JPS6088332A - 光応用センサ装置 - Google Patents
光応用センサ装置Info
- Publication number
- JPS6088332A JPS6088332A JP19568383A JP19568383A JPS6088332A JP S6088332 A JPS6088332 A JP S6088332A JP 19568383 A JP19568383 A JP 19568383A JP 19568383 A JP19568383 A JP 19568383A JP S6088332 A JPS6088332 A JP S6088332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- sensor
- range
- magnetic field
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、被測定物理量によって光強度変調を受けるセ
ンサを用いた光応用センサ装置に関するものである。
ンサを用いた光応用センサ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図は感知素子としてファラデー素子を用いた従来の
光応用磁界センサ装置を示す図である。
光応用磁界センサ装置を示す図である。
第１図に於いて１は光送信部であり、この出力光を光伝
送路２−１に入射し、ロッドレンズ３て平行光にしたあ
と偏光子４で直線偏光にする。この直線偏光はファラデ
ー素子６内を伝搬するとき外部磁界の強度に応じて偏光
面が回転する。この回転角は、偏光子４と透過偏光方向
が４５°傾くように設置した検光子６で光学バイアスを
かけることにより光強度変調に変換される。検光子６か
ら出射する変調光はロッドレンズ７を透過した後、光伝
送路２−２を通り光受信部８でセンサ部９の周囲の磁界
強度に応じた電気信号に変換される。
送路２−１に入射し、ロッドレンズ３て平行光にしたあ
と偏光子４で直線偏光にする。この直線偏光はファラデ
ー素子６内を伝搬するとき外部磁界の強度に応じて偏光
面が回転する。この回転角は、偏光子４と透過偏光方向
が４５°傾くように設置した検光子６で光学バイアスを
かけることにより光強度変調に変換される。検光子６か
ら出射する変調光はロッドレンズ７を透過した後、光伝
送路２−２を通り光受信部８でセンサ部９の周囲の磁界
強度に応じた電気信号に変換される。
この構成に於いて検光子６から出射する変調光Ｐは
Ｐ（〔１±ｓｉｎ （２ＶＨＬ ） −−−−・−（１
）て表わさ、１１−１■はヴエルデ定数〔度／ Ｏｅ
ｃｎｒ、 ） でファラデー素子の感度を表わすもので
あり、Ｈは磁界強度〔○ｅ〕、Ｌはファラデー素子の光
透過方向の厚みである。このセンサに於いては原理式（
１）に小さ）するようｅ（ザインカープ状の変調がかけ
られるため、±１１部内の直線性が得られる範囲は５ｌ
ｌｌ （２ＶＨＬ ） （Ｄ値が０から約ｏ、２４迄の
間であり、零磁界での光出力値を中心にほぼ±２４％の
尤変調率力稍くされる１ｌｉｉ）囲となる。このため±
１１部内の１１．ｒ、６性が得られる磁界強度測定・Ｉ
Ｉｉ囲は、ファラデー素ｒ−６の■とＬの値によって制
限される。
）て表わさ、１１−１■はヴエルデ定数〔度／ Ｏｅ
ｃｎｒ、 ） でファラデー素子の感度を表わすもので
あり、Ｈは磁界強度〔○ｅ〕、Ｌはファラデー素子の光
透過方向の厚みである。このセンサに於いては原理式（
１）に小さ）するようｅ（ザインカープ状の変調がかけ
られるため、±１１部内の直線性が得られる範囲は５ｌ
ｌｌ （２ＶＨＬ ） （Ｄ値が０から約ｏ、２４迄の
間であり、零磁界での光出力値を中心にほぼ±２４％の
尤変調率力稍くされる１ｌｉｉ）囲となる。このため±
１１部内の１１．ｒ、６性が得られる磁界強度測定・Ｉ
Ｉｉ囲は、ファラデー素ｒ−６の■とＬの値によって制
限される。
的流磁場を測定する場合は、ＶｘＬの値を小さくするこ
とにより測定範囲を広げることば可能であるが、電力系
