＰＥＰＥ）が得られた。
１．３−ジメトキ／ベンゼン中に溶解された４０重ｉ％
のＰＥＰＥの溶液を形成した。その溶液を、０５μのＦ
ｌｕｏｒｏｐｏｒｅ （ミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒ
ｅＣｏｒｐ、）の米国登録商標）フィルタを通して濾過
してから、溝を含むシリコン・ウニ・・上に付着した。
のＰＥＰＥの溶液を形成した。その溶液を、０５μのＦ
ｌｕｏｒｏｐｏｒｅ （ミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒ
ｅＣｏｒｐ、）の米国登録商標）フィルタを通して濾過
してから、溝を含むシリコン・ウニ・・上に付着した。
上記ウェハを、４０００ｒｐｍ で６０秒間回転させ
、窒素下で８０℃のホット・プレート上（て配置した。
、窒素下で８０℃のホット・プレート上（て配置した。
上記ホット・プレートを４２５℃に加熱し、その温度を
６０分間維持した。それから、上記ホット・プレートを
室温迄冷却して、ウエノ・を取出した。上記方法の結果
、５μのＰＥＰＥの被膜から、充填されていない空隙を
何ら有さす、優れた表面の平坦性を有するウニ・・が得
られた。
６０分間維持した。それから、上記ホット・プレートを
室温迄冷却して、ウエノ・を取出した。上記方法の結果
、５μのＰＥＰＥの被膜から、充填されていない空隙を
何ら有さす、優れた表面の平坦性を有するウニ・・が得
られた。
実施例 ２
加熱用マントル、オーバヘッド型攪拌機、粉末漏斗、並
びに各々窒素及び真空の導入口を有する２つの適合する
還流冷却器を備えた、１を入りの４首丸底フラスコを準
備した。上記導入口を、マニホルドを経て、窒素及び真
空装置に連結されているパルプに連結した。上記装置は
、真空調節器を有しているべきである。上記装置を経て
９素を導入しながら、フラスコに、粉末漏斗を経て、７
８．２０ ？ （０，５０ｍｏｔ、 １．５０ ｎｏ
／、のエチニル基）のトリエチニルベンゼン（ＴＥＢ、
９６％）、１１０．２２５’ （０，５０ｍｏｔ、１．
００ｍｏｔのエチニル基）のジェチニルジフェニルエー
テル（ＤＥＤＰＥ。
びに各々窒素及び真空の導入口を有する２つの適合する
還流冷却器を備えた、１を入りの４首丸底フラスコを準
備した。上記導入口を、マニホルドを経て、窒素及び真
空装置に連結されているパルプに連結した。上記装置は
、真空調節器を有しているべきである。上記装置を経て
９素を導入しながら、フラスコに、粉末漏斗を経て、７
８．２０ ？ （０，５０ｍｏｔ、 １．５０ ｎｏ
／、のエチニル基）のトリエチニルベンゼン（ＴＥＢ、
９６％）、１１０．２２５’ （０，５０ｍｏｔ、１．
００ｍｏｔのエチニル基）のジェチニルジフェニルエー
テル（ＤＥＤＰＥ。
９９チ）、１．８３ ？ （６，２’５ｍｍｏｔ）のニ
ッケルー２，４−ペンタンジオナート・二水塩、及び４
６０Ｐ（１７５ｍｍｏｔ）のトリフェニルホスフィンを
充填した。上記粉末を２２２ｍｌ （２，０２ｍｏｔ）
のフェニルアセチレン（ＰＡ）中で洗浄し、上記ＰＡを
３６８ｍ１のジオキサ／中で洗浄した。そのとき、反応
系は単量体中、５０重量％であった。
ッケルー２，４−ペンタンジオナート・二水塩、及び４
６０Ｐ（１７５ｍｍｏｔ）のトリフェニルホスフィンを
充填した。上記粉末を２２２ｍｌ （２，０２ｍｏｔ）
のフェニルアセチレン（ＰＡ）中で洗浄し、上記ＰＡを
３６８ｍ１のジオキサ／中で洗浄した。そのとき、反応
系は単量体中、５０重量％であった。
粉末漏斗をサーモウェルに取換えて、反応系が均質にな
る迄、該反応系を攪拌した。
る迄、該反応系を攪拌した。
♀素を用いて、上記反応混合物から、６回酸素を除いた
後、急速に攪拌されている溶液を７５℃迄迅速に（＜１
５分）加熱した。７５℃に於て環流を調節するために、
７０乃至７５℃に於て、真空を導入した。
後、急速に攪拌されている溶液を７５℃迄迅速に（＜１
５分）加熱した。７５℃に於て環流を調節するために、
７０乃至７５℃に於て、真空を導入した。
所望の分子量範囲に達したとき、還流により、反応系を
室温冷却した。真空下で、ジオキサンを除いた。残留物
を、５００ｍｔの塩化メチレン中に再び溶解させた。そ
の有機溶液を、５％ＨＣｔ水溶液（３Ｘ ２００ ｍｌ
