JPS6087294A - ホスホン酸誘導体 - Google Patents
ホスホン酸誘導体Info
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なホスホン酸誘導体に関する。
本発明のホスホン酸誘導体は、文献未載の新規化合物で
あって、下記一般式(1)で表わされる。
あって、下記一般式(1)で表わされる。
一般式
〔式中R1は低級アルキル基、R1は水素原子又は水酸
基、 を示す。1 上記一般式(1)で表わされる本発明の化合物は、降圧
作用、強心作用、血小板凝集阻害作用、抗菌作用を有し
、抗高血圧剤、うっ血性心不全等の心臓疾患に有用な強
心剤、血栓防止剤、抗菌剤の医薬品として有用である。
基、 を示す。1 上記一般式(1)で表わされる本発明の化合物は、降圧
作用、強心作用、血小板凝集阻害作用、抗菌作用を有し
、抗高血圧剤、うっ血性心不全等の心臓疾患に有用な強
心剤、血栓防止剤、抗菌剤の医薬品として有用である。
本明細書において、低級アルキル基としては例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、5ec−ブチル、tert−ブチル基等の炭素数
1〜4のアルキル基を挙げることができる。
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、5ec−ブチル、tert−ブチル基等の炭素数
1〜4のアルキル基を挙げることができる。
本発明の化合物は、種々の方法により製造されるが、そ
の好ましい一例を挙げれば下記反応行程式−1〜8に示
す方法に従い製造される。
の好ましい一例を挙げれば下記反応行程式−1〜8に示
す方法に従い製造される。
反応行程式−1
(2) (la)
(lb) (lc)
反応行程式−2
(a) (ld)
−器一
(le) (if)
反応行程式−8
〔上記各式中R1及びR4は前記に同じ。Xはハロゲン
原子を示す。〕 上記反応行程式−1によれば、一般式(1)で表わされ
る本発明の化合物のうちR8が水素原子を示す化合物〔
一般式(la)の化合物、一般式(1b)の化合物及び
一般式(1c)の化合物〕が製造される。反4一 応行程式−2によれば、一般式(1)で表わされる本発
明の化合物のうちR2が水酸基を示す化合物〔一般式(
1d)の化合物、一般式(le)の化合物及び一般式(
1f)の化合物〕が製造される。また反応行程式−8に
よれば、一般式(1)で表わされる本発明の化合物のう
ち一般式(1e)の化合物が製造される。
原子を示す。〕 上記反応行程式−1によれば、一般式(1)で表わされ
る本発明の化合物のうちR8が水素原子を示す化合物〔
一般式(la)の化合物、一般式(1b)の化合物及び
一般式(1c)の化合物〕が製造される。反4一 応行程式−2によれば、一般式(1)で表わされる本発
明の化合物のうちR2が水酸基を示す化合物〔一般式(
1d)の化合物、一般式(le)の化合物及び一般式(
1f)の化合物〕が製造される。また反応行程式−8に
よれば、一般式(1)で表わされる本発明の化合物のう
ち一般式(1e)の化合物が製造される。
上記反応行程式−1〜8において、出発原料として用い
られる一般式(2)の化合物、一般式(3)の化合物及
び一般式(4)の化合物は、いずれも公知の化合物であ
る。
られる一般式(2)の化合物、一般式(3)の化合物及
び一般式(4)の化合物は、いずれも公知の化合物であ
る。
反応行程式−1において、一般式(2)の化合物とン酸
トリアルキルとの反応は、通常無溶媒下にて行なわれる
。この反応には所謂アルブゾフ反応の反応条件を広く適
用できる。一般式(2)の化合物と亜すン酸トνアルキ
ルとの使用割合としては、特に限定されることなく広い
範囲内から適宜選択でき、通常前者に対して後者を1〜
10倍当量、好ましくは2〜4倍当量とするのがよい。
トリアルキルとの反応は、通常無溶媒下にて行なわれる
。この反応には所謂アルブゾフ反応の反応条件を広く適
用できる。一般式(2)の化合物と亜すン酸トνアルキ
ルとの使用割合としては、特に限定されることなく広い
範囲内から適宜選択でき、通常前者に対して後者を1〜
10倍当量、好ましくは2〜4倍当量とするのがよい。
該反応は通常80〜160°C程度、好ましくは100
〜140℃付近に加温することにより好適に進行し、一
般に5〜80分程度で反応は完結する。斯くして一般式
(1a)の化合物が製造される。
