JPS6063928A - Contact exposure device - Google Patents

Contact exposure device

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Publication number
JPS6063928A
JPS6063928A JP59137154A JP13715484A JPS6063928A JP S6063928 A JPS6063928 A JP S6063928A JP 59137154 A JP59137154 A JP 59137154A JP 13715484 A JP13715484 A JP 13715484A JP S6063928 A JPS6063928 A JP S6063928A
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JP
Japan
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mask
wafer
alignment
pressure
chuck
Prior art date
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Pending
Application number
JP59137154A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Susumu Komoriya
進 小森谷
Mitsuhiro Morita
光洋 森田
Hiroshi Nishizuka
西塚 弘
Hiroshi Maejima
前島 央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59137154A priority Critical patent/JPS6063928A/en
Publication of JPS6063928A publication Critical patent/JPS6063928A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Abstract

PURPOSE:To enable the accurate control of the amount of bending of a mask exposure by a method wherein the titled device is equipped with a position control mechanism to make the mask abut against or close to a plate object to be processed and an atmospheric pressure control mechanism to control the difference in atmospheric pressures between both surfaces. CONSTITUTION:A wafer 33 is held by adsorption by means of pipes 35 and 37 and a wafer chuck 32 drawn in vacuum V. Next, the mask 11 and a mask holer 10 are fixed by adsorption in vacuum V via pipes 8 and 9. A wafer 33 on the chuck 32 is made to abut against the mask 11 by control of the supply pressure of an air chamber 25 by setting the initial amount of rise by means of a transfer amount setter 49. A spherical base 31 is fixed to a receiver plate 30 by evacuation of the air chamber 45 after parallel leading. While the target position of the mask and the wafer is confirmed through an alignment scope 44, the mask pattern and the wafer pattern are brought to agreement by transfer of alignment tables 12, 13, and 17.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば半導体工業において選択的フォトエツ
チング処理を実施する場合のマスク露光工程などに使用
するのに好適なホトマスクをアライメントする装置に関
し、特に半導体ウェーッ・とマスク間の接触および分離
をする装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for aligning a photomask suitable for use, for example, in a mask exposure process when performing a selective photoetching process in the semiconductor industry, and particularly relates to an apparatus for aligning a photomask, which is suitable for use in a mask exposure process when performing a selective photoetching process in the semiconductor industry. Relates to devices for contacting and separating.

たとえば、マスクパターンを光学的に転写するための露
光装置に関しては、特願昭43−4973号に示めされ
ている。
For example, an exposure apparatus for optically transferring a mask pattern is disclosed in Japanese Patent Application No. 4973/1983.

従来、例えばアメリカ特許第3645622に示される
ように、所定位置に固定されたマスクの下側K、該マス
クと位置合せされるべきウェハを保持したウェハチャッ
クを上下動自在に配置することによって、前記ウェハを
前記マスクの下面に密着させうるようにし1こマスクア
ライメント装置が提案されている。この種の装置におい
ては、半導体集積回路の回路パターンなどのあるハター
ンを持つマスクに対してかき傷などのような損傷を与え
ないように、さらに、ウエノ・に対しても損傷を与えな
いように、ウェハなマスクに対して圧力で圧接すること
が要求されるとともに、ウェハとマスクとの間のアライ
メントの後の最終的工程の露光のための配置において、
ウェハとマスクとの間の圧接は正確な密着性が要求され
る。特に大規模集積回路装置の回路パターンのように相
互接続線及び素子の微細パターンを持つマスクにおいて
は不正確な密着は、その微細パターンの解像度を悪化さ
せて、結果的にウェハの良品率を低下させる原因となる
Conventionally, as shown in, for example, U.S. Pat. A one-piece mask alignment apparatus has been proposed that allows the wafer to be brought into close contact with the lower surface of the mask. In this type of equipment, care must be taken not to cause damage such as scratches to the mask, which has a pattern such as the circuit pattern of a semiconductor integrated circuit, and also to prevent damage to the wafer. , it is required to press the wafer against the mask, and in the arrangement for the final step of exposure after alignment between the wafer and the mask,
Accurate adhesion is required for pressure contact between the wafer and the mask. Especially in masks with fine patterns of interconnect lines and elements, such as circuit patterns of large-scale integrated circuit devices, inaccurate adhesion deteriorates the resolution of the fine patterns and, as a result, reduces the yield rate of wafers. cause it to happen.

従来知られるこの種の装置においては、露光時のウェハ
とマスクとの圧接において、マスクのベンド郊、の精密
なコントロールが考慮されていないために、圧接(7た
状態においてマスクにベンドが生じ、それによってウェ
ハとマスクとが同一平面内において正確に密着しないま
まに、露光が行なわれていた。このため、露光後の解像
度の悪化によるウェハの良品率の低下、若しくはウェハ
上に完成された露光パターン寸法の誤差を生じるという
欠点があった。
In conventionally known devices of this type, precise control of the bending of the mask is not taken into account when the wafer and mask are pressed into contact during exposure. As a result, exposure was performed without the wafer and mask coming into precise contact with each other in the same plane.As a result, the resolution of the wafer after exposure deteriorated, resulting in a decrease in the quality of wafers, or the completion of exposure on the wafer. This has the disadvantage of causing errors in pattern dimensions.

Summary of the 1nrention従
って、本発明の一般的な目的は、露光時のマスクのベン
ド量を精密にコントロールするためのマスクとウェハと
の密着装置を提供することにある1、 本発明の他の目的は、マスクとウエノ・を密着させる際
、予めアライメントしたマスクとウェハとの相対位置が
ずれるのを防止する密着装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, a general object of the present invention is to provide a device for bringing a mask and a wafer into close contact for precisely controlling the amount of bending of a mask during exposure.1.Other objects of the present invention An object of the present invention is to provide a close contact device that prevents the relative positions of the mask and wafer, which have been aligned in advance, from shifting when the mask and wafer are brought into close contact with each other.

