JPS6052994A - Magnetic bubble memory element - Google Patents
Magnetic bubble memory elementInfo
- Publication number
- JPS6052994A JPS6052994A JP58160309A JP16030983A JPS6052994A JP S6052994 A JPS6052994 A JP S6052994A JP 58160309 A JP58160309 A JP 58160309A JP 16030983 A JP16030983 A JP 16030983A JP S6052994 A JPS6052994 A JP S6052994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- magnetic bubble
- gap
- bubble
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、特に高密度バブ
ルメモリチップに好適なマイナループのバブル転送特性
の向上に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and particularly to improving the bubble transfer characteristics of a minor loop suitable for a high-density bubble memory chip.
第1図は従来の磁気バブルメモリ素子におけるマイナル
ープの基本転送パターンを示している。FIG. 1 shows the basic transfer pattern of a minor loop in a conventional magnetic bubble memory element.
周知のように、バブル磁性膜上にパーマロイ等の軟磁性
体からなる非対称シェブロンパターンが1列に配列され
て転送路が形成され、左側の転送路りと右側の転送路R
の2列を閉ループに構成して1つのマイナループが形成
される。この転送パターンに回転磁界HRを矢印1〜1
1の方向に順次加えると磁気バブルはパターン上を転送
されてゆく。図で斜線を施した部分が磁気バブルであシ
、回転磁界HRの矢印の符号と磁気バブルの位置の符号
とは対応している。As is well known, a transfer path is formed by arranging asymmetric chevron patterns made of soft magnetic material such as permalloy in a row on a bubble magnetic film, and a transfer path is formed on the left side and a transfer path R on the right side.
One minor loop is formed by configuring two rows of in a closed loop. The rotating magnetic field HR is applied to this transfer pattern by arrows 1 to 1.
When applied sequentially in the direction of 1, the magnetic bubbles are transferred over the pattern. The shaded portion in the figure is the magnetic bubble, and the sign of the arrow of the rotating magnetic field HR corresponds to the sign of the position of the magnetic bubble.
しかし、従来の転送パターンにおいて、右側の転送路で
は回転磁界HRの方向が7の時に磁気バブルが転送パタ
ーン間のギャップG1を渡シ、左側の転送路では回転磁
界HRの方向が3の時に磁気バブルがギャップG2を渡
るが、この際の転送特性がギャップG1とGlIでは異
なることがわかった。However, in the conventional transfer pattern, when the direction of the rotating magnetic field HR is 7 in the right transfer path, the magnetic bubble crosses the gap G1 between the transfer patterns, and in the left transfer path, the magnetic bubble crosses the gap G1 between the transfer patterns when the direction of the rotating magnetic field HR is 3. The bubble crosses the gap G2, but it was found that the transfer characteristics at this time are different between the gaps G1 and GlI.
′すなわち、第2図に示すように、転送パターン間のギ
ャップを構成する平行部分の方向を矢印Aのようにきめ
ると、平行部分の方向がa、、a2゜a、方向にある場
合は磁気バブルがギャップで消滅する磁界が高くなシ、
磁気バブルがギャップア消滅しにくくなって転送特性が
良好になるが、b1rbtmbB゛方向にある場合は磁
気バブルがギャップで消滅する磁界が低くなって転送特
性は最悪になる。なお、C1s C21cl方向にある
場合はこれらの中間的力値になる。'That is, as shown in Fig. 2, if the direction of the parallel portions forming the gap between the transfer patterns is determined as shown by arrow A, then if the direction of the parallel portions is in the direction a, a2°a, then the magnetic The magnetic field where the bubble disappears in the gap is not high,
The magnetic bubble becomes difficult to disappear in the gap and the transfer characteristics become good, but when the magnetic bubble is in the b1rbtmbB' direction, the magnetic field at which the magnetic bubble disappears in the gap becomes low and the transfer characteristic becomes worst. Note that when the force is in the C1s C21cl direction, the force value is intermediate between these.
しかしながら、al t a!t aB方向とす、、b
。However, al t a! t aB direction, , b
.
、b、方向は互に反対方向になっているので、一方の転
送路の転送パターンの平行部分の方向を例えばa、方向
に選ぶと他方の転送路の転送ノくターンの平行部分の方
向は180°異なったす、方向になってしまう。, b, and directions are opposite to each other, so if the direction of the parallel portion of the transfer pattern on one transfer path is chosen to be, for example, direction a, the direction of the parallel portion of the transfer pattern on the other transfer path will be The direction will be 180 degrees different.