〜140℃付近に加温することにより好適に進行し、一
般に5〜80分程度で反応は完結する。斯くして一般式
(1a)の化合物が製造される。
反応行程式−1において、一般式(1a)の化合物から
一般式(lb)の化合物及び一般式(1c)の化合物を
得る反応は、一般式(1a)の化合物を酸化的脱アルキ
ル化反応に付すことにより製造される。該反応は、例え
ばアセトニトリル、アセトン、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF)等
の含水溶媒中、一般式(1a)の化合物に硝酸セリウム
アンモニウム等の4価のセリウム、或いは酸化銀−希硝
酸を作用させることにより実施される。4価のセリウム
を使用する場合、その使用量としては一般式(1a)の
化合物に対して通常2〜5当量、好ましくは2〜8当る
場合、その使用量としては一般式(1a)の化合物に対
して通常2〜10当量、好ましくは4〜7当量とするの
がよい。希硝酸としては通常6規定の硝酸が用いられる
。該反応は、通常0〜80°C1好ましくは室温付近で
行なわれ、一般に5〜20分程度で終了する。斯くして
一般式(lb)の化合物及び一般式(1c)の化合物が
製造される。
一般式(lb)の化合物及び一般式(1c)の化合物を
得る反応は、一般式(1a)の化合物を酸化的脱アルキ
ル化反応に付すことにより製造される。該反応は、例え
ばアセトニトリル、アセトン、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF)等
の含水溶媒中、一般式(1a)の化合物に硝酸セリウム
アンモニウム等の4価のセリウム、或いは酸化銀−希硝
酸を作用させることにより実施される。4価のセリウム
を使用する場合、その使用量としては一般式(1a)の
化合物に対して通常2〜5当量、好ましくは2〜8当る
場合、その使用量としては一般式(1a)の化合物に対
して通常2〜10当量、好ましくは4〜7当量とするの
がよい。希硝酸としては通常6規定の硝酸が用いられる
。該反応は、通常0〜80°C1好ましくは室温付近で
行なわれ、一般に5〜20分程度で終了する。斯くして
一般式(lb)の化合物及び一般式(1c)の化合物が
製造される。
反応行程式−2において、一般式(8)の化合物と亜リ
ン酸ジアルキルとの反応は、通常熱溶媒下反応系内に第
8級アミンを存在させて行なわれる。
ン酸ジアルキルとの反応は、通常熱溶媒下反応系内に第
8級アミンを存在させて行なわれる。
亜リン酸ジアルキルとしては例えば亜リン酸ジメチル、
亜リン酸ジエチル、亜リン酸ジイソプロピル、亜すン酸
ジn−ブチル等を挙げることができる。また第8級アミ
ンとしては例えばトリエチルアミン、ピリジン等を挙げ
ることができる。斯かる第8級アミンの使用量としては
、特に制限されないが、通常一般式(3)の化合物に対
して触媒量〜−丁− 8当量、好ましくは0.1〜1.5当量とするのがよい
。一般式(3)の化合物と亜リン酸ジアルキルとの使用
割合としては、特に制限されることなく広い範囲内から
適宜選択でき、通常前者に対して後者を1〜8当量、好
ましくは1−1.2当量とするのがよい。該反応は室温
下、加温下及び冷却下のいずれでも進行するが、通常0
〜t o o ’c程度、好ましくは0〜80℃で8者
を混合したのち70〜80℃で1〜2時間程度加熱反応
を行なうのがよい。該反応は一般に1〜2時間程度で完
了する。
亜リン酸ジエチル、亜リン酸ジイソプロピル、亜すン酸
ジn−ブチル等を挙げることができる。また第8級アミ
ンとしては例えばトリエチルアミン、ピリジン等を挙げ
ることができる。斯かる第8級アミンの使用量としては
、特に制限されないが、通常一般式(3)の化合物に対
して触媒量〜−丁− 8当量、好ましくは0.1〜1.5当量とするのがよい
。一般式(3)の化合物と亜リン酸ジアルキルとの使用
割合としては、特に制限されることなく広い範囲内から
適宜選択でき、通常前者に対して後者を1〜8当量、好
ましくは1−1.2当量とするのがよい。該反応は室温
下、加温下及び冷却下のいずれでも進行するが、通常0
〜t o o ’c程度、好ましくは0〜80℃で8者
を混合したのち70〜80℃で1〜2時間程度加熱反応
を行なうのがよい。該反応は一般に1〜2時間程度で完
了する。
斯くして一般式(1d)の化合物が製造される。
反応行程式−2において、一般式(ld)の化合物から
一般式(le)の化合物及び一般式(1f)の化合物を