本発明のさらに他の目的は、マスクとウエノ・を密着さ
せる際の密着時間の短縮、並びに密着後の引離しを容易
になし得る密着装置を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide an adhesion device that can shorten the adhesion time when adhering a mask and a mask, and easily separate them after adhesion.

本発明のきらに、他の目的は、上述せる目的に沿ったマ
スクアライメント装置に適用可能なマスクとウエノ・と
の間の接近度或いは圧接度を検知するための装置、一般
的には、マスクアライメント装置のマスクとウエノ・と
の圧接度の検出などに使用されるように、2物体間の圧
接の度合を精密に検知できる装置、を提供することにあ
る。
In addition, another object of the present invention is to provide a device for detecting the degree of closeness or pressure contact between a mask and a mask, which is applicable to a mask alignment device according to the above-mentioned purpose. It is an object of the present invention to provide a device that can accurately detect the degree of pressure contact between two objects, such as for use in detecting the degree of pressure contact between a mask of an alignment device and a wet cloth.

以下、本発明について図面を参照にして説明する。Hereinafter, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は、本発明に従ったマスクアライメント装置を示
す。同図にて、マスクアライメント装置1は、次の構成
から成る。
FIG. 1 shows a mask alignment apparatus according to the invention. In the figure, the mask alignment device 1 has the following configuration.

固定されたベース2上には平面Y方向に移動可能なスキ
ャンYテーブル3および平面X方向に移動可能なスキャ
ンXテーブル4からなるスキャンテーブルが設けられて
いる。また、スキャンXテーブル4の外周部には支柱5
が固定されるとともに、これらの支柱5上には上部ベー
ス6が固定されている。この上部ベース6は中央が円形
空間を有し、この円形空間には上下面が平坦なドーナツ
状のマスクホルダ吸着固定板7が嵌合固定されている。
A scan table consisting of a scan Y table 3 movable in the plane Y direction and a scan X table 4 movable in the plane X direction is provided on the fixed base 2. In addition, a support 5 is provided on the outer periphery of the scan X table 4.
are fixed, and an upper base 6 is fixed on these columns 5. The upper base 6 has a circular space in the center, and a donut-shaped mask holder adsorption/fixing plate 7 with flat upper and lower surfaces is fitted and fixed in this circular space.

このマスクホルダ吸着固定板7には真空圧を供給するた
めのパイプ8および9が設けられ、マスクホルダ吸着固
定板7上に載置されるマスクホルダ10およびマスク1
1をそれぞれ吸着固定1−るようになっている。また、
スキャンXテーブル4内側上面には枠状のアライメント
Yテーブル12、アライメン)Xテーブル13が順次積
み重ねられ、平面XY方向に移動自在のアライメントテ
ーブルが形成されている。また、前記アライメントXテ
ーブル13の内側下部には鍔部14が設けられるととも
に、この鍔部14上にはドーナツ状のリテイナ15が固
定され、このリテイナ15上には鋼球16を介してドー
ナツ状の平面θ方向に移動するアライメントθテーブル
17が取り付けられている。また、このアライメントθ
テーブル17の上面には鋼球18が配設されるとともに
、これら鋼球18はその上面をアライメントXテーブル
13の上部に固定されるドーナツ状の押え板19で押え
られている。
The mask holder suction and fixing plate 7 is provided with pipes 8 and 9 for supplying vacuum pressure, and the mask holder 10 and the mask 1 placed on the mask holder suction and fixing plate 7 are provided with pipes 8 and 9 for supplying vacuum pressure.
1 is fixed by suction, respectively. Also,
A frame-shaped alignment Y table 12 and an alignment X table 13 are sequentially stacked on the inner upper surface of the scan X table 4 to form an alignment table that is movable in the plane X and Y directions. Further, a flange 14 is provided at the inner lower part of the alignment X table 13, and a donut-shaped retainer 15 is fixed on the flange 14. An alignment θ table 17 that moves in the θ direction of the plane is attached. Also, this alignment θ
Steel balls 18 are disposed on the top surface of the table 17, and the top surface of these steel balls 18 is held down by a doughnut-shaped holding plate 19 fixed to the top of the alignment X table 13.

また、前記アライメントθテーブル17の内側には上下
動機構の筒状本体20が固定されている。
Further, inside the alignment θ table 17, a cylindrical main body 20 of a vertical movement mechanism is fixed.

この筒状本体20の下面および上面は板ばね部21を周
縁に形成するブロック22がそれぞれ固定されている。
A block 22 having a leaf spring portion 21 on its periphery is fixed to the lower and upper surfaces of the cylindrical body 20, respectively.

また、これ・らのブロック22の中央部は管状の連結棒
23で固定されている。また、下面側のブロック22の
下面には皿状の蓋体24が固定され、下面側のブロック
22と蓋体24との間にエアー室25を形成している。
Further, the central portions of these blocks 22 are fixed by a tubular connecting rod 23. Further, a dish-shaped lid 24 is fixed to the lower surface of the lower block 22, and an air chamber 25 is formed between the lower block 22 and the lid 24.