機器等の管理・！ｔｉ制御に応用できる交流磁場測定の
場合では、光送信部、光受信部の電気系も含めたセンサ
のノイズやアンプの帯域により定められるＳ／Ｎ比、比
誤差、歪率が保持できる測定磁場範囲は、高感度測定を
実現しようとすれば必然的に狭くなる。以下に±１％の
直線性が得られるところの磁界強度測定範囲が０〜４５
０ｅ（センサＡ：Ｖ埃０．４ ンＯｅ’ｃｍ 、 Ｌ
’＝ ４ ＋ｎｍ 、光源１．２７μｍＬＥＤ）、Ｏ−
２２ｏ０ｅ（センサＢ：Ｖ：０．２４ °１０ｅｃｍ、
、 Ｌ ＃ １．３ ｍｍ ＋光源１．２７７ｚｍＬ
ＥＤ）であるガーネット系結晶をファラデー素子とする
光応用」センサ装置の出力背骨の例を示す。
とにより測定範囲を広げることば可能であるが、電力系
機器等の管理・！ｔｉ制御に応用できる交流磁場測定の
場合では、光送信部、光受信部の電気系も含めたセンサ
のノイズやアンプの帯域により定められるＳ／Ｎ比、比
誤差、歪率が保持できる測定磁場範囲は、高感度測定を
実現しようとすれば必然的に狭くなる。以下に±１％の
直線性が得られるところの磁界強度測定範囲が０〜４５
０ｅ（センサＡ：Ｖ埃０．４ ンＯｅ’ｃｍ 、 Ｌ
’＝ ４ ＋ｎｍ 、光源１．２７μｍＬＥＤ）、Ｏ−
２２ｏ０ｅ（センサＢ：Ｖ：０．２４ °１０ｅｃｍ、
、 Ｌ ＃ １．３ ｍｍ ＋光源１．２７７ｚｍＬ
ＥＤ）であるガーネット系結晶をファラデー素子とする
光応用」センサ装置の出力背骨の例を示す。
第２図にＳ／ＮＪｋ、７３図に比誤差、第４図に歪率を
上記センサＡ−Ｂそれぞれについてボず。
上記センサＡ−Ｂそれぞれについてボず。
ここで、比誤差ΔＨは、センサ部の磁界強度をＨｉｎ。
光受信部の出力電圧を磁界強度に襖算しだ（１ＵをＨｏ
ｕｔとすると申毒待次式のように表わせる。
ｕｔとすると申毒待次式のように表わせる。
Ｈｉｎ−Ｈｏｕｔ
ΔＨ＝ Ｈｏｕｔ ×１００（％） −・ （２ンいず
れの特性も、５０服の交流磁場で、磁界強度ｉ１実効（
（（ｊ磁場として表わしである。
れの特性も、５０服の交流磁場で、磁界強度ｉ１実効（
（（ｊ磁場として表わしである。
第２図に於いてＳ／Ｎ＝４０ｄＢ（Ｓ／Ｎ＝１００倍）
以上となるφｌＬ囲は、センサＡでは約６０ｅ以上であ
り、センサＢでは約４００ｅ以上である。
以上となるφｌＬ囲は、センサＡでは約６０ｅ以上であ
り、センサＢでは約４００ｅ以上である。
第３図に於いて、比誤差±１１部内となるのは、センサ
Ａでは約６０ｅ〜約４６０ｅの範囲であり、セフすＢで
Ｃ１約４００ｅ −約３６００ｅの範囲である０ 第４図に於いて、歪率１チ以下となるのは、センサＡで
は約５０ｅ〜約４２０８の範囲であり、セフツーＢては
約３３０ｅ〜約３６００ｅの範囲である。
Ａでは約６０ｅ〜約４６０ｅの範囲であり、セフすＢで
Ｃ１約４００ｅ −約３６００ｅの範囲である０ 第４図に於いて、歪率１チ以下となるのは、センサＡで
は約５０ｅ〜約４２０８の範囲であり、セフツーＢては
約３３０ｅ〜約３６００ｅの範囲である。
以上のことから解かるように、低磁場から高磁１易迄、
直線ｆｌ、Ｓ／Ｎ比、比誤差、歪率等の必要とする特性
を満たす光応用センサ装置は、光送受１．１部などの電
気系やセンサ部などの改良を施して・も１つの七／す部
だけでは実現が内刃りであった。
直線ｆｌ、Ｓ／Ｎ比、比誤差、歪率等の必要とする特性
を満たす光応用センサ装置は、光送受１．１部などの電
気系やセンサ部などの改良を施して・も１つの七／す部
だけでは実現が内刃りであった。
また感知素子としてポッケルス効果を有するＬＩＮｂＯ
３Ｘ−ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等の結晶を用いて電圧や重用い
て圧力、歪、振動等を測定する場合でも同様な問題があ
った。
３Ｘ−ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等の結晶を用いて電圧や重用い
て圧力、歪、振動等を測定する場合でも同様な問題があ
った。
発明の目的
本発明は前記の欠点を鑑みてなされたものであり、被測
定物理量を、直線性良く必要とされる特性を保てる広い
