JPH0373821B2 - - Google Patents
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- JPH0373821B2 JPH0373821B2 JP56071805A JP7180581A JPH0373821B2 JP H0373821 B2 JPH0373821 B2 JP H0373821B2 JP 56071805 A JP56071805 A JP 56071805A JP 7180581 A JP7180581 A JP 7180581A JP H0373821 B2 JPH0373821 B2 JP H0373821B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/245—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using magneto-optical modulators, e.g. based on the Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R15/246—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using magneto-optical modulators, e.g. based on the Faraday or Cotton-Mouton effect based on the Faraday, i.e. linear magneto-optic, effect
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学的に磁界、電界および振動等を検
出する光計測装置に関するものである。
出する光計測装置に関するものである。
光計測装置は、光を利用して各種物理量の測定
を行うものであり、各種分野に於いて多用されて
いる。
を行うものであり、各種分野に於いて多用されて
いる。
第１図は従来一般に用いられている光計測装置
の一例を示すブロツク図であつて、１は出力光を
発する光送信器、２ａは光フアイバー、３は光セ
ンサ部である光磁界センサであつて、光フアイバ
ー２ａを介して光送信器１の出力光を受けるよう
に構成されている。そして、この光磁界センサ３
は、光フアイバー２ａの端部に設けられたマイク
ロレンズ４ａ、前記マイクロレンズ４ａの出力光
路中に設けられた偏光子５、フアラデー素子６、
検光子７とを有し、これらを介して出力される光
をマイクロレンズ４ｂを介して取り出している。
２ｂはマイクロレンズ４ｂによつて集められた光
を光受信器８に供給する光フアイバーである。
の一例を示すブロツク図であつて、１は出力光を
発する光送信器、２ａは光フアイバー、３は光セ
ンサ部である光磁界センサであつて、光フアイバ
ー２ａを介して光送信器１の出力光を受けるよう
に構成されている。そして、この光磁界センサ３
は、光フアイバー２ａの端部に設けられたマイク
ロレンズ４ａ、前記マイクロレンズ４ａの出力光
路中に設けられた偏光子５、フアラデー素子６、
検光子７とを有し、これらを介して出力される光
をマイクロレンズ４ｂを介して取り出している。
２ｂはマイクロレンズ４ｂによつて集められた光
を光受信器８に供給する光フアイバーである。
このように構成された光計測装置に於いて、光
送信器１から出力光が放射されると、この出力光
は光フアイバー２ａを介して光磁界センサ３に供
給される。光磁界センサ３においては、光フアイ
バー２ａを介して供給される光をマイクロレンズ
４ａに於いて集光した後に偏光子５に供給されて
直線偏光される。直線偏光された光は、磁界中に
位置する光フアラデー素子６に於いて、その偏光
方向が回転される。その回転角Δxは、 Δx＝vlH ……(1) となる。上記(1)式に於いて、ｌは光フアラデー素
子６の長さ、Ｈは外部磁界、Ｖはフアラデー素子
６が有する固有のヴエルデ定数である。フアラデ
ー回転した光は、検光子７によつてその回転角が
光強度に変換される。検光子７の出力光は、マイ
クロレンズ４ｂによつて集光された後に光フアイ
バー２ｂを介して光受信器８に供給される。光受
信器８は、この例では光フアイバー２ｂを介して
供給される光を光−電気変換することによつて、
磁界に対応した出力を送出する。この場合、磁界
が交流であれば光磁界センサ３から出力される光