また、前記連結棒23内には電気マイクロメータなどか
らなる変位量検出器26が装着され、その検出端を下面
のブロック22を貫通させて蓋体24の内壁面に臨ませ
ている。また、検出端を取り囲むように、シール27が
配設されている。また、エアー室25にはパイプ28を
通して圧縮空気が入れられるようになっている。パイプ
28および29を通してエアー室25に圧縮空気Aを送
り込むと、各ブロック22の周縁板はね部21が弾性変
形してブロック22と筒状本体23とから成るピストン
装置は、上方に移動する。ところで、後述するように、
このエアー室40における空気圧と板ばね部21の変位
量は比例し、このピストン装置の上方に支持されるウェ
ハがマスクホルダ吸着固定板7に固定されるマスクに接
触すると、板ばね部21の比例定数が急激に変化するこ
とを利用して、マスクとウェハがわずかに接した位置を
検知し、ウニノ・とマスク間隔を正確にコントロールす
るようになっている。
A displacement detector 26 made of an electric micrometer or the like is mounted inside the connecting rod 23, and its detection end passes through the block 22 on the lower surface and faces the inner wall surface of the lid body 24. Further, a seal 27 is arranged to surround the detection end. Further, compressed air is introduced into the air chamber 25 through a pipe 28. When compressed air A is sent into the air chamber 25 through the pipes 28 and 29, the peripheral plate 21 of each block 22 is elastically deformed, and the piston device consisting of the block 22 and the cylindrical body 23 moves upward. By the way, as explained later,
The air pressure in the air chamber 40 and the amount of displacement of the leaf spring section 21 are proportional to each other. Utilizing the rapid change in the constant, it is possible to detect the position where the mask and wafer slightly touch, and to precisely control the distance between the mask and the mask.

一方、前記上方のブロック22上には球面床受は板30
が固定されるとともに、この球面床受は板30上には球
面座31を介してウニノーを固定するためのウェハチャ
ック32が取り付けられている。このウニノゝチャック
32の上面にはウニノ・チャック周辺部に対して設けら
れた吸着孔34と連らなるパイプ35を有し、かつウニ
ノ1チャックの中央部に対して設けられた吸着孔36と
連らなる他のパイプ37を有し、これらのパイプによっ
てマスク33に真空圧を供給し、又はN2ガスを供給す
る。
On the other hand, on the upper block 22 there is a plate 30 with a spherical floor support.
is fixed, and a wafer chuck 32 for fixing the Uni-No is attached to the plate 30 of this spherical floor support via a spherical seat 31. The upper surface of this Uni-No-1 chuck 32 has a pipe 35 connected to the suction hole 34 provided around the Uni-No-1 chuck, and a suction hole 36 provided on the central portion of the Uni-No-1 chuck. It has other pipes 37 in series, and these pipes supply vacuum pressure to the mask 33 or supply N2 gas.

球面床受は版30と球面座31との空間部45には、図
示されていない導気孔を通して不活性ガス(N tガス
)または真空圧が供給される。
In the spherical floor support, inert gas (Nt gas) or vacuum pressure is supplied to the space 45 between the plate 30 and the spherical seat 31 through an air guide hole (not shown).

ウェハ33とマスク11の密着を図るために、上部のブ
ロック22の外壁には支持板38が固定さil、この支
持板38にはベロー39が取り付けられるとともに、こ
のベロー39.ブロック22゜マスクホルダ吸着固定板
7.マスクJ1によって取り囲まれたエア室40を形成
し、このエアー室40に真空圧又はガスを供給する1こ
めのパイプ41がマスクホルダ吸着固定板7に設けられ
ている。
In order to ensure close contact between the wafer 33 and the mask 11, a support plate 38 is fixed to the outer wall of the upper block 22, and a bellows 39 is attached to this support plate 38. Block 22゜Mask holder suction fixing plate 7. An air chamber 40 surrounded by the mask J1 is formed, and one pipe 41 for supplying vacuum pressure or gas to the air chamber 40 is provided on the mask holder suction and fixing plate 7.

また、上部ベース6の一側上面にはエアベアリング機構
42を有するウェハアンローダ用テーブル43が取り付
けられている。
Further, a wafer unloader table 43 having an air bearing mechanism 42 is attached to the upper surface of one side of the upper base 6.

他方、マスクホルダー10の上方にはアライメント用ス
コープ44が配設され、このアライメント用スコープ4
4でマスクとウェハのアライメントを行なうようになっ
ている。また、マスクホルダ10の上向には、図示しな
い露光機構が配設され、マスクとウェハとの密着後、露
光できるよう罠なっている。
On the other hand, an alignment scope 44 is disposed above the mask holder 10, and this alignment scope 4
4, the mask and wafer are aligned. Further, an exposure mechanism (not shown) is disposed above the mask holder 10, and serves as a trap so that exposure can be performed after the mask and wafer are brought into close contact with each other.

このような本発明に従うアライメント装置においては、
次の構成を特徴としている。
In such an alignment device according to the present invention,
It features the following configuration.

まず、ウェハチャック上の半導体ウェハ33とマスク1
1との圧接状態又は、それら両者間の接近度を常に検知
するための装置が装着されている。
First, the semiconductor wafer 33 on the wafer chuck and the mask 1
A device is installed to constantly detect the state of pressure contact with 1 or the degree of proximity between the two.