）及び脱イオン水（２×２００ ｍｌ ）を用いて洗
浄した。有機の相を、硫酸マグネ／ラム（ｓｏｒ）上で
乾燥させ、１００２のシリカゲルを通して接遇した。そ
の溶液を、全重量が８００２になる迄、放散させた。２
０２の珪藻土及び２０２の硫酸マグネ／ラムを加えて、
再び濾過した。
室温冷却した。真空下で、ジオキサンを除いた。残留物
を、５００ｍｔの塩化メチレン中に再び溶解させた。そ
の有機溶液を、５％ＨＣｔ水溶液（３Ｘ ２００ ｍｌ
）及び脱イオン水（２×２００ ｍｌ ）を用いて洗
浄した。有機の相を、硫酸マグネ／ラム（ｓｏｒ）上で
乾燥させ、１００２のシリカゲルを通して接遇した。そ
の溶液を、全重量が８００２になる迄、放散させた。２
０２の珪藻土及び２０２の硫酸マグネ／ラムを加えて、
再び濾過した。
上記溶液を、急速に攪拌されている１０７のメタノール
中に滴下することにより、プリポリマを沈殿させた。黄
金色の団体を荒いガラス・フリットの漏斗を通して濾過
し、濾塊を２５０ｍｔのメタノールで洗浄し、簡単に乾
燥させた。上記重合体を４５乃至５５℃の真空炉中で一
晩中乾燥させた。予想収量は、反応時間に応じて変化す
る。２０分間の反応の場合、収量１１３．１１Ｐ（２９
鴫）の２１００のＭ を有する重合体が得られた。
中に滴下することにより、プリポリマを沈殿させた。黄
金色の団体を荒いガラス・フリットの漏斗を通して濾過
し、濾塊を２５０ｍｔのメタノールで洗浄し、簡単に乾
燥させた。上記重合体を４５乃至５５℃の真空炉中で一
晩中乾燥させた。予想収量は、反応時間に応じて変化す
る。２０分間の反応の場合、収量１１３．１１Ｐ（２９
鴫）の２１００のＭ を有する重合体が得られた。
上記重合体、即ちシングル・ステーブ・アセチレニツク
・サーモセット・プリポリマ（ＳＳＡＴＰ）を、ＮＭＲ
により、内部標準としてトルエンを用いて分析した結果
、末端アセチレンの含有量は９１２ｍｍｏｔ／ｆである
ことが測定された。上記５ＳＡＴＰ（５０，Ｃ１，４５
６ｍｍｏｔ）及びフェニルアセチレン（１８２４ｍｍｏ
ｔ）を、５００ｍｔの滴下漏斗中に入れ、上記重合体を
溶解させた。
・サーモセット・プリポリマ（ＳＳＡＴＰ）を、ＮＭＲ
により、内部標準としてトルエンを用いて分析した結果
、末端アセチレンの含有量は９１２ｍｍｏｔ／ｆである
ことが測定された。上記５ＳＡＴＰ（５０，Ｃ１，４５
６ｍｍｏｔ）及びフェニルアセチレン（１８２４ｍｍｏ
ｔ）を、５００ｍｔの滴下漏斗中に入れ、上記重合体を
溶解させた。
塩化第一銅（４３，８ｍｍｏｔ）及びテトラメチルエチ
レンジアミン（４３，８ｍｍｏｔ）を、２を入りの３首
丸底フラスコ中に入れ、４００ｍｔのクロロホルム中で
洗浄した。上記フラスコには、磁気攪拌機、熱電対、酸
素アスピレータ管、及びドライ・アイス冷却器を上部に
取付けられた滴下漏斗が備えられていた。上記触媒溶液
を攪拌し、上記アスピレータ管を１．〒で酸素を導入し
た。上記マントルの表面温度を３０℃にして、上記溶液
を２８℃迄加熱した。上記重合体溶液を迅速に加えた。
レンジアミン（４３，８ｍｍｏｔ）を、２を入りの３首
丸底フラスコ中に入れ、４００ｍｔのクロロホルム中で
洗浄した。上記フラスコには、磁気攪拌機、熱電対、酸
素アスピレータ管、及びドライ・アイス冷却器を上部に
取付けられた滴下漏斗が備えられていた。上記触媒溶液
を攪拌し、上記アスピレータ管を１．〒で酸素を導入し
た。上記マントルの表面温度を３０℃にして、上記溶液
を２８℃迄加熱した。上記重合体溶液を迅速に加えた。
遅い発熱により、反応温度が３０分間に亘り３８℃迄増
加した。上記反応を２８℃に一晩中維持した。
加した。上記反応を２８℃に一晩中維持した。
上記反応混合物を、２１の分液漏斗中に入れた。
上記重合体溶液を１０％ＨＣ４水溶Ｍ（３Ｘ４００ｍｔ
）及び脱イオン水（２Ｘ４００ｍｔ）で洗浄した。
）及び脱イオン水（２Ｘ４００ｍｔ）で洗浄した。
上記溶液を、硫酸マグネンウム上で乾燥させた後、濾過
し、回転により蒸発乾固させた。上記重合体を、再び塩
化メチレン中に溶解させ、２５Ｃ１のシリカゲル・カラ
ムを通して、上記塩化メチレンを用いて溶離させた。次
に、上記重合体溶液を回転により５００２迄蒸発させ、
各々１ｏ２の硫酸マグネシウム及び珪藻土を加えた。上