測定範囲を持つ光応用センサ装置を提供することを目的
としたものであへ。
定物理量を、直線性良く必要とされる特性を保てる広い
測定範囲を持つ光応用センサ装置を提供することを目的
としたものであへ。
発明の構成
本発明の光応用センサ装置は、偏光子と検光子の間に被
測定物理量に対応して光強度変調を受ける感知素子を備
え、必要とする特性を保つことのできる感知範囲及び感
度の異なる複数のセンサ部を持ち、それぞれのセンサ部
の出力光にλＪ比ｄ−る複数の光受信部からの電気信号
出力を、信号処理部を用いて同時に高速演算処理し連続
的につなげることにより広いダイナミックレンジを実現
できるＯ 実施例の説明 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する０飴スＩ
ＶＩ Ｉｙ壬壬子へｌ／ｒ 戒知宇工か７ワ→デーグビ
半とし／こ２つのセンサ部１０−１．１０−２に対応し
て光送信部１１−１．１１−２、光伝送路１２−１．１
２−２．１２−３．１２−４、光受信部１３−１．１３
−２を設け、さらに、光受信部１３−１ 、１３−２か
らの電気信号出力を演算処理する信号処理部１４を設け
る。なお、この実施例では第２図、第３図、第４図の特
性を持つセンサＡ−Ｂを用い、信号処理部としては、１
６ビソトのマイクロプロセツサを用いている。第２図。
測定物理量に対応して光強度変調を受ける感知素子を備
え、必要とする特性を保つことのできる感知範囲及び感
度の異なる複数のセンサ部を持ち、それぞれのセンサ部
の出力光にλＪ比ｄ−る複数の光受信部からの電気信号
出力を、信号処理部を用いて同時に高速演算処理し連続
的につなげることにより広いダイナミックレンジを実現
できるＯ 実施例の説明 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する０飴スＩ
ＶＩ Ｉｙ壬壬子へｌ／ｒ 戒知宇工か７ワ→デーグビ
半とし／こ２つのセンサ部１０−１．１０−２に対応し
て光送信部１１−１．１１−２、光伝送路１２−１．１
２−２．１２−３．１２−４、光受信部１３−１．１３
−２を設け、さらに、光受信部１３−１ 、１３−２か
らの電気信号出力を演算処理する信号処理部１４を設け
る。なお、この実施例では第２図、第３図、第４図の特
性を持つセンサＡ−Ｂを用い、信号処理部としては、１
６ビソトのマイクロプロセツサを用いている。第２図。
第３図、第４図に於いて、センサＡ−Ｂが必要とする易
性を満たす磁界強度測定範囲の重なる範囲は、ＳＺＮ比
については約４００ｅ以上であり、比ｌ誤差についてＱ
、］−約４００ｅ〜約４６０ｅてあり、歪率では約３３
０ｅ〜約４２０ｅであり、これにセンサＡの直線性が±
１係以内となるのが約４ｓｏｅまでであることを考慮す
ると約４００ｅ〜約４６０ｅ１１でとなる。この範囲に
於いて信号処理部１４でセンサＡ、Ｂの光受信部１３−
１．１３−２の出力を連続的につなげる操作を行う。
性を満たす磁界強度測定範囲の重なる範囲は、ＳＺＮ比
については約４００ｅ以上であり、比ｌ誤差についてＱ
、］−約４００ｅ〜約４６０ｅてあり、歪率では約３３
０ｅ〜約４２０ｅであり、これにセンサＡの直線性が±
１係以内となるのが約４ｓｏｅまでであることを考慮す
ると約４００ｅ〜約４６０ｅ１１でとなる。この範囲に
於いて信号処理部１４でセンサＡ、Ｂの光受信部１３−
１．１３−２の出力を連続的につなげる操作を行う。
第６図に１３号処理部１４のブロック図を示す。
これは、マイクロコンピュータ−で従来用いられている
システム図であるが、まず光受信部１３−１゜１３−２
の出力をオペアンプ２０へ入力し、イ氏磁場（０〜４５
０ｅ）側でのオペアンプ２０の出力がそれぞれ等しくな
るようにゲインを調整する。次にローパスフィルタ３０
で高周波雑音成分のレベルを下げサンプルホールド４０
を通し、Ａ／Ｄコンバータ６ｏでアナログ入力をデジタ
ル出力に変換する。
システム図であるが、まず光受信部１３−１゜１３−２
の出力をオペアンプ２０へ入力し、イ氏磁場（０〜４５
０ｅ）側でのオペアンプ２０の出力がそれぞれ等しくな
