JPS6097306A - 集積化光学系構成素子 - Google Patents
集積化光学系構成素子Info
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- JPS6097306A JPS6097306A JP59209948A JP20994884A JPS6097306A JP S6097306 A JPS6097306 A JP S6097306A JP 59209948 A JP59209948 A JP 59209948A JP 20994884 A JP20994884 A JP 20994884A JP S6097306 A JPS6097306 A JP S6097306A
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- Japan
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- layer
- component
- guide
- optical system
- unibu
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/131—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using epitaxial growth
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、屈折率０３ の単結晶光ウニイブガイド層が
設けられた屈折率ｎ、とガーネ・ノド型構造とを有する
材料の単結晶基板を備える、特に可視および／または赤
外波長領域の電磁放射光を案内する為の集積化光学系構
成素子に関するものである。
設けられた屈折率ｎ、とガーネ・ノド型構造とを有する
材料の単結晶基板を備える、特に可視および／または赤
外波長領域の電磁放射光を案内する為の集積化光学系構
成素子に関するものである。
集積化光学系構成素子には、（受動的な）光ウニイブガ
イドまたは電気光学装置若しくは磁気光学装置において
能動層として作用し寿る単結晶の光ウニイブガイド層が
必要である。光ウニイブガイドの実験は、１９７５年ニ
ューヨークのＩＩ、Ｃｈａｎｇ によって出版されたＩ
ＢＢＢ ＰＲＢＳＳＳｅｌｅｃｔｅｄ Ｒｅｐｒｉｎｔ
５ｅｒｉｅｓ ″の第１１１〜１１６ 頁の“Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ ＢｕｂｂｌｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ 二 Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄ−Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃｓｆｏｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｏｒａｎｇｅ ａｎ
ｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ″にて既知であり、これに
は１〜５μｍの波長領域の光波がＧｄ５（Ｓｃ２八Ｉ３
）０．２の基土にエピタキシャル成長したＢＩＩ３
Ｇａｓ ０１２層中を伝搬することが開示されている。
イドまたは電気光学装置若しくは磁気光学装置において
能動層として作用し寿る単結晶の光ウニイブガイド層が
必要である。光ウニイブガイドの実験は、１９７５年ニ
ューヨークのＩＩ、Ｃｈａｎｇ によって出版されたＩ
ＢＢＢ ＰＲＢＳＳＳｅｌｅｃｔｅｄ Ｒｅｐｒｉｎｔ
５ｅｒｉｅｓ ″の第１１１〜１１６ 頁の“Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ ＢｕｂｂｌｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ 二 Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄ−Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃｓｆｏｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｏｒａｎｇｅ ａｎ
ｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ″にて既知であり、これに
は１〜５μｍの波長領域の光波がＧｄ５（Ｓｃ２八Ｉ３
）０．２の基土にエピタキシャル成長したＢＩＩ３
Ｇａｓ ０１２層中を伝搬することが開示されている。
更に上記文献より、Ｇ［１３Ｇａｓ口、２基板（ｎ＝１
．９４±０．０２） 上に成長したＹｓ （Ｇａ＋、＋
ＳＣ０，４Ｆｅ３−ｓ ） ０１２層（ｎ ＝２．１
）を有する磁気光学的に能動的なウニイブガイドにおけ
るＨｅ−Ｎｅ レーザー放射光のスイッチングおよび変
調に関する実験が知られている。
．９４±０．０２） 上に成長したＹｓ （Ｇａ＋、＋
ＳＣ０，４Ｆｅ３−ｓ ） ０１２層（ｎ ＝２．１
）を有する磁気光学的に能動的なウニイブガイドにおけ
るＨｅ−Ｎｅ レーザー放射光のスイッチングおよび変
調に関する実験が知られている。
この光伝搬機能を満足し得るためには、ウニイブガイド
層は該層を包囲する材料の屈折率よりも高い屈折率を有
していなければならない。これは、Ｒ３Ｇａ５０．ｓ層
（ｎ ＝１．９４±０．０２）がＲ３（ＳＣ２Ａ］３
） ０１ｚ基板（ｎ ＝１．８７±０．０２）上に成長
した既知の（受動）光ウニイブガイドにて実現される。
層は該層を包囲する材料の屈折率よりも高い屈折率を有
していなければならない。これは、Ｒ３Ｇａ５０．ｓ層
（ｎ ＝１．９４±０．０２）がＲ３（ＳＣ２Ａ］３
） ０１ｚ基板（ｎ ＝１．８７±０．０２）上に成長
した既知の（受動）光ウニイブガイドにて実現される。
尚、ここでＲは希土類金属イオンである。これの第１の
欠点は、Ｇｄｓ Ｇａｓ ０１２をその屈折率 （ｎ＝
１、９４５＞が他方のウニイブガイド層のＲ３Ｇａｓ
０１２材に対し高過ぎるために基板として使用できず、
このためにＲ３（Ｓ（：２ 八１３ ） ０１２ を基
板材料として使用しなければならないことにある。この
場合に、Ｇｄ３ Ｇａ５Ｏ１２はハイ−グレードな物理
光学的品質の単独ガーネット型単結晶であり、これは大
量生産に適した工業規模でツォクラルスキー法により成
長する。第２の欠点は、ウニイブガイド層と基板との屈
折率の差が比較的小さく、層のウニイブガイド機能が最
適ではないことである。既知の磁気光学的に能動的なウ
ニイブガイドに関しては、上記の如き任意欠点は該当し
ないかまたはほんの僅かな程度しか該当しない。しかし
、磁気光学的に能動的な履用の材料としてＹｓ （ｃａ
ｌ、’ｌ ＳＣ０，４ＦＢ３．５ ） Ｄ＋２ を使用
する場合には、当該組成の材料が有する磁気および磁気
光学特性、光吸収並びに格子定数を満足すべきであると
いう欠点を伴う。
欠点は、Ｇｄｓ Ｇａｓ ０１２をその屈折率 （ｎ＝
１、９４５＞が他方のウニイブガイド層のＲ３Ｇａｓ
０１２材に対し高過ぎるために基板として使用できず、
このためにＲ３（Ｓ（：２ 八１３ ） ０１２ を基
板材料として使用しなければならないことにある。この
場合に、Ｇｄ３ Ｇａ５Ｏ１２はハイ−グレードな物理
光学的品質の単独ガーネット型単結晶であり、これは大
量生産に適した工業規模でツォクラルスキー法により成
長する。第２の欠点は、ウニイブガイド層と基板との屈
折率の差が比較的小さく、層のウニイブガイド機能が最
適ではないことである。既知の磁気光学的に能動的なウ
ニイブガイドに関しては、上記の如き任意欠点は該当し
ないかまたはほんの僅かな程度しか該当しない。しかし
、磁気光学的に能動的な履用の材料としてＹｓ （ｃａ
ｌ、’ｌ ＳＣ０，４ＦＢ３．５ ） Ｄ＋２ を使用
する場合には、当該組成の材料が有する磁気および磁気
光学特性、光吸収並びに格子定数を満足すべきであると
いう欠点を伴う。
本発明の目的は、上記困難を克服することを目的とする
。この目的のために本発明においては最初に述べた種類
の構成素子は、屈折率ｎ、 （Ｒ２＜口、）を有する誘
電層が基板表面上でエピタキシャル成長し、また屈折率
ｎ３ （ｆｌｙ ＞ １２） の光ウニイブガイド層が
該誘電層上でエピタキシャル成長したことを特徴とする
。
。この目的のために本発明においては最初に述べた種類
の構成素子は、屈折率ｎ、 （Ｒ２＜口、）を有する誘