後述するアライメント装置の全体的な動作から明らかに
されるように、マスクとウニノ・との間のアライメント
をする前のステップおよびアライメント後の露光のステ
ップにおいていく度かマスクとウェハを圧接又は両者間
を所定距離関係に接近さぜることが要求される。本発明
に従えば、上記構成において、パイプ28を介してエア
ー室25にエアーAを送りこみ、その圧力を制御すると
、シャフト23とともにウェハチャック32を上下動さ
せることができ、その上下の移動量は変位量検出器26
により検出される。本発明者等はこの場合のエアーの供
給圧Pと検出器26の出力端子45b・ら得られる変位
出力Eとの関係は第2図に示すように比例関係になるこ
とに注目した。すなわち、阪ばね21が応力を生じる弾
性変形の限界内では、駆動力たる供給圧Pとウニノ・チ
ャック32の移動lたる変位出力Eは直線S1に示すよ
うにリニアケ関係になり、E−KPとなる。ここでKは
比例g数であり、供給圧Pの増分Δ1と、変位出力Eつ
増分Δ8とによりに一Δe/Δ、で表わされるものであ
る。ところで、この比例定数はウニノ・チャック32が
マスク11に接近することによりそれから抵抗力を受け
るまでは、一定であるが、抵抗力を受けた場合には変化
することになる。すなわち、第2図に示すように変位出
力がE。のときウェハチャック32(又はその上のウニ
ノ・33)がマスク11に圧接して抵抗を受けるものと
づ−ると、それ以上にエアーの供給圧Pを増大させると
、供給圧Pと変位出力Eとの関係は直線S2に示すよう
になり、直線SIの場合とは勾配、すなわち比例定数が
異なって(る。本発明では、この比例定数が変化する点
を検知することによりマスク位置を正確にめ、そのマス
ク位置を基準にしてウェハチャックの上下移動量を精確
に制御することが提案される。
As will be made clear from the overall operation of the alignment apparatus described below, the mask and wafer are pressed into contact with each other several times during the step before alignment between the mask and the wafer, and during the exposure step after alignment. It is required that the two be moved close to each other within a predetermined distance relationship. According to the present invention, in the above configuration, if air A is sent into the air chamber 25 through the pipe 28 and the pressure is controlled, the wafer chuck 32 can be moved up and down together with the shaft 23, and the amount of vertical movement thereof is the displacement detector 26
Detected by The inventors have noted that in this case, the relationship between the air supply pressure P and the displacement output E obtained from the output terminal 45b of the detector 26 is proportional as shown in FIG. That is, within the limits of elastic deformation that causes stress in the spring 21, the supply pressure P, which is the driving force, and the displacement output E, which is the movement l of the Unino chuck 32, have a linear relationship as shown by the straight line S1, and E-KP. Become. Here, K is a proportional g number, which is expressed by - Δe/Δ, which is an increment Δ1 of the supply pressure P and an increment Δ8 of the displacement output E. By the way, this proportionality constant remains constant until the Unino chuck 32 approaches the mask 11 and is then subjected to a resistance force, but when it receives a resistance force, it changes. That is, the displacement output is E as shown in FIG. Assuming that the wafer chuck 32 (or the unit 33 on top of it) comes into pressure contact with the mask 11 and experiences resistance, if the air supply pressure P is increased further, the supply pressure P and displacement output will change. The relationship with E is as shown by straight line S2, and the slope, that is, the constant of proportionality, is different from that of straight line SI. Therefore, it is proposed to accurately control the amount of vertical movement of the wafer chuck based on the mask position.

かかる制御系統について第1図を参照して説明する。Such a control system will be explained with reference to FIG.

空気圧源46からバ・イブ29および28に供給される
エアーAの圧力は空気圧制御装置47により制御される
。制御装置47は、例えばパルスモータで駆動・操作さ
れる精密減圧弁で#&成され、制御信号発生装置50か
らの制御信号CAに応じてエアーAの供給圧Pを制御す
る。供給圧Pを検知−fるための検知器48が設けられ
、この検知器の出力Pは制御信号発生装置50に入力さ
れろ。
The pressure of air A supplied from the air pressure source 46 to the valves 29 and 28 is controlled by an air pressure control device 47. The control device 47 is a precision pressure reducing valve driven and operated by a pulse motor, for example, and controls the supply pressure P of the air A according to the control signal CA from the control signal generator 50. A detector 48 is provided for detecting the supply pressure P, and the output P of this detector is input to a control signal generator 50.

制御信号発生装置50にはこの他変位量検出器26から
の変位出力Eと、ウニ・パチャック移動量設定器49か
らの移動i信号Mとが加えられろ。制御信号発生装置5
0は、これらの入力信号P、E。
In addition, the displacement output E from the displacement amount detector 26 and the movement i signal M from the sea urchin-pachuck movement amount setting device 49 are added to the control signal generator 50. Control signal generator 5
0 are these input signals P, E.

Mに基づいて、先に第2図に関して説明した制御動作を
可能にする制御信号CAを発生するものである。
Based on M, a control signal CA is generated which enables the control operations previously described with respect to FIG.

第3図に示すように、制御信号発生装置50においては
、供給圧Pと変位量Eとの比を演算してその比に応じた
出力を発生する比演算回路51が設けられる。一致回路
52は、この比演算回路51の出力と予め設定された直
線S2の比例定数Kに応じた入力とを比較して両者が一
致したときホールド回路53をセットし、ホールド回路
53にそのときの変位出力Eをホールドさせるためのも
のである。ホールド回路53は、一致回路52のセット
出力に応じて変位出力Eをホールドして制御目標値信号
Tを発生し、これを加算回路54の一方の入力端に送出
する。加算回路54のもう一方の入力端には、移動量設
定器49から移動量信号Mが与えられており、両人力T
、Mは代数学的に加算される。この加算出力Nを一方の
入力端に受信し且つ変位出力Eを他方の入力端に受信す
る差演算回路55は両人力N、Hの差に応じた制御出力
CAを空気圧制御装置47に送出′1−る。
As shown in FIG. 3, the control signal generating device 50 is provided with a ratio calculation circuit 51 that calculates the ratio between the supply pressure P and the displacement amount E and generates an output according to the ratio. The coincidence circuit 52 compares the output of the ratio calculation circuit 51 with the input corresponding to the proportionality constant K of the straight line S2 set in advance, and sets the hold circuit 53 when the two match. This is to hold the displacement output E of. The hold circuit 53 holds the displacement output E in accordance with the set output of the matching circuit 52 to generate a control target value signal T, and sends this to one input terminal of the adder circuit 54. The other input terminal of the adder circuit 54 is given a movement amount signal M from the movement amount setter 49, and the amount of movement T
, M are added algebraically. The difference calculation circuit 55, which receives the addition output N at one input terminal and the displacement output E at the other input terminal, sends a control output CA corresponding to the difference between the human forces N and H to the pneumatic pressure control device 47. 1-ru.