記重合体溶液を櫂過した後、急速に攪拌されている１０
ｔのメタノール中にゆっくりと沈殿させた。上記スラリ
を濾過し、濾塊を５００ ｍｌのメタノールで洗浄し、
４０℃の真空炉中で乾燥させて、６４２６２のビス−ア
セチレンを末端に有する７／グル・ステップ・アセチレ
ニック・サーモセット重合体（ＢＡＴ−８ＳＡＴＰ）が
得られた。
し、回転により蒸発乾固させた。上記重合体を、再び塩
化メチレン中に溶解させ、２５Ｃ１のシリカゲル・カラ
ムを通して、上記塩化メチレンを用いて溶離させた。次
に、上記重合体溶液を回転により５００２迄蒸発させ、
各々１ｏ２の硫酸マグネシウム及び珪藻土を加えた。上
記重合体溶液を櫂過した後、急速に攪拌されている１０
ｔのメタノール中にゆっくりと沈殿させた。上記スラリ
を濾過し、濾塊を５００ ｍｌのメタノールで洗浄し、
４０℃の真空炉中で乾燥させて、６４２６２のビス−ア
セチレンを末端に有する７／グル・ステップ・アセチレ
ニック・サーモセット重合体（ＢＡＴ−８ＳＡＴＰ）が
得られた。
Ｎ−メチルピロリドン中に溶解された４０重全％のＢＡ
Ｔ−８ＳＡＴＰの溶液を形成した。上記溶液を、０５μ
のＦｌｕｏｒｏｐｏｒｅ フィルタを通して濾過した後
、溝を含む／リコン・ウニ・・上に付着したつ上記ウェ
ハを４０００ｒｐｍで４０秒間回転させ、窒素下で８０
℃のホット・プレート上：こ配置した。６０分後に、上
記ホット・プレートを１００℃に加熱し、その温度に５
０分間維持した。その段階的な加熱／維持のサイクルを
、１２５．２００，５００及び４２５℃に於て反復した
。
Ｔ−８ＳＡＴＰの溶液を形成した。上記溶液を、０５μ
のＦｌｕｏｒｏｐｏｒｅ フィルタを通して濾過した後
、溝を含む／リコン・ウニ・・上に付着したつ上記ウェ
ハを４０００ｒｐｍで４０秒間回転させ、窒素下で８０
℃のホット・プレート上：こ配置した。６０分後に、上
記ホット・プレートを１００℃に加熱し、その温度に５
０分間維持した。その段階的な加熱／維持のサイクルを
、１２５．２００，５００及び４２５℃に於て反復した
。
上記ホット・プレートを４００℃迄冷却し、その温度に
４時間維持した。それから、上記ホット・プレートを室
温迄冷却し、ウニ・・を取出した。
４時間維持した。それから、上記ホット・プレートを室
温迄冷却し、ウニ・・を取出した。
上記方法の結果、１μのＢＡＴ−３ＳＡＴＰの被膜から
、充填されていない空隙を何ら有さす、優れた表面の平
坦性を有するウエノ・が得られた。
、充填されていない空隙を何ら有さす、優れた表面の平
坦性を有するウエノ・が得られた。
実施例 ６
上記実捲例１に於て得られた重合体ＰＥＰＥを、ＮＭＲ
により、内部標準としてトルエンを用いて分析した結果
、末端のアセチレンの含有量は１０４ｍｍｏｔ、／ｒ
であることが測定された。加熱用マントル、電流冷却器
、窒素及び真空の導入口、オーバヘッド型攪拌機、及び
サーモウェルを備えた、１６入りの丸底フラスコ中に、
１０りの上記重合体、２．４ｍｔのヨードベンゼン（２
１，６ｍｍｏｌ）、５４０ｍりのトリフェニルホスフィ
ン（０，２１ｍｍｏｔ）、４１０ｍｒの酢酸銅０−水塩
（０，２１ｍｍｏｔ）、５７０ｍ９の塩化パラジウム（
０，２１ｍｍｏｔ）、６．６ｍｔのｙ−ブチルアミン（
６２ｍｍｏｔ）、及び１００ｍｊのＴＨＦを入れた。上
記内容物を攪拌し、窒素を用いて、３回酸素を除いたっ
上記フラスコを、−晩中還流させた。重合体溶液を、室
温迄冷却した後、回転により溶媒を蒸発させて除き、６
０ｍ１のクロロホルム中に再び溶解させ、１０％ＨＣ４
水溶液（３Ｘ ４０ ｍｌ ）及び脱イオン水（２ｘ５
０ｒｎｔ）で洗浄した。上記溶液を、硫酸マグネンウム
上で乾燥させ、３ｔのメタノール中に沈殿させた。上記
重合体のスラリを濾過し、メタノールで洗浄し、真空炉
中で乾燥させて、８３？の重合体（トラン−ＰＥＰＥ）
が得られた。
により、内部標準としてトルエンを用いて分析した結果
、末端のアセチレンの含有量は１０４ｍｍｏｔ、／ｒ
であることが測定された。加熱用マントル、電流冷却器
、窒素及び真空の導入口、オーバヘッド型攪拌機、及び
サーモウェルを備えた、１６入りの丸底フラスコ中に、
１０りの上記重合体、２．４ｍｔのヨードベンゼン（２
１，６ｍｍｏｌ）、５４０ｍりのトリフェニルホスフィ
