JPS6070726A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS6070726A JPS6070726A JP58177442A JP17744283A JPS6070726A JP S6070726 A JPS6070726 A JP S6070726A JP 58177442 A JP58177442 A JP 58177442A JP 17744283 A JP17744283 A JP 17744283A JP S6070726 A JPS6070726 A JP S6070726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- wafer
- mask
- electron
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路製作に用いられる電子ビーム露光
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来、集積回路製作における半導体材料（ウェーハ）露
光工程に電子ビーム露光装置は量産用としては殆んど使
われていない。集積度が比較的小さい場合は紫外線露光
方式で充分でちゃ、集積度が上ると微細に絞った電子ビ
ームを用いるので電子ビームのウェーハ照射延時間が極
端に長くなるからでちる。
光工程に電子ビーム露光装置は量産用としては殆んど使
われていない。集積度が比較的小さい場合は紫外線露光
方式で充分でちゃ、集積度が上ると微細に絞った電子ビ
ームを用いるので電子ビームのウェーハ照射延時間が極
端に長くなるからでちる。
本発明は半導体ウェーハ上のレジスト露光時に用いる際
の主産性を上げ得る電子ビーム麩光装置を提供すること
を目的としたもので、以下図面について詳細に説明する
。
の主産性を上げ得る電子ビーム麩光装置を提供すること
を目的としたもので、以下図面について詳細に説明する
。
第１図は本発明の１実施例であって、１は細長い長方形
状の）電子放出面を有する熱１践極、２は長方形状の電
子ビーム通過孔を持つビーム形成電極、３は電子ビーム
を加速する陽極、４は陽極３と同電位で電子ビーム５の
通路の大半を覆うと共に次段の異なる電位の電極との間
の電界分布を整える役目を担うシールド電極、６は適当
なレジストを塗布した半導体ウェーハ、７はウェーハ６
を電子ビーム露光するパターンをきめるマスク、８はマ
スク取付台、９はウェーハ６を装着するテーブルであシ
、これらは図示してない真空排気系につらなる容器内に
設けられ、真空写囲気中で作動状態にされる。
状の）電子放出面を有する熱１践極、２は長方形状の電
子ビーム通過孔を持つビーム形成電極、３は電子ビーム
を加速する陽極、４は陽極３と同電位で電子ビーム５の
通路の大半を覆うと共に次段の異なる電位の電極との間
の電界分布を整える役目を担うシールド電極、６は適当
なレジストを塗布した半導体ウェーハ、７はウェーハ６
を電子ビーム露光するパターンをきめるマスク、８はマ
スク取付台、９はウェーハ６を装着するテーブルであシ
、これらは図示してない真空排気系につらなる容器内に
設けられ、真空写囲気中で作動状態にされる。
熱陰極１、ビーム形成電極２、陽極３からなる電子銃で
成形加速された電子ビーム５は電子レンズ１０の集束作
用を受け長方形状の断面を有しながらマスク７へ入射す
る。なお、シールド電極４とマスク７（およびマスク取
付台８）との間の減速電界も電子ビーム５の断面形状に
影響を与える。
成形加速された電子ビーム５は電子レンズ１０の集束作
用を受け長方形状の断面を有しながらマスク７へ入射す
る。なお、シールド電極４とマスク７（およびマスク取
付台８）との間の減速電界も電子ビーム５の断面形状に
影響を与える。
マスク７は熱陰極１に対し、直流低圧電源１１によシ僅
かの正電位にあシ、電子ビーム５の入射によシ少量の加
熱エネルギを受けるがそれによる変形は無視できる位充
分小さくてすむよう前記正電位の値を小さく押えておく
。
かの正電位にあシ、電子ビーム５の入射によシ少量の加
熱エネルギを受けるがそれによる変形は無視できる位充
分小さくてすむよう前記正電位の値を小さく押えておく
。
なお第１図において、１２は陽極３やシールド電極４を
熱陰極１に対し比較的高い正電位にするだめの直流高圧
電源であシ、１３は電子ビーム５の軌道を動かす（走査
する）だめの磁界を発生するビーム偏向系である。電子
レンズ１０、ビーム偏向系１３等にはそれぞれ電源やそ
の制御部が必要であるが図には示してない。また、陽極
３とシールド電極４とを異なる電位にするため別の電源
を設けてもよい。なお、１７は熱陰極工を通電加熱する
電源、１８，１８・は熱陰極１の電子放出部１９附近の
電位検出用抵抗である。
熱陰極１に対し比較的高い正電位にするだめの直流高圧
電源であシ、１３は電子ビーム５の軌道を動かす（走査
する）だめの磁界を発生するビーム偏向系である。電子