第1図の装置において最初、ウニノ・チャック32が板
ばね21のみによる保持位置にあるものとすると、変位
量検出器26の出力Eは最小レベルをとる。そこで、移
動量設定器49を操作して一度つエハチャソク32をマ
スク11に当接或いは圧接させるような位置にまで上昇
させるべく移動量信号Mを加算回路54に加える。この
場合、加算回路54は、ホールド回路53の目標値信号
Tがまだ確立されていないので、これを受信することは
ない。従って、設定された移動量信号Mはそのまま加算
信号Nとして差演算回路55に送られ、そこで変位出力
Eと差演算され、その差に応じた制御信号出力CAが発
生される。この差は、変位出力Eが移動量信号Mの設定
値に等しくなるにつれて小さくなる。そして、ウェハチ
ャック32がマスク11に当接すると、次のようにして
制御目標値が確立される。すなわち、前述のように供給
圧Pと変位出力Eとの比を演算する回路51は、ウェハ
33とマスク11とが当接したとき、直線S、の比例定
数に対応した出力を一致回路に送出するので、一致回路
52では、このときの受信信号と予め設定された比例定
数入力との一致が確立し、従って、ホールド回路53は
そのときの変位出力Eの値をホールドする。このときの
ホールド出力Tはすなわち目標値信号であって、マスク
11の正確な高さ位置を指示する。なお、この目標値の
確立と同時に移動量設定器をリセットし、制御系を新た
に確立された目標値に追従させるように動作させること
によりウェハ33がマスク11に接触したソフトコンタ
クト状態を維持させる。この後、第3図の制御系では、
確立された目標値をもとにして移動量設定器49で修正
移動量を設定することにより微細な移動量制御を実施で
きる。
In the apparatus shown in FIG. 1, when it is assumed that the Unino chuck 32 is initially in the holding position by only the leaf spring 21, the output E of the displacement detector 26 takes the minimum level. Therefore, by operating the movement amount setter 49, the movement amount signal M is applied to the addition circuit 54 in order to raise the edger sock 32 once to a position where it contacts or presses against the mask 11. In this case, the adder circuit 54 does not receive the target value signal T of the hold circuit 53 because it has not yet been established. Therefore, the set movement amount signal M is directly sent as an addition signal N to the difference calculation circuit 55, where the difference is calculated with the displacement output E, and a control signal output CA is generated according to the difference. This difference becomes smaller as the displacement output E becomes equal to the set value of the movement amount signal M. When the wafer chuck 32 comes into contact with the mask 11, the control target value is established as follows. That is, as described above, the circuit 51 that calculates the ratio between the supply pressure P and the displacement output E sends an output corresponding to the proportionality constant of the straight line S to the coincidence circuit when the wafer 33 and the mask 11 come into contact with each other. Therefore, in the matching circuit 52, a match is established between the received signal at this time and the proportional constant input set in advance, and therefore, the hold circuit 53 holds the value of the displacement output E at that time. The hold output T at this time is a target value signal and indicates the exact height position of the mask 11. Note that at the same time as this target value is established, the movement amount setter is reset and the control system is operated to follow the newly established target value, thereby maintaining the soft contact state in which the wafer 33 is in contact with the mask 11. . After this, in the control system shown in Figure 3,
Fine movement amount control can be performed by setting a corrected movement amount using the movement amount setter 49 based on the established target value.

例えば、第2図に示すようにウニノ・33がマスク11
に接触したときの圧力よりもわずかに高い供給圧P。に
対応した移動量を設定することによりウェハ33をマス
ク11に対して若干抑圧させ、マスクのたわみ量を制御
することができ、また、この反対に移動量を設定するこ
とによりウェハ33をマスク11かられずかに離間させ
、いわゆるセパレーション又はプロキシミテイの状態を
作り出すこともできる。なお、上記のマスクたわみ量制
御は、後述するように、エアー室4oを真空で引いて真
空密着の状態を作り出したときに行われる。
For example, as shown in FIG.
The supply pressure P is slightly higher than the pressure when it contacts. By setting the amount of movement corresponding to the amount of movement, the wafer 33 can be slightly suppressed against the mask 11 and the amount of deflection of the mask can be controlled. It is also possible to create a state of so-called separation or proximity by slightly separating them without being separated from each other. The mask deflection amount control described above is performed when the air chamber 4o is evacuated to create a state of vacuum contact, as will be described later.

本発明に従う第2の特徴は、マスク11.板バネ21.
封止ペロ−39マスクホルダ吸着固定板7から取り囲れ
た気密室40を形成し、この気密室40内にウェハ33
を封じ込める点にある。この気密室40の真空圧はパイ
プ41を含む空気圧調整手段によって調整可能圧される
。さらにこの気密室40は、第4図のアライメント装置
の略式図に示されるように、室40に対するマスクの受
圧面積AMは、上下運動可能なシャフト23を含むピス
トン装置の受圧面積(筒状本体20の内径で決める面積
)Awより大きくされていることを特徴としている。
A second feature according to the invention is that the mask 11. Leaf spring 21.
An airtight chamber 40 is formed surrounding the sealing Perot-39 mask holder suction and fixing plate 7, and the wafer 33 is placed in this airtight chamber 40.
The point is to contain it. The vacuum pressure in this hermetic chamber 40 is adjustable by an air pressure adjusting means including a pipe 41. Further, in this airtight chamber 40, as shown in the schematic diagram of the alignment device in FIG. It is characterized by being larger than the area (determined by the inner diameter) Aw.