得る反応は、一般式(ld)の化合物を酸化的脱アルキ
ル化反応に付すことにより製造される。該反応の反応条
件は、上述の一般式(1a)の化合物の酸化的脱アルキ
ル化反応の反応条件と同様でよい。
一般式(le)の化合物及び一般式(1f)の化合物を
得る反応は、一般式(ld)の化合物を酸化的脱アルキ
ル化反応に付すことにより製造される。該反応の反応条
件は、上述の一般式(1a)の化合物の酸化的脱アルキ
ル化反応の反応条件と同様でよい。
反応行程式−8において、一般式(4)の化合物が8−
ら一般式(1e)の化合物を得る反応は、まず一般式(
4)の化合物をパラジウム炭素触媒下に接触水添或いは
塩化第−錫等の通常公知の還元剤にて還元し、次に生成
する化合物と西リン酸ジアルキルとを反応させ、更に得
られる反応混合物を酸化処理することにより行なわれる
。一般式(4)の化合物の還元は、溶解性の問題からD
MF又はDMF−エタノール、DMF−メタノールの混
合溶媒中、パラジウム炭素を触媒とした接触還元が好ま
しい。次に生成する化合物と亜リン酸ジアルキルとの反
応は、上記一般式(3)の化合物と亜リン酸ジアルキル
との反応と同様の反応条件下にて行なわれる。また酸化
処理は、例えば塩化第2鉄へ水溶液(通常10%程度)
等の酸化剤を反応系内に存在させるのがよい。綜合酸化
を連続で行なう場合、酢酸、希塩酸(0,1規定)等の
酸を用い反応系内を酸性にするのがよい。該酸化処理は
例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル等の
溶媒中を加えて行なわれる。酸化剤の使用量は酸化処理
すべき化合物に対し通常6〜70当量、好ましくは5〜
20当量とするのがよい。該処理は通常0〜80°C1
好ましくは20〜25℃にて行なわれ、処理時間は一般
に40〜60分程度である。
4)の化合物をパラジウム炭素触媒下に接触水添或いは
塩化第−錫等の通常公知の還元剤にて還元し、次に生成
する化合物と西リン酸ジアルキルとを反応させ、更に得
られる反応混合物を酸化処理することにより行なわれる
。一般式(4)の化合物の還元は、溶解性の問題からD
MF又はDMF−エタノール、DMF−メタノールの混
合溶媒中、パラジウム炭素を触媒とした接触還元が好ま
しい。次に生成する化合物と亜リン酸ジアルキルとの反
応は、上記一般式(3)の化合物と亜リン酸ジアルキル
との反応と同様の反応条件下にて行なわれる。また酸化
処理は、例えば塩化第2鉄へ水溶液(通常10%程度)
等の酸化剤を反応系内に存在させるのがよい。綜合酸化
を連続で行なう場合、酢酸、希塩酸(0,1規定)等の
酸を用い反応系内を酸性にするのがよい。該酸化処理は
例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル等の
溶媒中を加えて行なわれる。酸化剤の使用量は酸化処理
すべき化合物に対し通常6〜70当量、好ましくは5〜
20当量とするのがよい。該処理は通常0〜80°C1
好ましくは20〜25℃にて行なわれ、処理時間は一般
に40〜60分程度である。
斯くして生成する本発明の化合物は、慣用の分離手段、
例えば溶媒抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等
により容易に単離精製される。尚、本発明の化合物には
、光学異性体も当然に包含される。
例えば溶媒抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等
により容易に単離精製される。尚、本発明の化合物には
、光学異性体も当然に包含される。
以下に実施例を挙げる。
実施例1
2−ジェトキシ−ホスフィニルメチル−1,4゜6.8
.−テトラメトキシナフタレン(一般式(la)の化合
物、R4= CH3、R1= C2H6)の製造2−ブ
ロモメチル−1,4,5,8−テトラメトキシナフタレ
ン8fと亜リン酸トリエチル8fとを180℃で5分加
熱する。冷浸、析出した結晶を炉取し、ベンゼン−エー
テルの混合溶媒で再結晶すると2,5gの2−ジエトキ
シーホスフイ二ルメチル−1,4,5,8−テトラメト
キシナフタレンを得る。
.−テトラメトキシナフタレン(一般式(la)の化合
物、R4= CH3、R1= C2H6)の製造2−ブ
ロモメチル−1,4,5,8−テトラメトキシナフタレ
ン8fと亜リン酸トリエチル8fとを180℃で5分加
熱する。冷浸、析出した結晶を炉取し、ベンゼン−エー
