JPS61102742A - Method of filling groove for separation of dielectric - Google Patents

Method of filling groove for separation of dielectric

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JPS61102742A
JPS61102742A JP60155292A JP15529285A JPS61102742A JP S61102742 A JPS61102742 A JP S61102742A JP 60155292 A JP60155292 A JP 60155292A JP 15529285 A JP15529285 A JP 15529285A JP S61102742 A JPS61102742 A JP S61102742A
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coating
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mmot
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イング・イング・チエング
ダニエル・ジヨセフ・ダウソン
ジエームズ・エコノミー
サリー・アン・スワンソン
ロバート・ジエームズ・ツウイーグ
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    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝を充填
するための方法に係わる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A. Field of Industrial Application The present invention relates to a method for filling deep dielectric isolation trenches in semiconductor devices.

B、開示の概要 2乃至2000csの粘度を有している、反応性エチニ
ル基を有する芳香族重合体オリゴマ(polyarom
atic  o目gomar)の濾過された溶液を用い
る方法により、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝が
充填される。
B. SUMMARY OF THE DISCLOSURE
Deep dielectric isolation trenches in semiconductor devices are filled by a method using filtered solutions of atic acid.

C1従来技術 より高密度及びより高速度の改良された半導体素子を得
るために、深い誘電体分離用の溝を用いることが必要と
されている。そのような溝は、ポリイミド樹脂又はポリ
/リフ/で充填することができる。これについては、例
えば、発明協会技術公開ノ1658−138049号、
第46頁、及び■8Mテクニカル−ディスクロージャー
ビュレテイン、第25巻、第12号、1983年5月、
第6611頁乃至第6614頁の文献に記載されている
C1 To obtain improved semiconductor devices with higher density and higher speed than the prior art, there is a need to use deep dielectric isolation trenches. Such grooves can be filled with polyimide resin or poly/rif/. Regarding this, for example, Japan Institute of Invention and Innovation Technical Publication No. 1658-138049,
46 pages, and ■8M Technical Disclosure Bulletin, Volume 25, No. 12, May 1983,
It is described in the literature on pages 6611 to 6614.

米国特許第4539526号明細書は、アセチレン末端
基を有する、枝分れしたポリフェニレン・プリポリマを
、集積回路素子の保護膜として用ハることを示している
。しかしながら、その明細Hは、深い誘電体分離用の溝
を充填することについては何ら論じておらず、本発明の
方法を開示していない。
U.S. Pat. No. 4,539,526 shows the use of branched polyphenylene prepolymers with acetylene end groups as protective coatings for integrated circuit devices. However, that Specification H does not discuss filling deep dielectric isolation trenches and does not disclose the method of the present invention.

D6発明が解決しようとする問題点 itt体分離用の溝(約1乃至2ミクロンの幅及び約5
ミクロンの深さ)を用いた半導体素子の開発に於て、ポ
リイミド又はポリシリコンを用いた場合に、多くの問題
が生じている。従来技術に於て用いられているポリイミ
ドは、それらの溝を完全に充填しない。更に、それらの
ポリイミドは、溶媒、水及び気体を吸収し、彼の処理を
著しく複雑にする。ポリイミドは、限定された数の溶媒
中にしか溶解せず、通常は付着促進剤を必要とする。
D6 Problems to be Solved by the Invention Grooves for separating the itt bodies (width of about 1 to 2 microns and
In the development of semiconductor devices using micron depths, many problems have arisen when using polyimide or polysilicon. Polyimide used in the prior art does not completely fill the grooves. Furthermore, these polyimides absorb solvents, water and gases, significantly complicating their processing. Polyimides are only soluble in a limited number of solvents and usually require adhesion promoters.

それらの硬化は、揮発性生成物の発生を伴う。硬化され
たポリイミドは、多くの処理溶剤中で膨?関し、それら
の平坦化には限界がある。同様に従来技術に於て用いら
れているポリノリコンは、極めて高価な気相付着工程を
必要とし、局部的応力を生じ、又極めて良好な電気的絶
縁体ではないという欠点を有する。本発明の方法に於て
用いられる材料は、従来技術に於けるそれらの欠点をす
べて克服する。
Their curing is accompanied by the evolution of volatile products. Cured polyimide swells in many processing solvents? However, there are limits to their flattening. Polynolycone, which is also used in the prior art, has the disadvantages of requiring very expensive vapor deposition processes, creating localized stresses, and not being a very good electrical insulator. The materials used in the method of the present invention overcome all those drawbacks of the prior art.

E9  問題点を解決するための手段 本発明の方法は、半導体素子中の深い誘電体分離用の溝
を充填するための方法に於て;反応性エチニル基を有す
る芳香族重合体オリゴマを溶媒中に溶解して、2乃至2
000csの粘度を有する溶液を形成し;上記溶液を濾
過し;上記溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、
被膜を形成し;上記溶媒を蒸発させ;上記被膜を加熱し
、硬化させることを含む;誘電体分離用の溝の充填方法
を提供する。
E9 Means for Solving Problems The method of the present invention is a method for filling deep dielectric isolation trenches in semiconductor devices; Dissolve in 2 to 2
forming a solution having a viscosity of 000 cs; filtering the solution; coating a semiconductor device containing the groove with the solution;
A method of filling a trench for dielectric isolation is provided, comprising: forming a coating; evaporating the solvent; and heating and curing the coating.

本発明の方法建於ては、初めに、反応性エチニル基を有
する芳香族重合体オリゴマを溶媒中に溶解して、制御さ
れた粘度を有する溶液を形成する。
In the process structure of the present invention, an aromatic polymer oligomer having reactive ethynyl groups is first dissolved in a solvent to form a solution having a controlled viscosity.