このような気密室40を形成することにより、ウェハと
マスクとのアライメントの後のマスクとウェハとの密着
工程において、室40を真空にし、第6図の略式図に示
すように、AM>Awの関係を用いてマスク11を下側
にベンドさせて、ウェハのほぼ中央部においてマスクと
ウェハを当接させて、その後連続する密着工程において
ウニノ・およびマスクを互いに中央部から周縁部に向っ
て同心円的に密着させる。これによってマスクとウェハ
の密着は、予めアライメント工程において位置づけられ
た相対位置をずらすことなく、密着きせることかできる
By forming such an airtight chamber 40, the chamber 40 is evacuated in the mask-to-wafer adhesion process after alignment of the wafer and mask, and as shown in the schematic diagram of FIG. 6, AM>Aw The mask 11 is bent downward using the relationship shown in FIG. Place them in close concentric circles. Thereby, the mask and the wafer can be brought into close contact without shifting the relative positions previously determined in the alignment process.

本発明に従う第3の%徴は、ウニノ・チャック32に不
活性ガス(N、ガス)を噴出させるための孔34および
36を設けた点にある。もちろんこれらは、ある5te
pにおいて、真空圧Vを供給することによってウェハな
チャックするために用いられる。特に本発明の実施例に
おいては、それらの孔はウェハチャックの中央部と周縁
部とに2分されて設けられている。密着工程においてマ
スクをベンドさせた後、マスク中央部から周縁部へと同
心円的に密着を促進させるために、第7図の略式図に示
すように、先ず中央部の孔36からN、カスを噴出させ
て中央部の密着を優先的に促進させ1こ後、第8図の略
式図に示すように、周縁部の孔34からもN、ガスを噴
出させて周縁部のウェハとマスクの密着を促進させる。
A third feature according to the present invention is that the Unino chuck 32 is provided with holes 34 and 36 for blowing out an inert gas (N gas). Of course these are some 5te
P is used to chuck the wafer by supplying a vacuum pressure V. In particular, in the embodiment of the present invention, the holes are divided into two parts, one in the center and one in the periphery of the wafer chuck. After bending the mask in the adhesion process, in order to promote adhesion concentrically from the center of the mask to the periphery, as shown in the schematic diagram of FIG. After that, as shown in the schematic diagram of FIG. 8, nitrogen and gas are also ejected from the holes 34 in the periphery to promote close contact between the wafer and the mask in the periphery. promote.

このような機構により、マスクはウェハとの間に空気層
を介在させることなく、密着を促進できる。密着および
露光後のウェハとマスクとの間の引離しは、上述せるい
くつかのs tepの逆を実行させることによって、容
易に達成できる。
Such a mechanism can promote close contact between the mask and the wafer without interposing an air layer between the mask and the wafer. Separation between the wafer and the mask after contact and exposure can be easily achieved by performing the reverse of some of the steps described above.

本発明に従う第4の特徴は、上述せる空気室25の供給
圧Pを、密着工程において調整する機構を有することに
ある。室40が大気圧であるとき、上述せる制御装置に
よって第4図に示すようなマスクの基準面に対し、ウニ
ノ・が当接する位置(変位出力E)を記憶しておき、第
8図に示すような密着工程においてN、ガスの流量QN
と変位量ΔXNとの関係を実験的にめておき、ΔXNの
値を空気室25の供給圧制御装置に入力して、基準面の
変位出力EよりΔXNだけウェハチャックの位置を下げ
るように供給圧Pをコントロールする。これによってマ
スクのベンドを小さくできる。
A fourth feature according to the present invention is that it has a mechanism for adjusting the supply pressure P of the air chamber 25 mentioned above in the close contact process. When the chamber 40 is at atmospheric pressure, the above-mentioned control device memorizes the position (displacement output E) at which the unino contacts with respect to the reference plane of the mask as shown in FIG. In such a close contact process, N, gas flow rate QN
Experimentally determine the relationship between and the displacement amount ΔXN, input the value of ΔXN to the supply pressure control device of the air chamber 25, and supply the wafer chuck so that the position of the wafer chuck is lowered by ΔXN than the displacement output E of the reference plane. Control pressure P. This allows the bend of the mask to be reduced.

次に、第1図の装置の全体としての動作説明する。まず
、図示しないウニ/・自動供給機構から供給サレるウェ
ハ33をパイプ35および37の真空■で引かれるウニ
ノ・チャック32により吸着保持する。次に、図示しな
いマスク自動供給機構から供給されるマスク11および
マスクホルダ10をパイプ8および9を介して真空Vで
吸着固定する。前述した移動量設定器49により初期上
昇量を設定しエアー室25の供給圧を制御してウニノ・
チャック32上のウニノ゛33をマスク11に当接させ
る。このとき、前述の動作によりマスク11の高さに応
じた制御目標値が確立される。
Next, the operation of the apparatus shown in FIG. 1 as a whole will be explained. First, a wafer 33 supplied from an automatic feeding mechanism (not shown) is held by suction by a vacuum chuck 32 drawn by a vacuum from pipes 35 and 37. Next, the mask 11 and mask holder 10 supplied from an automatic mask supply mechanism (not shown) are suctioned and fixed by vacuum V via the pipes 8 and 9. The initial rise amount is set by the movement amount setting device 49 mentioned above, and the supply pressure of the air chamber 25 is controlled.
The sea urchin 33 on the chuck 32 is brought into contact with the mask 11. At this time, the control target value corresponding to the height of the mask 11 is established by the above-described operation.

この時、ウニノルチャックの平行出しくマスクと平行に
させる)のための球面座31の空気室45は、大気圧或
いは低真空となっているので、球面座は自由に回転し、
平行出しを可能にして(・る。
At this time, the air chamber 45 of the spherical seat 31 for parallelizing the Uninor chuck (to make it parallel to the mask) is at atmospheric pressure or low vacuum, so the spherical seat rotates freely.
Enables parallel alignment (・ru.

