JPS6098687A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
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- JPS6098687A JPS6098687A JP58206432A JP20643283A JPS6098687A JP S6098687 A JPS6098687 A JP S6098687A JP 58206432 A JP58206432 A JP 58206432A JP 20643283 A JP20643283 A JP 20643283A JP S6098687 A JPS6098687 A JP S6098687A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 241001385733 Aesculus indica Species 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000122235 Junco hyemalis Species 0.000 description 1
- 244000131360 Morinda citrifolia Species 0.000 description 1
- 210000004460 N cell Anatomy 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017524 noni Nutrition 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ガラス封止型の発光半導体装置に関する。
〔発明の技術的背角１とその問題点〕
近年、ガラス封止型の発光半導体装置が開発されている
。この発光半導体装置は、通常樹脂封止型の発光素子（
ｔｐｒ、ｏ）と比較して構造上安定しており、さらに小
型化、コストダウンが可能などの利点を有している。
。この発光半導体装置は、通常樹脂封止型の発光素子（
ｔｐｒ、ｏ）と比較して構造上安定しており、さらに小
型化、コストダウンが可能などの利点を有している。
ガラス封止型の発光半導体装置（以下単に発光半導体装
置と称する）Ｆｉ、第１図に示すような！９１えばリン
１ヒガリウム（ＧａＰ）等の化合物中４体からなる発光
ダイオードＩＯを発光素子本体としてガラス封止してな
る発光素子であるつここで、発光ダイオード１０は、通
常ＰＮ接合部ＩＩを有するＰ型ＧａＰ Ｊ砦（ｐ層）１
２ａ及びＨａ’Ｊ’ ｏａＰ ｊ響（Ｎ層）１２ｂから
なる。さらに、ＰＩＭｒｚａの表面上には、金合金（例
えばＡｕ−Ｂｅ 、 Ａｕ −Ｚｎ系合金）からなるア
ノード電極Ｉ３ａが被着されている。またＮ）Ｍｚ２ｂ
の表面上には、金合金（例えばＡｕ −Ｇｅ ｔ Ａｕ
−Ｓ Ｌ系合金）からなるカソード電極１３ ｂが被
着されている。
置と称する）Ｆｉ、第１図に示すような！９１えばリン
１ヒガリウム（ＧａＰ）等の化合物中４体からなる発光
ダイオードＩＯを発光素子本体としてガラス封止してな
る発光素子であるつここで、発光ダイオード１０は、通
常ＰＮ接合部ＩＩを有するＰ型ＧａＰ Ｊ砦（ｐ層）１
２ａ及びＨａ’Ｊ’ ｏａＰ ｊ響（Ｎ層）１２ｂから
なる。さらに、ＰＩＭｒｚａの表面上には、金合金（例
