JPS60761A - 液冷モジユ−ル - Google Patents
液冷モジユ−ルInfo
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- JPS60761A JPS60761A JP10883783A JP10883783A JPS60761A JP S60761 A JPS60761 A JP S60761A JP 10883783 A JP10883783 A JP 10883783A JP 10883783 A JP10883783 A JP 10883783A JP S60761 A JPS60761 A JP S60761A
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- Japan
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- liquid
- air
- cooling
- cooling plate
- module
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は液冷モジュール、詳しくは高速、高発熱性の半
導体素子の如き発熱素子のための液冷モジュール、すな
わち放熱のためのフィン冷却プレートが冷媒液体の液面
下に設けられ、空気混入による冷却能力低下に対する対
策手段を設けた液冷モジュール、更には冷却プレーＩ−
に垂直方向の気泡通路が設けられた液冷モジュールに関
する。
導体素子の如き発熱素子のための液冷モジュール、すな
わち放熱のためのフィン冷却プレートが冷媒液体の液面
下に設けられ、空気混入による冷却能力低下に対する対
策手段を設けた液冷モジュール、更には冷却プレーＩ−
に垂直方向の気泡通路が設けられた液冷モジュールに関
する。
（２）技術の背景
半導体素子を高密度に実装したパンケージを冷却するた
めに、半導体素子を密封容器内で沸騰性の冷媒に浸漬し
た液冷モジュールが用いられている。第１図はかかる液
冷モジュールの概略断面図であって、同図において、ｌ
ａ、 ｌｂは半導体素子（以下には素子という）、２は
ｎｉＪ記素子が実装された基板、３ば密封容器、４は沸
騰性の冷媒、５と６はそれぞれ密封容器３の内部と外部
に配置された放熱用の板状フィンを示す。
めに、半導体素子を密封容器内で沸騰性の冷媒に浸漬し
た液冷モジュールが用いられている。第１図はかかる液
冷モジュールの概略断面図であって、同図において、ｌ
ａ、 ｌｂは半導体素子（以下には素子という）、２は
ｎｉＪ記素子が実装された基板、３ば密封容器、４は沸
騰性の冷媒、５と６はそれぞれ密封容器３の内部と外部
に配置された放熱用の板状フィンを示す。
素子１ａ、 ｌｂのいずれかが熱くなると、まわりの沸
騰性冷媒が気化して気泡７が発生し、気泡７は冷媒の上
方の空間に逃げて冷媒蒸気８となり、他力密封容器３ば
冷されているので、凝縮した冷媒は凝縮液９となって冷
媒４に戻る。かかるサイクルの繰返しによって素子は効
率良く冷却されるが、気泡７のもっている熱は密封容器
３に移されるので、気化された冷媒の液化を促進するた
めには密封容器３をも冷却する必要がある。密封容器の
冷却には冷却水を用いる水冷方法と空気を用いる空冷方
法とがある。
騰性冷媒が気化して気泡７が発生し、気泡７は冷媒の上
方の空間に逃げて冷媒蒸気８となり、他力密封容器３ば
冷されているので、凝縮した冷媒は凝縮液９となって冷
媒４に戻る。かかるサイクルの繰返しによって素子は効
率良く冷却されるが、気泡７のもっている熱は密封容器
３に移されるので、気化された冷媒の液化を促進するた
めには密封容器３をも冷却する必要がある。密封容器の
冷却には冷却水を用いる水冷方法と空気を用いる空冷方
法とがある。
（３）従来技術と問題点
一般に密封型の液冷モジュールは、空気が混入すると冷
却能力が著しく低下する。それに対してモジュールの冷
却能力を保持するため、第２図に示される如く冷却プレ
ートに空気を集める小室を設けることなとが提案されて
いた。なお第２図において、１１は半導体素子、１２は
冷媒液体、１３は気泡、１４は冷却プレート、１５ばモ
ジュール、１６は空気を示す。
却能力が著しく低下する。それに対してモジュールの冷
却能力を保持するため、第２図に示される如く冷却プレ
ートに空気を集める小室を設けることなとが提案されて
いた。なお第２図において、１１は半導体素子、１２は
冷媒液体、１３は気泡、１４は冷却プレート、１５ばモ
ジュール、１６は空気を示す。
かかる例においては、冷媒気泡１５の凝縮の際、空％ｉ
６のような非凝縮性のガスが・、冷却プレート１４の付
近に濃縮される’Ａノ果を利用するものであるが、現実
には空気１６は冷却プレート１４全体に拡がるため、す
