JPS605375Y2 - Luminescent memory power supply - Google Patents

Luminescent memory power supply

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JPS605375Y2
JPS605375Y2 JP16245079U JP16245079U JPS605375Y2 JP S605375 Y2 JPS605375 Y2 JP S605375Y2 JP 16245079 U JP16245079 U JP 16245079U JP 16245079 U JP16245079 U JP 16245079U JP S605375 Y2 JPS605375 Y2 JP S605375Y2
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JP
Japan
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power supply
memory
power
circuit
voltage value
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JP16245079U
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JPS5682799U (en
Inventor
一俊 草野
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本案は、揮発性メモリを有する電子機器の電源オフ時に
おいて、メモリの記憶内容を喪失しないようにするため
のいわゆるバックアップ電源装置の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a so-called backup power supply device for preventing the storage contents of the memory from being lost when the power of an electronic device having a volatile memory is turned off.

一般にこの種のバックアップ電源装置には電池が備えら
れ、電子機器がオフ状態になされて常用電源からの直流
電力供給が途絶えたとき、この電池によって揮発性メモ
リに直流電力供給を行ない、このメモリに記憶された内
容を維持するように構成されている。
Generally, this type of backup power supply device is equipped with a battery, and when the electronic device is turned off and the DC power supply from the regular power supply is interrupted, the battery supplies DC power to the volatile memory, and the memory is Configured to maintain stored content.

また、この種の揮発性メモリは直流電力が最初に供給さ
れるとき、その記憶内容は混乱している。
Moreover, when DC power is first supplied to this type of volatile memory, its stored contents are confused.

このため、この最初に供給される直流電力の立上りを基
にパルスを作戊腰このパルスでメモリの記憶内容をクリ
アするリセットパルスとして上記メモリに与えている。
For this reason, a pulse is generated based on the rise of the first supplied DC power, and this pulse is applied to the memory as a reset pulse to clear the memory contents.

したがって、この種の装置には通常、このようなパルス
を作成しメモリに与えるパルス発生回路が備えられてい
る。
Therefore, devices of this type are usually equipped with a pulse generation circuit for generating such pulses and applying them to the memory.

このパルス発生回路は供給される直流電力の立上り時に
おける電圧の過渡特性を利用して、所定の波高値をもつ
パルスを作成するもので、一般に微分回路等によって形
成されている。
This pulse generating circuit generates a pulse having a predetermined peak value by utilizing the transient characteristics of the voltage at the rise of the supplied DC power, and is generally formed by a differentiating circuit or the like.

一方、上述のバックアップ用の電池はその供給電圧が使
用しているうちに除々に低下する。
On the other hand, the supply voltage of the above-mentioned backup battery gradually decreases during use.

この供給電圧の低下は、ある値以下になると揮発性メモ
リの記憶を維持することができなくなる。
If the supply voltage decreases below a certain value, the volatile memory will no longer be able to maintain its memory.

その結果、このような状態で電子機器の電源がオフ状態
になされると、メモリの記憶内容は喪失され混乱した状
態となる。
As a result, if the power of the electronic device is turned off in such a state, the stored contents of the memory will be lost and the electronic device will be in a confused state.

そして、再び電子機器の電源がオン状態になされると、
常用電源から供給される直流電力の立上りを基に上述の
パルス発生回路によってリセットパルスが作成されメモ
リに与えられる。
Then, when the electronic device is turned on again,
A reset pulse is generated by the above-mentioned pulse generation circuit based on the rise of the DC power supplied from the commercial power supply and is applied to the memory.

しかしながら、このときパルス発生回路には上述のよう
に直流電力が供給されている。
However, at this time, the pulse generating circuit is supplied with DC power as described above.

この電池から供給される直流電力はその供給電圧がメモ
リの記憶内容を維持するためには不十分なものの、パル
ス発生回路を形成する微分回路に含まれたコンデンサに
は、低下した供給電圧のレベルを維持するような電荷を
蓄積させている。
Although the DC power supplied by this battery is insufficient to maintain the stored contents of the memory, the capacitors included in the differentiating circuit that form the pulse generation circuit are able to maintain the reduced supply voltage level. It accumulates a charge that maintains the .