レンズ１０、ビーム偏向系１３等にはそれぞれ電源やそ
の制御部が必要であるが図には示してない。また、陽極
３とシールド電極４とを異なる電位にするため別の電源
を設けてもよい。なお、１７は熱陰極工を通電加熱する
電源、１８，１８・は熱陰極１の電子放出部１９附近の
電位検出用抵抗である。
マスク７は少くとも電子ビーム５の入射側を導電性材料
とした薄板に電子ビーム５の一部を通過させる孔をあけ
たものであり、第２図（ａ）にその−例の部分斜視図を
示す。すなわち、金属薄板２１に電子ビーム通過孔２２
をエツチング、あるいは荷電ビームによる加工、あるい
はその他の手段であけたマスク７に長方形状断面を有す
る電子ビーム５を照射する。電子ビーム５をその短辺方
向（図の矢印２３方向）に走査するとこの電子ビーム通
過孔２２（の一部）を通過した電子が第１図で示す電子
群１４のように高電位のウェーハ６側に引っ張られ比較
的大口径の投影用電子レンズ１５でウェーハ６Ｊ：に結
像し、マスク７のパターンがウェーハ６上に写されて露
光される。この電子ビーム５は第２図（ａ）に示すよう
に長方形の断面を持つので一度の走査である幅をカバー
できるがそれで所要露光全域をカバーしきれないときは
第１図のテーブル９をステップ状に駆動してウェーハ６
とテーブルから絶縁体１６で支承されているマスク取付
台８Ｊ：、のマスク７とを新たな位置に移動してから電
子ビーム５を走査するという（いわゆるステップ・アン
ド・リピート）操作を繰シ返させればウェーハ表面の所
要全領域を露光することができる。
とした薄板に電子ビーム５の一部を通過させる孔をあけ
たものであり、第２図（ａ）にその−例の部分斜視図を
示す。すなわち、金属薄板２１に電子ビーム通過孔２２
をエツチング、あるいは荷電ビームによる加工、あるい
はその他の手段であけたマスク７に長方形状断面を有す
る電子ビーム５を照射する。電子ビーム５をその短辺方
向（図の矢印２３方向）に走査するとこの電子ビーム通
過孔２２（の一部）を通過した電子が第１図で示す電子
群１４のように高電位のウェーハ６側に引っ張られ比較
的大口径の投影用電子レンズ１５でウェーハ６Ｊ：に結
像し、マスク７のパターンがウェーハ６上に写されて露
光される。この電子ビーム５は第２図（ａ）に示すよう
に長方形の断面を持つので一度の走査である幅をカバー
できるがそれで所要露光全域をカバーしきれないときは
第１図のテーブル９をステップ状に駆動してウェーハ６
とテーブルから絶縁体１６で支承されているマスク取付
台８Ｊ：、のマスク７とを新たな位置に移動してから電
子ビーム５を走査するという（いわゆるステップ・アン
ド・リピート）操作を繰シ返させればウェーハ表面の所
要全領域を露光することができる。
マスク７の電子ビーム通過孔２２のパターンが一露光工
程に対し一種では済まない場合（クシ抜かれてしまう部
分がないようにするだめやマスク作製の便宜上などのた
め）は第２図（ｂ）の７・のように別のマスクを用意し
、それに取シ替えて前述と同様な操作を行い所要の露光
パターンを合成するようにする。
程に対し一種では済まない場合（クシ抜かれてしまう部
分がないようにするだめやマスク作製の便宜上などのた
め）は第２図（ｂ）の７・のように別のマスクを用意し
、それに取シ替えて前述と同様な操作を行い所要の露光
パターンを合成するようにする。
Ｖ上は電子ビーム５や通過電子群１４をそのままマスク
７やウェーハ６に入射させる場合を説明したが、第３図
（ａ）に示すように、例えばウェーハ直上にシャッタ３
１，３１’、３１“、・・・・・・を仕掛けておきこれ
らシャッタ間のウェーハ表面の部分領域３２．３２・、
・・印・をマスクを通過した電子群１４で走査して行く
ようにすればマスクに到達する電子ビームの長方形状断
面の長辺方向端部（ビーム電流密度分布が変化する部分
）の影響をなくすことなどが可能になる。そして別のメ
イミングで同図（ｂ）のように他の場所を覆うシャッタ
３４．３４’、３４’、・・・・・・を出動させウェー
ハ表面の部分領域３５．３５’・・・・・・を電子群１
４で走査するというようにしてウェーハの所要全領域の
露光を行うことができる。このようにすれば精度のよい
継ぎ合わせ露光を行えて好都合な場合がある。
７やウェーハ６に入射させる場合を説明したが、第３図
（ａ）に示すように、例えばウェーハ直上にシャッタ３
１，３１’、３１“、・・・・・・を仕掛けておきこれ
らシャッタ間のウェーハ表面の部分領域３２．３２・、
・・印・をマスクを通過した電子群１４で走査して行く
ようにすればマスクに到達する電子ビームの長方形状断
面の長辺方向端部（ビーム電流密度分布が変化する部分
）の影響をなくすことなどが可能になる。そして別のメ
イミングで同図（ｂ）のように他の場所を覆うシャッタ
３４．３４’、３４’、・・・・・・を出動させウェー
ハ表面の部分領域３５．３５’・・・・・・を電子群１
４で走査するというようにしてウェーハの所要全領域の