第3図は平行部分の方向とギャップ部でのノマイアス磁
界マージンとの関係を示す図であるが、a方向とb方向
とでは転送マージンにΔHの差が生ずる。このΔHは具
体的には10〜20エルステッドある。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the direction of the parallel portion and the nominal magnetic field margin in the gap portion, and there is a difference of ΔH in the transfer margin between the a direction and the b direction. Specifically, this ΔH is 10 to 20 oersteds.
このように、磁気バブルがギャップを渡る時、平行部分
の方向によって転送特性が変化するのは、磁気バブルを
保持するバブル磁性膜(LPB膜)の特性やイオン打込
み量と深い関係があると考えられる。特に前記a、b、
C方向は、液相エピタキシャル成長によってガーネット
基板上に形成されるバブル磁性膜の結晶方位と密接に関
係している。In this way, when a magnetic bubble crosses a gap, the transfer characteristics change depending on the direction of the parallel portion, which is thought to be deeply related to the characteristics of the bubble magnetic film (LPB film) that holds the magnetic bubble and the amount of ion implantation. It will be done. In particular, a, b,
The C direction is closely related to the crystal orientation of the bubble magnetic film formed on the garnet substrate by liquid phase epitaxial growth.
このように、従来の磁気バブルメモリ素子においては、
マイナループの転送特性がよくないという問題があった
。In this way, in the conventional magnetic bubble memory element,
There was a problem that the transfer characteristics of the minor loop were not good.
本発明はこのような従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、マイナループの
バブル転送特性が良好な磁気バブルメモリ素子を提供す
ることにある。The present invention has been made to solve these conventional problems, and its purpose is to provide a magnetic bubble memory element with good minor loop bubble transfer characteristics.
本発明はこのような目的を達成するために、転送パター
ン図のギャップを構成する平行部分の方向を隣シあり転
送路間で1800からずれて形成するようにしたもので
ある。In order to achieve such an object, the present invention is configured such that the direction of the parallel portions constituting the gaps in the transfer pattern diagram is deviated from 1800 between adjacent transfer paths.
以下、本発明を実施例によシ詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using examples.
第4図(a)〜(d)は本発明に係る磁気バブルメモリ
素子の各実施例におけるマイナループの左右転送路のパ
ターンを示している。FIGS. 4(a) to 4(d) show patterns of the left and right transfer paths of the minor loop in each embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention.
第4図(a)においては、左側の転送路りのギャップを
構成する平行部分の方向は第1図と同じであるが、右側
の転送路Rのギャップを構成する平行部分の方向は第1
図と異なっている。すなわち、左側の平行部分の方向を
a方向とすると、右側の平行部分の方向はaより180
0異なるb方向を避け、このbよυ約30°異なる方向
に設定されている。これによって、転送特性が向上する
。In FIG. 4(a), the direction of the parallel portion forming the gap in the left transfer path is the same as in FIG. 1, but the direction of the parallel portion forming the gap in the right transfer path R is the same as in FIG.
It is different from the illustration. In other words, if the direction of the parallel part on the left side is the direction a, the direction of the parallel part on the right side is 180 degrees from a.
It is set in a direction that is different from b by about 30°, avoiding a b direction that is different from 0. This improves transfer characteristics.
第4図(b)においては、左右各転送路のパターンのギ
ャップを構成する平行部分の方向を第1図のものよシは
それぞれ傾けた非対称シェブロンを用いている。したが
って、平行部分の各方向は180゜にはなっていない。In FIG. 4(b), an asymmetrical chevron is used in which the directions of the parallel portions constituting the gaps in the patterns of the left and right transfer paths are tilted, respectively, compared to those in FIG. Therefore, each direction of the parallel portions is not 180°.
第4図(C)においては、左右各転送路のパターンのギ
ャップを構成する平行部分の方向を、第2図、13Hc
示したマージンの広い最適方向のaSra、に合わせた
ものである。In FIG. 4(C), the direction of the parallel portions constituting the gaps in the patterns of the left and right transfer paths is shown in FIG. 2, 13Hc.
This is in accordance with the optimal direction aSra with a wide margin.
第4図(d)においては、ギャップが平行部分で構成さ
れていない場合に適用した実施例である。このような例
でも十分な効果は得られる。FIG. 4(d) shows an embodiment applied to a case where the gap is not composed of parallel parts. Even in such an example, sufficient effects can be obtained.