るようにゲインを調整する。次にローパスフィルタ３０
で高周波雑音成分のレベルを下げサンプルホールド４０
を通し、Ａ／Ｄコンバータ６ｏでアナログ入力をデジタ
ル出力に変換する。
次にセンサＡ−Ｂで必要とする特性を満たし測定レンジ
の重畳する約４００ｅ〜約４５０ｅの範囲即ちマイクロ
コンピュータ６０で演算処理を行う範囲をあらかじめ設
定しておき、演τつを必要としない場合は低磁」局側（
約４ｏｏｅ以下）でに、センサＡを、高磁場側（約４５
０ｅ以上）ではセンサＢを出力できるようにマイクロコ
ンピュータ６０てｊｌｉ制御する。演算処理は、約４０
０ｅ〜約４６０ｅの間のセンサＡ−ＢそれぞれのＡ／Ｄ
コンバータ６０の出力を、例えば４０〜４５０ｅを１／
１００に発話し、センサＡ側の出力を基準に４０．ｏｓ
ＯｅてはセンサＡの出力値の９９／１００イ音とセンサ
Ｂの出力値の１ ／１００倍とを加算して出力とし、４
０．１００ｅ ではセンサＡの出力ｆ直の９８／１００
（音とセンサＢの出力値の２／１００倍を加算して出
力するとう演算処理を続け、４５０ｅではセンサＡの出
力値の０／１００倍即ち０とセンサＢの出力値の１００
／１００倍即ち１倍とを加算し、センサＢだけの出力と
なるような］榮イ乍を行う。マイクロコンピュータ６０
からのこれらの出力はＤ／Ａコンバータ７０へ人力され
、ローパスフィルタ８０を通り出力アンプ９ｏからアナ
ログで出力される。
の重畳する約４００ｅ〜約４５０ｅの範囲即ちマイクロ
コンピュータ６０で演算処理を行う範囲をあらかじめ設
定しておき、演τつを必要としない場合は低磁」局側（
約４ｏｏｅ以下）でに、センサＡを、高磁場側（約４５
０ｅ以上）ではセンサＢを出力できるようにマイクロコ
ンピュータ６０てｊｌｉ制御する。演算処理は、約４０
０ｅ〜約４６０ｅの間のセンサＡ−ＢそれぞれのＡ／Ｄ
コンバータ６０の出力を、例えば４０〜４５０ｅを１／
１００に発話し、センサＡ側の出力を基準に４０．ｏｓ
ＯｅてはセンサＡの出力値の９９／１００イ音とセンサ
Ｂの出力値の１ ／１００倍とを加算して出力とし、４
０．１００ｅ ではセンサＡの出力ｆ直の９８／１００
（音とセンサＢの出力値の２／１００倍を加算して出
力するとう演算処理を続け、４５０ｅではセンサＡの出
力値の０／１００倍即ち０とセンサＢの出力値の１００
／１００倍即ち１倍とを加算し、センサＢだけの出力と
なるような］榮イ乍を行う。マイクロコンピュータ６０
からのこれらの出力はＤ／Ａコンバータ７０へ人力され
、ローパスフィルタ８０を通り出力アンプ９ｏからアナ
ログで出力される。
この構成で、サンプルホールド４０に、アノ々−チャｌ
Ｌ、’Ｊ１１１５０ｎ ＳＱＣ、アクイジョン時間２５
７１ＦＪＸのものを、Ａ／Ｄコンバータに１２ビツトの
Ａ／Ｄ変換時間２５μ東のものを、ＣＰＵに１６ビノト
ーσ− のクロック周波数６浦しのものを、Ｄ／Ａコンノくりに
１２ビツトのセットリング時間が１．６μ渡のものを川
し）ると、周波数帯域が２ｋｌｌｌ迄の交流磁場測定が
川面となり、直線性±１％以内、Ｓ／Ｎ比４゜ＡＱＩ・
Ｉｌ、Ｌ舌１泣牛１４１＼１山 石まく１屯じ１内竺の
必要とする特性を保ちつつ、約６０ｅから約２２００ｅ
迄の交流磁場を精度よく測定することができる。壕だ、
ガーネット系結晶では、高磁場側でファラデー回転が飽
和するが、この現象の全くないＺｎ５ｅ結晶等をファラ
デー素子として用い、上記のようにセンサＡと組み合わ
せると約６０ｅから数千Ｏｅ迄の交流磁場の測定が可能
となる。
Ｌ、’Ｊ１１１５０ｎ ＳＱＣ、アクイジョン時間２５
７１ＦＪＸのものを、Ａ／Ｄコンバータに１２ビツトの
Ａ／Ｄ変換時間２５μ東のものを、ＣＰＵに１６ビノト
ーσ− のクロック周波数６浦しのものを、Ｄ／Ａコンノくりに
１２ビツトのセットリング時間が１．６μ渡のものを川
し）ると、周波数帯域が２ｋｌｌｌ迄の交流磁場測定が
川面となり、直線性±１％以内、Ｓ／Ｎ比４゜ＡＱＩ・
Ｉｌ、Ｌ舌１泣牛１４１＼１山 石まく１屯じ１内竺の
必要とする特性を保ちつつ、約６０ｅから約２２００ｅ
迄の交流磁場を精度よく測定することができる。壕だ、
