JPS6074718A - 直流バイアス回路 - Google Patents
直流バイアス回路Info
- Publication number
- JPS6074718A JPS6074718A JP18024983A JP18024983A JPS6074718A JP S6074718 A JPS6074718 A JP S6074718A JP 18024983 A JP18024983 A JP 18024983A JP 18024983 A JP18024983 A JP 18024983A JP S6074718 A JPS6074718 A JP S6074718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- switching
- bias
- switching element
- level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は直流バイアス回路、更に詳しく言えばスイッチ
ングパルスのデユーティで出力電圧文は電流を制御する
DC−DCコンバータのスイッチング回路の直流バイア
ス回路に関するものである。
ングパルスのデユーティで出力電圧文は電流を制御する
DC−DCコンバータのスイッチング回路の直流バイア
ス回路に関するものである。
従来の直流バイアス回路の欠点について、第1図及び第
2図によル説明する。第1図は、従来の直流パ4 ’T
ス回路の1例であシ、Qはスイッチング素子でたとえば
MO8)ランジスタ等、Lは負荷、Rは容量Cとの時定
数にょシ、cの電荷を放電させるための抵抗、Dは第2
図に示すスイッチングパルスのローレベルt−E点のア
ースレベルに固定するためのダイオードであシ、cはス
イッチングパルスを出力する回路の直流電圧をカットす
るための容量である。第2図は、第1図の回路のスイッ
チングパルス波形と直流バイアスレベルヲ示すものであ
!5、(a)は、立上#)/立下シ時間が無視出来る程
短い場合を示し、(b)は、立上シ及び立下シ時間(T
s=Ta)が長い場合を示すものである。(a)及び(
b)において、Gレベルは、第1図のE点即ちr−スレ
ベルを示し、thレベルは、同じくスイッチング素子Q
のオン・オフしきい値レベルを示し、tllはスイッチ
ングパルスの高レベルを、tLは同じく低レベルを示し
、それぞれのthレベルに対する振巾をhl及びhlで
示す。
2図によル説明する。第1図は、従来の直流パ4 ’T
ス回路の1例であシ、Qはスイッチング素子でたとえば
MO8)ランジスタ等、Lは負荷、Rは容量Cとの時定
数にょシ、cの電荷を放電させるための抵抗、Dは第2
図に示すスイッチングパルスのローレベルt−E点のア
ースレベルに固定するためのダイオードであシ、cはス
イッチングパルスを出力する回路の直流電圧をカットす
るための容量である。第2図は、第1図の回路のスイッ
チングパルス波形と直流バイアスレベルヲ示すものであ
!5、(a)は、立上#)/立下シ時間が無視出来る程
短い場合を示し、(b)は、立上シ及び立下シ時間(T
s=Ta)が長い場合を示すものである。(a)及び(
b)において、Gレベルは、第1図のE点即ちr−スレ
ベルを示し、thレベルは、同じくスイッチング素子Q
のオン・オフしきい値レベルを示し、tllはスイッチ
ングパルスの高レベルを、tLは同じく低レベルを示し
、それぞれのthレベルに対する振巾をhl及びhlで
示す。
ここで、hl>h茸で6る。
スイッチング素子Qのオン時間について、波形(a)と
(b)を比較してみると、前者がTtに対し、後者はT
1となシ、オン時間が長くなる。したがって、一定のデ
ユーティを持つスイツチングノ(ルスでも、その立上シ
及び立下り時間の変動によって、スイッチング素子Qの
オン時間のデユーティが変動することになり、装置の性
能劣化につながる。
(b)を比較してみると、前者がTtに対し、後者はT
1となシ、オン時間が長くなる。したがって、一定のデ
ユーティを持つスイツチングノ(ルスでも、その立上シ
及び立下り時間の変動によって、スイッチング素子Qの
オン時間のデユーティが変動することになり、装置の性
能劣化につながる。
本発明の目的は、ノ(ルスの立上シ及び立下り時間の変
動に影響されない、安定したデユーティによシ駆動する
ための最適な直流)くイ゛γスを最も経済的に得る回路
を提供することにある。
動に影響されない、安定したデユーティによシ駆動する
ための最適な直流)くイ゛γスを最も経済的に得る回路
を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するため、スイッチング素子の