えばＡｕ−Ｂｅ 、 Ａｕ −Ｚｎ系合金）からなるア
ノード電極Ｉ３ａが被着されている。またＮ）Ｍｚ２ｂ
の表面上には、金合金（例えばＡｕ −Ｇｅ ｔ Ａｕ
−Ｓ Ｌ系合金）からなるカソード電極１３ ｂが被
着されている。
発光半導体装置は、上記のような発光ダイオードＩＯが
第２図に示すようなガラス劇２０により封止されてなり
、発光ダイオード１０のアノード′市、イ・ソＩ３ａ及
びカソード、１柁ｌ１１３ｂのそれぞれにはジュメット
４′早（決、ニッケル合金に；；司（ノン↑・、ニジて
なる沼婬） ２１ ａ Ｈ２１１−＋が接手・じされて
いる。このジュメット’ｊ！ｄ２１ ａ 、 ２１ ｂ
ｉｌ：ｊ：。
第２図に示すようなガラス劇２０により封止されてなり
、発光ダイオード１０のアノード′市、イ・ソＩ３ａ及
びカソード、１柁ｌ１１３ｂのそれぞれにはジュメット
４′早（決、ニッケル合金に；；司（ノン↑・、ニジて
なる沼婬） ２１ ａ Ｈ２１１−＋が接手・じされて
いる。このジュメット’ｊ！ｄ２１ ａ 、 ２１ ｂ
ｉｌ：ｊ：。
冗光ダイオード１０と共にガラス材２ｏにより封止され
、’６ ｊｌｉｉｊ ｆ７３ Ｋ ｉ’；ｉリードｆｉ
ｂ’！ ２２ａ’ ＋ ２２ｂが徽かｉじされている。
、’６ ｊｌｉｉｊ ｆ７３ Ｋ ｉ’；ｉリードｆｉ
ｂ’！ ２２ａ’ ＋ ２２ｂが徽かｉじされている。
しかしながら、上記のような＋ｊ′〜′成の発光生菌・
体技１ｊ’；では、発光り“イオ〜ド１０リカソード′
１，１ｊ（ｔｉ、 １３ ｂに膠いてジュメット線；＋
’（： ２ｚ ｂが４１渇ブじきれると、Ｎハ゛す１２
ｂと′１“、７４’ｅＪ’、〕３ｂ１昌］のオーミック
４５’ ｉ′：が７“Ｊ（“、ｆヒするｊ′￥、ζ］ｐ
が′１三することがある。これは、′、銹光ターイオー
ド１ｏとジュメット負号：２１ｂをガラス封止する１′
乃の一；１５処Ｉ４１１に上り、カソード電ｐｇ ７．
９ ｔ）を構成する金合金の金が溶ｉ１”’ して金含
有・后が変１にするつｒ、の原因によるものと考えらノ
１．る。このため、１りりえばｉ（’５３図に示すよう
に実際のン゛Ｊ造ザンプル３０において、１１ｉ１方向
ｊ：ｔＩｆＶ Ｆ ４！「性テストで最大許容値３１を
２．５（ＶＪ（但し１０方向電流ＩＦは２ｏＣｍＡ〕と
した〕、４合、許容値を越える不良サンプル（第３図の
矢印３２で示す１ｉｌｊ囲の各サンプル）が全体の５０
％程度にもなることがあった。したがって、結果として
製造歩留りが極めて、９１．’−化する欠点があった。
体技１ｊ’；では、発光り“イオ〜ド１０リカソード′
１，１ｊ（ｔｉ、 １３ ｂに膠いてジュメット線；＋
’（： ２ｚ ｂが４１渇ブじきれると、Ｎハ゛す１２
ｂと′１“、７４’ｅＪ’、〕３ｂ１昌］のオーミック
４５’ ｉ′：が７“Ｊ（“、ｆヒするｊ′￥、ζ］ｐ
が′１三することがある。これは、′、銹光ターイオー
ド１ｏとジュメット負号：２１ｂをガラス封止する１′
乃の一；１５処Ｉ４１１に上り、カソード電ｐｇ ７．
９ ｔ）を構成する金合金の金が溶ｉ１”’ して金含
有・后が変１にするつｒ、の原因によるものと考えらノ
１．る。このため、１りりえばｉ（’５３図に示すよう
に実際のン゛Ｊ造ザンプル３０において、１１ｉ１方向
ｊ：ｔＩｆＶ Ｆ ４！「性テストで最大許容値３１を
２．５（ＶＪ（但し１０方向電流ＩＦは２ｏＣｍＡ〕と
した〕、４合、許容値を越える不良サンプル（第３図の
