JPS6092834U - 半導体ウエ−ハの導電率の非接触測定装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハの導電率の非接触測定装置

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Publication number
JPS6092834U
JPS6092834U JP18610883U JP18610883U JPS6092834U JP S6092834 U JPS6092834 U JP S6092834U JP 18610883 U JP18610883 U JP 18610883U JP 18610883 U JP18610883 U JP 18610883U JP S6092834 U JPS6092834 U JP S6092834U
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JP
Japan
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conductivity
measurement device
semiconductor wafers
contact measurement
support
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Pending
Application number
JP18610883U
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English (en)
Inventor
片桐 清男
六川 明徳
貫次 松橋
宏 今池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Engineering Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Engineering Co Ltd filed Critical Shin Etsu Engineering Co Ltd
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Publication of JPS6092834U publication Critical patent/JPS6092834U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案測定装置の一実施例を示す一部切欠正面
図、第2図は同平面図、第3図は回路図、第4図はウェ
ーハ周縁近傍の導電率を測定している状態を示す平面路
である。 尚図中、1・・・・・・支持体、la、lb・・・・・
・支持部、C・・・・・・挿入間隙、fよq f2・・
・・・・支持部の対向面、2・・・・・・検出コイル、
3・・・・・・励磁コイル、W・・・・・・半導体ウェ
ーハ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 熱膨張係数の極めて小さい素材で支持体を構成し、該支
    持体に所定の間隔をおいて並行に対向する一対の支持部
    を設け、これら支持部間に半導体ウェーハの挿入間隙を
    形成すると共に、該支持部の対向面に検出コイルと励磁
    コイルとを同一軸線上に位置させて設け、この検出コイ
    ル及び励磁コイルを直径3悶以下に形成してなる半導体
    ウェーハの導電率の非接触測定装置。
JP18610883U 1983-11-30 1983-11-30 半導体ウエ−ハの導電率の非接触測定装置 Pending JPS6092834U (ja)

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JPS6092834U true JPS6092834U (ja) 1985-06-25

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