次に、上記溶液を極めて微細なフィルタを通して濾過し
、溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、被膜を形
成する。上記半導体素子を加熱すると、上記溶媒が蒸発
し、上記被膜が慶化する。上記溶媒は蒸発したが、上記
被膜が硬化する前建、上記オリゴマは、周囲条件程度か
ら160℃程度迄のa度範囲、特に80乃至125℃に
於て、溶解し、流動して、溝を充填する。それから、上
記オリゴマは、より高い温度に於て、エチニル基の反応
により重合する。
The solution is then filtered through a very fine filter and the semiconductor device containing the grooves is coated with the solution to form a coating. When the semiconductor element is heated, the solvent evaporates and the coating is oxidized. The solvent has evaporated, but before the coating is cured, the oligomer melts and flows in the a-degree range from ambient conditions to about 160°C, particularly at 80 to 125°C, and flows through the grooves. Fill. The oligomer is then polymerized by reaction of the ethynyl groups at higher temperatures.

本発明の方法は、溝を充填する材料として、反応性エチ
ニル基を有する芳香族電合体オリゴマを用いる。それら
の材料は、従来技術に於て公知でアリ、トリエチニルベ
ンゼン(TEB)、 ジェチニルジフェニルエーテル(
DEDPE)、及びフェニルアセチレン(PA)を含む
、多数の異なる単量体から誘導される。他の有用な芳香
族のアセチレンを含む単量体は、例えば米国特許第40
97460号明細書に挙げられている。
The method of the present invention uses an aromatic electropolymer oligomer having reactive ethynyl groups as the material filling the grooves. These materials are known in the art and include triethynylbenzene (TEB), jetynyl diphenyl ether (
Derived from a number of different monomers, including DEDPE), and phenylacetylene (PA). Other useful aromatic acetylene-containing monomers include, for example, U.S. Pat.
No. 97460.

本発明の方法に於ける1つの利へは、任意の多くの溶媒
とともに用いられることである。初め:τ、上記オリゴ
マは、溶媒中に溶解され、回転被覆により半導体素子上
に付着される。有用な溶媒には、例えば、N−メチルピ
ロリジノン、キンレン、ジクl)ム、メシチレン、ジエ
チルベンゼン、プロピレン・グリコール・モノメチル伊
エーテル拳アセタート、テトラグリム、イソホロン、ペ
ラトo −ル、m−ジメトキンベンゼン、ブチロラクト
ン、トルエン、クロロホルム、ジオキサン、ジクロロメ
タン等がある。
One advantage of the method of the invention is that it can be used with any number of solvents. Initially: τ, the oligomer is dissolved in a solvent and deposited onto the semiconductor device by spin coating. Useful solvents include, for example, N-methylpyrrolidinone, quinolene, dichromate, mesitylene, diethylbenzene, propylene glycol monomethyl ether acetate, tetraglyme, isophorone, peratol, m-dimethynebenzene, Examples include butyrolactone, toluene, chloroform, dioxane, dichloromethane, etc.

被覆処理に於ては、溝が完全に充填されるように、溶液
の粘度を調節すべきである。その粘度は2つの方法で調
節される。1つの方法に於ては、溶質に対する溶媒の比
率が調節され、溶液が希釈されている程、その粘度もそ
れだけ低くなる。他の方1去+コFfiては、オリゴマ
の分子量が調節され、/) 、j−;lが小さい程、そ
の粘度もそれたけ低くなる。
During the coating process, the viscosity of the solution should be adjusted so that the grooves are completely filled. Its viscosity is adjusted in two ways. In one method, the ratio of solvent to solute is adjusted; the more dilute the solution, the lower its viscosity. On the other hand, the molecular weight of the oligomer is adjusted; the smaller ,j-;l is, the lower its viscosity will be.

一般に、上記溶液の粘度は、約2乃至300 C9穆度
であることが好ましい。粘度が約2000csよりも高
くなると、特に溝の角部に於て、完全な充填が行われな
い。粘度が約2c3よりも低くなると、均一な密着した
溝の充填は行われ難い。
Generally, it is preferred that the solution has a viscosity of about 2 to 300 C9 viscosity. If the viscosity is higher than about 2000 cs, complete filling will not occur, especially at the corners of the grooves. When the viscosity is lower than about 2c3, uniform and intimate groove filling is difficult to achieve.

上記被覆処理を行う前に、上記オリゴマ溶液を濾・めし
ておくことが重要である。少量の県濁粒子が存在しても
、半導体素子に重大な汚染を生じること:てなる。その
ような濾過は、例えば、0.5ミクロンのフィルタを用
いて容易に行われる。
It is important to filter and strain the oligomer solution before carrying out the coating treatment. Even a small amount of turbid particles can cause serious contamination of semiconductor devices. Such filtration is easily accomplished using, for example, a 0.5 micron filter.

上記溶媒の蒸発は、簡単な加熱により容易に行われ、同
様に、被膜の硬化も、加熱によって行われる。
Evaporation of the solvent is easily accomplished by simple heating, and curing of the coating is likewise accomplished by heating.

本発明の方法により、溝の完全な充填に於て、著しく良
好な結果が得られた。その充填材料は、分解又は揮発性
物質の発生を何ら生じることなく、400℃迄熱的に安
定である。
With the method of the invention, significantly better results were obtained in completely filling the grooves. The filling material is thermally stable up to 400°C without any decomposition or evolution of volatile substances.