矢印３２で示す１ｉｌｊ囲の各サンプル）が全体の５０
％程度にもなることがあった。したがって、結果として
製造歩留りが極めて、９１．’−化する欠点があった。
本発明は上記の碧ｆγＴ Ｋ号みて々されたもので、そ
の目的はジュメット音を接Ｍｅするカソード電極と発光
ダイオードのＮ層とのオーミック接触を凹好眞して、製
造歩留りを向上させることができるガラス封止型の発光
半導体装１４１を提供することにある。
の目的はジュメット音を接Ｍｅするカソード電極と発光
ダイオードのＮ層とのオーミック接触を凹好眞して、製
造歩留りを向上させることができるガラス封止型の発光
半導体装１４１を提供することにある。
〔弁明のｌｉ１要〕
本発明では、ガラス封止型の発光半導体装置において、
発光ダイオードのＮｊ轡憫であるカソード電極がＮ層に
被着される金合金及びその金合金の表面に被着される匂
、！Ｐの２層で構成される。この銀層の表面上に対して
、Ｎ７Ｍ（！ｉｌ＋のジュメット、ｉぜが接続される。
発光ダイオードのＮｊ轡憫であるカソード電極がＮ層に
被着される金合金及びその金合金の表面に被着される匂
、！Ｐの２層で構成される。この銀層の表面上に対して
、Ｎ７Ｍ（！ｉｌ＋のジュメット、ｉぜが接続される。
このような４’：ｔＪ造により、ガラス１１屯される際
の・、・も処理前による発光ダイオードのＮｔトうとカ
ソードｉＦ７． ％−間のオーミック接触の悪化を防止
でき、ｆｌｆｌ（’？こなｆ酊方向ｔげ圧’Ｆ’Ｊ’性
をイ；することができる。
の・、・も処理前による発光ダイオードのＮｔトうとカ
ソードｉＦ７． ％−間のオーミック接触の悪化を防止
でき、ｆｌｆｌ（’？こなｆ酊方向ｔげ圧’Ｆ’Ｊ’性
をイ；することができる。
以下：すこ１而を２′：：照して不発１σｊの一′ノニ
施列について：ｊ＞：、明する。；、５４． ｌ？ζｌ
ｔｄ−実施例に係わるガラス月止剪の発光中・・・；’
； １：＋装置６“！１］いられる発光ダイオードの１
１＋′シ成を示すＨｊｉ而図面イりる。弔４（墓に示す
３と光ダイオード４０は、Ｐ Ｎセｒ合部１１をイｊす
るｐｊ；（例えｉＪ Ｐ ４１ ＧａＰ Ｉｔｉ ）
１２”及びＮ Ｉｐ：ｉ （１伺えばＮ則ＧａＰ ｌに
）１２ｂからなる。さらに、Ｐ ｊ；”ＨＩ ２ ａの
λ゛（面上には、金ｆ１金（、ｆ’ｌｌｌえばへｌ］−
Ｂｅ＋へｕ−Ｚｎ系合金）が比］１゛（的厚＜ （）ｉ
’りえは１．４μｍ ） 形５ν、さねてなるアノード
′１’Ｉｊｉ’ｊｊ、 Ｉ ３ ａが設けられる。一方
、Ｎ層１２ｂのイ゛〈向上には、金合金（＋＋：ｉえば
Ａｌｌ Ｇｅ ＋ Ａｌｌ ｉ’ｉ １糸合金）４Ｉが
比ｉｂ’Ｑ的ｉ！Ｉｃ ＜ （例えＬｌ： ０．４ μ
ｍ）形成される。次に、金合金（ｆ４４１の、（、而」
二には（四パ、・４２が己・＜ｉ形成される。即ち、金
倉１７４ｒ及び銀１９′＋４２０２層からなるカッ〜ド
雷、（ｉり４３が形成されたことになる。
施列について：ｊ＞：、明する。；、５４． ｌ？ζｌ
ｔｄ−実施例に係わるガラス月止剪の発光中・・・；’
； １：＋装置６“！１］いられる発光ダイオードの１
１＋′シ成を示すＨｊｉ而図面イりる。弔４（墓に示す
３と光ダイオード４０は、Ｐ Ｎセｒ合部１１をイｊす
るｐｊ；（例えｉＪ Ｐ ４１ ＧａＰ Ｉｔｉ ）
１２”及びＮ Ｉｐ：ｉ （１伺えばＮ則ＧａＰ ｌに
）１２ｂからなる。さらに、Ｐ ｊ；”ＨＩ ２ ａの