ガーネット系結晶では、高磁場側でファラデー回転が飽
和するが、この現象の全くないＺｎ５ｅ結晶等をファラ
デー素子として用い、上記のようにセンサＡと組み合わ
せると約６０ｅから数千Ｏｅ迄の交流磁場の測定が可能
となる。
さらに感知素子としてポッケルス効果を有するＺｎ５ｅ
−ＺｎＳ等を用いると電圧・電界を同様に測定でき、１
だ、光弾性効果をもつ等方結晶を用いると圧力、歪、振
動等も同様に測定することができる。
−ＺｎＳ等を用いると電圧・電界を同様に測定でき、１
だ、光弾性効果をもつ等方結晶を用いると圧力、歪、振
動等も同様に測定することができる。
発明の効果
以上のようｒ本発明はセンサ部が、偏光子、検光子及び
それらの間にある被測定物理量に対応して光強度変調を
かけられる感知素子から成り、そのセンサ部の感度及び
必要とする特性を保つことのできる感知範囲か異なる複
数のセン部を１＋ｉｉｉえ、それぞれの出力光に対応す
る複数の光受信部からの常頷イ茸妥出力をイ茸骨机刊！
矧鳴をＬ（４いて同ＩＪＨに、自凍演算処理し連続的に
つなけることを可能とした光応用センサ装置であり、従
って被測定物理量を特徴とする特性を保ちつつ直線性よ
くきわめて広い範囲にわたって同程度の特性で、高精度
高信頼度の光応用センサが実現でき実用上きわめて有利
なものとなる。
それらの間にある被測定物理量に対応して光強度変調を
かけられる感知素子から成り、そのセンサ部の感度及び
必要とする特性を保つことのできる感知範囲か異なる複
数のセン部を１＋ｉｉｉえ、それぞれの出力光に対応す
る複数の光受信部からの常頷イ茸妥出力をイ茸骨机刊！
矧鳴をＬ（４いて同ＩＪＨに、自凍演算処理し連続的に
つなけることを可能とした光応用センサ装置であり、従
って被測定物理量を特徴とする特性を保ちつつ直線性よ
くきわめて広い範囲にわたって同程度の特性で、高精度
高信頼度の光応用センサが実現でき実用上きわめて有利
なものとなる。
第１１Δは従来の光応用磁界センサ装置の構成図、第２
図ａ、ｂは従来の光応用磁界センサ装置Ａ。 Ｂの出力の磁界強度に対するＳ／Ｎ比の特性図、２ｒ５
３図ａ、ｂは従来の光応用磁界センサ装置Ａ。 Ｂの出力の磁界強度に対する比誤差特性図、第４図ａ、
ｂ＋ｒｒＫ来の光応用磁界センサ装置Ａ、Ｈの出力の磁
界強度に対する歪率特性図、第５図は本究明の一実施例
に於ける光応用磁界センサ装置の概略（，１１１）成因
、第６図はその信号処理部のブロック図である。 １０−１，１０−２・・・・・センサ部、１１−１゜１
１−２・−・・・元送信部、１２−１．１２−２．１２
−３．１２−４・・・・・光伝送路、１３−１．１３−
２・・・・・・光受信部、１４・・・・・・信号処理部
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１化第
１１（＋ ε１〕２図 Ｈ（Ｏｅン 、磁界強度 ０ １００ ２００ ３００ Ｈ（Ｏｅ） 省泳ｙｔイ帛角 第 ３ 図 ｔｏ ｚｏ ｓｏ ４０ｓ。 Ｈ（Ｏｅ） 叫態 ７００ ２００ シｂ ４１）Ｏ Ｈ（Ｏｅ） と）４ 図 （０２０３０ω ９ ）−１（Ｏｅ） 奪（界強崖 ｆθθ 肋０ ３００ Ｈ（Ｏｅ〕 磁界強屋 ｍ 、ｉ ＩＵＩ ム３ Ｇ 図
図ａ、ｂは従来の光応用磁界センサ装置Ａ。 Ｂの出力の磁界強度に対するＳ／Ｎ比の特性図、２ｒ５
３図ａ、ｂは従来の光応用磁界センサ装置Ａ。 Ｂの出力の磁界強度に対する比誤差特性図、第４図ａ、
ｂ＋ｒｒＫ来の光応用磁界センサ装置Ａ、Ｈの出力の磁
界強度に対する歪率特性図、第５図は本究明の一実施例
に於ける光応用磁界センサ装置の概略（，１１１）成因
、第６図はその信号処理部のブロック図である。 １０−１，１０−２・・・・・センサ部、１１−１゜１
１−２・−・・・元送信部、１２−１．１２−２．１２
−３．１２−４・・・・・光伝送路、１３−１．１３−
２・・・・・・光受信部、１４・・・・・・信号処理部
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１化第