又、平行部分の方向とギャップの転送特性が上記各実施
例と異なる場合でも本発明は適用可能である。Furthermore, the present invention is applicable even when the direction of the parallel portion and the transfer characteristics of the gap are different from those of the above embodiments.
以上述べたように、本発明に係る磁気バブルメモリ素子
によると、マイナループの転送路上で磁気バブルがパタ
ーンのギャップを渡る時の特性が向上するため、例えば
従来に比して5・〜10エルステッド転送マージンがよ
くなり、素子の製造歩留、性能が向上する効果がある。As described above, according to the magnetic bubble memory element according to the present invention, the characteristics when the magnetic bubble crosses the pattern gap on the minor loop transfer path are improved, so that, for example, the transfer rate is 5. to 10 Oe compared to the conventional one. This has the effect of improving the margin and improving the manufacturing yield and performance of the device.
第1図は従来の磁気バブルメモリ素子のマイナループの
基本転送パターン図、第2図はギャップ平行部分の方向
を示すパターン図、第3図は平行部分の方向とギャップ
でのバイアス磁界マージンとの関係を示す図、第4図(
a)〜(d)は本発明に係る磁気バブルメモリ素子の各
実施例におけるマイナループの基本転送バター7図であ
る。
1〜111I・・0回転磁界の方向、L * # @
@左側の転送路、R−・・・右側の転送路。
代理人 弁理士 高 橋 明 呑
第1図
第2図
’b+
第3図
0、a2 G3 b、b2 b3
C,c2 C3Figure 1 is a diagram of the basic transfer pattern of the minor loop of a conventional magnetic bubble memory element, Figure 2 is a pattern diagram showing the direction of the parallel part of the gap, and Figure 3 is the relationship between the direction of the parallel part and the bias magnetic field margin at the gap. Figure 4 (
a) to (d) are seven diagrams of the basic transfer pattern of the minor loop in each embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention. 1~111I...0 direction of rotating magnetic field, L * # @
@Left transfer path, R-...Right transfer path. Agent Patent Attorney Akira Takahashi No Figure 1 Figure 2 'b+ Figure 3 0, a2 G3 b, b2 b3 C, c2 C3
Claims (1)
性体から々る基本転送パターンからなる転送路を複数列
有する磁気バブルメモリ素子において、転送パターン間
のギャップを構成する平行部分の方向を、隣りあう転送
路間で180°からずれて形成したことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子。In a magnetic bubble memory element that has multiple rows of transfer paths each consisting of a basic transfer pattern made of soft magnetic material that constitutes a minor loop that reaches the storage section of a magnetic bubble, the direction of the parallel portions that constitute the gap between the transfer patterns is A magnetic bubble memory element characterized in that transfer paths that meet each other are formed with a deviation from 180°.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58160309A JPS6052994A (en) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58160309A JPS6052994A (en) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Magnetic bubble memory element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6052994A true JPS6052994A (en) | 1985-03-26 |
Family
ID=15712167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58160309A Pending JPS6052994A (en) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6052994A (en) |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58160309A patent/JPS6052994A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4247912A (en) | Magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins | |
JPS6052994A (en) | Magnetic bubble memory element | |
CA1060990A (en) | Magnetic bubble propagate arrangement | |
EP0044708B1 (en) | Magnetic bubble memory device | |
EP0101187B1 (en) | Magnetic-bubble memory device | |
JPS60129996A (en) | Magnetic bubble memory element | |
JPH02304794A (en) | Magnetic bubble memory device | |
JPS6216290A (en) | Magnetic bubble memory element | |
JPS645395B2 (en) | ||
JPS6038788B2 (en) | ion implantation bubble device | |
JPS6330716B2 (en) | ||
JPS6074186A (en) | Magnetic bubble transfer circuit | |
JPS592991B2 (en) | Minor loop construction method for magnetic bubble device | |
JPS5812665B2 (en) | magnetic bubble element | |
JPS5987690A (en) | Magnetic bubble transfer circuit | |
JPS6122394B2 (en) | ||
JPS58215783A (en) | Transfer pattern for ion implantation bubble device | |
JPS6346917B2 (en) | ||
JPS6050693A (en) | Magnetic bubble memory device | |
JPS59162684A (en) | Ion implantation bubble device | |
JPS6336074B2 (en) | ||
JPS59172191A (en) | Magnetic bubble transferring path | |
JPH02304795A (en) | Magnetic bubble memory device | |
JPS5829192A (en) | Replicate transfer gate for magnetic bubble memory | |
JPH03260989A (en) | Magnetic bubble memory device |