λ゛（面上には、金ｆ１金（、ｆ’ｌｌｌえばへｌ］−
Ｂｅ＋へｕ−Ｚｎ系合金）が比］１゛（的厚＜ （）ｉ
’りえは１．４μｍ ） 形５ν、さねてなるアノード
′１’Ｉｊｉ’ｊｊ、 Ｉ ３ ａが設けられる。一方
、Ｎ層１２ｂのイ゛〈向上には、金合金（＋＋：ｉえば
Ａｌｌ Ｇｅ ＋ Ａｌｌ ｉ’ｉ １糸合金）４Ｉが
比ｉｂ’Ｑ的ｉ！Ｉｃ ＜ （例えＬｌ： ０．４ μ
ｍ）形成される。次に、金合金（ｆ４４１の、（、而」
二には（四パ、・４２が己・＜ｉ形成される。即ち、金
倉１７４ｒ及び銀１９′＋４２０２層からなるカッ〜ド
雷、（ｉり４３が形成されたことになる。
上記のような構成の発光り“イオード４０は、以下のよ
うにして形成さｔＬる。即ち、Ｎ５ｐＧａＰ基板上に気
相エピタキシャル成長法によりＮ）脅１２ｂが形成され
る。このＮＪ脅ｚ２ｂ上に対して、気相エピタキシャル
成長法によりｐ ｊ（ｙＪ １２ａが形成され、ＰＮ接
合部１１が（・′ｄ成される。そして、Ｐｌ曽１２ａお
よびＮ ｉ會ＩＺｂの各表面上には、蒸Ｍ法等により金
合金層１３ａ、４１がそれぞれ形成される。次にＮＪｍ
ｚ２ｂ側の金合金）；７４ｚの表面上には蒸着法等によ
り銀層４２が形成される。このような発光グイオード４
０力弓５２図に示すようにガラス″封止されると、ガラ
ス封止型の発光半導体装置が４１可成される。
うにして形成さｔＬる。即ち、Ｎ５ｐＧａＰ基板上に気
相エピタキシャル成長法によりＮ）脅１２ｂが形成され
る。このＮＪ脅ｚ２ｂ上に対して、気相エピタキシャル
成長法によりｐ ｊ（ｙＪ １２ａが形成され、ＰＮ接
合部１１が（・′ｄ成される。そして、Ｐｌ曽１２ａお
よびＮ ｉ會ＩＺｂの各表面上には、蒸Ｍ法等により金
合金層１３ａ、４１がそれぞれ形成される。次にＮＪｍ
ｚ２ｂ側の金合金）；７４ｚの表面上には蒸着法等によ
り銀層４２が形成される。このような発光グイオード４
０力弓５２図に示すようにガラス″封止されると、ガラ
ス封止型の発光半導体装置が４１可成される。
−上記のように構成されるガラス封止型の発光半湧、体
玲ｒ、ｐ＋、において、その作用効果を説明する。
玲ｒ、ｐ＋、において、その作用効果を説明する。
発光半導体装置は、・治２図に示すように発光グイオー
゛ド４０のアノード’ｉＥ’ ”ｌｊ賀１３ａ及びカソ
ード電鶴４３のそれちれにジュメット線が接続される。
゛ド４０のアノード’ｉＥ’ ”ｌｊ賀１３ａ及びカソ
ード電鶴４３のそれちれにジュメット線が接続される。
このジュメットｆｉ７ｊｊは、！１！ｊ 記のように狙
常、″ｊ１、ニッケル合金に々１．ｊ］被４ｇｚニー
１．てなる；、；（（である。
常、″ｊ１、ニッケル合金に々１．ｊ］被４ｇｚニー
１．てなる；、；（（である。
そして、発光り”イオード４ｏ及びシュメツＦ ｎＪ＋
！が、１１ζに一体化されるようにガラスイ’４’ （
第２ 図（１）２０）によりガラス？」止がＪｎｔさオ
Ｌる。このとき、ズ・５常カラス４・１止処理の際に必
要７′Ｉ：熱処理が？〕なわれる。このＪ□！、ｊ ＆
、発光ダイオード４ｏのカソード電泳４．？は、−１−
記のようにＣイｒ＜１４ｚ及びクシ２灰４２の２１育か
らイ（；成されているたＭ）、グ・ｊミ処１１１−の１
顎の力［けＪシにより金倉４ｚ４１の金がシュメツ１、
ｔ！−ｔ’目ｔｉｌｌ Ｋη７１、′）・旦するなど
の状態を防止できる。