べてを空気留めのために別に設けた小室に集めることが
できず、空気混入による冷却能力低下を完全には防くこ
とができない欠点かあっノこ。
６のような非凝縮性のガスが・、冷却プレート１４の付
近に濃縮される’Ａノ果を利用するものであるが、現実
には空気１６は冷却プレート１４全体に拡がるため、す
べてを空気留めのために別に設けた小室に集めることが
できず、空気混入による冷却能力低下を完全には防くこ
とができない欠点かあっノこ。
また冷却プレートは一般に冷媒液面上に配置し、半導体
素子面から発生し冷媒液面上に昇ってきた気泡を冷却す
るものである。冷却モジュールに空気の如き非凝縮性の
ガスが混入するとそれは冷却プレート付近に築められ、
冷却能力が著しく低下する問題も経験された。
素子面から発生し冷媒液面上に昇ってきた気泡を冷却す
るものである。冷却モジュールに空気の如き非凝縮性の
ガスが混入するとそれは冷却プレート付近に築められ、
冷却能力が著しく低下する問題も経験された。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に濯の、冷媒液体が封入され、
かつ、冷却プレートが設けられた液冷モジュールにおい
て、空気のような非凝縮性のカスが混入しても冷却能力
の低下することのないモジュールの構造を提供すること
を目的とする。
かつ、冷却プレートが設けられた液冷モジュールにおい
て、空気のような非凝縮性のカスが混入しても冷却能力
の低下することのないモジュールの構造を提供すること
を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板上に取り付けら
れた複数個の半導体素子が冷媒液体に浸ｌ貞されたン１
に冷モジュールにおいて、フィンを設りた冷却プレート
が冷媒液体の液面より下に配置されたことを特徴とする
液冷モジュールを提供することによって達成され、また
は前記冷却プレ′−トには、上に細くなる通路が設げら
れたことを特徴とする。
れた複数個の半導体素子が冷媒液体に浸ｌ貞されたン１
に冷モジュールにおいて、フィンを設りた冷却プレート
が冷媒液体の液面より下に配置されたことを特徴とする
液冷モジュールを提供することによって達成され、また
は前記冷却プレ′−トには、上に細くなる通路が設げら
れたことを特徴とする。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
液冷の機構は、発止した熱を冷媒液体が沸騰することに
より気化熱としζ奪い、冷却プレー１−へ蒸気が凝し１
１することにより伝達ず丞ものである。
より気化熱としζ奪い、冷却プレー１−へ蒸気が凝し１
１することにより伝達ず丞ものである。
そこで本願発明者らは、冷却プレートが液面下に置かれ
ても、気泡に接触することにより効率の良い熱伝達かで
きるし、一方、冷媒液体の沸騰状態において、空気は液
体に溶解しないので、液面下の冷却プレートなら空気混
入による影響を受けないことに着目した。
ても、気泡に接触することにより効率の良い熱伝達かで
きるし、一方、冷媒液体の沸騰状態において、空気は液
体に溶解しないので、液面下の冷却プレートなら空気混
入による影響を受けないことに着目した。
本発明の第１実施例は第３図に示され、同図において２
１．、．２６の符号を付した部分は第２図において符号
１１．、、１Ｇを付した部分と同じ部分を表示する。こ
の実施例において、半導体素子（以下には素子という）
２１が作動して発熱すると、冷媒液体２２が沸騰し、気
化熱を奪って冷媒液体の蒸気からなる気泡２３を発止す
る。気泡２３ば液体を攪拌しながら上昇し、液面下の冷
却プレート２４に接触し、冷却され凝縮して液体に戻る
。なお図において、２４ａは冷却プレート２４のフィン
を示す。モジュール２５内に混入し空気ｆｆ２６となる
空気は冷媒液体２２内に熔解しないので冷却能力の低下
が防止される。
１．、．２６の符号を付した部分は第２図において符号
１１．、、１Ｇを付した部分と同じ部分を表示する。こ
の実施例において、半導体素子（以下には素子という）
２１が作動して発熱すると、冷媒液体２２が沸騰し、気
化熱を奪って冷媒液体の蒸気からなる気泡２３を発止す
る。気泡２３ば液体を攪拌しながら上昇し、液面下の冷
却プレート２４に接触し、冷却され凝縮して液体に戻る
。なお図において、２４ａは冷却プレート２４のフィン
を示す。モジュール２５内に混入し空気ｆｆ２６となる
空気は冷媒液体２２内に熔解しないので冷却能力の低下
が防止される。
冷却プレート２４には冷却風または水の如き冷媒が通さ
れる。
れる。
本発明の第２実施例において、冷却プレートは第４図＋
ａｌに示されるように、最外側のフィン２４ａの内方底