電層が基板表面上でエピタキシャル成長し、また屈折率
ｎ３ （ｆｌｙ ＞ １２） の光ウニイブガイド層が
該誘電層上でエピタキシャル成長したことを特徴とする
。
つまり、本発明は改善された界面を有する基板を提供す
ることにあり、この結果として、一方でＧｄ＋ Ｇａ５
０．２を受動ウニイブガイド構成素子においてＲ３Ｇａ
５０．２ と組合わせて基板材料として使用することが
できるようになり、他方でウニイブガイド層の材料の組
成を考えることによって、特殊用途に要求される性質を
有する（磁気光学的に）能動的なウニイブガイド構成素
子においてウニイブガイドの性質を生ぜしめるりことが
できる。
ることにあり、この結果として、一方でＧｄ＋ Ｇａ５
０．２を受動ウニイブガイド構成素子においてＲ３Ｇａ
５０．２ と組合わせて基板材料として使用することが
できるようになり、他方でウニイブガイド層の材料の組
成を考えることによって、特殊用途に要求される性質を
有する（磁気光学的に）能動的なウニイブガイド構成素
子においてウニイブガイドの性質を生ぜしめるりことが
できる。
本発明の構成素子の好適形態は、Ｇｄ３ Ｇａ５０．２
基板を使用した場合に中間誘電層が一般組成Ｒ３５ＣＸ
Ａｌ５−Ｍ ０１２ （式中特にＲ＝ＹまたはＧｄ、
およびＯ＜Ｘ＜５である）を満足する材料から成ること
を特徴とする。更に特に、誘電層は組成Ｙ３ Ｓ（：２
＾１３ Ｌ２（ｎ、１．８）を有する。上記組成の誘電
層はＧｄａ Ｇａｓ Ｏａｔ の格子定数に適合する格
子定数を有する。
基板を使用した場合に中間誘電層が一般組成Ｒ３５ＣＸ
Ａｌ５−Ｍ ０１２ （式中特にＲ＝ＹまたはＧｄ、
およびＯ＜Ｘ＜５である）を満足する材料から成ること
を特徴とする。更に特に、誘電層は組成Ｙ３ Ｓ（：２
＾１３ Ｌ２（ｎ、１．８）を有する。上記組成の誘電
層はＧｄａ Ｇａｓ Ｏａｔ の格子定数に適合する格
子定数を有する。
可視および赤外領域内の電磁放射光に対する高い透過性
に関しては、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２が（受動） ウニイブ
ガイド層に極めて適した材料である。これをＲ３５Ｃｘ
Ａｌ５−Ｎ ０１２ （式中ＲはＹまたは希土類金属
成分であり、特にＹとＧｄとを製造に応じて良好に選択
する）の誘電層上に成長させた場合に、Ｇｄ３ Ｇａｓ
Ｏａｔ層は、誘電層と光導体層との間の屈折率の差が
比較的大きいために極めて良好なウニイブガイド特性を
有する。
に関しては、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２が（受動） ウニイブ
ガイド層に極めて適した材料である。これをＲ３５Ｃｘ
Ａｌ５−Ｎ ０１２ （式中ＲはＹまたは希土類金属
成分であり、特にＹとＧｄとを製造に応じて良好に選択
する）の誘電層上に成長させた場合に、Ｇｄ３ Ｇａｓ
Ｏａｔ層は、誘電層と光導体層との間の屈折率の差が
比較的大きいために極めて良好なウニイブガイド特性を
有する。
次に本発明を図面を参照して実施例につき説明する。
エピタキシャル成長した希土類金属−ガリウムガーネッ
ト層は集積化光学系、例えば光ウニイブガイドのために
使用することが最近示唆されており、またエピタキシャ
ル成長した希土類金属−鉄ガーネット層は変調器や単方
向性の装置、例えばインシュレータおよび方向性結合器
等のために使用することが示唆されている。
ト層は集積化光学系、例えば光ウニイブガイドのために
使用することが最近示唆されており、またエピタキシャ
ル成長した希土類金属−鉄ガーネット層は変調器や単方
向性の装置、例えばインシュレータおよび方向性結合器
等のために使用することが示唆されている。
受動ウニイブガイドの特殊構造物はビームスプリッター
である。
である。
知られているように、光学的に分離された複数のファイ
バーから形成された光学系は１つの光信号によって情報
を送るために使用され、該ファイバーは所定の順序に従
い光導体に接続される。特にロジック系においては、情
報を送る場合に種々のチャンネル間に情報キャリヤ光放
射の一部分を分配する必要がある場合がある。この目的
のために、第３図に簡単な形態で示す分岐光導体または
ビームスプリッタ−を使用することができる。以下に示
す方法を用いることによって、第３図に示す構造物を得
る。