その結果、パルス発生回路では上述のように常用電源か
ら供給される直流電力の立上りを基にリセットパルスを
作成する際、電圧の過渡特性の範囲が挾まり、上記リセ
ットパルスとして十分な波高値をもつパルスを作成でき
なくなる。
As a result, when the pulse generation circuit creates a reset pulse based on the rising edge of the DC power supplied from the commercial power supply as described above, the range of voltage transient characteristics is limited, and the peak value is not sufficient for the reset pulse. It is no longer possible to create pulses with

したがって、メモリはバックアップ用の電池の供給電圧
が低下すると、電子機器の電源再投入時においてその記
憶内容がクリアされず、混乱した状態となってしまつ。
Therefore, when the supply voltage of the backup battery decreases, the memory contents are not cleared when the electronic device is turned on again, resulting in a confused state.

本案はかかる点に鑑みてなされたもので、以下本案を実
施例図面に添って説明する。
The present invention has been developed in view of these points, and the present invention will be explained below with reference to drawings of embodiments.

第1図は本案実施例装置の回路図で、1は常用電源、2
はバックアップ用の電池、3はパルス発生回路である。
Figure 1 is a circuit diagram of the device according to the present invention, in which 1 is a common power supply, 2
3 is a backup battery, and 3 is a pulse generation circuit.

4は本案要部の一方を構成する第1のスイッチング回路
、5は本案要部の他方を構成する第2のスイッチング回
路である。
4 is a first switching circuit constituting one of the main parts of the present invention, and 5 is a second switching circuit constituting the other main part of the present invention.

6は本案装置が適用される電子機器(図示せず)の電源
をオン、オフさせるための電源スィッチで、今ここでは
常用電源1をオン、オフさせるものとして示しである。
Reference numeral 6 denotes a power switch for turning on and off the power of electronic equipment (not shown) to which the present device is applied, and is shown here as a switch for turning on and off the common power supply 1.

また、揮発性メモリ(図示せず)の記憶を維持するため
に必要な所定の電圧値として、ここでは一般にTTLレ
ベルと称される5Vの例に添って説明する。
Further, as a predetermined voltage value required to maintain storage in a volatile memory (not shown), an example of 5V, which is generally referred to as a TTL level, will be explained here.

したがって、メモリが記憶を維持できない電圧レベルは
ここでは3■以下として説明する。
Therefore, the voltage level at which the memory cannot maintain storage will be explained here as being 3 or less.

常用電源1より出力される5Vの供給電力はダイオード
7、抵抗8を介して線路9を経て端子10に出力される
A 5V supply power outputted from the common power supply 1 is outputted to a terminal 10 via a diode 7 and a resistor 8, and a line 9.

この端子10は図示しない揮発性メモリに接続され、線
路9より供給される直流電力をこのメモリに与えている
This terminal 10 is connected to a volatile memory (not shown), and DC power supplied from the line 9 is applied to this memory.

また、線路9に接続されている11は出力電圧を安定化
するためのツェナーダイオードである。
Further, 11 connected to the line 9 is a Zener diode for stabilizing the output voltage.

そして、線路9には上述のパルス発生回路3が接続され
、端子13よりリセットパルスを送出する。
The above-mentioned pulse generating circuit 3 is connected to the line 9 and sends out a reset pulse from the terminal 13.

したがって、端子13は図示しないメモリのクリア端子
に接続されている。
Therefore, the terminal 13 is connected to a clear terminal of a memory (not shown).

パルス発生回路3はアンドゲート31とコンデンサ32
と抵抗33とで形成される周知のもので構成される。
The pulse generating circuit 3 includes an AND gate 31 and a capacitor 32
and a resistor 33, which are well known in the art.

このコンデンサ32と抵抗33はすでに述べた微分回路
を形成する。
This capacitor 32 and resistor 33 form the already mentioned differentiating circuit.

したがって、端子13から出力されるリセットパルスは
アワゲート31の入力1,2がともにHighレベル(
以下単にH99と称す)となったときに発生する。
Therefore, the reset pulse output from the terminal 13 causes both inputs 1 and 2 of the hour gate 31 to be at a high level (
(hereinafter simply referred to as H99).

すなわち、電源スィッチ6が閉成されて常用電源1がオ
ン状態にされることによって、線路9に5■の直流電力
が現われると、パルス発生回路3のコンデンサ32が充
電完了するまでの間の、アンドゲート31の入力2はH
“となる。
That is, when the power switch 6 is closed and the regular power supply 1 is turned on, and 5cm of DC power appears on the line 9, the voltage is increased until the capacitor 32 of the pulse generation circuit 3 is completely charged. Input 2 of AND gate 31 is H
“becomes.