１１（＋ ε１〕２図 Ｈ（Ｏｅン 、磁界強度 ０ １００ ２００ ３００ Ｈ（Ｏｅ） 省泳ｙｔイ帛角 第 ３ 図 ｔｏ ｚｏ ｓｏ ４０ｓ。 Ｈ（Ｏｅ） 叫態 ７００ ２００ シｂ ４１）Ｏ Ｈ（Ｏｅ） と）４ 図 （０２０３０ω ９ ）−１（Ｏｅ） 奪（界強崖 ｆθθ 肋０ ３００ Ｈ（Ｏｅ〕 磁界強屋 ｍ 、ｉ ＩＵＩ ム３ Ｇ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）偏光子と検光子の間に被測定物理量に対応して光
強度変調を受ける感知素子を備えた複数のセンサ部と、
前記センサ部の光の入出力端に設けられた光伝送路と、
前記光伝送路に光を入射する複数の光送信部及び前記セ
ンサ部を透過した出力光を検知し電気信号に変換して送
出する複数の光受信部とを有するとともに、前記複数の
センサ部の各々は被ｌ１１１ｊ定物理量に対する感知範
囲及び感度が異なり、各々の出力光に対応する前記複数
の先受イ１１部からの電気信号出力を、前記感知範囲を
一部重畳させながら連続的につなげる手段を具備する信
号処理部を有することを特徴とする光応用センサ装置。 （２）感知素子としてファラデー効果を有する物質を用
いることを特徴とする特許請求範囲第１項記（３）感知
素子としてポッケルス効果を有する物質を用いることを
特徴とする特許請求範囲第１項記載の光応用センサ装置
。 （４）感知素子として光弾性効果を有する物質を用いる
ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の光応用セン
サ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19568383A JPS6088332A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光応用センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19568383A JPS6088332A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光応用センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088332A true JPS6088332A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16345260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19568383A Pending JPS6088332A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光応用センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190043351A (ko) | 2017-10-18 | 2019-04-26 | 한국전력공사 | 직류 보호 장치 및 그의 제어 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130619A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Photodetecting device |
| JPS579688U (ja) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19568383A patent/JPS6088332A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130619A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Photodetecting device |