は、その振幅が脈動する変調光に変調されるの
で、光受信器８の出力電圧V0は、 V0＝VDC＋VAC ……(2) となる。上記(2)式に於いて、VDC、VACはそれぞ
れ振幅が変化しない直流光および振幅が交流的に
変化する交流光に対する出力電圧を表わしてい
る。この場合、VACはフアラデー回転角Δx、つ
まり測定磁界Ｈに比例する。
送信器１から出力光が放射されると、この出力光
は光フアイバー２ａを介して光磁界センサ３に供
給される。光磁界センサ３においては、光フアイ
バー２ａを介して供給される光をマイクロレンズ
４ａに於いて集光した後に偏光子５に供給されて
直線偏光される。直線偏光された光は、磁界中に
位置する光フアラデー素子６に於いて、その偏光
方向が回転される。その回転角Δxは、 Δx＝vlH ……(1) となる。上記(1)式に於いて、ｌは光フアラデー素
子６の長さ、Ｈは外部磁界、Ｖはフアラデー素子
６が有する固有のヴエルデ定数である。フアラデ
ー回転した光は、検光子７によつてその回転角が
光強度に変換される。検光子７の出力光は、マイ
クロレンズ４ｂによつて集光された後に光フアイ
バー２ｂを介して光受信器８に供給される。光受
信器８は、この例では光フアイバー２ｂを介して
供給される光を光−電気変換することによつて、
磁界に対応した出力を送出する。この場合、磁界
が交流であれば光磁界センサ３から出力される光
は、その振幅が脈動する変調光に変調されるの
で、光受信器８の出力電圧V0は、 V0＝VDC＋VAC ……(2) となる。上記(2)式に於いて、VDC、VACはそれぞ
れ振幅が変化しない直流光および振幅が交流的に
変化する交流光に対する出力電圧を表わしてい
る。この場合、VACはフアラデー回転角Δx、つ
まり測定磁界Ｈに比例する。
VAC∝VlH ……(3)
従つて、上記(3)式より光受信器８の出力信号を
測定、例えば図示しない交流分離手段により出力
信号中の交流分を交流信号として分離して測定す
ることにより、被測定物理量としての磁界Ｈを知
ることが出来る。一般に、被測定磁界の最小測定
レベルを小さな値とするには、フアラデー素子６
としてYIGのような強磁性体材料あるいは希土類
添加常磁性ガラスを用いる必要がある。
測定、例えば図示しない交流分離手段により出力
信号中の交流分を交流信号として分離して測定す
ることにより、被測定物理量としての磁界Ｈを知
ることが出来る。一般に、被測定磁界の最小測定
レベルを小さな値とするには、フアラデー素子６
としてYIGのような強磁性体材料あるいは希土類
添加常磁性ガラスを用いる必要がある。
しかしながら、フアラデー素子として上述した
材料を用いた従来の光計測装置は、上記材料が温
度特性を有しているために、すなわちヴエルデ定
数が温度によつて変化するために、高い精度を有
する測定が行なえない欠点を有している。
材料を用いた従来の光計測装置は、上記材料が温
度特性を有しているために、すなわちヴエルデ定
数が温度によつて変化するために、高い精度を有
する測定が行なえない欠点を有している。
従つて、本発明による目的は、温度による影響
を受けずに高精度の測定が行なえる光計測装置を
提供することである。
を受けずに高精度の測定が行なえる光計測装置を
提供することである。
このような目的を達成するために本発明は、温
度検出部の出力に対応して出力補正を確実に行う
ものである。以下、図面を用いて本発明による光
計測装置を詳細に説明する。
度検出部の出力に対応して出力補正を確実に行う
ものである。以下、図面を用いて本発明による光
計測装置を詳細に説明する。
第２図は本発明による光計測装置の一実施例を
示すブロツク図であつて、第１図と同一部分は同
記号を用いてその詳細説明を省略してある。同図
に於いて、９はフアラデー素子６と検光子７との
間に設けられた光温度検出素子、１０は光受信器
８の出力中に含まれる交流信号のみを取り出して
増幅し、交流信号としての交流出力を発生する
AC増幅器、１１は光受信器８の出力中に含まれ
る直流分のみを取り出し、増幅して直流信号とし
ての直流出力を発生するDC増幅器、１２はAC増
幅器１０の出力とDC増幅器１１の出力を入力と
して割算処理を行い、AC増幅器１０の出力の補
償を行う補償手段である割算器であつて、その出
力信号は出力端１３に送出される。なお、この一
実施例においては、光受信器８とAC増幅器１０
との組合せ、光受信器８とDC増幅器１１との組
合せによつてそれぞれこの発明における交流分離
手段および直流分離手段を構成している。