バーから形成された光学系は１つの光信号によって情報
を送るために使用され、該ファイバーは所定の順序に従
い光導体に接続される。特にロジック系においては、情
報を送る場合に種々のチャンネル間に情報キャリヤ光放
射の一部分を分配する必要がある場合がある。この目的
のために、第３図に簡単な形態で示す分岐光導体または
ビームスプリッタ−を使用することができる。以下に示
す方法を用いることによって、第３図に示す構造物を得
る。
Ｙ３ ＳＣ２Ａｌ１０１２ の誘電層２（厚さは、例え
ば０．１〜５μｍである）をエピタキシー法により液相
から単結晶Ｇｄ：＋ Ｇａｓ Ｏｒａ の基板１（厚さ
は、例えば２００μｍである）上に堆積させる。Ｙ３Ｓ
ｃ＝Ａｌｓ ０＋２ はＧｄ＋ Ｇａｓ ０１２ の格
子定数とほぼ一致する格子定数を有する。Ｇｄ３ Ｇａ
ｓ ０１２ の層３（厚さは、例えば１〜５０μｍであ
る）をエピタキシー法により液相から相２の上に堆積さ
せる。層３は層２の屈折率口。よりも著しく大きな屈折
率ｎ３ を有しくｎ、−１，９４； ｎ２＝１．８ ＋
これらの値は１．１５μｍの波長λで適合する）、こ
のためウニイブガイドとして作用することができる（第
３図）。層３において枝分かれを有する主要導体構造を
得るために、アルミニウムの補助構体５を写真平版法に
より層３の上に設ける（第２図）。補助構体４をスパッ
タリングまたは反応性イオンエツチングにより層３上に
転写することにより、Ｇｄｓ Ｇａｓ ０１２の光導体
の構体５を誘電層２の上に残留させる（第３図〉。構体
５はビームスプリッタ−として作用することができる。
ば０．１〜５μｍである）をエピタキシー法により液相
から単結晶Ｇｄ：＋ Ｇａｓ Ｏｒａ の基板１（厚さ
は、例えば２００μｍである）上に堆積させる。Ｙ３Ｓ
ｃ＝Ａｌｓ ０＋２ はＧｄ＋ Ｇａｓ ０１２ の格
子定数とほぼ一致する格子定数を有する。Ｇｄ３ Ｇａ
ｓ ０１２ の層３（厚さは、例えば１〜５０μｍであ
る）をエピタキシー法により液相から相２の上に堆積さ
せる。層３は層２の屈折率口。よりも著しく大きな屈折
率ｎ３ を有しくｎ、−１，９４； ｎ２＝１．８ ＋
これらの値は１．１５μｍの波長λで適合する）、こ
のためウニイブガイドとして作用することができる（第
３図）。層３において枝分かれを有する主要導体構造を
得るために、アルミニウムの補助構体５を写真平版法に
より層３の上に設ける（第２図）。補助構体４をスパッ
タリングまたは反応性イオンエツチングにより層３上に
転写することにより、Ｇｄｓ Ｇａｓ ０１２の光導体
の構体５を誘電層２の上に残留させる（第３図〉。構体
５はビームスプリッタ−として作用することができる。
スパッタリングまたは反応性イオンエツチング法の代わ
りに、ウェットケミカルエツチング法を第２図の層の組
合わせに適用することができる。この場合、補助構体４
はウェットケミカルエツチングによって腐蝕しない材料
から成る必要がある。
りに、ウェットケミカルエツチング法を第２図の層の組
合わせに適用することができる。この場合、補助構体４
はウェットケミカルエツチングによって腐蝕しない材料
から成る必要がある。
第４図に、ウニイブガイド構成素子ｌＯを示す。
これはＧｄｓ Ｇａｓ ０１２ の単結晶基板１１を備
え、該基板ｌｌ上に第１．２および３図と同様の方法に
よりＹ３Ｓｃ２八１３０１２ の層１２が堆積されてい
る。ガーネット型構造とＹ、 ５ｃ２Ａ１３０１２ よ
りも高い屈折率とを有する材料の層１３を層１２上に堆
積させる。
え、該基板ｌｌ上に第１．２および３図と同様の方法に
よりＹ３Ｓｃ２八１３０１２ の層１２が堆積されてい
る。ガーネット型構造とＹ、 ５ｃ２Ａ１３０１２ よ
りも高い屈折率とを有する材料の層１３を層１２上に堆
積させる。
層１３を受動的とするかまたは磁気光学的に能的にする
かに応じて、層１３の材料を希土類金属−ガリウムガー
ネットまたは希土類金属−鉄ガーネットとする。層１３
は、該層１３を介して案内される電磁放射光の波長の０
．１〜１００倍、好ましくは１〜１０倍の厚さを有する
。結合プリズム１４および１５は夫々、放射ビーム１６
を入射させかつ出射させるカップリン素子として作用す
る。放射ビーム１６はコヒーレントであり、また（可視
領域およびこのすぐ近傍の領域から成る）スペクトルの
光領域内の波長を有する。放射ビームは、例えばレーザ