部分をわん曲させ気泡２３が留るようにして、気泡との
接触時間を長くできるようにした。
ａｌに示されるように、最外側のフィン２４ａの内方底
部分をわん曲させ気泡２３が留るようにして、気泡との
接触時間を長くできるようにした。
なお第４図以下において、既に図示した＆ｌ＋分は開−
符号を付して表示する。
符号を付して表示する。
１第４図（ｂｌには本発明の第３実施例が示され、この
実施例においてはフィン２４ａを傾斜させ、気ンａが上
昇する際、フィン２４ａに必ず接触するようにした。
実施例においてはフィン２４ａを傾斜させ、気ンａが上
昇する際、フィン２４ａに必ず接触するようにした。
更に本願発明者らは、冷媒液体が沸点付近において空気
を溶解することなく、従って液面下に冷却プレートを設
ければ、冷却プレートは空気に触れることなしに気泡に
直接接触し凝縮させることができること、およびこのと
き、冷却プレートに気泡の通路を上に細る如く多数作る
ことにより気泡の接触面積を増し、冷却プレートに気泡
が留っ゛Ｃ熱絶縁を起すことを防くことかでき、またわ
ずかに溶１’ｚ’Ａ シていた空気が冷却プレートに築
まるごとを防ぎうる点に着目した。
を溶解することなく、従って液面下に冷却プレートを設
ければ、冷却プレートは空気に触れることなしに気泡に
直接接触し凝縮させることができること、およびこのと
き、冷却プレートに気泡の通路を上に細る如く多数作る
ことにより気泡の接触面積を増し、冷却プレートに気泡
が留っ゛Ｃ熱絶縁を起すことを防くことかでき、またわ
ずかに溶１’ｚ’Ａ シていた空気が冷却プレートに築
まるごとを防ぎうる点に着目した。
本発明の第４実施例を示す第５図を参照すると、素子２
１を作動発熱させるとき熱は冷媒液体２２に気化熱とし
て伝達され、気泡２３を発生ずる。気泡は冷却プレート
２４に接触して冷却され冷媒液体２２に戻る。このとき
気ｌ包２３の量が多ければ気泡は更に冷却プレート２４
に設けた通路２７を通過し冷却される。通路２７は例え
は２ｍｍから０．５ｍｍと上に細くなる如くに形成する
。冷却プレート２４ば冷媒液体２２中にあるため空気か
丈まることがなく、また多少ならば上に細くなる通路２
７を経由して、空気１ｍ２６へ追い出される。この冷却
プレート２４には、冷却風あるいは水のような冷媒２７
ａが流される。また、通路の数は凝縮面積と冷媒２７ａ
の流体抵抗との兼合いで決める。なお第６図は一部切欠
して断面を示す冷却プレート２４の斜視図である。
１を作動発熱させるとき熱は冷媒液体２２に気化熱とし
て伝達され、気泡２３を発生ずる。気泡は冷却プレート
２４に接触して冷却され冷媒液体２２に戻る。このとき
気ｌ包２３の量が多ければ気泡は更に冷却プレート２４
に設けた通路２７を通過し冷却される。通路２７は例え
は２ｍｍから０．５ｍｍと上に細くなる如くに形成する
。冷却プレート２４ば冷媒液体２２中にあるため空気か
丈まることがなく、また多少ならば上に細くなる通路２
７を経由して、空気１ｍ２６へ追い出される。この冷却
プレート２４には、冷却風あるいは水のような冷媒２７
ａが流される。また、通路の数は凝縮面積と冷媒２７ａ
の流体抵抗との兼合いで決める。なお第６図は一部切欠
して断面を示す冷却プレート２４の斜視図である。
（７）発明の効果
ツ上詳細に説明した如（、本発明によれば、高速高熱性
の半導体素子のための液冷モジュールにおいて、フィン
イ」き冷却プレートを冷媒液体の液面下に設け、前記フ
ィンにわん曲をもたせまたはフィンを１頃斜させ、更に
は冷却プレートに通路を形成することにより、冷却能力
が高められるだりでなく、空気混入ｔよる冷却能力の低
下が防止されるので半導体装置の信頼性向上に効果大ユ
ある。
の半導体素子のための液冷モジュールにおいて、フィン
イ」き冷却プレートを冷媒液体の液面下に設け、前記フ
ィンにわん曲をもたせまたはフィンを１頃斜させ、更に
は冷却プレートに通路を形成することにより、冷却能力
が高められるだりでなく、空気混入ｔよる冷却能力の低
下が防止されるので半導体装置の信頼性向上に効果大ユ
ある。
第１図と第２図は従来の液冷モジュールの断面図、第３
図と第５図は本発明実施例のＷｉ面図、第４図（ａｌと
（ｂｌは第３図の冷却プレートの変型例の断面図、第６
図は第５図の冷却プレートの一部切欠した斜視図である
。 ２１−半導体素子、２２−冷媒液体、２３−気泡、２４
−“冷却プレート、２４ａ−フィン、２５−液冷モジュ
ール、２６−空気１栂、２７−通路、２７ａ −−一冷
媒
図と第５図は本発明実施例のＷｉ面図、第４図（ａｌと
（ｂｌは第３図の冷却プレートの変型例の断面図、第６
図は第５図の冷却プレートの一部切欠した斜視図である
。 ２１−半導体素子、２２−冷媒液体、２３−気泡、２４
−“冷却プレート、２４ａ−フィン、２５−液冷モジュ