ン（０，２１ｍｍｏｔ）、４１０ｍｒの酢酸銅０−水塩
（０，２１ｍｍｏｔ）、５７０ｍ９の塩化パラジウム（
０，２１ｍｍｏｔ）、６．６ｍｔのｙ−ブチルアミン（
６２ｍｍｏｔ）、及び１００ｍｊのＴＨＦを入れた。上
記内容物を攪拌し、窒素を用いて、３回酸素を除いたっ
上記フラスコを、−晩中還流させた。重合体溶液を、室
温迄冷却した後、回転により溶媒を蒸発させて除き、６
０ｍ１のクロロホルム中に再び溶解させ、１０％ＨＣ４
水溶液（３Ｘ ４０ ｍｌ ）及び脱イオン水（２ｘ５
０ｒｎｔ）で洗浄した。上記溶液を、硫酸マグネンウム
上で乾燥させ、３ｔのメタノール中に沈殿させた。上記
重合体のスラリを濾過し、メタノールで洗浄し、真空炉
中で乾燥させて、８３？の重合体（トラン−ＰＥＰＥ）
が得られた。
上述のＴｏＩａｎ−ＰＥＰＥを、トランでキャップされ
た（ ｔｏｌａｎ ｃａｐｐｅｄ ）単量体を直接反
応させることによっても、形成した。ヨードベンゼンを
ｆ）ＥＤＰＥと反応させ、単量体を部分的に分離させる
ことにより、トランでキャップされたジエチニルノフェ
ニルエーテルな形成した。その部分的にキャップされた
ＤＥＤＰＥ及びフェニルアセチレンを、赤外線技術によ
り更に反応が観察されなくなる迄、三量体にされた。上
記方法の結果、トラ／の反応位置及び極めて僅かな末端
アセチレンな有する、ＰＥＰＥと同様な重合体が得られ
た。
た（ ｔｏｌａｎ ｃａｐｐｅｄ ）単量体を直接反
応させることによっても、形成した。ヨードベンゼンを
ｆ）ＥＤＰＥと反応させ、単量体を部分的に分離させる
ことにより、トランでキャップされたジエチニルノフェ
ニルエーテルな形成した。その部分的にキャップされた
ＤＥＤＰＥ及びフェニルアセチレンを、赤外線技術によ
り更に反応が観察されなくなる迄、三量体にされた。上
記方法の結果、トラ／の反応位置及び極めて僅かな末端
アセチレンな有する、ＰＥＰＥと同様な重合体が得られ
た。
実施例 ４
単量体の合成
機械的攪拌機、冷却器、及び窒素導入口を備えた１ ０
００ ｍｌ入りの３首丸底フラスコ中に、４゜４’−’
；エチニルジフェニルエーテル（ＤＥＤＰＥ）Ｃ６８４
ｙ、３００ｍｍｏｔ）、トリエチルアミン（ｉｌＯｍｌ
）、及びヨードベンゼン（３０，６？、１００ｍｍｏｔ
）を入れた。機械的に攪拌された懸濁液を均質な溶液が
得られる迄、温水浴中で温め、上記溶液を室温迄冷却さ
せるときに、９素の流れを用いて、上記溶液から６回酸
素を除いた。次に、触媒トラて、ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム・ジクロリド（５２ｍ５’、０．
０７ｍｍｏｔ）及ヒトリス（トリフェニルホスフィン）
Ｍ（Ｉ）・クロリド（７：ｌ）ｍＰ、Ｑ、 ０７ ｍｍ
ｏ！ ）を加え、その結果生じた穏やかな発熱反応を水
浴を用いて緩和させた。上記白色スラリを２時間の間機
械的に攪拌した後、更に触媒（初めの量と同量）を加え
、更に６時間の間、反応を継続させた。この後に、上記
フラスコに径路の短かい蒸留ヘッドを取付けて、余分の
トリエチルアミンを真空下で温めながら除き、得られた
固体残留物にメタノール（２００ｍｔ）を加え、その固
体を攪拌により分散させた。
００ ｍｌ入りの３首丸底フラスコ中に、４゜４’−’
；エチニルジフェニルエーテル（ＤＥＤＰＥ）Ｃ６８４
ｙ、３００ｍｍｏｔ）、トリエチルアミン（ｉｌＯｍｌ
）、及びヨードベンゼン（３０，６？、１００ｍｍｏｔ
）を入れた。機械的に攪拌された懸濁液を均質な溶液が
得られる迄、温水浴中で温め、上記溶液を室温迄冷却さ
せるときに、９素の流れを用いて、上記溶液から６回酸
素を除いた。次に、触媒トラて、ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム・ジクロリド（５２ｍ５’、０．
０７ｍｍｏｔ）及ヒトリス（トリフェニルホスフィン）
Ｍ（Ｉ）・クロリド（７：ｌ）ｍＰ、Ｑ、 ０７ ｍｍ
ｏ！ ）を加え、その結果生じた穏やかな発熱反応を水
浴を用いて緩和させた。上記白色スラリを２時間の間機
械的に攪拌した後、更に触媒（初めの量と同量）を加え
、更に６時間の間、反応を継続させた。この後に、上記
フラスコに径路の短かい蒸留ヘッドを取付けて、余分の
トリエチルアミンを真空下で温めながら除き、得られた