テルの混合溶媒で再結晶すると2,5gの2−ジエトキ
シーホスフイ二ルメチル−1,4,5,8−テトラメト
キシナフタレンを得る。
融点 101〜102°C
IHNMR(CDCla 、 1)I)m)7゜08(
IH,d、 J=2.0Hz) 、 6.82(2H。
IH,d、 J=2.0Hz) 、 6.82(2H。
S)、8.89〜4.22(4ILm)、8.98(8
H,S ) 、 8.92(811,S) 、 8.8
9(8H。
H,S ) 、 8.92(811,S) 、 8.8
9(8H。
S)、8.’1r(811,8)、8.89(2H,d
。
。
J =22.0tIZ ) 、 1.25 (6H,t
、 J=’1.OH2) 実施例2 6〜ジェトキシ−ホスフィニルメチル−5,8−ジメト
キシ−1,4−ナフトキノン(一般式(1b)の化合物
、R4= CH3、R’ = C2H5)及び2−ジェ
トキシ−ホスフィニル−5,8−ジメトキシ−1,4−
ナフトキノン(一般式(1c)の化合物、R4= CH
a、11− R” = C2H5)の製造 2−ジェトキシ−ホスフィニルメチル−1,4゜5.8
−テトラメトキシナフタレン8,6fとAg01Ofの
懸濁波に6N硝酸22m1lを徐々に滴加する。反応温
度はこの節約50″Cまで上昇する。
、 J=’1.OH2) 実施例2 6〜ジェトキシ−ホスフィニルメチル−5,8−ジメト
キシ−1,4−ナフトキノン(一般式(1b)の化合物
、R4= CH3、R’ = C2H5)及び2−ジェ
トキシ−ホスフィニル−5,8−ジメトキシ−1,4−
ナフトキノン(一般式(1c)の化合物、R4= CH
a、11− R” = C2H5)の製造 2−ジェトキシ−ホスフィニルメチル−1,4゜5.8
−テトラメトキシナフタレン8,6fとAg01Ofの
懸濁波に6N硝酸22m1lを徐々に滴加する。反応温
度はこの節約50″Cまで上昇する。
約10分検水に移し、クロロポルムで抽出する。
有機層を乾燥(MgSO4)濃縮して得られる粗生成物
をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、クロロホルム
:メタノール=50:1で展開すると6−ジエトキシー
ホスフイニルメチルー5,8−ジメトキシ−1,4−ナ
フトキノン8fを得る。
をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、クロロホルム
:メタノール=50:1で展開すると6−ジエトキシー
ホスフイニルメチルー5,8−ジメトキシ−1,4−ナ
フトキノン8fを得る。
融点 68〜70℃
IHMR(CDCh 、 ppm) ’、7.50 (
IH,d、 J=1!、4H2) 、 6.78(2H
。
IH,d、 J=1!、4H2) 、 6.78(2H
。
S ) 、 8.94〜4.18 (4H,m) 、
8.98(!IH,S) 、 8.86(8H,S )
、 8.84(211゜d、J=22.6Hz)、1
.29(6H,t、J=7.0Hz) 12− さらに展開すると2−ジェトキシ−ホスフィニル−5,
8−ジメトキシ−1,4−ナフトキノン1.5fを得る
。
8.98(!IH,S) 、 8.86(8H,S )
、 8.84(211゜d、J=22.6Hz)、1
.29(6H,t、J=7.0Hz) 12− さらに展開すると2−ジェトキシ−ホスフィニル−5,
8−ジメトキシ−1,4−ナフトキノン1.5fを得る
。
1)fNMR(CDC13、1)pm)7.812H,
S)、6.84(IH,d、d、J=5.2 、0.9
H2) 、 4.04〜4.29 (4H,m)。
S)、6.84(IH,d、d、J=5.2 、0.9
H2) 、 4.04〜4.29 (4H,m)。
8.94(6H,S)、8.15(2H,d、J=21
8Hz)、 1.29(6H,t、J=7.0)実施例
8 2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキシ
メチル) −1,4,5,8−テトラメトキシナフタレ
ン(一般式(ld) ノ化合物、R4= CH3、R1
= C2H5)の製造 1.4,5.8−テトラメトキシナフタレン−2−力ル
ボアルデヒド6.6fJE:亜リン酸ジエチル8f及び
トリエチルアミン11の混合物の中に加え、次いで70
℃で1.5時間加熱する。冷浸、シリカゲルクロマトグ
ラフィーに付し酢酸エチル:n−ヘキサン−8=1で展