！が、１１ζに一体化されるようにガラスイ’４’ （
第２ 図（１）２０）によりガラス？」止がＪｎｔさオ
Ｌる。このとき、ズ・５常カラス４・１止処理の際に必
要７′Ｉ：熱処理が？〕なわれる。このＪ□！、ｊ ＆
、発光ダイオード４ｏのカソード電泳４．？は、−１−
記のようにＣイｒ＜１４ｚ及びクシ２灰４２の２１育か
らイ（；成されているたＭ）、グ・ｊミ処１１１−の１
顎の力［けＪシにより金倉４ｚ４１の金がシュメツ１、
ｔ！−ｔ’目ｔｉｌｌ Ｋη７１、′）・旦するなど
の状態を防止できる。
したがって、Ｎ＃ｉ Ｉ ２ ｂとカソードｉｔ、’謙
・、 ４３間は、十分なオーミック！［）°性を１１１
られるよう乙：ｉ、Ｊ’４． ！’ｌ＋’叫ノ、ｊＩｊ
、′で保持されることになる１、このｌ二と）、ガラス
１．ｘｊ ＋ト、された状ｐ１コで、発９′Ｃグイオー
ド４゜−ジュメットｈ１を介して供給されるｉＬ’ ｌ
＞ｉｉ； ＫよりＢ４’−ノ；に動作し、所フｉ２のイ
・、光ヰ１１性を発４ｉ１ζできる。
・、 ４３間は、十分なオーミック！［）°性を１１１
られるよう乙：ｉ、Ｊ’４． ！’ｌ＋’叫ノ、ｊＩｊ
、′で保持されることになる１、このｌ二と）、ガラス
１．ｘｊ ＋ト、された状ｐ１コで、発９′Ｃグイオー
ド４゜−ジュメットｈ１を介して供給されるｉＬ’ ｌ
＞ｉｉ； ＫよりＢ４’−ノ；に動作し、所フｉ２のイ
・、光ヰ１１性を発４ｉ１ζできる。
；：１’＃ ５１ツ＋ ｉｔ 、ンＪζ４ ｆ＝ｌ ｏ
ｉｊ、光グイオー５’４０を／’ｎｉイ、／、 ＜、
ｆ（ｌ；ｔ、、）＃；、＋１ 、ｉ貴ザ／プル５ｏにお
いて、順方向、［１゜Ｉｆ Ｖ １・・特性のテスト結
月−を示すものである。第５図に示すように、最大許容
値３Ｉを２．５ ［Ｖ］（但し順方向電流ＩＦは２０〔
ｍへ〕）とした場合、サンプル５０のほとんど全ては許
容値の範囲内であった。これにより、第４図に示すよう
な発光ダイオード４０を用いたガラス封止型の発光半導
体装置の製造歩留を従来と比較して大幅に向上すること
ができる。
ｉｊ、光グイオー５’４０を／’ｎｉイ、／、 ＜、
ｆ（ｌ；ｔ、、）＃；、＋１ 、ｉ貴ザ／プル５ｏにお
いて、順方向、［１゜Ｉｆ Ｖ １・・特性のテスト結
月−を示すものである。第５図に示すように、最大許容
値３Ｉを２．５ ［Ｖ］（但し順方向電流ＩＦは２０〔
ｍへ〕）とした場合、サンプル５０のほとんど全ては許
容値の範囲内であった。これにより、第４図に示すよう
な発光ダイオード４０を用いたガラス封止型の発光半導
体装置の製造歩留を従来と比較して大幅に向上すること
ができる。
なお、上記実施し１］においてカソード′電極４３のσ
Ｊ’５２４２の代りに金層を用いることも考えられるが
、金は銀と比吸してコストが高いため製雀コスト全体を
増大させることになり、実際的でない。オだアノード電
極Ｉ３ａは、通當の樹脂」、１止壓等の際にはワイヤボ
ンディングされることがあるため、前記のように金合金
層が比較的Ｊ’、ｔ ＜形成されている。このため、ガ
ラス封止の除の熱処理が施されても、 ｐＲ；ｊ Ｉ
２ ａとアノード′改極ｚ、？、ａ間のオーミック接触
が（°ｉなわれることはない。
Ｊ’５２４２の代りに金層を用いることも考えられるが
、金は銀と比吸してコストが高いため製雀コスト全体を
増大させることになり、実際的でない。オだアノード電
極Ｉ３ａは、通當の樹脂」、１止壓等の際にはワイヤボ