ー１７（ｔｌｅ−Ｎｅ Ｌ／−ザーまたはＧａ−Ａｓ
Ｌ／−ザー）によって生せしめることができる。この場
合、層１３が（磁気）光学能動特性を有する場合には、
この層１３の区域１８に電界または磁界によって影響を
及ぼすことができ、この結果、放射ビーム１６の変調が
生ずる。出射した放射光はプロセス装置１９へ送られる
。
かに応じて、層１３の材料を希土類金属−ガリウムガー
ネットまたは希土類金属−鉄ガーネットとする。層１３
は、該層１３を介して案内される電磁放射光の波長の０
．１〜１００倍、好ましくは１〜１０倍の厚さを有する
。結合プリズム１４および１５は夫々、放射ビーム１６
を入射させかつ出射させるカップリン素子として作用す
る。放射ビーム１６はコヒーレントであり、また（可視
領域およびこのすぐ近傍の領域から成る）スペクトルの
光領域内の波長を有する。放射ビームは、例えばレーザ
ー１７（ｔｌｅ−Ｎｅ Ｌ／−ザーまたはＧａ−Ａｓ
Ｌ／−ザー）によって生せしめることができる。この場
合、層１３が（磁気）光学能動特性を有する場合には、
この層１３の区域１８に電界または磁界によって影響を
及ぼすことができ、この結果、放射ビーム１６の変調が
生ずる。出射した放射光はプロセス装置１９へ送られる
。
第１〜３図は、本発明の１例の多層光導体の構体を製造
する方法における連続工程図、第４図は、本発明の１例
の薄膜ウニイブガイド構成素子の斜視図を示す。 １、１１− Ｇｄ＋ Ｇａｓ ０１２ の基板２．２２
・・・Ｙ３ ＳＣ２Ａ１３０１２ の層３− Ｇｄ５Ｇ
ａｓ ０１２ の層 ４・・・補助構体 ５・・・構体 １０・・・ウニイブガイド構成素子 １３・・・層 １４．１５・・・結合プリズム１６・・
・放射ビーム １７・・・レーザー１９・・・プロセス
装置
する方法における連続工程図、第４図は、本発明の１例
の薄膜ウニイブガイド構成素子の斜視図を示す。 １、１１− Ｇｄ＋ Ｇａｓ ０１２ の基板２．２２
・・・Ｙ３ ＳＣ２Ａ１３０１２ の層３− Ｇｄ５Ｇ
ａｓ ０１２ の層 ４・・・補助構体 ５・・・構体 １０・・・ウニイブガイド構成素子 １３・・・層 １４．１５・・・結合プリズム１６・・
・放射ビーム １７・・・レーザー１９・・・プロセス
装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 屈折率ｎ３ の単結晶光ウニイブガイド層が設け
られた屈折率ｎ１ とガーネット型構造とを有する材料
の単結晶基板を備える、特に可視および／または赤外波
長領域の電磁放射光を案内する為の集積化光学系構成素
子において、屈折率ｎ２ （Ｒ２＜ ｎｌ ） の誘電
層が基板表面上でエピタキシャル成長し、また屈折率ｒ
ｌ＋ （ｎ＊ ＞ ｎｚ ） の光ウニイブガイド層が
上記誘電層上でエピタキシャル成長したことを特徴とす
る集積化光学系構成素子。 ２、 基板がＧｄ５Ｇａｓ Ｏ＋ｉ の組成を有する材
料から成る特許請求の範囲第１項記載の構成素子。 ３、 誘電層が一般組成Ｒ３Ｓｃ、八ｌｓ−、、０１２
（式中ＲはＹまたは希土類金属成分、および ０＜Ｘ ＜５ である）の材料から成る特許請求の範囲
第２項記載の構成素子。 ４、ＲがＹまたはＧｄである特許請求の範囲第３項記載
の構成素子。 ５、 ウニイブガイド層がＲ３Ｇａｓ ０１２ （式中
ＲはＹまたは希土類金属成分である）の組成の材料から
成る特許請求の範囲第３または４項記載の構成素子。 ６、ＲがＧｄである特許請求の範囲第５項記載の構成素
子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8303446 | 1983-10-07 | ||
| NL8303446A NL8303446A (nl) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Component voor een geintegreerd optisch systeem. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097306A true JPS6097306A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=19842517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59209948A Pending JPS6097306A (ja) | 1983-10-07 | 1984-10-08 | 集積化光学系構成素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4679892A (ja) |