ール、２６−空気１栂、２７−通路、２７ａ −−一冷
媒
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋ｌ）基１に上に取り付けられた複数個の半導体素子が
冷媒液体に浸漬された液冷モジュールにおいて、フィン
を設けた冷却プレートが冷媒液体の液面より下に配置さ
れたことを特徴とする液冷モジュール。 （２）前記冷却プレートには、上に細くなる通路が設け
られたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液
冷モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883783A JPS60761A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 液冷モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10883783A JPS60761A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 液冷モジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60761A true JPS60761A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0122742B2 JPH0122742B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=14494814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10883783A Granted JPS60761A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 液冷モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285448A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の冷却構造 |
| JP2007150199A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Fujitsu Ltd | 電子装置の冷却装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103338A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Hitachi Ltd | Boiling cooling device |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10883783A patent/JPS60761A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103338A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Hitachi Ltd | Boiling cooling device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285448A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の冷却構造 |
| JPH0365901B2 (ja) * | 1985-10-09 | 1991-10-15 | ||
| JP2007150199A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Fujitsu Ltd | 電子装置の冷却装置 |
| JP4637734B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-02-23 | 富士通株式会社 | 電子装置の冷却装置 |
| US8230901B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-07-31 | Fujitsu Limited | Electronic device cooling apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122742B2 (ja) | 1989-04-27 |
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