JPS606087B2 - Electron beam exposure method - Google Patents

Electron beam exposure method

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JPS606087B2
JPS606087B2 JP51036470A JP3647076A JPS606087B2 JP S606087 B2 JPS606087 B2 JP S606087B2 JP 51036470 A JP51036470 A JP 51036470A JP 3647076 A JP3647076 A JP 3647076A JP S606087 B2 JPS606087 B2 JP S606087B2
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JP
Japan
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electron beam
pattern
exposure
basic
pitch
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JP51036470A
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春穂 土川
洋 安田
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は偏向機能を有する電子ビーム露光装置において
、露光時間の大幅な短縮を可能にする露光装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electron beam exposure apparatus having a deflection function, which allows exposure time to be significantly shortened.

偏向機能を有する電子ビーム露光においては計算機から
の露光データとして、第1図に示す如く矩形パターン1
の1隅の位置座標X,,Y,及び大きさX2,Y2を与
えることによって、所望の位置と大きさを持つパターン
を作画し「ウェハー上のレジストを感光する。
In electron beam exposure with a deflection function, a rectangular pattern 1 as shown in Fig. 1 is used as exposure data from a computer.
By giving the positional coordinates X, , Y and sizes X2, Y2 of one corner of , a pattern with the desired position and size is drawn and the resist on the wafer is exposed.

偏向機能を有する電子ビーム露光方式の内、最も一般的
なものは、フライング。
Among the electron beam exposure methods that have a deflection function, the most common is flying.

スポット方式と呼ばれ、レジスト面に電子ビームをスポ
ットとして集東させ、かかるビーム。スポットを偏向器
で走査して図形を描く方式である。フライング。スポッ
ト方式による露光装置の走査制御部の簡単なフロック図
を第2図に示す。計算機からデジタル量で矩形パターン
の1隅の位置座標X,,Y,及び大きさX2,Y2を与
えられると、それぞれ対応するレジスタ2〜6に入れら
れる。一般にクロック6はビーム・スポットの走査速度
によっており、その周波数を選択することができる。カ
ウンタ7でクロック数を教えながら、カゥンタ7の値と
X2の値を比較器8で比較し、両者が一致するまでX,
及びカウンタの値をDA変換器9,10でアナログ量に
変換し、増中器11で加え合わせて増中し、X方向の偏
向器に供給する。Y方向も同様で、X方向に1行書き終
えるごとに出る一致信号をカウンタ12で教えながら、
カウンタの値とY2の値を比較器13で比較し、両者の
値が一致するまでY,及びカゥンタ12の値をD−A変
換器14,15でアナログ量に変換し、増中器16で加
え合わせて増中し、Y方向の偏向器に供給する。×方向
とY方向に偏向されたビーム。スポットはベクトル合成
された方向に進み、所望の位置と大きさを有するパター
ンが露光される。次に偏向機能を有する電子ビーム露光
方式の他の方式として「矩形パターン露光方式と呼ばれ
るものがある。
Called the spot method, this beam focuses an electron beam as a spot on the resist surface. This method draws a figure by scanning a spot with a deflector. flying. FIG. 2 shows a simple block diagram of a scanning control section of an exposure apparatus using a spot method. When the positional coordinates X, , Y and sizes X2, Y2 of one corner of the rectangular pattern are given in digital quantities by the computer, they are entered into the corresponding registers 2 to 6, respectively. Generally, the clock 6 depends on the scanning speed of the beam spot and its frequency can be selected. While telling the clock number with the counter 7, the value of the counter 7 and the value of X2 are compared with the comparator 8.
The values of the counters are converted into analog quantities by DA converters 9 and 10, and are added and intensified by an intensifier 11, and then supplied to a deflector in the X direction. The same goes for the Y direction, while telling the counter 12 the match signal that is generated every time one line is written in the X direction.
The value of the counter and the value of Y2 are compared by the comparator 13, and the value of Y and the counter 12 are converted into analog quantities by the DA converters 14 and 15 until the two values match. They are added together, multiplied, and supplied to the Y-direction deflector. Beam deflected in the x and y directions. The spot advances in the vector-combined direction, and a pattern having a desired position and size is exposed. Next, as another method of electron beam exposure having a deflection function, there is a method called "rectangular pattern exposure method."