固体残留物にメタノール（２００ｍｔ）を加え、その固
体を攪拌により分散させた。
その激しく攪拌されている懸濁液に、水（２００ｍｔ）
を５分間に亘って加え、１０％ＨＣ４水溶液（３００ｍ
ｔ）を１０分間に亘って加えた。上記ＨＣ１水溶液の添
加が完了した後、上記スラリを更に１０分間攪拌し、そ
れから吸引フィルタを通して濾過し、得られた白色の固
体を１０％ＨＣ６水溶液（２００ｍｌ）及び水（４００
ｍｔ）で洗浄した。上記固体をフィルタ上で一晩中空気
乾燥させてから、温めたイノオクタン（５００ｍｌ ）
を用いて、２００Ｏｍｔ入りのエルレノマイヤＯフラス
コに移した。得られたスラリを沸騰させ、シリカゲル（
２０ｙ）及び硫酸マグネ／ラムを加え、その熱い溶液を
シリカゲルのパッドを通して重力により濾過し、別の熱
されたイノオクタン（３００ｍｌ）で洗浄した。得られ
た濾液を、クリーム色の固体（６０，０？ ）が得られ
る迄、回転蒸発させて濃縮させた。上記固体は、ＮＭＲ
及び逆相クロマトグラフィを用いた分析の結果、５５：
４５（ｍｏｌ’ｌ）の４−エチニルフェニル−４７−フ
エニルニチニルフエニル書エーテル及Ｕ ４ 、４’−
ジェチニルジフェニルエーテルの混合物であることが解
った。
を５分間に亘って加え、１０％ＨＣ４水溶液（３００ｍ
ｔ）を１０分間に亘って加えた。上記ＨＣ１水溶液の添
加が完了した後、上記スラリを更に１０分間攪拌し、そ
れから吸引フィルタを通して濾過し、得られた白色の固
体を１０％ＨＣ６水溶液（２００ｍｌ）及び水（４００
ｍｔ）で洗浄した。上記固体をフィルタ上で一晩中空気
乾燥させてから、温めたイノオクタン（５００ｍｌ ）
を用いて、２００Ｏｍｔ入りのエルレノマイヤＯフラス
コに移した。得られたスラリを沸騰させ、シリカゲル（
２０ｙ）及び硫酸マグネ／ラムを加え、その熱い溶液を
シリカゲルのパッドを通して重力により濾過し、別の熱
されたイノオクタン（３００ｍｌ）で洗浄した。得られ
た濾液を、クリーム色の固体（６０，０？ ）が得られ
る迄、回転蒸発させて濃縮させた。上記固体は、ＮＭＲ
及び逆相クロマトグラフィを用いた分析の結果、５５：
４５（ｍｏｌ’ｌ）の４−エチニルフェニル−４７−フ
エニルニチニルフエニル書エーテル及Ｕ ４ 、４’−
ジェチニルジフェニルエーテルの混合物であることが解
った。
重合体の合成
１０２の上述のトランでキャンプされた単ｊ１（体温合
物（４５チのＤＥＤＰＥ及び５５％のモノ働トランでキ
ャップされたＤＥＤＰＥであることが分析された）を、
３６６２のＤＥＤＰＥと混合して、２：１のＤＥＤＰＥ
及びトラン−ＤＥＤＰＥ（３７，４ｍｍｏｔ： １８．
７ｍｍｏｔ）の混合物を形成した。加熱用マントル、オ
ーバヘッド型攪拌機、サーモウェル、還流冷却器、窒素
及び真空の導入口、及び真空調節器を備えた１００ｍｔ
入りの丸底フラスコ中に、フェニルアセチレ’（２，０
５ｍｔ。
物（４５チのＤＥＤＰＥ及び５５％のモノ働トランでキ
ャップされたＤＥＤＰＥであることが分析された）を、
３６６２のＤＥＤＰＥと混合して、２：１のＤＥＤＰＥ
及びトラン−ＤＥＤＰＥ（３７，４ｍｍｏｔ： １８．
７ｍｍｏｔ）の混合物を形成した。加熱用マントル、オ
ーバヘッド型攪拌機、サーモウェル、還流冷却器、窒素
及び真空の導入口、及び真空調節器を備えた１００ｍｔ
入りの丸底フラスコ中に、フェニルアセチレ’（２，０
５ｍｔ。
１８．７ｍｍｏｔ）、ニッケル・アセチルアセトナ−）
（３１０ｍ ９ 、 ０． １ ０ ５ｍｍｏ ｔ ）
、 ト リ フ エニルホスフイン（７５ｍ？、
０．２８ｍｍｏｔ）、及び１５ｍｔのジオキサンを加え
た。赤外線分光法によりエチニルが観察されなくなる迄
、反応を監視した。更に反応が生じなくなる迄、７時間
の間、９０℃で上記反応を行った。上記反応系を５０
ｍｌのジオキサンで希釈し、１４００ｍｔのメタノール
中に直接沈殿させた。上記スラリを濾過し、真空炉中で
一晩中乾燥させて、１３．０Ｅｌ（収率８４％）の１７
０００ａＭ を有する重合体が得られた。
（３１０ｍ ９ 、 ０． １ ０ ５ｍｍｏ ｔ ）
、 ト リ フ エニルホスフイン（７５ｍ？、
０．２８ｍｍｏｔ）、及び１５ｍｔのジオキサンを加え
た。赤外線分光法によりエチニルが観察されなくなる迄
、反応を監視した。更に反応が生じなくなる迄、７時間