開すると6Fの2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−
1−ヒドロキシメチル) −1,4,5,8−テトラメ
トキシナフタレンを得る。
8Hz)、 1.29(6H,t、J=7.0)実施例
8 2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキシ
メチル) −1,4,5,8−テトラメトキシナフタレ
ン(一般式(ld) ノ化合物、R4= CH3、R1
= C2H5)の製造 1.4,5.8−テトラメトキシナフタレン−2−力ル
ボアルデヒド6.6fJE:亜リン酸ジエチル8f及び
トリエチルアミン11の混合物の中に加え、次いで70
℃で1.5時間加熱する。冷浸、シリカゲルクロマトグ
ラフィーに付し酢酸エチル:n−ヘキサン−8=1で展
開すると6Fの2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−
1−ヒドロキシメチル) −1,4,5,8−テトラメ
トキシナフタレンを得る。
融点 114〜116℃
”HNMR(CDC1a 、 ppm)7.22 (I
H,d、 J=1.8H2) 、 6.88(2H。
H,d、 J=1.8H2) 、 6.88(2H。
S、) 、 5.68 (IH,d、J=12.6)1
2 ) 。
2 ) 。
8.70〜4.25 (4H,m) 、 8.95 (
8H,S)。
8H,S)。
8.90(8H,S)、8.88(8H,S)、8.7
7(8H,S ) 、 1.82 (8H,t、 J=
7.OH2)。
7(8H,S ) 、 1.82 (8H,t、 J=
7.OH2)。
1.15(8H,t、J=7.0Hz )実施例4
6−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキシ
メチル)−5,8−ジメトキシ−1,4−ナフトキノン
(一般式(1e)の化合物、B4 = CH3、R1=
C2H,)及び2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル
−1−ヒドロキシメチル) −5,8−ジメトキシ−1
,4−ナフトキノン(一般式(1f)の化合物、R4=
CH3、R1= C2H5) 2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキシ
メチル) −1,4,5,8−テトラメトキシナフタレ
ン1.4fをアセトニトリル80m6に溶解し、その溶
液に水冷下で硝酸セリウム(IV)アンモニウム4.6
fIの水20m1溶液を加える。5分間撹拌の後、水に
移し、クロロホルムで抽出する。
メチル)−5,8−ジメトキシ−1,4−ナフトキノン
(一般式(1e)の化合物、B4 = CH3、R1=
C2H,)及び2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル
−1−ヒドロキシメチル) −5,8−ジメトキシ−1
,4−ナフトキノン(一般式(1f)の化合物、R4=
CH3、R1= C2H5) 2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキシ
メチル) −1,4,5,8−テトラメトキシナフタレ
ン1.4fをアセトニトリル80m6に溶解し、その溶
液に水冷下で硝酸セリウム(IV)アンモニウム4.6
fIの水20m1溶液を加える。5分間撹拌の後、水に
移し、クロロホルムで抽出する。
有機層を乾燥、濃縮して得られる粗生成物をシリカゲル
クロマトグラフィー酢酸エチル:クロロホルム−8:1
で展開すると6−(1−ジェトキシ−ポスフィニル−1
−ヒドロキシメチル)−5,8−ジメトキシ−1,4−
ナフトキノン700mNを得る。
クロマトグラフィー酢酸エチル:クロロホルム−8:1
で展開すると6−(1−ジェトキシ−ポスフィニル−1
−ヒドロキシメチル)−5,8−ジメトキシ−1,4−
ナフトキノン700mNを得る。
融点 148″C
IHNMR(CDCh 、 pI)m)7.69(1)
1.d、J=2.21(Z ) 、 6.78(2H。
1.d、J=2.21(Z ) 、 6.78(2H。
S ) 、 5.50 (IH,d、d、 J=4.5
H2,11,515− R2)、8.85〜4.45(4H,m)、4.00(
8H,S)、8.86(8H,S)、1.84(8H,
t、 J==7.0Hz ) 、1.24 (8H,t
。