このときアンドゲート31の入力1は線路9に直流電力
が現われることによって直ちに“Httとなるから、ア
ンドゲート31の出力にはH゛のリセットパルスが現わ
れる。
At this time, the input 1 of the AND gate 31 immediately becomes "Htt" due to the appearance of DC power on the line 9, so that a reset pulse of "H" appears at the output of the AND gate 31.

一方、バックアップ用の電池2から出力される直流電力
は常時、第2のスイッチング回路5に端子51を介して
供給される。
On the other hand, DC power output from the backup battery 2 is always supplied to the second switching circuit 5 via the terminal 51.

第2のスイッチング回路5は逆流防止用のダイオード5
2、スイッチング用のトランジスタ53、温度保償用の
ダイオード54、抵抗55,56,57,58、および
直流帰環用の帰環抵抗59によって構成される。
The second switching circuit 5 includes a diode 5 for backflow prevention.
2. It is composed of a transistor 53 for switching, a diode 54 for temperature guarantee, resistors 55, 56, 57, and 58, and a return resistor 59 for DC return.

トランジスタ53は端子51より供給される直流電力と
、もしも常用電源1がオン状態であったならば端子60
より供給される直流電力とによって電力供給を受ける。
The transistor 53 receives the DC power supplied from the terminal 51 and the terminal 60 if the commercial power supply 1 is on.
The power is supplied by the DC power supplied by the DC power supply.

この場合、電池2が充電可能なものであれば、ダイオー
ド52、抵抗55を介して常用電源1より充電電流が供
給される。
In this case, if the battery 2 is rechargeable, a charging current is supplied from the common power supply 1 via the diode 52 and the resistor 55.

トランジスタ53は、抵抗56.58、ダイオード54
の内部抵抗による直列合成抵抗値と、抵抗58、ダイオ
ード54の内部抵抗の直列合成抵抗値との分圧比によっ
てバイアスが与えられる。
The transistor 53 has a resistor 56.58 and a diode 54.
Bias is applied by the voltage division ratio between the series combined resistance value of the internal resistance of the resistor 58 and the series combined resistance value of the internal resistance of the diode 54.

このバイアスは、電池2より供給される直流電力の供給
電圧がここでは4V以上あるときにトランジスタ53を
オン状態に動作させるように設定されている。
This bias is set so that the transistor 53 is turned on when the supply voltage of the DC power supplied from the battery 2 is 4 V or more.

また、トランジスタ53のベースには帰環抵抗59が接
続され、線路9に現われるメモリへの供給電圧がここで
は3V以下に低下したときトランジスタ53をオフ状態
に動作させるようにその値が設定されている。
Further, a return resistor 59 is connected to the base of the transistor 53, and its value is set so as to turn the transistor 53 off when the voltage supplied to the memory appearing on the line 9 drops below 3V. There is.

すなわち、抵抗59はトランジスタ53に第2図に示す
ようなヒステリシス特性をもたせるために設けられ、そ
の値は抵抗56に対して十分大なる値に設定される。
That is, the resistor 59 is provided to give the transistor 53 a hysteresis characteristic as shown in FIG. 2, and its value is set to a value sufficiently larger than that of the resistor 56.

第2図に示すヒステリシス特性は、ここでは端子51よ
り入力される供給電圧が3Vのときトランジスタ53を
オフとし、4■のときオンとする場合を例示している。
The hysteresis characteristics shown in FIG. 2 are exemplified here in the case where the transistor 53 is turned off when the supply voltage input from the terminal 51 is 3V, and turned on when the supply voltage is 4V.

このヒステリシス特性は、端子51より入力される供給
電圧がメモリの記憶内容を維持することができなくなる
まで低下したとき、トランジスタ53をオフとしかつこ
のオフ状態を維持させるために設定するものである。
This hysteresis characteristic is set in order to turn off the transistor 53 and maintain this off state when the supply voltage input from the terminal 51 decreases to the point where it is no longer possible to maintain the contents stored in the memory.

すなわち、もしもヒステリシス特性を持たせなかったな
らば、トランジスタ53は入力される供給電圧の低下に
よってオフとなっても、電池2がこのオフ状態中に若干
の電圧回路を行なうために再びオンとなり、またすぐに
オフになるという動作を繰返してしまからである。
That is, if the hysteresis characteristic were not provided, even if the transistor 53 is turned off due to a drop in the input supply voltage, it will be turned on again because the battery 2 performs some voltage circuit during this off state. This is because the operation of immediately turning off is repeated.