F、実施例 実施例 1 単量体であるジェチニルジフェニルエーテル(DBDP
E)(825mmo4)を、16入りの4首丸底フラス
コ中に入れた。次に、ニッケルー2゜4−ペンタ/ジオ
ナート(4,16mmot)及びトリフェニルホスフィ
ン(11,6mmot) を加え、フェニルアセチレン
(1320mmot)及びジオキサン(301mt)中
で洗浄した。上記フラスコには、適合する1対の還流冷
却器、窒素及び真空の導入口並びに真空調節器、オーバ
ーヘッド型攪拌機、加熱用マントル、及び熱電対が備え
られていた。反応系が均質になる迄、内容物を窒素下で
攪拌した。次に、真空及び窒素を用いて、フラスコ内か
ら、6回酸素を除いた。マントルの表面温度を200℃
にし、フラスコ内の温度衾6時間半の間90℃に保ち、
その温度に於て還流を制御するために真空調節器を用い
た(15乃至18Hr)。
F, Examples Example 1 Monomer jetinyl diphenyl ether (DBDP
E) (825 mmo4) was placed in a 16 4 neck round bottom flask. Next, nickel-2°4-penta/dionate (4,16 mmot) and triphenylphosphine (11,6 mmot) were added and washed in phenylacetylene (1320 mmot) and dioxane (301 mmot). The flask was equipped with a matching pair of reflux condensers, nitrogen and vacuum inlets and vacuum regulators, an overhead stirrer, a heating mantle, and a thermocouple. The contents were stirred under nitrogen until the reaction was homogeneous. Oxygen was then removed from the flask six times using vacuum and nitrogen. The surface temperature of the mantle is 200℃
and keep the temperature inside the flask at 90℃ for 6 and a half hours.
A vacuum regulator was used to control reflux at that temperature (15-18 Hr).

この時点に於て、真空下の還流により、反応系を冷却さ
せた。
At this point, the reaction was cooled to reflux under vacuum.

上記の濃い重合体溶液?、少量の水酸化アンモニウム及
びメタノールを含むジオキサンで希釈し、大きな剪断速
変を加える攪拌が行われている、6倍の体積の10:1
のメタノール及び水酸化アンモニウムにゆっくり加える
ことKよって沈殿させた。沈殿した上記重合体を濾過し
て分離させ、メタノールで洗浄し、真空下で乾燥させた
。上記重合体のニッケル含有量を、酸を用いた抽出によ
り、更(で減少させた。上記の乾燥した重合体を1.5
6のトルエフ中に溶解させ、5%HC4水溶液(3x3
00ml)及び水(2X500mt) を用いて抽出し
、My S O4を用いて乾燥し、もう一度濾過した。
The thick polymer solution mentioned above? , diluted with dioxane with a small amount of ammonium hydroxide and methanol, and stirred to apply large shear rate changes, 6 times the volume 10:1.
of methanol and ammonium hydroxide. The precipitated polymer was separated by filtration, washed with methanol and dried under vacuum. The nickel content of the above polymer was further reduced by extraction with acid.
6 of Toluev, 5% aqueous HC4 solution (3x3
00ml) and water (2X500mt), dried over My SO4 and filtered once more.

得られた重合体溶液を、急速に攪拌されている5倍の体
積のメタノールにゆっくり加えることによって沈殿させ
、重合体を濾過して分離させ、メタノールで洗浄し、5
0℃の真空炉中で乾eLで、248Fのポリ(エチニル
フェニルエーテル)(PEPE)が得られた。
The resulting polymer solution was precipitated by slowly adding it to 5 times the volume of rapidly stirring methanol, the polymer was separated by filtration, washed with methanol and
Poly(ethynyl phenyl ether) (PEPE) of 248F was obtained with dry eL in a vacuum oven at 0°C.

1.3−ジメトキ/ベンゼン中に溶解された40重i%
のPEPEの溶液を形成した。その溶液を、05μのF
luoropore (ミリポア社(Millipor
eCorp、)の米国登録商標)フィルタを通して濾過
してから、溝を含むシリコン・ウニ・・上に付着した。
40% by weight dissolved in 1.3-dimethoxy/benzene
A solution of PEPE was formed. The solution was mixed with 05 μF
luoropore (Millipore)
eCorp, Inc.) filter and then deposited onto a groove-containing silicone urchin.

上記ウェハを、4000rpm  で60秒間回転させ
、窒素下で80℃のホット・プレート上(て配置した。
The wafer was spun at 4000 rpm for 60 seconds and placed on an 80° C. hot plate under nitrogen.

上記ホット・プレートを425℃に加熱し、その温度を
60分間維持した。それから、上記ホット・プレートを
室温迄冷却して、ウエノ・を取出した。上記方法の結果
、5μのPEPEの被膜から、充填されていない空隙を
何ら有さす、優れた表面の平坦性を有するウニ・・が得
られた。
The hot plate was heated to 425°C and maintained at that temperature for 60 minutes. Then, the hot plate was cooled to room temperature and the ueno was taken out. As a result of the above method, sea urchins with excellent surface flatness, without any unfilled voids, were obtained from a 5μ PEPE coating.

実施例 2 加熱用マントル、オーバヘッド型攪拌機、粉末漏斗、並
びに各々窒素及び真空の導入口を有する2つの適合する
還流冷却器を備えた、1を入りの4首丸底フラスコを準
備した。上記導入口を、マニホルドを経て、窒素及び真
空装置に連結されているパルプに連結した。上記装置は
、真空調節器を有しているべきである。上記装置を経て
9素を導入しながら、フラスコに、粉末漏斗を経て、7
8.20 ? (0,50mot、  1.50 no
/、のエチニル基)のトリエチニルベンゼン(TEB、
96%)、110.225’ (0,50mot、1.
00motのエチニル基)のジェチニルジフェニルエー
テル(DEDPE。
Example 2 A 4-neck round bottom flask containing 1 was prepared equipped with a heating mantle, an overhead stirrer, a powder funnel, and two compatible reflux condensers with nitrogen and vacuum inlets, respectively. The inlet was connected via a manifold to the pulp which was connected to a nitrogen and vacuum system. The device should have a vacuum regulator. While introducing 9 elements through the above device, 7
8.20? (0,50mot, 1.50 no
/, ethynyl group) of triethynylbenzene (TEB,
96%), 110.225' (0,50mot, 1.
00mot ethynyl group) jetynyl diphenyl ether (DEDPE.