H2,11,515− R2)、8.85〜4.45(4H,m)、4.00(
8H,S)、8.86(8H,S)、1.84(8H,
t、 J==7.0Hz ) 、1.24 (8H,t
。
J=7.0Hz)
さらにクロロホルム:メタノール=10:1で展開する
と2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキ
シメチル) −5,8−ジメトキシ−1,4−ナフトキ
ノン200 mNを得る。
と2−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒドロキ
シメチル) −5,8−ジメトキシ−1,4−ナフトキ
ノン200 mNを得る。
融点 151〜152℃
IHNMR(CIXJ3 、1)pm)7.80(2H
,S)、6.98(IH,d、d、J=8.2 、1.
5H2) 、 5.40 (IH,d、 J=18.0
Hz)、8.86〜4.28(4H,m)。
,S)、6.98(IH,d、d、J=8.2 、1.
5H2) 、 5.40 (IH,d、 J=18.0
Hz)、8.86〜4.28(4H,m)。
8.95(8H,S)、8.94(8H,S)。
1.80 (8H,t、 J−7,2R2) 、 1.
27(8H。
27(8H。
t−J=7.1!Hz)
実施例6
6−(1−ジェトキシ−ホスフィニル−1−ヒ16−
ドロキシメチル)−5,8−ジメトキシ−1,4−ナフ
トキノン(一般式(1e)の化合物、R4= CH3、
R1= C2Ht )の製造 5.8−ジメトキシ−1,4−ナフトキノン−6−カル
ボアルデヒド21を、10%I’d/c 200mf存
在下、DMF50mn中室温で水添する。
トキノン(一般式(1e)の化合物、R4= CH3、
R1= C2Ht )の製造 5.8−ジメトキシ−1,4−ナフトキノン−6−カル
ボアルデヒド21を、10%I’d/c 200mf存
在下、DMF50mn中室温で水添する。
原料が消失すれば触媒を炉別し、母液を減圧上濃縮する
。析出した結晶を枦取しヘキサンで洗浄する。乾燥後、
このものと亜リン酸ジエチル1.2Fの混合物に、トリ
エチルアミン1fを加え、その後70℃で1時間加熱す
る。冷浸、THF80mlを加え、さらに10%塩化第
2鉄溶液50 mlを加え、室温で46分間撹拌する。
。析出した結晶を枦取しヘキサンで洗浄する。乾燥後、
このものと亜リン酸ジエチル1.2Fの混合物に、トリ
エチルアミン1fを加え、その後70℃で1時間加熱す
る。冷浸、THF80mlを加え、さらに10%塩化第
2鉄溶液50 mlを加え、室温で46分間撹拌する。
反応混合物を水層に移し、クロロホルムで抽出、溶媒の
乾燥(MgSO4)留去して得られた粗生成物をシリカ
ゲルクロマトグラフィークロロホルム:メタノール;1
0:1で展開すると、11の6−(1−ジェトキシ−ホ
スフィニル−1−ヒドロキシメチル)−5.8−ジメト
キシ−1,4−ナフトキノンが得られる。
乾燥(MgSO4)留去して得られた粗生成物をシリカ
ゲルクロマトグラフィークロロホルム:メタノール;1
0:1で展開すると、11の6−(1−ジェトキシ−ホ
スフィニル−1−ヒドロキシメチル)−5.8−ジメト
キシ−1,4−ナフトキノンが得られる。
物理定数は、実施例4と同じである。
実施例6
2−ジ−n−ブトキシ−ホスフィニルメチル−1,4,
6,8−テトラメトキシナフタレン(一般式(1a)の
化合物、R4= CH3、R’=n−ブチル)の製造 対応する出発原料を用い、実施例1と同様にして油状の
上記目的化合物を得る。
6,8−テトラメトキシナフタレン(一般式(1a)の
化合物、R4= CH3、R’=n−ブチル)の製造 対応する出発原料を用い、実施例1と同様にして油状の
上記目的化合物を得る。
IHNMR(CDCIs 、 pm)m)7.04 (
IH,d、 J=2.0Hz ) 、 6.82(2H
。
IH,d、 J=2.0Hz ) 、 6.82(2H
。
S)、8.94(8H,S)、8.918H,S)。
8.89 (8H,S ) 、 8.77 (8,5)
、 8.40(4H,m) 、1.12〜1.78
(8H,m ) 。
、 8.40(4H,m) 、1.12〜1.78
(8H,m ) 。
0.86 (6H,(it、J = 6.5 R2)(
以上) 1v− 手続補正書(自制 く 昭和59年 41.ハ417日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和58年 特 許 願第195017 号2、発明の
