JPS6074718A - 直流バイアス回路 - Google Patents

直流バイアス回路

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Publication number
JPS6074718A
JPS6074718A JP18024983A JP18024983A JPS6074718A JP S6074718 A JPS6074718 A JP S6074718A JP 18024983 A JP18024983 A JP 18024983A JP 18024983 A JP18024983 A JP 18024983A JP S6074718 A JPS6074718 A JP S6074718A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
switching
bias
switching element
level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18024983A
Other languages
English (en)
Inventor
Isamu Mitomo
三友 勇
Hirotoshi Shirasu
白須 宏俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP18024983A priority Critical patent/JPS6074718A/ja
Publication of JPS6074718A publication Critical patent/JPS6074718A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は直流バイアス回路、更に詳しく言えばスイッチ
ングパルスのデユーティで出力電圧文は電流を制御する
DC−DCコンバータのスイッチング回路の直流バイア
ス回路に関するものである。
〔発明の背景〕
従来の直流バイアス回路の欠点について、第1図及び第
2図によル説明する。第1図は、従来の直流パ4 ’T
ス回路の1例であシ、Qはスイッチング素子でたとえば
MO8)ランジスタ等、Lは負荷、Rは容量Cとの時定
数にょシ、cの電荷を放電させるための抵抗、Dは第2
図に示すスイッチングパルスのローレベルt−E点のア
ースレベルに固定するためのダイオードであシ、cはス
イッチングパルスを出力する回路の直流電圧をカットす
るための容量である。第2図は、第1図の回路のスイッ
チングパルス波形と直流バイアスレベルヲ示すものであ
!5、(a)は、立上#)/立下シ時間が無視出来る程
短い場合を示し、(b)は、立上シ及び立下シ時間(T
s=Ta)が長い場合を示すものである。(a)及び(
b)において、Gレベルは、第1図のE点即ちr−スレ
ベルを示し、thレベルは、同じくスイッチング素子Q
のオン・オフしきい値レベルを示し、tllはスイッチ
ングパルスの高レベルを、tLは同じく低レベルを示し
、それぞれのthレベルに対する振巾をhl及びhlで
示す。
ここで、hl>h茸で6る。
スイッチング素子Qのオン時間について、波形(a)と
(b)を比較してみると、前者がTtに対し、後者はT
1となシ、オン時間が長くなる。したがって、一定のデ
ユーティを持つスイツチングノ(ルスでも、その立上シ
及び立下り時間の変動によって、スイッチング素子Qの
オン時間のデユーティが変動することになり、装置の性
能劣化につながる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ノ(ルスの立上シ及び立下り時間の変
動に影響されない、安定したデユーティによシ駆動する
ための最適な直流)くイ゛γスを最も経済的に得る回路
を提供することにある。
〔発明の概要〕 本発明は上記目的を達成するため、スイッチング素子の
二つのスイッチング制御信号入力端子の少なくとも一方
がコンデンサによシ直流カットされた回路において、上
記二つの入力端子間にツェナダイオードを接続して構成
したことを特徴とする。
第3図によシ、本発明に関する基本的考え方を述べる。
同図(a)はスイッチングパルスの立上シ、立下少時間
が短く無視出来る場合を示し、(b)は立上り及び立下
少時間がそれぞれTs 、T4で、’r3==’r4の
場合を示す。(a)、 (b)におイーC−1th。
G、Lm 、LLについては、第2図と同様であるので
説明を省略するが、h3及びh4は、それぞれ、thレ
ベルに対する振巾を示し、互いに等しい。同じく、vz
I 及びVz2 は、Gレベル(第1図E点レベル)に
対する振巾を示すものである。
同図(b)において、スイッチング素子のオン時間T 
、 /は、Ts =T41 h3 =h4の条件によシ
、(a)における場合のオン時間T里と等しく、スイッ
チングパルスの立上り、立下少時間に対する依存性がな
くなることが明らかである。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例を第4図によシ説明する。同図においr
、L、Q、L Cは、第1図と同様であるので、説明を
省略し、本発明に係るZD、。
ZD2の動作について、説明する。Z D t *zD
2は、ともにツェナーダイオードであり、前者は、アー
ス点Eに対するスイッチング/<ルスの高レベル(第3
図t11)を、後者は同じく低レベル(第3図tL)を
決定する鋤をする。即ち、ZDI ノツ:r−f −電
圧を、第3図Vz1 に、ZIhのそれを同じ(Vt@
 に選択することによシ、第3図に示すスイッチングパ
ルスのスイッチ素子に対する直流レベルを得ることが出
来る。
同様のことを、通常のダイオードのみで行なう場合は、
第3図に示す電圧VEI またはVwx を有する何ら
かの定電圧源が必要とな9、例えば抵抗とツェナーダイ
オードそれぞれ1ケを使用すれば、可能であるが、この
ための電力損失と1ケの部品点数増加をさけることが出
来ない。
〔発明の効果〕
以上の様に、直流バイアス回路にツェナーダイオードを
使用することによシ、スイッチング素子のしきい値電圧
に応じて必要とするツェナーダイオードの電圧を選択す
るだけで、最適な直流ノくイアスレペルを設定出来るた
めスイツチングノくルスの立上シ、立下少時間の変動に
対して、スイッチング素子の実効的動作デユーティの安
定した回路を経済的に実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の直流バイアス回路の回路図、第2図は第
1図の動作波形図、第3図は本発明の回路の動作説明の
ための波形図、第4図は本発明の一実施例を示す回路図
である。 Q・・・スイッチング素子、C・・・コンデンサ、R・
・・抵抗、D・・・ダイオード、ZDl + Zl)!
・・・ツエナー高1図 第2図 MJ図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、スイッチング素子の二つのスイッチング制御信号入
    力端子の少なくとも一方がコンデンサにより直流カット
    された回路において、上記二つの入力端子間にツェナー
    ダイオードを接続したことを特徴とする直流バイアス回
    路。 26第1項記載の直流バイアス回路において、二つのス
    イッチング制御信号入力端子間に、互いに逆極性で直列
    接続したツェナーダイオードを接続したことを特徴とす
    る直流バイアス回路。
JP18024983A 1983-09-30 1983-09-30 直流バイアス回路 Pending JPS6074718A (ja)

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JP18024983A JPS6074718A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 直流バイアス回路

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JPS6074718A true JPS6074718A (ja) 1985-04-27

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ID=16079967

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JP18024983A Pending JPS6074718A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 直流バイアス回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0723337A2 (en) * 1995-01-23 1996-07-24 Sony Corporation Switching circuit and composite arrangement

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0723337A2 (en) * 1995-01-23 1996-07-24 Sony Corporation Switching circuit and composite arrangement
EP0723337A3 (en) * 1995-01-23 1997-04-23 Sony Corp Circuit and composite device

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