| EP (1) | EP0140431B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6097306A (ja) |
| DE (1) | DE3476278D1 (ja) |
| NL (1) | NL8303446A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932754A (en) * | 1983-10-07 | 1990-06-12 | U.S. Philips Corp. | Multilayer optical component |
| DE3543002A1 (de) * | 1985-12-05 | 1987-06-11 | Bodenseewerk Geraetetech | Verfahren zur herstellung von integriert-optischen strukturen in glas |
| JPH01118105A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Brother Ind Ltd | 薄膜光機能素子 |
| JP2585332B2 (ja) * | 1987-12-25 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 導波路型光デバイス |
| NL8800939A (nl) * | 1988-04-12 | 1989-11-01 | Philips Nv | Stralingskoppelinrichting. |
| JP2755471B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1998-05-20 | 日立電線株式会社 | 希土類元素添加光導波路及びその製造方法 |
| JP2949807B2 (ja) * | 1990-08-24 | 1999-09-20 | ソニー株式会社 | 光導波路装置及びその製造方法 |
| US5078516A (en) * | 1990-11-06 | 1992-01-07 | Bell Communications Research, Inc. | Tapered rib waveguides |
| US5094526A (en) * | 1990-11-07 | 1992-03-10 | General Signal Corporation | Integrated optical waveguide doppler velocimeter |
| US5175787A (en) * | 1991-05-28 | 1992-12-29 | Allied-Signal Inc. | Birefringent optical waveguides of aluminum garnet |
| US5235662A (en) * | 1992-01-02 | 1993-08-10 | Eastman Kodak Company | Method to reduce light propagation losses in optical glasses and optical waveguide fabricated by same |
| KR0134763B1 (ko) * | 1992-04-21 | 1998-04-23 | 다니이 아끼오 | 광도파로소자와 그 제조방법 |
| CN103630966A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-03-12 | 南京邮电大学 | 悬空氮化物光波导器件及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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