の間、９０℃で上記反応を行った。上記反応系を５０
ｍｌのジオキサンで希釈し、１４００ｍｔのメタノール
中に直接沈殿させた。上記スラリを濾過し、真空炉中で
一晩中乾燥させて、１３．０Ｅｌ（収率８４％）の１７
０００ａＭ を有する重合体が得られた。
実施例 ５
ＤＥＤＰＥ（４，４’−ジェチニルジフェニル・エーテ
ル）及びＰＡ（フェニルアセチレン）からの′°熱重合
体″の形成 還流冷却器、９素導入口、機械的攪拌機、及び内部熱電
対を備えた１ ０００ ｍｌｌクシ３首丸底フラスコ中
に、ＤＥＤＰＥ（１６０！Ｐ）、ＰＡ（７３２）、及び
ジグリム（２４０Ｆ）を入れた。
ル）及びＰＡ（フェニルアセチレン）からの′°熱重合
体″の形成 還流冷却器、９素導入口、機械的攪拌機、及び内部熱電
対を備えた１ ０００ ｍｌｌクシ３首丸底フラスコ中
に、ＤＥＤＰＥ（１６０！Ｐ）、ＰＡ（７３２）、及び
ジグリム（２４０Ｆ）を入れた。
得られた溶液を攪拌し、加熱し、時々上記溶液からアリ
コートを取出して、それらの粘度を室温で測定した。上
記溶液を、１２０分間還流状態（〜１６２℃）に維持し
、次の９０分間に亘り徐々に１５１℃迄冷却させ、５２
Ｃ３の所望の粘度が得られる迄、更に７０分間上記温度
に維持した。それから、単に上記溶液を室温迄冷却させ
ること：τより重合を停止させ、ジグリム溶液を急速：
Ｃ攪拌されている１０倍のエタノール中に滴下して加え
ることにより、上記材料を沈殿させた。上記固体を濾過
により集め、窒素流中で乾燥させた後、１０７２（理論
的には、〜６５％）の収量が得られた。
コートを取出して、それらの粘度を室温で測定した。上
記溶液を、１２０分間還流状態（〜１６２℃）に維持し
、次の９０分間に亘り徐々に１５１℃迄冷却させ、５２
Ｃ３の所望の粘度が得られる迄、更に７０分間上記温度
に維持した。それから、単に上記溶液を室温迄冷却させ
ること：τより重合を停止させ、ジグリム溶液を急速：
Ｃ攪拌されている１０倍のエタノール中に滴下して加え
ることにより、上記材料を沈殿させた。上記固体を濾過
により集め、窒素流中で乾燥させた後、１０７２（理論
的には、〜６５％）の収量が得られた。
実施例 ６
″熱重合体パを用いた溝充填処理
上記実施例５に従って得られた乾燥したパ熱重合体″を
用いて、３１１ｃｓの粘度、並びに八１２５００、Ｍｗ
２５１０００及びＭ、１３９００００のＧＰＣ分子量プ
ロフィルを有する、Ｎ−メチルピロリドン中に溶解され
た３０重量係の溶液を形成した。上記Ｎ−メチルピロリ
ドン溶液を、０．５μのフィルタを通して、溝を含むン
リコン基板上に濾過し、４０００ｒｐｍ で４０秒間
回転被所して、２０μの被膜を、形成した。
用いて、３１１ｃｓの粘度、並びに八１２５００、Ｍｗ
２５１０００及びＭ、１３９００００のＧＰＣ分子量プ
ロフィルを有する、Ｎ−メチルピロリドン中に溶解され
た３０重量係の溶液を形成した。上記Ｎ−メチルピロリ
ドン溶液を、０．５μのフィルタを通して、溝を含むン
リコン基板上に濾過し、４０００ｒｐｍ で４０秒間
回転被所して、２０μの被膜を、形成した。
得られた被膜を、不活性雰囲気下のホット・プレート上
で、段階的に、毎分５℃の割合で１６０℃から２１０℃
に加熱し、６０分間２１０℃の同一温度に保ち、毎分１
０℃の割合で２１０℃から４００℃に加熱し、最後に２
４０分間４００℃の同一温度に保つことによって、硬化
させた。上記Ｊ、（仮をＳＥＭにより調べた結果、完全
に充填された＠伎び優れた基板の平坦性が示された。
で、段階的に、毎分５℃の割合で１６０℃から２１０℃
に加熱し、６０分間２１０℃の同一温度に保ち、毎分１
０℃の割合で２１０℃から４００℃に加熱し、最後に２
４０分間４００℃の同一温度に保つことによって、硬化
させた。上記Ｊ、（仮をＳＥＭにより調べた結果、完全
に充填された＠伎び優れた基板の平坦性が示された。
実施例 ７
溝光Ｊｆ１方法
・４当な溶媒中に溶解された芳香族アセチレン・オリゴ
マ（ＰＥＰＥ）の６０乃至７０重ｆｌ：％溶液を形成し
た。上記溶液を、０５μのＦｌ ｕｏｒｏｐｏｒｅフィ
ルタを通して濾過した後、溝を含むノリコン・ウェハ上
に付着した。上記ウェハを６０００乃至１１００００ｒ
ｐ で４０乃至６０秒間回転させ、窒素化で８０℃の
ホット・プレート上に配置シた。