99チ)、1.83 ? (6,2’5mmot)のニ
ッケルー2,4−ペンタンジオナート・二水塩、及び4
60P(175mmot)のトリフェニルホスフィンを
充填した。上記粉末を222ml (2,02mot)
のフェニルアセチレン(PA)中で洗浄し、上記PAを
368m1のジオキサ/中で洗浄した。そのとき、反応
系は単量体中、50重量%であった。
99chi), 1.83? (6,2'5 mmot) of nickel-2,4-pentanedionate dihydrate, and 4
It was charged with 60P (175 mmot) of triphenylphosphine. 222ml (2,02mot) of the above powder
of phenylacetylene (PA) and the PA was washed in 368 ml of dioxa/PA. At that time, the amount of the reaction system was 50% by weight in the monomer.

粉末漏斗をサーモウェルに取換えて、反応系が均質にな
る迄、該反応系を攪拌した。
The powder funnel was replaced with a thermowell and the reaction was stirred until it was homogeneous.

♀素を用いて、上記反応混合物から、6回酸素を除いた
後、急速に攪拌されている溶液を75℃迄迅速に(<1
5分)加熱した。75℃に於て環流を調節するために、
70乃至75℃に於て、真空を導入した。
After removing oxygen from the reaction mixture six times using
5 minutes). To control the reflux at 75°C,
A vacuum was applied at 70-75°C.

所望の分子量範囲に達したとき、還流により、反応系を
室温冷却した。真空下で、ジオキサンを除いた。残留物
を、500mtの塩化メチレン中に再び溶解させた。そ
の有機溶液を、5%HCt水溶液(3X 200 ml
 )及び脱イオン水(2×200 ml )を用いて洗
浄した。有機の相を、硫酸マグネ/ラム(sor)上で
乾燥させ、1002のシリカゲルを通して接遇した。そ
の溶液を、全重量が8002になる迄、放散させた。2
02の珪藻土及び202の硫酸マグネ/ラムを加えて、
再び濾過した。
When the desired molecular weight range was reached, the reaction system was cooled to room temperature by reflux. Dioxane was removed under vacuum. The residue was redissolved in 500 mt of methylene chloride. The organic solution was dissolved in 5% aqueous HCt solution (3X 200 ml
) and deionized water (2 x 200 ml). The organic phase was dried over magnes/sor and passed through 1002 silica gel. The solution was allowed to evaporate until the total weight was 8002. 2
Add 02 diatomaceous earth and 202 magne/rum sulfate,
Filtered again.

上記溶液を、急速に攪拌されている107のメタノール
中に滴下することにより、プリポリマを沈殿させた。黄
金色の団体を荒いガラス・フリットの漏斗を通して濾過
し、濾塊を250mtのメタノールで洗浄し、簡単に乾
燥させた。上記重合体を45乃至55℃の真空炉中で一
晩中乾燥させた。予想収量は、反応時間に応じて変化す
る。20分間の反応の場合、収量113.11P(29
鴫)の2100のM を有する重合体が得られた。
The prepolymer was precipitated by dropping the above solution into rapidly stirring 107 methanol. The golden mass was filtered through a coarse glass fritted funnel, and the filter mass was washed with 250 mt of methanol and briefly dried. The polymer was dried overnight in a vacuum oven at 45-55°C. Expected yields vary depending on reaction time. In the case of a 20 minute reaction, the yield was 113.11P (29
A polymer with an M of 2100 was obtained.

上記重合体、即ちシングル・ステーブ・アセチレニツク
・サーモセット・プリポリマ(SSATP)を、NMR
により、内部標準としてトルエンを用いて分析した結果
、末端アセチレンの含有量は912mmot/fである
ことが測定された。上記5SATP(50,C1,45
6mmot)及びフェニルアセチレン(1824mmo
t)を、500mtの滴下漏斗中に入れ、上記重合体を
溶解させた。
The above polymer, namely single stave acetylenic thermoset prepolymer (SSATP), was analyzed by NMR.
As a result of analysis using toluene as an internal standard, the content of terminal acetylene was determined to be 912 mmot/f. The above 5SATP (50, C1, 45
6mmot) and phenylacetylene (1824mmot)
t) into a 500 mt dropping funnel to dissolve the above polymer.

塩化第一銅(43,8mmot)及びテトラメチルエチ
レンジアミン(43,8mmot)を、2を入りの3首
丸底フラスコ中に入れ、400mtのクロロホルム中で
洗浄した。上記フラスコには、磁気攪拌機、熱電対、酸
素アスピレータ管、及びドライ・アイス冷却器を上部に
取付けられた滴下漏斗が備えられていた。上記触媒溶液
を攪拌し、上記アスピレータ管を1.〒で酸素を導入し
た。上記マントルの表面温度を30℃にして、上記溶液
を28℃迄加熱した。上記重合体溶液を迅速に加えた。
Cuprous chloride (43.8 mmot) and tetramethylethylenediamine (43.8 mmot) were placed in a 3-neck round bottom flask containing 2 and washed in 400 mt of chloroform. The flask was equipped with a magnetic stirrer, a thermocouple, an oxygen aspirator tube, and an addition funnel topped with a dry ice condenser. Stir the catalyst solution and insert the aspirator tube in 1. Oxygen was introduced at 〒. The surface temperature of the mantle was set at 30°C, and the solution was heated to 28°C. The above polymer solution was added quickly.

遅い発熱により、反応温度が30分間に亘り38℃迄増
加した。上記反応を28℃に一晩中維持した。
A slow exotherm increased the reaction temperature to 38°C over 30 minutes. The reaction was maintained at 28°C overnight.

上記反応混合物を、21の分液漏斗中に入れた。The above reaction mixture was placed in a 21 separatory funnel.

上記重合体溶液を10%HC4水溶M(3X400mt
)及び脱イオン水(2X400mt)で洗浄した。
The above polymer solution was mixed with 10% HC4 aqueous M (3X400mt
) and deionized water (2×400 mt).