ンディングされることがあるため、前記のように金合金
層が比較的Ｊ’、ｔ ＜形成されている。このため、ガ
ラス封止の除の熱処理が施されても、 ｐＲ；ｊ Ｉ
２ ａとアノード′改極ｚ、？、ａ間のオーミック接触
が（°ｉなわれることはない。
以上Ｉ；１１述したように本発明によれば、ガラス封止
型の発光半導体装ｌｉｔにおいて、”ｊＴｊ光ダイオー
ドのカソード１】が極とＮ層間のオーミック接触を確実
に保持することができる。したがって、１１°ど１方向
′・１℃出特性灯のイ１ηれた発光子２り体疾１７・ケ
提９１、でき、結偲的に９゛！造歩留りを犬１：１°月
Ｃ向土すると（！：ができるものである。
型の発光半導体装ｌｉｔにおいて、”ｊＴｊ光ダイオー
ドのカソード１】が極とＮ層間のオーミック接触を確実
に保持することができる。したがって、１１°ど１方向
′・１℃出特性灯のイ１ηれた発光子２り体疾１７・ケ
提９１、でき、結偲的に９゛！造歩留りを犬１：１°月
Ｃ向土すると（！：ができるものである。
・：疼１１゛ど１は従来の発光ダイオードの１．・２成
を示すにノテ＋貞１１’；＜ｌ、ｒ：’［％ ２ ｌ”
ｌは；３１１図）’；； ：）Ｙ二ｐ−イーＡ−−トラ
Ｉｌｌいたガラス封ＩＦ型の発光子、７：、：休く一モ
ト１゛の°、゛、ｊ゛成を２１ぐず断面１゛（１、’：
、Ｎ： ３１ｒｌｌ ハ！”２’ｚ ２ ＋−Ｙｌ ）
％Ａ 九半１．’ｊ’ （’ｊ：４４＝ ｂ”： Ｋお
けるｉ＋；４ｇ 、、、；、７サンブルのｊｉ的力方向
ｉ’： ｉに１”Ｉ’ ｈ−テストぐ吉−１（−を示す
Ｆ；７１ 、 ；、７＋、 ４図は本発明の−”４７：
；ｔ １；’＋１１（イ、Ｙ・ゎる発ｆｆ′自ダイオー
ドのダノ・）成を示ずｌ？；ＩＦ ＋＋’ｔｉ ｉｌＩ
、耳ジ５１；（＋１１′ｉ浄ｋ ４ Ｍの発光ダイオー
ドを用いたガラス１″１止マ（すの発尾半・２う、休−
ｐ、、 ｌｉ“−に赴けるｃＪ°錦冒シーンプルの１１
：□、１方向任；圧７ｉ１＋性テストｆ、＋ｉ果を示す
］・〈１である。 ” ＦＬ ’・・ｐ ｌＬ′ｊ、ｉ、Ｉ ２ ｂ−Ｎ層
、Ｚ ；？ ａ 用アノード１尤極、Ｚ 、９ ｂ 、
４３−・・カソードｊ１’Ｂ ％ｆ’、、２１ｔｒ＋
２１ｂ・・・ジュメット線、２０・・・ガラスＬ＋、４
ｚ・・・金合金、４２・・・銀、層。 出１ｓ＋Ｍ人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ 図 １３゛ｂ ；’、ｑ ２ ｒ＝ｑ ０ 第３図 ３．１ 順狛電圧ＶＦ ［Ｖ］ 第４１”４ ２ 第５済 １ 順加職圧 ＶＦ＝ （Ｖ ｌ
を示すにノテ＋貞１１’；＜ｌ、ｒ：’［％ ２ ｌ”
ｌは；３１１図）’；； ：）Ｙ二ｐ−イーＡ−−トラ
Ｉｌｌいたガラス封ＩＦ型の発光子、７：、：休く一モ
ト１゛の°、゛、ｊ゛成を２１ぐず断面１゛（１、’：
、Ｎ： ３１ｒｌｌ ハ！”２’ｚ ２ ＋−Ｙｌ ）
％Ａ 九半１．’ｊ’ （’ｊ：４４＝ ｂ”： Ｋお
けるｉ＋；４ｇ 、、、；、７サンブルのｊｉ的力方向
ｉ’： ｉに１”Ｉ’ ｈ−テストぐ吉−１（−を示す
Ｆ；７１ 、 ；、７＋、 ４図は本発明の−”４７：
；ｔ １；’＋１１（イ、Ｙ・ゎる発ｆｆ′自ダイオー
ドのダノ・）成を示ずｌ？；ＩＦ ＋＋’ｔｉ ｉｌＩ
、耳ジ５１；（＋１１′ｉ浄ｋ ４ Ｍの発光ダイオー
ドを用いたガラス１″１止マ（すの発尾半・２う、休−
ｐ、、 ｌｉ“−に赴けるｃＪ°錦冒シーンプルの１１