二つのスイッチング制御信号入力端子の少なくとも一方
がコンデンサによシ直流カットされた回路において、上
記二つの入力端子間にツェナダイオードを接続して構成
したことを特徴とする。
二つのスイッチング制御信号入力端子の少なくとも一方
がコンデンサによシ直流カットされた回路において、上
記二つの入力端子間にツェナダイオードを接続して構成
したことを特徴とする。
第3図によシ、本発明に関する基本的考え方を述べる。
同図(a)はスイッチングパルスの立上シ、立下少時間
が短く無視出来る場合を示し、(b)は立上り及び立下
少時間がそれぞれTs 、T4で、’r3==’r4の
場合を示す。(a)、 (b)におイーC−1th。
が短く無視出来る場合を示し、(b)は立上り及び立下
少時間がそれぞれTs 、T4で、’r3==’r4の
場合を示す。(a)、 (b)におイーC−1th。
G、Lm 、LLについては、第2図と同様であるので
説明を省略するが、h3及びh4は、それぞれ、thレ
ベルに対する振巾を示し、互いに等しい。同じく、vz
I 及びVz2 は、Gレベル(第1図E点レベル)に
対する振巾を示すものである。
説明を省略するが、h3及びh4は、それぞれ、thレ
ベルに対する振巾を示し、互いに等しい。同じく、vz
I 及びVz2 は、Gレベル(第1図E点レベル)に
対する振巾を示すものである。
同図(b)において、スイッチング素子のオン時間T
、 /は、Ts =T41 h3 =h4の条件によシ
、(a)における場合のオン時間T里と等しく、スイッ
チングパルスの立上り、立下少時間に対する依存性がな
くなることが明らかである。
、 /は、Ts =T41 h3 =h4の条件によシ
、(a)における場合のオン時間T里と等しく、スイッ
チングパルスの立上り、立下少時間に対する依存性がな
くなることが明らかである。
本発明の実施例を第4図によシ説明する。同図においr
、L、Q、L Cは、第1図と同様であるので、説明を
省略し、本発明に係るZD、。
、L、Q、L Cは、第1図と同様であるので、説明を
省略し、本発明に係るZD、。
ZD2の動作について、説明する。Z D t *zD
2は、ともにツェナーダイオードであり、前者は、アー
ス点Eに対するスイッチング/<ルスの高レベル(第3
図t11)を、後者は同じく低レベル(第3図tL)を
決定する鋤をする。即ち、ZDI ノツ:r−f −電
圧を、第3図Vz1 に、ZIhのそれを同じ(Vt@
に選択することによシ、第3図に示すスイッチングパ
ルスのスイッチ素子に対する直流レベルを得ることが出
来る。
2は、ともにツェナーダイオードであり、前者は、アー
ス点Eに対するスイッチング/<ルスの高レベル(第3
図t11)を、後者は同じく低レベル(第3図tL)を
決定する鋤をする。即ち、ZDI ノツ:r−f −電
圧を、第3図Vz1 に、ZIhのそれを同じ(Vt@
に選択することによシ、第3図に示すスイッチングパ
ルスのスイッチ素子に対する直流レベルを得ることが出
来る。
同様のことを、通常のダイオードのみで行なう場合は、
第3図に示す電圧VEI またはVwx を有する何ら
かの定電圧源が必要とな9、例えば抵抗とツェナーダイ
オードそれぞれ1ケを使用すれば、可能であるが、この
ための電力損失と1ケの部品点数増加をさけることが出
来ない。
第3図に示す電圧VEI またはVwx を有する何ら
かの定電圧源が必要とな9、例えば抵抗とツェナーダイ
オードそれぞれ1ケを使用すれば、可能であるが、この
ための電力損失と1ケの部品点数増加をさけることが出
来ない。
以上の様に、直流バイアス回路にツェナーダイオードを
使用することによシ、スイッチング素子のしきい値電圧
に応じて必要とするツェナーダイオードの電圧を選択す
るだけで、最適な直流ノくイアスレペルを設定出来るた
めスイツチングノくルスの立上シ、立下少時間の変動に
対して、スイッチング素子の実効的動作デユーティの安
定した回路を経済的に実現することが出来る。
使用することによシ、スイッチング素子のしきい値電圧
に応じて必要とするツェナーダイオードの電圧を選択す
るだけで、最適な直流ノくイアスレペルを設定出来るた
めスイツチングノくルスの立上シ、立下少時間の変動に
対して、スイッチング素子の実効的動作デユーティの安
定した回路を経済的に実現することが出来る。
第1図は従来の直流バイアス回路の回路図、第2図は第
1図の動作波形図、第3図は本発明の回路の動作説明の
ための波形図、第4図は本発明の一実施例を示す回路図
である。 Q・・・スイッチング素子、C・・・コンデンサ、R・
・・抵抗、D・・・ダイオード、ZDl + Zl)!