示すブロツク図であつて、第１図と同一部分は同
記号を用いてその詳細説明を省略してある。同図
に於いて、９はフアラデー素子６と検光子７との
間に設けられた光温度検出素子、１０は光受信器
８の出力中に含まれる交流信号のみを取り出して
増幅し、交流信号としての交流出力を発生する
AC増幅器、１１は光受信器８の出力中に含まれ
る直流分のみを取り出し、増幅して直流信号とし
ての直流出力を発生するDC増幅器、１２はAC増
幅器１０の出力とDC増幅器１１の出力を入力と
して割算処理を行い、AC増幅器１０の出力の補
償を行う補償手段である割算器であつて、その出
力信号は出力端１３に送出される。なお、この一
実施例においては、光受信器８とAC増幅器１０
との組合せ、光受信器８とDC増幅器１１との組
合せによつてそれぞれこの発明における交流分離
手段および直流分離手段を構成している。
また、図示を省略しているが、出力端１３には
被測定物理量を知る検知手段として被測定磁界の
強さを指示する指示計が設けられている。光計測
装置は以上のように構成され、光送信器１、光フ
アイバー２ａ、光磁界センサ３、単一の光伝送路
としての一本の光フアイバー２ｂおよび光受信器
８により光伝送系が構成されており、この光伝送
系に直列に光温度検出素子９が接続されている。
被測定物理量を知る検知手段として被測定磁界の
強さを指示する指示計が設けられている。光計測
装置は以上のように構成され、光送信器１、光フ
アイバー２ａ、光磁界センサ３、単一の光伝送路
としての一本の光フアイバー２ｂおよび光受信器
８により光伝送系が構成されており、この光伝送
系に直列に光温度検出素子９が接続されている。
このように構成された光計測装置に於いて、光
送信器１から放出された出力光は、第１図の場合
と同様に光フアイバ２ａを介して光磁界センサ３
に供給される。この場合、光フアイバ内を伝送さ
れる出力光は無偏光状態となつており、マイクロ
レンズ４ａに於いて集光された後に無偏光波とし
て偏光子５に供給される。偏光子５は入射光を一
方向の電界成分のみを有する直線偏光波としてフ
アラデー素子６に供給される。この直流偏光波が
フアラデー素子６内を伝搬すると、印加される外
部磁界の大きさに対応してその偏光方向が回転さ
れる。その回転角Δxは前記第(1)式で示すように
なる。ここで、フアラデー素子として常磁性材料
または強磁性体をフアラデー素子として用いた場
合、ヴエルデ定数ｖは温度Ｔによつて変化する。
ヴエルデ定数ｖの温度特性を補償するため、フア
ラデー素子６の出力光は、光温度検出素子９を介
して光検光子７に供給される。光温度検出素子９
としては、例えば温度によつて光の吸収量が変化
する材料が用いられる。そして、回転角Δxは、
検光子７によつて光強度に変換される。この出力
光は、マイクロレンズ４ｂに於いて集光された
後、光フアイバ２ｂを介して光受信器８に供給さ
れて電気信号に変換される。
送信器１から放出された出力光は、第１図の場合
と同様に光フアイバ２ａを介して光磁界センサ３
に供給される。この場合、光フアイバ内を伝送さ
れる出力光は無偏光状態となつており、マイクロ
レンズ４ａに於いて集光された後に無偏光波とし
て偏光子５に供給される。偏光子５は入射光を一
方向の電界成分のみを有する直線偏光波としてフ
アラデー素子６に供給される。この直流偏光波が
フアラデー素子６内を伝搬すると、印加される外
部磁界の大きさに対応してその偏光方向が回転さ
れる。その回転角Δxは前記第(1)式で示すように
なる。ここで、フアラデー素子として常磁性材料
または強磁性体をフアラデー素子として用いた場
合、ヴエルデ定数ｖは温度Ｔによつて変化する。
ヴエルデ定数ｖの温度特性を補償するため、フア
ラデー素子６の出力光は、光温度検出素子９を介
して光検光子７に供給される。光温度検出素子９
としては、例えば温度によつて光の吸収量が変化
する材料が用いられる。そして、回転角Δxは、
検光子７によつて光強度に変換される。この出力
光は、マイクロレンズ４ｂに於いて集光された
後、光フアイバ２ｂを介して光受信器８に供給さ
れて電気信号に変換される。
ここで、被測定磁界が交流的に変化する場合に
は、光磁界センサ３から出力される光は振幅が脈
動する変調光となり、そのパワーＰは、 Ｐ＝Pd（ｔ）＋APd（ｔ） ｖ（ｔ）lH……(4) となる。上記(4)式に於いて、右辺の第１項は直流
光のパワーであり、第２項は交流光のパワーであ
る。また、Ａは温度に依存しない定数である。