上記溶液を、硫酸マグネンウム上で乾燥させた後、濾過
し、回転により蒸発乾固させた。上記重合体を、再び塩
化メチレン中に溶解させ、25C1のシリカゲル・カラ
ムを通して、上記塩化メチレンを用いて溶離させた。次
に、上記重合体溶液を回転により5002迄蒸発させ、
各々1o2の硫酸マグネシウム及び珪藻土を加えた。上
記重合体溶液を櫂過した後、急速に攪拌されている10
tのメタノール中にゆっくりと沈殿させた。上記スラリ
を濾過し、濾塊を500 mlのメタノールで洗浄し、
40℃の真空炉中で乾燥させて、64262のビス−ア
セチレンを末端に有する7/グル・ステップ・アセチレ
ニック・サーモセット重合体(BAT−8SATP)が
得られた。
The solution was dried over magnesium sulfate, filtered and evaporated to dryness by rotation. The polymer was again dissolved in methylene chloride and passed through a 25C1 silica gel column eluting with the methylene chloride. Next, the polymer solution was evaporated to 5002 by rotation,
102 each of magnesium sulfate and diatomaceous earth were added. After stirring the polymer solution, it is rapidly stirred.
It was slowly precipitated into t methanol. Filter the slurry, wash the filter cake with 500 ml of methanol,
After drying in a vacuum oven at 40° C., a 64262 bis-acetylene terminated 7/glu step acetylenic thermoset polymer (BAT-8SATP) was obtained.

N−メチルピロリドン中に溶解された40重全%のBA
T−8SATPの溶液を形成した。上記溶液を、05μ
のFluoropore フィルタを通して濾過した後
、溝を含む/リコン・ウニ・・上に付着したつ上記ウェ
ハを4000rpmで40秒間回転させ、窒素下で80
℃のホット・プレート上:こ配置した。60分後に、上
記ホット・プレートを100℃に加熱し、その温度に5
0分間維持した。その段階的な加熱/維持のサイクルを
、125.200,500及び425℃に於て反復した
40% BA dissolved in N-methylpyrrolidone
A solution of T-8SATP was formed. Add the above solution to 05μ
After filtration through a Fluoropore filter, the wafer containing the grooves/recontamination film attached on top was spun at 4000 rpm for 40 seconds and incubated under nitrogen for 80 minutes.
Place it on a hot plate at ℃. After 60 minutes, heat the hot plate to 100°C and keep it at that temperature for 5 minutes.
It was maintained for 0 minutes. The stepwise heat/maintenance cycle was repeated at 125, 200, 500 and 425°C.

上記ホット・プレートを400℃迄冷却し、その温度に
4時間維持した。それから、上記ホット・プレートを室
温迄冷却し、ウニ・・を取出した。
The hot plate was cooled to 400°C and maintained at that temperature for 4 hours. Then, the hot plate was cooled to room temperature and the sea urchins were taken out.

上記方法の結果、1μのBAT−3SATPの被膜から
、充填されていない空隙を何ら有さす、優れた表面の平
坦性を有するウエノ・が得られた。
As a result of the above method, a 1 micron coating of BAT-3SATP resulted in a Ueno film with excellent surface flatness and no unfilled voids.

実施例 6 上記実捲例1に於て得られた重合体PEPEを、NMR
により、内部標準としてトルエンを用いて分析した結果
、末端のアセチレンの含有量は104mmot、/r 
であることが測定された。加熱用マントル、電流冷却器
、窒素及び真空の導入口、オーバヘッド型攪拌機、及び
サーモウェルを備えた、16入りの丸底フラスコ中に、
10りの上記重合体、2.4mtのヨードベンゼン(2
1,6mmol)、540mりのトリフェニルホスフィ
ン(0,21mmot)、410mrの酢酸銅0−水塩
(0,21mmot)、570m9の塩化パラジウム(
0,21mmot)、6.6mtのy−ブチルアミン(
62mmot)、及び100mjのTHFを入れた。上
記内容物を攪拌し、窒素を用いて、3回酸素を除いたっ
上記フラスコを、−晩中還流させた。重合体溶液を、室
温迄冷却した後、回転により溶媒を蒸発させて除き、6
0m1のクロロホルム中に再び溶解させ、10%HC4
水溶液(3X 40 ml )及び脱イオン水(2x5
0rnt)で洗浄した。上記溶液を、硫酸マグネンウム
上で乾燥させ、3tのメタノール中に沈殿させた。上記
重合体のスラリを濾過し、メタノールで洗浄し、真空炉
中で乾燥させて、83?の重合体(トラン−PEPE)
が得られた。
Example 6 The polymer PEPE obtained in the above practical example 1 was subjected to NMR
As a result of analysis using toluene as an internal standard, the content of terminal acetylene was 104 mmot,/r
It was determined that In a 16-pack round bottom flask equipped with a heating mantle, electrical current condenser, nitrogen and vacuum inlets, overhead stirrer, and thermowell.
10 of the above polymer, 2.4 mt of iodobenzene (2
1,6 mmol), 540 mr triphenylphosphine (0,21 mmot), 410 mr copper acetate 0-hydrate (0,21 mmot), 570 m9 palladium chloride (
0.21 mmot), 6.6 mt y-butylamine (
62 mmot) and 100 mj of THF were added. The contents were stirred and deoxygenated three times with nitrogen and the flask was brought to reflux overnight. After the polymer solution was cooled to room temperature, the solvent was removed by evaporation by rotation.
Redissolved in 0 ml chloroform and 10% HC4
Aqueous solution (3X 40 ml) and deionized water (2x5
0rnt). The solution was dried over magnesium sulfate and precipitated into 3t of methanol. The polymer slurry was filtered, washed with methanol, and dried in a vacuum oven at 83? polymer (tran-PEPE)
was gotten.