したがって、上述のヒステリシス特性の設定値はこれら
のことを考慮して適宜変更されることは勿論である。
Therefore, it goes without saying that the setting value of the above-mentioned hysteresis characteristic is changed as appropriate in consideration of these matters.

他方、第1のスイッチング回路4はダイオード41、ト
ランジスタ42、抵抗43,44より構成される。
On the other hand, the first switching circuit 4 includes a diode 41, a transistor 42, and resistors 43 and 44.

トランジスタ42はダイオード41の内部抵抗および抵
抗43と、抵抗44と第2スイッチング回路5のトラン
ジスタ53のコレクタ・エミッタ間抵抗とによってバイ
アスが与えられる。
The transistor 42 is biased by the internal resistance of the diode 41, the resistance 43, the resistance 44, and the collector-emitter resistance of the transistor 53 of the second switching circuit 5.

このバイアス値は、スイッチ6が閉成され常用電源1が
オン状態となって端子60より直流電力が供給されたと
き、トランジスタ42をオフ状態とするように設定され
ている。
This bias value is set so that when the switch 6 is closed and the common power source 1 is turned on and DC power is supplied from the terminal 60, the transistor 42 is turned off.

また、この常用電源1がオフ状態となったとき、トラン
ジスタ42がオン状態となるように設定される。
Further, when the common power source 1 is turned off, the transistor 42 is set to be turned on.

以上のように第1、第2スイッチング回路4゜5および
ダイオード7、抵抗8、ツェナーダイオード11によっ
て構成される本案電源装置は次のように動作する。
As described above, the present power supply device constituted by the first and second switching circuits 4.5, the diode 7, the resistor 8, and the Zener diode 11 operates as follows.

先ず、バックアップ用の電池2がメモリの記憶内容を維
持するのに足りる電圧値以上であったとすると、第2ス
イッチング回路5トランジスタ53はオン状態に維持さ
れる。
First, if the voltage of the backup battery 2 is greater than or equal to a voltage value sufficient to maintain the stored contents of the memory, the transistor 53 of the second switching circuit 5 is maintained in the on state.

このとき、電源スィッチ6によって常用電源1がオンま
たはオフ状態に制御されると、この制御動作に対応して
第1スイッチング回路4のトランジスタ42がオフまた
はオン状態に動作される。
At this time, when the power supply switch 6 controls the power source 1 to be turned on or off, the transistor 42 of the first switching circuit 4 is turned off or turned on in response to this control operation.

その結果、もしも常用電源1がオン状態であったならば
トランジスタ42がオフとなって、メモリに端子10を
経て電力供給をなす線路9には、常用電源1より出力さ
れた直流電力が現われる。
As a result, if the common power supply 1 is in the on state, the transistor 42 is turned off, and the DC power output from the common power supply 1 appears on the line 9 that supplies power to the memory via the terminal 10.

次に、バックアップ用の電池2がメモリの記憶内容を維
持できるような電圧値に低下すると、第2のスイッチン
グ回路5のトランジスタ53はオフ状態に維持される。
Next, when the voltage of the backup battery 2 drops to a voltage value that allows the storage contents of the memory to be maintained, the transistor 53 of the second switching circuit 5 is maintained in an off state.

したがって、第1スイッチング回路4のトランジスタ4
2は常用電源1がオフ状態となってもオンとはならず、
線路9には何ら直流電力は現われない。
Therefore, the transistor 4 of the first switching circuit 4
2 does not turn on even if the common power supply 1 is turned off,
No DC power appears on line 9.

また、常用電源1がオン状態となったときには、第2ス
イッチング回路5のトランジスタ53はオンとなるが、
第1スイッチング回路4のトランジスタ42はオフ状態
となるから、線路9には常用電源1より出力される直流
電力が現われる。
Further, when the common power supply 1 is turned on, the transistor 53 of the second switching circuit 5 is turned on, but
Since the transistor 42 of the first switching circuit 4 is turned off, the DC power output from the commercial power supply 1 appears on the line 9.