すなわち2枚の矩形絞りを用い「その中間に位置する偏
向器で矩形ビー−ムの大きさを決め、得られた矩形ビー
ムを縮小投影し、再び偏向器で偏向し、矩形ビームを位
置制御して露光する方法である。かかる方式ではパター
ンの大きさと位置を別個の偏向器で決めるために制御部
の構成は簡単で第3図の如くになる。この方式は一つの
矩形パターンごとにデータ転送し、クロックに対応して
一度に矩形を露光するのでフライング・スポット方式に
比べ露光時間が短い。
In other words, using two rectangular diaphragms, the size of the rectangular beam is determined by a deflector located between them, the obtained rectangular beam is reduced and projected, and then deflected by the deflector again to control the position of the rectangular beam. In this method, the size and position of the pattern are determined by separate deflectors, so the configuration of the control section is simple, as shown in Figure 3.This method transfers data for each rectangular pattern. However, since a rectangular area is exposed at once according to the clock, the exposure time is shorter than that of the flying spot method.

しし光学系の制約から、一度に露光される矩形パターン
の大きさは最大10〃程度に制限させろを得ず、従って
露光に際してはパターンを多数の矩形に分割して露光す
る必要を生じ、計算機から転送すべきデータの数が膨大
なものとなる。結局、前記いずれの方式の露光装置にお
いてもパターンが微細化、複雑化するとデータ数は多く
なり、又露光装置、レジストの性能の向上に伴い必要露
光時間が短縮されていくと、計算機からのデータ転送に
必要な時間が作業時間中の大きな割合を占めてくる。本
発明は計算機からのデータ転送の回数を少なくし作業時
間の大中短縮を目的としている。
However, due to the limitations of the optical system, the size of the rectangular pattern that can be exposed at one time cannot be limited to a maximum of about 10. Therefore, when exposing, it becomes necessary to divide the pattern into many rectangles and expose them. The amount of data that needs to be transferred is enormous. In the end, in any of the above exposure systems, as patterns become finer and more complex, the amount of data increases, and as the performance of exposure equipment and resists improves, the required exposure time decreases, and data from computers increases. The time required for transfer occupies a large proportion of the working time. The present invention aims to reduce the number of data transfers from a computer, thereby significantly shortening the working time.