上述のToIan−PEPEを、トランでキャップされ
た( tolan  capped )単量体を直接反
応させることによっても、形成した。ヨードベンゼンを
f)EDPEと反応させ、単量体を部分的に分離させる
ことにより、トランでキャップされたジエチニルノフェ
ニルエーテルな形成した。その部分的にキャップされた
DEDPE及びフェニルアセチレンを、赤外線技術によ
り更に反応が観察されなくなる迄、三量体にされた。上
記方法の結果、トラ/の反応位置及び極めて僅かな末端
アセチレンな有する、PEPEと同様な重合体が得られ
た。
The ToIan-PEPE described above was also formed by directly reacting tolan capped monomers. Iodobenzene was reacted with f) EDPE and the tolan-capped diethynylnophenyl ether was formed by partial separation of the monomers. The partially capped DEDPE and phenylacetylene were trimerized until no further reaction was observed by infrared techniques. The above process resulted in a polymer similar to PEPE with a tra/reactive position and very little terminal acetylene.

実施例 4 単量体の合成 機械的攪拌機、冷却器、及び窒素導入口を備えた1 0
00 ml入りの3首丸底フラスコ中に、4゜4’−’
;エチニルジフェニルエーテル(DEDPE)C684
y、300mmot)、トリエチルアミン(ilOml
)、及びヨードベンゼン(30,6?、100mmot
)を入れた。機械的に攪拌された懸濁液を均質な溶液が
得られる迄、温水浴中で温め、上記溶液を室温迄冷却さ
せるときに、9素の流れを用いて、上記溶液から6回酸
素を除いた。次に、触媒トラて、ビス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム・ジクロリド(52m5’、0.
07mmot)及ヒトリス(トリフェニルホスフィン)
M(I)・クロリド(7:l)mP、Q、 07 mm
o! )を加え、その結果生じた穏やかな発熱反応を水
浴を用いて緩和させた。上記白色スラリを2時間の間機
械的に攪拌した後、更に触媒(初めの量と同量)を加え
、更に6時間の間、反応を継続させた。この後に、上記
フラスコに径路の短かい蒸留ヘッドを取付けて、余分の
トリエチルアミンを真空下で温めながら除き、得られた
固体残留物にメタノール(200mt)を加え、その固
体を攪拌により分散させた。
Example 4 Monomer Synthesis 10 equipped with mechanical stirrer, cooler, and nitrogen inlet
In a 3-necked round bottom flask containing 00 ml, add 4°4'-'
; Ethynyldiphenyl ether (DEDPE) C684
y, 300 mmot), triethylamine (ilOml
), and iodobenzene (30,6?, 100mmot
) was added. The mechanically stirred suspension is warmed in a hot water bath until a homogeneous solution is obtained, and the solution is deoxygenated six times using a stream of 9 atoms as the solution is allowed to cool to room temperature. Ta. Next, the catalyst was prepared using bis(triphenylphosphine)palladium dichloride (52m5', 0.5m).
07mmot) and Hitris (triphenylphosphine)
M(I) Chloride (7:l) mP, Q, 07 mm
o! ) was added and the resulting mildly exothermic reaction was tempered using a water bath. After the white slurry was mechanically stirred for 2 hours, more catalyst (same amount as the initial amount) was added and the reaction continued for an additional 6 hours. After this, the flask was fitted with a short-path distillation head, excess triethylamine was removed while warming under vacuum, methanol (200 mt) was added to the resulting solid residue, and the solid was dispersed by stirring.

その激しく攪拌されている懸濁液に、水(200mt)
を5分間に亘って加え、10%HC4水溶液(300m
t)を10分間に亘って加えた。上記HC1水溶液の添
加が完了した後、上記スラリを更に10分間攪拌し、そ
れから吸引フィルタを通して濾過し、得られた白色の固
体を10%HC6水溶液(200ml)及び水(400
mt)で洗浄した。上記固体をフィルタ上で一晩中空気
乾燥させてから、温めたイノオクタン(500ml )
を用いて、200Omt入りのエルレノマイヤOフラス
コに移した。得られたスラリを沸騰させ、シリカゲル(
20y)及び硫酸マグネ/ラムを加え、その熱い溶液を
シリカゲルのパッドを通して重力により濾過し、別の熱
されたイノオクタン(300ml)で洗浄した。得られ
た濾液を、クリーム色の固体(60,0? )が得られ
る迄、回転蒸発させて濃縮させた。上記固体は、NMR
及び逆相クロマトグラフィを用いた分析の結果、55:
45(mol’l)の4−エチニルフェニル−47−フ
エニルニチニルフエニル書エーテル及U 4 、4’−
ジェチニルジフェニルエーテルの混合物であることが解
った。
Add water (200 mt) to the vigorously stirred suspension.
was added over 5 minutes, and 10% HC4 aqueous solution (300 m
t) was added over a period of 10 minutes. After the addition of the HC1 aqueous solution was completed, the slurry was stirred for another 10 minutes and then filtered through a suction filter, and the resulting white solid was mixed with 10% HC6 aqueous solution (200 ml) and water (400 ml).
mt). Air dry the above solid on the filter overnight, then add warmed inooctane (500 ml)
was used to transfer the mixture to a 200 Omt Erlenomayer O flask. Boil the resulting slurry and add silica gel (
20y) and Magnesium/Lum sulphate were added and the hot solution was filtered by gravity through a pad of silica gel and washed with another portion of hot inooctane (300ml). The resulting filtrate was concentrated by rotary evaporation until a cream colored solid (60.0?) was obtained. The above solid is NMR
And as a result of analysis using reversed phase chromatography, 55:
45 (mol'l) of 4-ethynylphenyl-47-phenylnithynylphenyl ether and U 4 , 4'-
It turned out to be a mixture of jetynyl diphenyl ether.