その結果、電池2の供給電圧がメモリの記憶内容を維持
するに足りる電圧値よりも低下した場合、線路9には常
用電源1がオフ状態にあっては何ら直流電力を出現させ
ず。
As a result, when the supply voltage of the battery 2 drops below a voltage value sufficient to maintain the stored contents of the memory, no DC power appears on the line 9 while the common power supply 1 is in the OFF state.

常用電源1がオン状態となったときに初めて出現する。It appears for the first time when the common power supply 1 is turned on.

したがって、この場合の線路9にはO■より5Vに至る
直流電力が常用電源のオン、オフ状態に応じて出現する
こととなる。
Therefore, in this case, DC power ranging from 0 to 5 V appears on the line 9 depending on the on/off state of the common power source.

このことは、すでに述べたパルス発生回路3が電池2の
電圧の低下時には常用電源1のオンと同時に確実にリセ
ットパルスを作成することとなる。
This means that the already mentioned pulse generating circuit 3 reliably generates a reset pulse at the same time as the regular power supply 1 is turned on when the voltage of the battery 2 drops.

以上のように本案実施例装置によれば、メモリの記憶内
容を維持するに足りる電圧値以下にバックアップ用電池
電圧が低下したときには、メモリの記憶内容を常用電源
が再投入される都度クリアすることができるものである
As described above, according to the device of the present invention, when the backup battery voltage drops below a voltage value sufficient to maintain the stored contents of the memory, the stored contents of the memory can be cleared each time the regular power is turned on again. It is something that can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本考案実施例装置の回路図、第2図は実施例装
置の要部特性図を示すものである。 1・・・・・・常用電源回路、2・・・・・・電池、3
・・・・・・パルス発生回路、4・・・・・・第1スイ
ッチング回路、5・・・・・・第2スイッチング回路、
6・・・・・・スイッチ。
FIG. 1 is a circuit diagram of a device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a characteristic diagram of main parts of the device according to the embodiment. 1...Common power supply circuit, 2...Battery, 3
...Pulse generation circuit, 4...First switching circuit, 5...Second switching circuit,
6...Switch.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 揮発性メモリを含む電子機器において、前記メモリが記
憶内容を維持する所定の電圧値をもつ直流電力を供給す
る常用電源回路と、 この常用電源回路からの前記メモリへの直流電力の供給
を選択的に行なうスイッチと、 このスイッチの動作とは無関係に、前記所定の電圧値と
同じ電圧値の直流電力を出力する電池と、 前記常用電源回路がオフ状態のとき前記直流電源回路の
直流電力を少なくとも前記メモリに供給し、オン状態の
ときには遮断するように前記直流電源回路より前記メモ
リへ至る電力供給線路を接・断制御する第1のスイッチ
ング回路と、前記直流電源回路の出力電圧が前記所定の
電圧値以下に低下したとき前記第1のスイッチング回路
を断状態に維持腰前記所定の電圧値より適宜高い電圧値
のとき前記第1のスイッチング回路の断・接状態を前記
常用電源回路のオン・オフ状態に応じて切替える第2の
スイッチング回路と、前記メモリに供給される直流電力
の立上りを基にパルスを作成し、このパルスを前記メモ
リへリセットパルスとして与えるパルス発生回路とを備
えた揮発性メモリの電源装置。
[Claims for Utility Model Registration] In an electronic device including a volatile memory, there is provided a common power supply circuit that supplies DC power having a predetermined voltage value so that the memory maintains its stored contents; and a common power supply circuit that supplies direct current power to the memory from the common power supply circuit. a switch that selectively supplies DC power; a battery that outputs DC power of the same voltage value as the predetermined voltage value regardless of the operation of the switch; a first switching circuit that supplies DC power of a DC power supply circuit to at least the memory and controls connection/disconnection of a power supply line from the DC power supply circuit to the memory so as to cut it off when the DC power supply circuit is in an on state; When the output voltage of the circuit drops below the predetermined voltage value, the first switching circuit is kept in the disconnected state; and when the voltage value is appropriately higher than the predetermined voltage value, the first switching circuit is in the disconnected/connected state. a second switching circuit that switches according to the on/off state of the regular power supply circuit, and a pulse that creates a pulse based on the rise of the DC power supplied to the memory and applies this pulse to the memory as a reset pulse. A volatile memory power supply device comprising a generation circuit.
JP16245079U 1979-11-22 1979-11-22 Luminescent memory power supply Expired JPS605375Y2 (en)

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JPS5682799U JPS5682799U (en) 1981-07-03
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