今、Pd（ｔ）、ｖ（ｔ）がそれぞれ Pd（ｔ）＝Po（１−αT） ……(5) ｖ（ｔ）＝Vo（１−βT） ……(6) として表わせるとすれば、(4)式は下記に示すよう
になる。
は、光磁界センサ３から出力される光は振幅が脈
動する変調光となり、そのパワーＰは、 Ｐ＝Pd（ｔ）＋APd（ｔ） ｖ（ｔ）lH……(4) となる。上記(4)式に於いて、右辺の第１項は直流
光のパワーであり、第２項は交流光のパワーであ
る。また、Ａは温度に依存しない定数である。
今、Pd（ｔ）、ｖ（ｔ）がそれぞれ Pd（ｔ）＝Po（１−αT） ……(5) ｖ（ｔ）＝Vo（１−βT） ……(6) として表わせるとすれば、(4)式は下記に示すよう
になる。
Ｐ≒Po(1-αT)
＋APo〔１−(α+β)Ｔ〕volH ……(7)
(5)、(6)式に於いて、α，βはそれぞれ光温度検
出素子９およびフアラデー素子(6)のヴエルデ定数
の温度係数を表わしている。ここで、第(7)式にお
いて第１項で表わせる部分は、直流光のパワー部
分であつて、この例に於いては光受信器８に於い
て電気信号に変換された後、DC増幅器１１に於
いて増幅され、直流出力として出力される。一
方、第(7)式に於ける第２項部分は交流分を表わ
し、光受信器８に於いて光電変換された後、AC
増幅器１０に於いて増幅され、交流出力として出
力される。また、α，βは既知の値であるため
に、DC増幅器１１に於いて、ある（１−αT）に
対して、〔１−（α＋β）Ｔ〕に対応するようにそ
の増幅率を設定することが可能である。即ち、直
流光のパワー部分に基づいて次式で表わされる直
流分B1が得られる。
出素子９およびフアラデー素子(6)のヴエルデ定数
の温度係数を表わしている。ここで、第(7)式にお
いて第１項で表わせる部分は、直流光のパワー部
分であつて、この例に於いては光受信器８に於い
て電気信号に変換された後、DC増幅器１１に於
いて増幅され、直流出力として出力される。一
方、第(7)式に於ける第２項部分は交流分を表わ
し、光受信器８に於いて光電変換された後、AC
増幅器１０に於いて増幅され、交流出力として出
力される。また、α，βは既知の値であるため
に、DC増幅器１１に於いて、ある（１−αT）に
対して、〔１−（α＋β）Ｔ〕に対応するようにそ
の増幅率を設定することが可能である。即ち、直
流光のパワー部分に基づいて次式で表わされる直
流分B1が得られる。
B1＝C1P0（１−αT）
これより、温度Ｔは
Ｔ＝（１−B1／C1P0）／α
で表わされ、C1，αは定数であり、P0は予め与
えられているので、B1が得られればＴが定まる
ことになる。
えられているので、B1が得られればＴが定まる
ことになる。
このＴに対応させてDC増巾器１１の増巾率Ｒ
を、 Ｒ＝〔１−（α＋β）Ｔ〕／（１−αT） となるように設定する。
を、 Ｒ＝〔１−（α＋β）Ｔ〕／（１−αT） となるように設定する。
このように各部を設定しておく事により、割算
器１２の出力信号V0は、 Vo∝AVovlH ……(8) となり、温度に無関係なものとなつて出力端１３
に送出される。従つて、この出力電圧V0から外
部磁界Ｈを正確に知ることが出来、YIG等の強磁
性体、希土類添加常磁性ガラスなどのヴエルデ定
数の大きなフアラデー素子を用いた場合に於いて
も良好な温度特性を有する光測定が行なえる。
器１２の出力信号V0は、 Vo∝AVovlH ……(8) となり、温度に無関係なものとなつて出力端１３
に送出される。従つて、この出力電圧V0から外
部磁界Ｈを正確に知ることが出来、YIG等の強磁
性体、希土類添加常磁性ガラスなどのヴエルデ定
数の大きなフアラデー素子を用いた場合に於いて
も良好な温度特性を有する光測定が行なえる。
なお、上記実施例に於いては、光磁界センサに
ついて述べたが、光電界センサ、光振動センサ等
のようにその測定物理量が交流的に変化する場合
にはすべて適用することが出来る。
ついて述べたが、光電界センサ、光振動センサ等
のようにその測定物理量が交流的に変化する場合
にはすべて適用することが出来る。
また、上記実施例に於いては、光温度検出素子
をフアラデー素子と検光子の間に介在させた場合
についてのみ説明したが、光送信器から光受信器
までの光路中であればいかなる部分であつても良
い。
をフアラデー素子と検光子の間に介在させた場合
についてのみ説明したが、光送信器から光受信器
までの光路中であればいかなる部分であつても良
い。
更に、上記実施例に於いては、偏光子、フアラ