名称 ホスホン酸誘導体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ; 1、 株式会社大塚製薬工場 4、代理人 大阪市東区平野町2の10沢の鶴ビル電話06−203
−0941(代)自発 6、補正により増加する発明の数 なし 20− 補 正 の 内 容 1)明細書第3頁第4〜5行に「医薬品」とあるを次の
通シ訂正する。
以上) 1v− 手続補正書(自制 く 昭和59年 41.ハ417日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和58年 特 許 願第195017 号2、発明の
名称 ホスホン酸誘導体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ; 1、 株式会社大塚製薬工場 4、代理人 大阪市東区平野町2の10沢の鶴ビル電話06−203
−0941(代)自発 6、補正により増加する発明の数 なし 20− 補 正 の 内 容 1)明細書第3頁第4〜5行に「医薬品」とあるを次の
通シ訂正する。
「医薬品として、また抗炎症作用、Ca −拮抗作用を
有し抗炎症剤」 (以 上)
有し抗炎症剤」 (以 上)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R1は低級アルキル基、R2は水素原子又は水酸
基、 を示す。] で表わされるホスホン酸誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19501783A JPS6087294A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | ホスホン酸誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19501783A JPS6087294A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | ホスホン酸誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6087294A true JPS6087294A (ja) | 1985-05-16 |
JPH0150713B2 JPH0150713B2 (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=16334143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19501783A Granted JPS6087294A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | ホスホン酸誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6087294A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994007501A1 (en) * | 1992-09-23 | 1994-04-14 | The Upjohn Company | Arylmethylphosphonates and phosphonic acids useful as anti-inflammatory agents |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP19501783A patent/JPS6087294A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994007501A1 (en) * | 1992-09-23 | 1994-04-14 | The Upjohn Company | Arylmethylphosphonates and phosphonic acids useful as anti-inflammatory agents |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0150713B2 (ja) | 1989-10-31 |
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