さらに必要があればウニノ・す1ヤツクの上昇が停止し
た後、ウニノ・とマスクの平行出しをより完全なものと
するため、微量のエア或いはN、ガスが空気室45に送
付される。平行出しの後、その空気々AIニーLp1!
r殉fすλンシf計り 硬面腐31は告け板30に固定
される。
Furthermore, if necessary, a small amount of air, nitrogen, or gas is sent to the air chamber 45 in order to more completely align the Unicorn and the mask after the lifting of the Unicorn and the mask has stopped. After parallelization, that air AI knee Lp1!
The hard surface rot 31 is fixed to the notice plate 30.

その後、空気室25への供給圧は空気圧源のパルスモー
タ(図示されていない)の逆転により減少させて、マス
クとウェハ間隔を20μm程度にする。この状態で、ア
ライメントテ−ブルよりマスクとウェハのターゲット位
置を確認しながら、アライメントテーブル12.13お
よび17を移動させてマスクのパターンとウェハのパタ
ーンを一致させる。
Thereafter, the pressure supplied to the air chamber 25 is reduced by reversing the pulse motor (not shown) of the air pressure source, so that the distance between the mask and the wafer is approximately 20 μm. In this state, while confirming the target positions of the mask and wafer from the alignment table, the alignment tables 12, 13 and 17 are moved to match the mask pattern and the wafer pattern.

この後、マスクに対してウェハの位置を正確に合せ、再
たび室25の供給圧を−E昇させ、マスクとウェハ間の
間隔を5〜10μmとし、この位置で、マスクとウェハ
とのアライメントを確認し、もし7必要ならば、補正さ
れる。
After this, the wafer is accurately aligned with the mask, the supply pressure in the chamber 25 is increased by -E again, the gap between the mask and the wafer is set to 5 to 10 μm, and at this position, the alignment between the mask and the wafer is 7 and corrected if necessary.

このアライメントステップの終了後、空気室25の供給
圧を上昇させ、ウェハとマスクを当接させろ21次の露
光のための密着工程を第5図〜第8図を参照にして説明
する。
After this alignment step is completed, the supply pressure of the air chamber 25 is increased to bring the wafer and mask into contact.21 The contact process for the next exposure will be described with reference to FIGS. 5 to 8.

アライメントステップの終了後、空気室25に関する制
御装置によってウェハなマスクにソフトタッチした状態
では、定性的に第5図に示すように、マスクはベンドし
、ウェハとマスクとの間に空気層56が存在することと
なる。この空気層56を排除し、密着を完全にするため
に、先ず、第6図に示すように、室40を大気圧より低
い圧力(負の圧力)にする。室40を負の圧力にすると
、AM>AJであることより、マスク11は上方から下
方に力を受け下方にたわむ。これによって上述せる如く
、マスクのほぼ中央部においてウニノ・33とマスク1
1を圧接させる。
After the alignment step is completed, when a wafer mask is soft-touched by the control device for the air chamber 25, the mask qualitatively bends as shown in FIG. 5, and an air layer 56 is created between the wafer and the mask. It will exist. In order to eliminate this air layer 56 and achieve complete adhesion, first, as shown in FIG. 6, the chamber 40 is brought to a pressure lower than atmospheric pressure (negative pressure). When the pressure in the chamber 40 is made negative, since AM>AJ, the mask 11 receives a force from above to below and bends downward. As a result, as mentioned above, Unino 33 and Mask 1 are located almost in the center of the mask.
Press 1.

次に、上述せる如く、マスクの中央部から周縁部へと同
心円的に密着させることを促進させるために第7図に示
す如く、ウェハチャック32の中央部からウェハに対し
N2ガスを吹き出させろ。
Next, as described above, in order to promote concentric contact from the center of the mask to the periphery, N2 gas is blown out from the center of the wafer chuck 32 toward the wafer, as shown in FIG.

さらに、引続いて、第8図に示すように、ウェハチャッ
クの周縁部からもN、ガスを吹き出して密着を完了させ
る。この状態においてウェハ33とマスク11との間の
空気層は除去されるが、ウェハチャックから噴出された
N、ガス流のため、マスクとウェハはともに上方向に若
干ベンドするかもしれない。このベンドな補正するため
、室25の供給圧Pは、上述せる如く、制御系統によっ
てコントロールされる。
Furthermore, as shown in FIG. 8, N gas is also blown out from the peripheral edge of the wafer chuck to complete the close contact. In this state, the air layer between the wafer 33 and the mask 11 is removed, but both the mask and the wafer may bend slightly upward due to the flow of N and gas ejected from the wafer chuck. In order to correct this bend, the supply pressure P in the chamber 25 is controlled by the control system as described above.

上述せる密着工程において、第7図に示したウェハチャ
ック中央部からの優先的なN、ガスの供給工程を省略す
ることもできるが、空気層56の早期の除去方法として
、採用することが好しい。
In the above-mentioned adhesion process, the process of preferentially supplying N and gas from the center of the wafer chuck shown in FIG. Yes.

このようにして、本発明に従えば、マスクとウェハとの
間に空気層が入ることなく、早期にウェハとマスクの密
着を完了させることができる。また、マスクとウニノ・
の中央部が接触した後、全面密着に移行するので、密着
時のマスクとウニノ・との位置ずれを著しく小さくする
ことができる。
In this way, according to the present invention, the close contact between the wafer and the mask can be completed at an early stage without creating an air layer between the mask and the wafer. Also, mask and unino
After the central portions of the masks come into contact with each other, the entire surface becomes in close contact with each other, so that the positional deviation between the mask and the unino when they are in close contact with each other can be significantly reduced.

密着後、ウェハ上にマスクのパターンが図示されていな
い露光装置によって露光される。
After the close contact, a mask pattern is exposed onto the wafer by an exposure device (not shown).