マ（ＰＥＰＥ）の６０乃至７０重ｆｌ：％溶液を形成し
た。上記溶液を、０５μのＦｌ ｕｏｒｏｐｏｒｅフィ
ルタを通して濾過した後、溝を含むノリコン・ウェハ上
に付着した。上記ウェハを６０００乃至１１００００ｒ
ｐ で４０乃至６０秒間回転させ、窒素化で８０℃の
ホット・プレート上に配置シた。
上記ホット・プレートを、毎分１０℃の割合で、選択さ
れた硬化温度迄加熱した。充分な硬化が行われる迄、充
分な時間（３０分乃至４時間）の間、上記硬化温度を保
ってから、上記ホット・プレートを室温迄冷却させ、ウ
ェハを取出した。上記方法の結果、１乃至１０μのＰＥ
ＰＥの被膜から、充填されていない溝を何ら有さす、優
れた表面の平坦性を有するウニ・・が得られた。
れた硬化温度迄加熱した。充分な硬化が行われる迄、充
分な時間（３０分乃至４時間）の間、上記硬化温度を保
ってから、上記ホット・プレートを室温迄冷却させ、ウ
ェハを取出した。上記方法の結果、１乃至１０μのＰＥ
ＰＥの被膜から、充填されていない溝を何ら有さす、優
れた表面の平坦性を有するウニ・・が得られた。
実施例 ８
１、 溝を有するウェハを、キシレン中に溶解された３
５重量％のＰＥＰＥ（０，４５μに濾過されている）で
被覆し、３０００ｒｐｍで回転させて、２．８μの厚さ
の被膜を形成した。２ 上記のＰＥＰＥで被覆されたウ
ェハを、５０℃のホット−プレート上に配置し、上記ホ
ット・プレートを毎分９９℃の割合で４００℃迄加熱し
％ ３０分間４００℃に維持した。３ 上記ウェハを最
終位置＋１０％迄、エツチングした。上記エツチングは
、ＲＩＥ装置に於て、２０ｓｅｃｍの流量の０２．１０
０ワツトのＲ４、及び８５乃至９ＱｍＴｏｒｒ の圧力
を用いて、行った。４ 上記ウェハをＨＦ中に浸漬し、
洗浄し、そして再び被覆する前に乾燥させた。それらの
ウェハは、上記洗浄の後、イソプロパツール中に浸漬し
、回転をてより乾燥させ、それから１００℃で１５分間
ベーキングすることによって、乾燥させることができる
Ｊ５．上記ウニ・・を、キ／レン中に溶解された６５重
量％のＰＥＰＥ （０，４５μに濾過されている）で再
び被覆し、３０００ｒｐｍで回転させた。６．上記のＰ
ＥＰＥで被覆されたウェハを５０℃のホン）−プレート
上に配置し、上記ホット・プレートを毎分９９℃の割合
で４００℃迄加熱し、６０分間４００℃に維持した。７
上記ウニ・・を再び最終位置迄エツチングしだ。８
上記のＰＥＰＥで被覆されたウェハを５０℃のホット−
プレート上に配置し、毎分９９℃の割合で４２５℃迄加
熱し、６０分間４２５℃に維持した。９．ＳＥＭにより
調べた結果、良好に充填された溝及び優れた表面の平坦
性が示された。
５重量％のＰＥＰＥ（０，４５μに濾過されている）で
被覆し、３０００ｒｐｍで回転させて、２．８μの厚さ
の被膜を形成した。２ 上記のＰＥＰＥで被覆されたウ
ェハを、５０℃のホット−プレート上に配置し、上記ホ
ット・プレートを毎分９９℃の割合で４００℃迄加熱し
％ ３０分間４００℃に維持した。３ 上記ウェハを最
終位置＋１０％迄、エツチングした。上記エツチングは
、ＲＩＥ装置に於て、２０ｓｅｃｍの流量の０２．１０
０ワツトのＲ４、及び８５乃至９ＱｍＴｏｒｒ の圧力
を用いて、行った。４ 上記ウェハをＨＦ中に浸漬し、
洗浄し、そして再び被覆する前に乾燥させた。それらの
ウェハは、上記洗浄の後、イソプロパツール中に浸漬し
、回転をてより乾燥させ、それから１００℃で１５分間
ベーキングすることによって、乾燥させることができる
Ｊ５．上記ウニ・・を、キ／レン中に溶解された６５重
量％のＰＥＰＥ （０，４５μに濾過されている）で再
び被覆し、３０００ｒｐｍで回転させた。６．上記のＰ
ＥＰＥで被覆されたウェハを５０℃のホン）−プレート
上に配置し、上記ホット・プレートを毎分９９℃の割合
で４００℃迄加熱し、６０分間４００℃に維持した。７
上記ウニ・・を再び最終位置迄エツチングしだ。８
上記のＰＥＰＥで被覆されたウェハを５０℃のホット−
プレート上に配置し、毎分９９℃の割合で４２５℃迄加
熱し、６０分間４２５℃に維持した。９．ＳＥＭにより
調べた結果、良好に充填された溝及び優れた表面の平坦
性が示された。
ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体素子中の深い誘電体分離用の溝を充填するため