| JPS579688U (ja) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190043351A (ko) | 2017-10-18 | 2019-04-26 | 한국전력공사 | 직류 보호 장치 및 그의 제어 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4637072A (en) | Method of measuring the dispersion of a transmitting optical fibre | |
| US6154022A (en) | Optical measuring method and optical measuring device for measuring an alternating magnetic field having intensity normalization | |
| JPS6088332A (ja) | 光応用センサ装置 | |
| US6034523A (en) | Method and arrangement for measuring a magnetic field using the Faraday effect, with compensation for intensity changes | |
| JP2996775B2 (ja) | 光式磁界センサ | |
| JPH0690236B2 (ja) | 光応用測定装置 | |
| JP2638312B2 (ja) | 光センサ | |
| SU759871A1 (ru) | Пьезооптический измерительный преобразователь 1 | |
| JPS61260174A (ja) | 光応用測定装置 | |
| SU1206674A1 (ru) | Устройство дл измерени угла наклона оси легкого намагничивани | |
| RU2088896C1 (ru) | Способ измерения угла вращения плоскости поляризации оптического излучения и фотоэлектрический поляриметр для его осуществления | |
| JPS59159076A (ja) | 光学式磁界センサ | |
| RU2109258C1 (ru) | Пьезооптический измеритель механических величин | |
| JP3201729B2 (ja) | 光センサシステムの使用方法 | |
| SU1446496A1 (ru) | Пьезооптический измеритель механических величин | |
| JPH055502Y2 (ja) | ||
| JPH0373821B2 (ja) | ||
| RU1095783C (ru) | Способ определени коэффициентов поверхностного и объемного поглощени слабопоглощающих материалов | |
| RU2565856C1 (ru) | Устройство обработки сигнала пьезооптического преобразователя | |
| SU736018A1 (ru) | Компенсационный фазометр | |
| KR0183281B1 (ko) | 새낵형 광섬유 전류센서를 이용한 교류전류 측정장치 | |
| JPS61186861A (ja) | 光フアイバ応用センサ装置 | |
| SU1262392A1 (ru) | Магнитооптический способ измерени силы тока и устройство дл его осуществлени | |
| RU1759139C (ru) | Оптико-электронное устройство | |
| JPH0431068B2 (ja) |