：□、１方向任；圧７ｉ１＋性テストｆ、＋ｉ果を示す
］・〈１である。 ” ＦＬ ’・・ｐ ｌＬ′ｊ、ｉ、Ｉ ２ ｂ−Ｎ層
、Ｚ ；？ ａ 用アノード１尤極、Ｚ 、９ ｂ 、
４３−・・カソードｊ１’Ｂ ％ｆ’、、２１ｔｒ＋
２１ｂ・・・ジュメット線、２０・・・ガラスＬ＋、４
ｚ・・・金合金、４２・・・銀、層。 出１ｓ＋Ｍ人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ 図 １３゛ｂ ；’、ｑ ２ ｒ＝ｑ ０ 第３図 ３．１ 順狛電圧ＶＦ ［Ｖ］ 第４１”４ ２ 第５済 １ 順加職圧 ＶＦ＝ （Ｖ ｌ
Claims (1)
- ＰＮ接合素子からなる発光素子と、この発光素子のＰ層
表面に被着される金合金からなるアノード電極と、上記
発光素子のＮ層表面に被着される金合金及びその金合金
の表面上に被着される銀層の２層からなるカソードｌ＠
と、上記アノード電極およびカソード電極のそれぞれに
接続される各ジュメット線と、このジュメット線および
上記発光素子を一体化して封止するガラス封止外囲器と
を具備してなることを特徴とする発光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206432A JPS6098687A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206432A JPS6098687A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098687A true JPS6098687A (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=16523274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206432A Pending JPS6098687A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6098687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911678B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-06-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Glass-sealed light-emitting diode |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58206432A patent/JPS6098687A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911678B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-06-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Glass-sealed light-emitting diode |
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