露光を行うことができる。このようにすれば精度のよい
継ぎ合わせ露光を行えて好都合な場合がある。
この発明による電子ビーム露光装置は、以上説明したよ
うに細長い断面の電子ビームを用いているため一度の走
査で半導体等のウェーハのがなシの表面積を露光処理可
能で生産性が高くできることと電子特有の高分解能が得
られることとにょシ半導体集積回路等の生産工程用とし
て好適なものである。
うに細長い断面の電子ビームを用いているため一度の走
査で半導体等のウェーハのがなシの表面積を露光処理可
能で生産性が高くできることと電子特有の高分解能が得
られることとにょシ半導体集積回路等の生産工程用とし
て好適なものである。
第１図は本発明装置の一実施例の断面略図、第２図（ａ
）、 （ｂ）は第１図の装置におけるマスク附近の例を
示す斜視図、第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明装置にお
けるウェーハ附近の例を示す上面図である。 １・・・・・・熱陰極、２・・・・・・ビーム形成電極
、３・・・・・・陽極、４・・・・・・シールド電極、
５・・・・・・電子ビーム、６・・・・・・半導体ウェ
ーハ、７・・・・・・マスク、１０・・・・・・電子レ
ンズ、１３・・・・・・ビーム偏向系、１４・・・・・
・電子群、１５・・・・・・投影用電子レンズ、２２・
・・・・・電子ビーム通過孔、３１．３４・・・・・・
シャッタ、３２゜３５・・・・・・ウェーハ表面の部分
領域。 ２７ 図
）、 （ｂ）は第１図の装置におけるマスク附近の例を
示す斜視図、第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明装置にお
けるウェーハ附近の例を示す上面図である。 １・・・・・・熱陰極、２・・・・・・ビーム形成電極
、３・・・・・・陽極、４・・・・・・シールド電極、
５・・・・・・電子ビーム、６・・・・・・半導体ウェ
ーハ、７・・・・・・マスク、１０・・・・・・電子レ
ンズ、１３・・・・・・ビーム偏向系、１４・・・・・
・電子群、１５・・・・・・投影用電子レンズ、２２・
・・・・・電子ビーム通過孔、３１．３４・・・・・・
シャッタ、３２゜３５・・・・・・ウェーハ表面の部分
領域。 ２７ 図
Claims (1)
- 細長い断面の電子ビームを発生する機構と、電子ビーム
通過孔パターンを有するマスクとを備えたことを特徴と
する電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177442A JPS6070726A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177442A JPS6070726A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070726A true JPS6070726A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16031017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177442A Pending JPS6070726A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009047013A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Fuji Heavy Ind Ltd | 燃料タンク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5484484A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Device and method for electron beam exposure |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177442A patent/JPS6070726A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5484484A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Device and method for electron beam exposure |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009047013A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Fuji Heavy Ind Ltd | 燃料タンク |
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