の方法に於て、 反応性エチニル基を有する芳香族重合体オリゴマを溶媒
中に溶解して、２乃至２０００ｃｓの粘度を有する溶液
を形成し、 上記溶液を濾過し、 上記溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、被膜を
形成し、 上記溶媒を蒸発させ、 上記被膜を加熱し、硬化させることを含む、誘電体分離
用の溝の充填方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US66463384A | 1984-10-25 | 1984-10-25 | |
| US664633 | 1991-03-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102742A true JPS61102742A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=24666789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60155292A Pending JPS61102742A (ja) | 1984-10-25 | 1985-07-16 | 誘導体分離用の溝の充填方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0179365A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61102742A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4097460A (en) * | 1971-07-23 | 1978-06-27 | Hercules Incorporated | Poly(arylacetylenes) and thermoset resins therefrom |
| US4339526A (en) * | 1981-06-24 | 1982-07-13 | International Business Machines Corporation | Acetylene terminated, branched polyphenylene resist and protective coating for integrated circuit devices |
| US4599136A (en) * | 1984-10-03 | 1986-07-08 | International Business Machines Corporation | Method for preparation of semiconductor structures and devices which utilize polymeric dielectric materials |
| US4568601A (en) * | 1984-10-19 | 1986-02-04 | International Business Machines Corporation | Use of radiation sensitive polymerizable oligomers to produce polyimide negative resists and planarized dielectric components for semiconductor structures |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP60155292A patent/JPS61102742A/ja active Pending
- 1985-10-11 EP EP85112903A patent/EP0179365A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0179365A3 (en) | 1988-09-21 |
| EP0179365A2 (en) | 1986-04-30 |
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