次の段階によって、第8図に示すウニノ1とマスクの密
着状態からマスクとウニノ・とを引離す第1の方法は、
第7図に示すように、ウェハチャック周辺のみを真空に
切り換え、ウニノ・中央部をベンドさせ、ウェハ周辺か
らマスクとの引離しを行ない空気の流入を促進させるこ
とにある。第2の方法は、第6図に示す状態において室
40を負の圧力にしたまま、空気層25の圧力を減少さ
せるとウェハチャック32は除々に板バネ21の作用に
より下降する。この時マスクはマスク上面より大気圧を
受け下シリになるため、マスクとウェハの間に、ウェハ
周辺から空気の流入を促進させることができる、しかる
後、室40は大気圧にもどされ、マスクとウェハの引離
しを完了させる。
The first method of separating the mask and the mask from the close contact between the mask and the mask as shown in FIG. 8 is as follows:
As shown in FIG. 7, only the periphery of the wafer chuck is switched to a vacuum state, the central part of the wafer is bent, and the mask is separated from the periphery of the wafer to promote the inflow of air. In the second method, in the state shown in FIG. 6, when the pressure in the air layer 25 is reduced while the pressure in the chamber 40 is kept negative, the wafer chuck 32 is gradually lowered by the action of the leaf spring 21. At this time, the mask is exposed to atmospheric pressure from the upper surface of the mask and becomes slanted downward, which promotes the inflow of air from around the wafer between the mask and the wafer.Afterwards, the chamber 40 is returned to atmospheric pressure, and the mask and completes the separation of the wafer.

この第1および第2の方法によりウェハとマスクの間の
真空状態に空気を流入することができ、これによって、
ウェハとマスクが離れなくなるという事故を解決できる
The first and second methods allow air to enter the vacuum between the wafer and the mask, thereby:
This can solve the problem of the wafer and mask becoming stuck together.

以上の本発明に従う装置と方法により、マスクとウェハ
の密着を相対位置のずれをす))すことなく円滑に行な
うことが出来、また、密着、露光後のマスクとウェハの
はく離(引離)を短時間で達成できる。その結果とし2
て、ウェハから製造されろ製品の歩留りの向上、および
マスクアライメント工程におけるマスクの損傷の防止が
期待できる。
By using the apparatus and method according to the present invention described above, it is possible to smoothly bring the mask and the wafer into close contact with each other without causing a shift in their relative positions. can be achieved in a short period of time. As a result 2
This can be expected to improve the yield of products manufactured from wafers and prevent damage to masks during the mask alignment process.

【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明に従うマスクアライメント装置を示す
断面図、第2図は、本発明の供給圧制御装置を説明する
ための供給圧(P)対変位出力(E)特性図、第3図は
、本発明の供給圧制御装ffrσ)システムブロックダ
イヤグラム、第4図〜第8図を第1図に示した本発明の
マスクアライメント装置を略式的に示し7た断面図。 ■・・マスクアライメント装置、20・・・筒状本体、
24・・・蓋体で20および24はチャンバを構成、2
2・・ブロック、23・・連結棒、30・・・球面床受
1−J−板で、22.23および30はピストン装置を
構成、32・・・ウェハチャ、り、25・・・エアー室
、46・・・空気圧源、47・・・空気圧制御装置で2
5.46および47は駆動装置を構成、21・・・応力
を与えるための板はね部、26・・・位置検出器、48
・・検知器、49・・・ウェハチャック移動量設定器、
50・・制御信号発生装置で26.48.49および5
0は駆動制御手段を構成、33・・・ウニノ・、10・
・マスクホルダ、11・・・マスク、39・・・気密封
止用ペロー、40・・・エアー室、41・・・真空圧又
はガス供給用パイプ、34・・・吸着孔又はガス噴出孔
、35・・・パイプ、36・・・吸着孔又はガス噴出孔
、37・・・パイプ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第 2 図 戸−□ 第 3 図 第 4 図 第 5 間 第 6 図
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a cross-sectional view showing a mask alignment device according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the supply pressure control device of the present invention. 3 is a cross-sectional view schematically showing the mask alignment device of the present invention shown in FIG. figure. ■...mask alignment device, 20... cylindrical body,
24... 20 and 24 constitute a chamber in the lid body, 2
2...Block, 23...Connecting rod, 30...Spherical floor support 1-J-plate, 22.23 and 30 constitute a piston device, 32...Wafer cha, 25...Air chamber , 46... Air pressure source, 47... Air pressure control device 2
5. 46 and 47 constitute a driving device, 21... plate spring part for applying stress, 26... position detector, 48
...Detector, 49...Wafer chuck movement amount setting device,
50...26, 48, 49 and 5 in the control signal generator
0 constitutes a drive control means, 33...Unino., 10.
・Mask holder, 11... Mask, 39... Perot for airtight sealing, 40... Air chamber, 41... Vacuum pressure or gas supply pipe, 34... Adsorption hole or gas ejection hole, 35... Pipe, 36... Adsorption hole or gas ejection hole, 37... Pipe. Agent Patent Attorney Akio Takahashi Figure 2-□ Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、(at マスクを周辺で保持するマスク・ホルダと (bl 被処理板状物を上記マスクと対向させて保持す
る載置台と (cl 上記マスクと上記被処理板状物を当接または近
接させるだめの位置制御機構と (dl 上記マスクの両面間の気圧差を制御するための
気圧制御機構 よりなる密着露光装置。
[Scope of Claims] 1. (at) a mask holder that holds the mask at its periphery; (bl) a mounting table that holds the plate-like object to be processed facing the mask; (cl) the mask and the plate-like object to be processed; A contact exposure apparatus comprising: a position control mechanism for bringing the two surfaces into contact with each other or close to each other; and an air pressure control mechanism for controlling the air pressure difference between the two surfaces of the mask.
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JP2007142292A (en) * 2005-11-22 2007-06-07 Advanced Mask Inspection Technology Kk Substrate inspection apparatus
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