・・・ツエナー高1図 第2図 MJ図 第4図
1図の動作波形図、第3図は本発明の回路の動作説明の
ための波形図、第4図は本発明の一実施例を示す回路図
である。 Q・・・スイッチング素子、C・・・コンデンサ、R・
・・抵抗、D・・・ダイオード、ZDl + Zl)!
・・・ツエナー高1図 第2図 MJ図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、スイッチング素子の二つのスイッチング制御信号入
力端子の少なくとも一方がコンデンサにより直流カット
された回路において、上記二つの入力端子間にツェナー
ダイオードを接続したことを特徴とする直流バイアス回
路。 26第1項記載の直流バイアス回路において、二つのス
イッチング制御信号入力端子間に、互いに逆極性で直列
接続したツェナーダイオードを接続したことを特徴とす
る直流バイアス回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18024983A JPS6074718A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 直流バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18024983A JPS6074718A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 直流バイアス回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6074718A true JPS6074718A (ja) | 1985-04-27 |
Family
ID=16079967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18024983A Pending JPS6074718A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 直流バイアス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6074718A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0723337A2 (en) * | 1995-01-23 | 1996-07-24 | Sony Corporation | Switching circuit and composite arrangement |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18024983A patent/JPS6074718A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0723337A2 (en) * | 1995-01-23 | 1996-07-24 | Sony Corporation | Switching circuit and composite arrangement |
EP0723337A3 (en) * | 1995-01-23 | 1997-04-23 | Sony Corp | Circuit and composite device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0685921B1 (en) | Capacitive charge pump, Bicmos circuit for low supply voltage | |
JPS61502302A (ja) | 電界効果トランジスタのための変圧器を使用しない駆動回路 | |
JPH0357713B2 (ja) | ||
US4419593A (en) | Ultra fast driver circuit | |
US5304863A (en) | Transformer driver having unlimited duty cycle capability by inserting narrow pulses during unlimited duty cycles | |
US4514679A (en) | Secondary switch controller circuit for power supply | |
US5534769A (en) | Synchronous rectifying circuit | |
US3828208A (en) | Driver circuit using diodes to control the minority carrier storage effect in switched transistors | |
JPS6074718A (ja) | 直流バイアス回路 | |
US4831507A (en) | Frequency controlled preload | |
US4859927A (en) | Power supply with improved switching regulator | |
US5412332A (en) | Drive circuit for a flyback converter with switching transistors in bridge arrangement | |
US3492503A (en) | Switching circuitry for reducing the time required to turn off a saturated semiconductor device | |
US4595973A (en) | Switching power supply | |
JPS585817A (ja) | 電源回路 | |
US4598244A (en) | Switching regulator | |
US4602323A (en) | Single-ended transformer drive circuit | |
JPH0315423B2 (ja) | ||
JPH06106020B2 (ja) | スイッチングレギユレータ | |
JPS5941638Y2 (ja) | 単安定マルチバイブレ−タ | |
JPH0783619B2 (ja) | インバータ駆動装置 | |
JPS644682B2 (ja) | ||
SU1471303A1 (ru) | Устройство с оптронной разв зкой | |
SU570067A1 (ru) | Устройство дл возведени в степень | |
EP0858165A1 (en) | IC for implementing the function of a DIAC diode |