かかる目的を達成せしめるために、本発明の電子ビーム
露光装置は「大きさを同じくし、かつマトリックス状に
配列された矩形パターン群を露光する場合において、該
パターン群を構成する1基本矩形パターンの位置座標と
パターンの大きさと、繰り返しのピッチと繰り返しの回
数をレジスタに蓄え1基本矩形パ夕−ンを露光した後に
、該位置座標レジス夕の内容に、加減算回路を通して、
ピッチを加え又は減ずることにより、ピッチだけ隔てた
位置に基本パターンを露光し「 この操作を所定回数繰
り返すことによって基本パターンをマトリックス状に露
光する機能を有することを特徴とするもので、以下実施
例について詳細に説明する。例えば集積回路の露光パタ
−ンの多くの部分はある小さな基本パターンのマトリッ
クス状配列で構成されており、大容量メモリーでは実際
上、かかる配列でチップ内でもメモリー部がブロック分
けされている。本発明では計算機から転送されるデータ
として、第4図に示すごと〈に基本パターン29の1隅
の位置座標X,,Y,大きさX2,Y2と共に繰り返し
のピッチX3,Y3繰り返しの回数X4,X4を露光装
置に送る。第5図は本発明に関する電子ビーム露光装置
のマトリリックス配列露光を制御する回路のブロック図
である。すなわち計算機からデータとしてX,〜X4,
Y,〜Y4が与えられる。クロック30は1つの矩形パ
ターンを露光するに要する時間を決めている。従って上
記フライング・スポット方式の場合には、第2図に示す
終了パルス44をクロツクとして用いる。このクロック
端子に入ったクロツクの数をnとすると、加算器31で
1つのパターンを書くたびに繰り返しのピッチX3の値
を基本パターンの1隅の位置座標X,に累積加算し、X
,十(n一1)X3を計算して出力X,に出す。すなわ
ちX,は各パターンの対応する1隅の位置座標を与え、
1つのパターンを書き終わると次のパターンの対応する
位置座標を与える。一方同時にカウンタ32でクロック
の回数nを数え、その値とX4の値とを比較器33で比
較し、両者の値が一致したら1列書きき終わる。Y方向
も同機でかかる一致信号の回数mをカウンタ34でカウ
ントし、比較器35でY4と比較しながら、両者の値が
一致するまで加算器35で基本パターンの1隅の位置座
標Y,に繰り返しのピッチY3を足し合わせ、Y,十(
m−1)Y3を出力Y,とて出す。1つのパターンの大
きさを決めるX2,Y2はそのまま出力X2,Y2とす
ると、このマトリックス配列回路に従釆の露光方式、す
なわち第2図に示すフライング・スポット方式、あるい
は第3図に示す矩形パターン露光方式にける制御回路の
入力端子X,,X2,Y,,Y2を接続することで、マ
トリックス配列露光が可能となり「 これを用いて露光
されるマトリックスと露光順序は第6図のaの如くであ
る。
In order to achieve such an object, the electron beam exposure apparatus of the present invention has the following features: ``When exposing a group of rectangular patterns of the same size and arranged in a matrix, one basic rectangular pattern constituting the pattern group is exposed. The position coordinates, pattern size, repetition pitch, and number of repetitions are stored in a register, and after one basic rectangular pattern is exposed, the contents of the position coordinate register are passed through an addition/subtraction circuit,
By adding or subtracting a pitch, the basic pattern is exposed at a position separated by the pitch, and by repeating this operation a predetermined number of times, the basic pattern is exposed in a matrix. For example, many parts of the exposure pattern of integrated circuits are composed of matrix-like arrays of small basic patterns, and in the case of large-capacity memories, in practice, such arrays block the memory area even within the chip. In the present invention, the data transferred from the computer is as shown in FIG. The number of repetitions X4,
Y, ~Y4 are given. A clock 30 determines the time required to expose one rectangular pattern. Therefore, in the case of the flying spot method, the termination pulse 44 shown in FIG. 2 is used as a clock. Assuming that the number of clocks input to this clock terminal is n, each time one pattern is written in the adder 31, the value of the repetition pitch X3 is cumulatively added to the position coordinate X of one corner of the basic pattern, and
, ten (n-1)X3 and sends it to output X. That is, X, gives the position coordinates of the corresponding corner of each pattern,
When one pattern is written, the corresponding position coordinates of the next pattern are given. At the same time, the counter 32 counts the number of clocks n, and the comparator 33 compares that value with the value of X4. When the two values match, writing of one column is completed. In the Y direction, the counter 34 counts the number of times m of matching signals are received by the same machine, and while comparing it with Y4 using the comparator 35, the adder 35 calculates the position coordinate Y of one corner of the basic pattern until the two values match. Add up the repetition pitch Y3 and get Y, ten (
m-1) Output Y3 as output Y. Assuming that X2 and Y2, which determine the size of one pattern, are the outputs X2 and Y2 as they are, this matrix array circuit can be used with the following exposure method, that is, the flying spot method shown in Figure 2, or the rectangular pattern shown in Figure 3. By connecting the input terminals X, , X2, Y, , Y2 of the control circuit in the exposure method, matrix array exposure becomes possible. It is.

本発明により計算機からのデ−タ転送時間が大幅に減少
し、電子ビーム露光における最大の欠点である作業時間
の長さを短縮することができる。
According to the present invention, the time required to transfer data from a computer can be significantly reduced, and the length of working time, which is the biggest drawback in electron beam exposure, can be shortened.

次に上誌マトリックス配列では1つのパターンから次の
パターンへ大きく露光点を変化させることが考えられ、
例えば第6図aの如く×方向に1列書き終えた後にY方
行は1行ずれ、×方向は最初の基本パターンの位置まで
戻り、その飛躍の距離はほとんどチップサイズと同程度
に大きくなる場合が少なくない。従って偏向回路等アナ
ログで動作する回路では大きな飛躍のために不安定な現
象が発生しやすい。例えば増中器は大きな電圧変化を経
た後には、熱的平衡に達するために若干の時間を必要と
する。
Next, in the above matrix arrangement, it is possible to change the exposure point greatly from one pattern to the next.
For example, as shown in Figure 6a, after writing one column in the x direction, the Y direction shifts by one line, and the x direction returns to the initial basic pattern position, and the distance of the jump is almost as large as the chip size. There are many cases. Therefore, in analog operated circuits such as deflection circuits, unstable phenomena are likely to occur due to large jumps. For example, a multiplier requires some time to reach thermal equilibrium after undergoing a large voltage change.