重合体の合成 102の上述のトランでキャンプされた単j1(体温合
物(45チのDEDPE及び55%のモノ働トランでキ
ャップされたDEDPEであることが分析された)を、
3662のDEDPEと混合して、2:1のDEDPE
及びトラン−DEDPE(37,4mmot: 18.
7mmot)の混合物を形成した。加熱用マントル、オ
ーバヘッド型攪拌機、サーモウェル、還流冷却器、窒素
及び真空の導入口、及び真空調節器を備えた100mt
入りの丸底フラスコ中に、フェニルアセチレ’(2,0
5mt。
Synthesis of Polymers 102 The above-mentioned tolan-camped monoj1 (thermocomposite (analyzed to be 45 H DEDPE and 55% mono-toran capped DEDPE)
2:1 DEDPE mixed with 3662 DEDPE
and Tolan-DEDPE (37,4 mmot: 18.
A mixture of 7 mmot) was formed. 100 mt with heating mantle, overhead stirrer, thermowell, reflux condenser, nitrogen and vacuum inlets, and vacuum regulator
Phenylacetylene' (2,0
5mt.

18.7mmot)、ニッケル・アセチルアセトナ−)
(310m 9 、 0. 1 0 5mmo t )
  、  ト リ フ エニルホスフイン(75m?、
0.28mmot)、及び15mtのジオキサンを加え
た。赤外線分光法によりエチニルが観察されなくなる迄
、反応を監視した。更に反応が生じなくなる迄、7時間
の間、90℃で上記反応を行った。上記反応系を50 
mlのジオキサンで希釈し、1400mtのメタノール
中に直接沈殿させた。上記スラリを濾過し、真空炉中で
一晩中乾燥させて、13.0El(収率84%)の17
000aM  を有する重合体が得られた。
18.7 mmot), nickel acetylacetoner)
(310m9, 0.105mmot)
, Triphenylphosphine (75m?,
0.28 mmot) and 15 mt of dioxane were added. The reaction was monitored until no ethynyl was observed by infrared spectroscopy. The above reaction was carried out at 90° C. for 7 hours until no further reaction occurred. 50% of the above reaction system
ml dioxane and precipitated directly into 1400 mt methanol. The slurry was filtered and dried in a vacuum oven overnight to yield 13.0 El (84% yield) of 17
000aM was obtained.

実施例 5 DEDPE(4,4’−ジェチニルジフェニル・エーテ
ル)及びPA(フェニルアセチレン)からの′°熱重合
体″の形成 還流冷却器、9素導入口、機械的攪拌機、及び内部熱電
対を備えた1 000 mllクシ3首丸底フラスコ中
に、DEDPE(160!P)、PA(732)、及び
ジグリム(240F)を入れた。
Example 5 Formation of a 'thermal polymer' from DEDPE (4,4'-jethynyldiphenyl ether) and PA (phenylacetylene) Reflux condenser, nine element inlet, mechanical stirrer, and internal thermocouple DEDPE (160!P), PA (732), and diglyme (240F) were placed in a 1000 ml comb 3-neck round bottom flask equipped with a 1000 ml comb 3-neck round bottom flask.

得られた溶液を攪拌し、加熱し、時々上記溶液からアリ
コートを取出して、それらの粘度を室温で測定した。上
記溶液を、120分間還流状態(〜162℃)に維持し
、次の90分間に亘り徐々に151℃迄冷却させ、52
C3の所望の粘度が得られる迄、更に70分間上記温度
に維持した。それから、単に上記溶液を室温迄冷却させ
ること:τより重合を停止させ、ジグリム溶液を急速:
C攪拌されている10倍のエタノール中に滴下して加え
ることにより、上記材料を沈殿させた。上記固体を濾過
により集め、窒素流中で乾燥させた後、1072(理論
的には、〜65%)の収量が得られた。
The resulting solution was stirred and heated, and aliquots were removed from the solution from time to time and their viscosity was measured at room temperature. The solution was maintained at reflux (~162°C) for 120 minutes, then gradually cooled to 151°C over the next 90 minutes, and then heated to 52°C.
The temperature was maintained for an additional 70 minutes until the desired viscosity of C3 was obtained. Then simply allow the solution to cool down to room temperature: τ to stop the polymerization and rapidly dissolve the diglyme solution:
The above material was precipitated by addition dropwise into stirred 10x ethanol. A yield of 1072 (~65% of theory) was obtained after collecting the solid by filtration and drying in a stream of nitrogen.

実施例 6 ″熱重合体パを用いた溝充填処理 上記実施例5に従って得られた乾燥したパ熱重合体″を
用いて、311csの粘度、並びに八12500、Mw
251000及びM、1390000のGPC分子量プ
ロフィルを有する、N−メチルピロリドン中に溶解され
た30重量係の溶液を形成した。上記N−メチルピロリ
ドン溶液を、0.5μのフィルタを通して、溝を含むン
リコン基板上に濾過し、4000rpm  で40秒間
回転被所して、20μの被膜を、形成した。
Example 6 ``Groove Filling Process Using Thermopolymer Pa'' The dried Thermopolymer obtained according to Example 5 above was used to obtain a viscosity of 311 cs and 812500, Mw.
A 30 weight solution dissolved in N-methylpyrrolidone was formed with a GPC molecular weight profile of 251,000 and M, 1,390,000. The above N-methylpyrrolidone solution was filtered through a 0.5μ filter onto a groove-containing substrate and spun at 4000 rpm for 40 seconds to form a 20μ film.

得られた被膜を、不活性雰囲気下のホット・プレート上
で、段階的に、毎分5℃の割合で160℃から210℃
に加熱し、60分間210℃の同一温度に保ち、毎分1
0℃の割合で210℃から400℃に加熱し、最後に2
40分間400℃の同一温度に保つことによって、硬化
させた。上記J、(仮をSEMにより調べた結果、完全
に充填された@伎び優れた基板の平坦性が示された。
The resulting coating was heated stepwise from 160°C to 210°C at a rate of 5°C per minute on a hot plate under an inert atmosphere.
and keep at the same temperature of 210℃ for 60 minutes, at 1 minute per minute.
Heating from 210℃ to 400℃ at a rate of 0℃, and finally 2
It was cured by keeping at the same temperature of 400° C. for 40 minutes. SEM examination of the above sample J showed complete filling and excellent substrate flatness.