デー素子等の磁界計測定用光部品と温度検出用光
素子を光学的に直列配置した場合について説明し
たが、第３図に示すように光伝送系に光温度検出
素子９を分岐する形で連続して、即ち光分配器１
４を用いて分配した出力光を並列に配置した光温
度検出素子９に供給して独立した状態でその変化
を温度変調光として取り出しても良いことは言う
までもない。
デー素子等の磁界計測定用光部品と温度検出用光
素子を光学的に直列配置した場合について説明し
たが、第３図に示すように光伝送系に光温度検出
素子９を分岐する形で連続して、即ち光分配器１
４を用いて分配した出力光を並列に配置した光温
度検出素子９に供給して独立した状態でその変化
を温度変調光として取り出しても良いことは言う
までもない。
なお、この場合においても、フアラデー素子６
と光受信器８、光温度検出素子９と光受信器８が
夫々単一の光伝送路である各一本の光フアイバー
２ｂにて結合されている。
と光受信器８、光温度検出素子９と光受信器８が
夫々単一の光伝送路である各一本の光フアイバー
２ｂにて結合されている。
また、上記実施例に於いては、吸収量が変化す
る材料を用いて光温度検出素子を構成した場合に
ついて説明したが、偏光面の回転等の現象を利用
するものであつても良い。
る材料を用いて光温度検出素子を構成した場合に
ついて説明したが、偏光面の回転等の現象を利用
するものであつても良い。
以上説明したように、本発明による計測装置
は、センサ部と交流分離手段との間及び光温度検
出素子と直流分離手段との間を単一の光伝送路で
結合し、交流分離手段から交流信号を、直流分離
手段から直流信号を得るようにして各種物理量と
温度を同時に検出出来るように構成したものであ
るために、温度補償を極めて容易に行うことが出
来、これに伴なつて高精度の光計測が行なえる優
れた効果を有する。
は、センサ部と交流分離手段との間及び光温度検
出素子と直流分離手段との間を単一の光伝送路で
結合し、交流分離手段から交流信号を、直流分離
手段から直流信号を得るようにして各種物理量と
温度を同時に検出出来るように構成したものであ
るために、温度補償を極めて容易に行うことが出
来、これに伴なつて高精度の光計測が行なえる優
れた効果を有する。
第１図は従来の光計測装置を示すブロツク図、
第２図は本発明による光計測装置の一実施例を示
すブロツク図、第３図は他の実施例を示すブロツ
ク図である。 なお、図中、同一又は相当部分は同一記号を用
いて表わしてある。１……光送信器、２ａ，２ｂ
………光フアイバ、３……光磁界センサ、４ａ，
４ｂ……マイクロレンズ、５……偏光子、６……
フアラデー素子、７……検光子、８……光受信
器、９……光温度検出素子、１０……AC増幅器、
１１……DC増幅器、１２……割算器、１４……
光分配器。
第２図は本発明による光計測装置の一実施例を示
すブロツク図、第３図は他の実施例を示すブロツ
ク図である。 なお、図中、同一又は相当部分は同一記号を用
いて表わしてある。１……光送信器、２ａ，２ｂ
………光フアイバ、３……光磁界センサ、４ａ，
４ｂ……マイクロレンズ、５……偏光子、６……
フアラデー素子、７……検光子、８……光受信
器、９……光温度検出素子、１０……AC増幅器、
１１……DC増幅器、１２……割算器、１４……
光分配器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光送信器と、この光送信器の出力光を受光
し、交流的に変化する被測定物理量に応じて振幅
が脈動する変調光に変調する光センサ部と、この
センサ部から単一の光伝送路を介して入力され、
上記変調光中の振幅が交流的に変化する交流光成
分に応じた交流信号を出力する交流分離手段と、
上記光送信器と上記交流分離手段との間の光路中
に設けられ、上記変調光の振幅に温度に応じた影
響を与える光温度検出素子と、この光温度検出素
子の出力信号から上記変調光における振幅が変化
しない直流光成分に応じた直流信号を出力する直
流分離手段と、この直流分離手段の出力信号に基
づき上記交流分離手段の出力信号を補償する補償
手段とを備え、上記補償手段の出力信号に基づき
上記被測定物理量を測定するようにしたことを特
徴とする光計測装置。 ２ 光送信器と、この光送信器の出力光を受光
し、交流的に変化する被測定物理量に応じて振幅
が脈動する変調光に変調する光センサ部と、この
センサ部から単一の光伝送路を介して入力され、
上記変調光中の振幅が交流的に変化する交流光成