従って例えば第6図のbに示す如く飛躍を最少限におさ
え、常に1ピッチしか隔たらない隣りのパターンを書き
つないで行く方式が望ましい。これを実現することは、
例えば×方向の位置座標を示すレジスタの内容にピッチ
を加えて行くことによって1列の露光を完了した後に、
Y方向のレジスタの内容にピッチを加算して次の列に移
り、今度は×方向のレジスタの内容からピッチを減算し
て行くことによって可能となる。
Therefore, it is desirable to minimize jumps and always write and connect adjacent patterns separated by only one pitch, as shown in FIG. 6b, for example. To achieve this,
For example, after completing one row of exposure by adding the pitch to the contents of the register indicating the position coordinates in the x direction,
This is possible by adding the pitch to the contents of the register in the Y direction, moving to the next column, and then subtracting the pitch from the contents of the register in the x direction.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のベクトル偏向方式を持つ露光装置の露光
パターンデータの与え方を示す図である。 第2図はフライング・スポット方式の偏向系の走査制御
部のブロック図を示す。第3図は矩形パターン露光方式
の偏向系の走査制御部のブロック図を示す。第4図はマ
トリックス配列露光方式の露光パターンデータの与え方
を示す図である。第5図はマトリックス配列露光を可能
にする制御回路のブロック図を示す。第6図はマトリッ
クス配列露光における露光順序を示す。1はパターン、
2〜5,17〜20,37〜42はしジスタ、7,12
,32,34は力ウンタ、8,13,33,35は比較
器、9,10,14,15,21〜24はD−A変換器
、1 1,16,25〜28は増中器「 6,3川まク
ロツク、29は基本パターン、43,44は終了パルス
である。 オー図 オ4図 汁Z図 才3図 才5図 才6図
FIG. 1 is a diagram showing how exposure pattern data is provided in an exposure apparatus using a conventional vector deflection method. FIG. 2 shows a block diagram of a scanning control section of a flying spot type deflection system. FIG. 3 shows a block diagram of a scanning control section of a deflection system using a rectangular pattern exposure method. FIG. 4 is a diagram showing how to provide exposure pattern data in the matrix array exposure method. FIG. 5 shows a block diagram of a control circuit that enables matrix array exposure. FIG. 6 shows the exposure order in matrix array exposure. 1 is a pattern,
2-5, 17-20, 37-42 Hashijista, 7, 12
, 32, 34 are force counters, 8, 13, 33, 35 are comparators, 9, 10, 14, 15, 21-24 are D-A converters, 11, 16, 25-28 are intensifiers. 6, 3 river clock, 29 is the basic pattern, 43, 44 are the end pulses.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電子ビームを放射する電子銃と該電子ビームを集束
させる電子レンズ系と、該電子ビームを感電子線レジス
トを途布した試料上の所望の位置に偏向させる偏向系と
を有する電子ビーム露光装置において、大きさを同じく
し、かつマトリツクス状に配列された矩形パターン群を
電子ビーム露光する場合に、該パターン群を構成する1
基本矩形パターンの位置座標と、パターンの大きさと、
繰り返しのピツチと繰り返しの回数をレジスタに蓄え、
1基本矩形パターンを露光した後に、該位置座標レジス
タの内容に加減算回路を通してピツチを加え、又は減ず
ることにより、ピツチだけ隔てた位置に電子ビームを偏
向して基本パターンを露光し、この操作を所定回数繰り
返すことによって、基本パターンをマトリツクス状に露
光することを特徴とする電子ビーム露光方法。 2 基本パターンの露光順序に関し、2ピツチ以上の飛
躍をしないことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電子ビーム露光方法。
[Scope of Claims] 1. An electron gun that emits an electron beam, an electron lens system that focuses the electron beam, and a deflection system that deflects the electron beam to a desired position on a sample where an electron beam-sensitive resist is disposed. When a group of rectangular patterns having the same size and arranged in a matrix is subjected to electron beam exposure in an electron beam exposure apparatus having
The position coordinates of the basic rectangular pattern, the size of the pattern,
Store the repetition pitch and number of repetitions in a register,
After exposing one basic rectangular pattern, a pitch is added or subtracted from the contents of the position coordinate register through an addition/subtraction circuit, thereby deflecting the electron beam to a position separated by the pitch to expose the basic pattern, and this operation is performed in a predetermined manner. An electron beam exposure method characterized by exposing a basic pattern in a matrix by repeating it a number of times. 2. The electron beam exposure method according to claim 1, wherein there is no jump of two pitches or more in the exposure order of the basic pattern.
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JPS52119182A JPS52119182A (en) 1977-10-06
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