実施例 7 溝光Jf1方法 ・4当な溶媒中に溶解された芳香族アセチレン・オリゴ
マ(PEPE)の60乃至70重fl:%溶液を形成し
た。上記溶液を、05μのFl uoroporeフィ
ルタを通して濾過した後、溝を含むノリコン・ウェハ上
に付着した。上記ウェハを6000乃至110000r
p  で40乃至60秒間回転させ、窒素化で80℃の
ホット・プレート上に配置シた。
Example 7 Mizoko Jf1 Method - A 60 to 70 weight fl:% solution of aromatic acetylene oligomer (PEPE) dissolved in a suitable solvent was formed. The solution was filtered through a 05μ Fluoropore filter and then deposited onto a Noricon wafer containing grooves. The above wafer was heated at 6000 to 110000 r.
Rotate for 40 to 60 seconds at 100 ml and place on a hot plate at 80° C. under nitrogen.

上記ホット・プレートを、毎分10℃の割合で、選択さ
れた硬化温度迄加熱した。充分な硬化が行われる迄、充
分な時間(30分乃至4時間)の間、上記硬化温度を保
ってから、上記ホット・プレートを室温迄冷却させ、ウ
ェハを取出した。上記方法の結果、1乃至10μのPE
PEの被膜から、充填されていない溝を何ら有さす、優
れた表面の平坦性を有するウニ・・が得られた。
The hot plate was heated at a rate of 10°C per minute to the selected curing temperature. After the curing temperature was maintained for a sufficient period of time (30 minutes to 4 hours) until sufficient curing occurred, the hot plate was cooled to room temperature and the wafer was removed. As a result of the above method, PE of 1 to 10μ
From the coating of PE, sea urchins were obtained with excellent surface flatness, without any unfilled grooves.

実施例 8 1、 溝を有するウェハを、キシレン中に溶解された3
5重量%のPEPE(0,45μに濾過されている)で
被覆し、3000rpmで回転させて、2.8μの厚さ
の被膜を形成した。2 上記のPEPEで被覆されたウ
ェハを、50℃のホット−プレート上に配置し、上記ホ
ット・プレートを毎分99℃の割合で400℃迄加熱し
% 30分間400℃に維持した。3 上記ウェハを最
終位置+10%迄、エツチングした。上記エツチングは
、RIE装置に於て、20secmの流量の02.10
0ワツトのR4、及び85乃至9QmTorr の圧力
を用いて、行った。4 上記ウェハをHF中に浸漬し、
洗浄し、そして再び被覆する前に乾燥させた。それらの
ウェハは、上記洗浄の後、イソプロパツール中に浸漬し
、回転をてより乾燥させ、それから100℃で15分間
ベーキングすることによって、乾燥させることができる
J5.上記ウニ・・を、キ/レン中に溶解された65重
量%のPEPE (0,45μに濾過されている)で再
び被覆し、3000rpmで回転させた。6.上記のP
EPEで被覆されたウェハを50℃のホン)−プレート
上に配置し、上記ホット・プレートを毎分99℃の割合
で400℃迄加熱し、60分間400℃に維持した。7
 上記ウニ・・を再び最終位置迄エツチングしだ。8 
上記のPEPEで被覆されたウェハを50℃のホット−
プレート上に配置し、毎分99℃の割合で425℃迄加
熱し、60分間425℃に維持した。9.SEMにより
調べた結果、良好に充填された溝及び優れた表面の平坦
性が示された。
Example 8 1. A wafer with grooves was dissolved in xylene.
It was coated with 5% by weight PEPE (0.45μ filtered) and spun at 3000 rpm to form a 2.8μ thick coating. 2 The above PEPE coated wafer was placed on a 50°C hot-plate and the hot plate was heated to 400°C at a rate of 99°C per minute and maintained at 400°C for 30 minutes. 3. The above wafer was etched to the final position +10%. The above etching was performed using an RIE device at a flow rate of 2.10 sec.
This was done using 0 watts of R4 and a pressure of 85-9 QmTorr. 4 Immerse the wafer in HF,
Washed and dried before recoating. After the above cleaning, the wafers can be dried by dipping in isopropanol, spinning dry, and then baking at 100° C. for 15 minutes J5. The sea urchins were recoated with 65% by weight PEPE (filtered to 0.45μ) dissolved in Ki/Lene and spun at 3000 rpm. 6. P above
The EPE coated wafer was placed on a 50°C hot plate and the hot plate was heated to 400°C at a rate of 99°C per minute and maintained at 400°C for 60 minutes. 7
The above sea urchin... is etched again to the final position. 8
The above PEPE coated wafer was heated to 50°C.
It was placed on a plate and heated to 425°C at a rate of 99°C per minute and maintained at 425°C for 60 minutes. 9. Examination by SEM showed well-filled grooves and excellent surface flatness.

c.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  半導体素子中の深い誘電体分離用の溝を充填するため
の方法に於て、 反応性エチニル基を有する芳香族重合体オリゴマを溶媒
中に溶解して、2乃至2000csの粘度を有する溶液
を形成し、 上記溶液を濾過し、 上記溝を含む半導体素子を上記溶液で被覆して、被膜を
形成し、 上記溶媒を蒸発させ、 上記被膜を加熱し、硬化させることを含む、誘電体分離
用の溝の充填方法。
[Claims] In a method for filling deep dielectric isolation trenches in a semiconductor device, an aromatic polymer oligomer having a reactive ethynyl group is dissolved in a solvent, and 2 to 2,000 cs. forming a solution having a viscosity, filtering the solution, coating a semiconductor device including the groove with the solution to form a coating, evaporating the solvent, and heating and curing the coating. , Method of filling trenches for dielectric isolation.
JP60155292A 1984-10-25 1985-07-16 Method of filling groove for separation of dielectric Pending JPS61102742A (en)

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US66463384A 1984-10-25 1984-10-25
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