分に応じた交流信号を出力する交流分離手段と、
上記光送信器と上記交流分離手段との間の光路か
ら上記出力光を分配する光分配器と、この分配さ
れた出力光の振幅に温度に応じた影響を与える光
温度検出素子と、この光温度検出素子から上記光
伝送路とは異なる単一の光伝送路を介して入力さ
れ、上記温度変調光における振幅が変化しない直
流光成分に応じた直流信号を出力する直流分離手
段と、この直流分離手段の出力信号に基づき上記
交流分離手段の出力信号を補償する補償手段とを
備え、上記補償手段の出力信号に基づき上記被測
定物理量を測定するようにしたことを特徴とする
光計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071805A JPS57184974A (en) | 1981-05-09 | 1981-05-09 | Photo measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071805A JPS57184974A (en) | 1981-05-09 | 1981-05-09 | Photo measuring device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57184974A JPS57184974A (en) | 1982-11-13 |
| JPH0373821B2 true JPH0373821B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=13471143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56071805A Granted JPS57184974A (en) | 1981-05-09 | 1981-05-09 | Photo measuring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57184974A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668508B2 (ja) * | 1988-03-03 | 1994-08-31 | 日本碍子株式会社 | 光電流・磁界計測方法及び装置 |
| FR2634553B1 (fr) * | 1988-07-21 | 1990-09-07 | Schlumberger Ind Sa | Dispositif a capteurs optiques principal et secondaire |
| AU2002356803A1 (en) | 2001-10-16 | 2003-04-28 | James N. Blake | Optical interferometric sensor with optical error compensation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629174A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric current measuring device |
| JPS56112657A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Measuring device for current |
-
1981
- 1981-05-09 JP JP56071805A patent/JPS57184974A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629174A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric current measuring device |
| JPS56112657A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Measuring device for current |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57184974A (en) | 1982-11-13 |
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