JPS5812665B2 - magnetic bubble element - Google Patents
magnetic bubble elementInfo
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- JPS5812665B2 JPS5812665B2 JP52050730A JP5073077A JPS5812665B2 JP S5812665 B2 JPS5812665 B2 JP S5812665B2 JP 52050730 A JP52050730 A JP 52050730A JP 5073077 A JP5073077 A JP 5073077A JP S5812665 B2 JPS5812665 B2 JP S5812665B2
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- magnetic bubble
- magnetic
- patterns
- transfer circuit
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル素子、特にある種の磁性薄板(例え
ばオルソフエライトやガーネット膜)中に外部から板面
に垂直なバイアス磁界を印加することにより安定に形成
される円筒状磁区(磁気バブル)を転送する磁気バブル
転送回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble element, particularly a cylinder which is stably formed by applying a bias magnetic field perpendicular to the plate surface from the outside in a certain kind of magnetic thin plate (for example, orthoferrite or garnet film). The present invention relates to a magnetic bubble transfer circuit that transfers magnetic domains (magnetic bubbles).
通常、磁気バブル転送回路として、磁気バブルを形成す
る上記磁性薄板上にパーマロイ等の軟強磁性体薄膜のパ
タンを形成し、このバタン面内で回転する回転磁界を外
部から印加し、この面内回転磁界によって上記軟強磁性
体薄膜パタンを磁化する方式のものがよく用いられてい
る。Usually, as a magnetic bubble transfer circuit, a pattern of a soft ferromagnetic thin film such as permalloy is formed on the magnetic thin plate that forms magnetic bubbles, and a rotating magnetic field that rotates within this batten plane is applied externally. A system in which the soft ferromagnetic thin film pattern is magnetized by a rotating magnetic field is often used.
そして、この方式の転送回路バタンとして、T−Bar
パタンまたはシェブロンパタンなどの公知のバタンが一
般によく使用されている。As a transfer circuit button of this method, T-Bar
Known battens such as patterns or chevron patterns are commonly used.
本発明の係わる磁気バブル転送回路はこのうちのシェブ
ロンパタンの場合に関するものである。The magnetic bubble transfer circuit to which the present invention relates relates to the case of a chevron pattern.
第1図はシェブロンパタンの一例を示す要部平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of essential parts showing an example of a chevron pattern.
同図において、個々のシェブロンパタン1aはY軸に対
称な「へ」の字状の形状を有し、磁性薄膜上にパーマロ
イ等の軟強磁性体薄膜で形成されており、後述するシェ
ブロンパタンを構成する基本要素となっている。In the figure, each chevron pattern 1a has a ``h'' shape symmetrical to the Y axis, and is formed of a soft ferromagnetic thin film such as permalloy on a magnetic thin film. It is the basic constituent element.
第2図は従来の磁気バブル素子、特に磁気バブル転送回
路の一例を示す要部平面図である。FIG. 2 is a plan view of essential parts showing an example of a conventional magnetic bubble element, particularly a magnetic bubble transfer circuit.
同図において、1はシェブロンバタンであり、このシェ
ブロンパタン1は、個々のシェブロンパタン1aがQ方
向にその間隔幅Sを有して5段に積重ねられて同層内に
構成されている。In the figure, numeral 1 denotes a chevron pattern, and this chevron pattern 1 is constructed by stacking individual chevron patterns 1a in five stages with an interval width S in the Q direction in the same layer.
そして、この5段のシェブロンパタン1は、隣接パタン
に所定間隔幅gを有して複数個並設され、5段シェブロ
ン転送回路2を構成している。A plurality of these five-stage chevron patterns 1 are arranged in parallel with a predetermined interval g between adjacent patterns, thereby forming a five-stage chevron transfer circuit 2.
また、3は回転磁界HRであり、この回転磁界3は、磁
気バブル4を矢印P方向に転送するように反時計回り方
向に回転するように印加されている。Moreover, 3 is a rotating magnetic field HR, and this rotating magnetic field 3 is applied so as to rotate in a counterclockwise direction so as to transfer the magnetic bubble 4 in the direction of arrow P.
また、5はバイアス磁界HBである。このように構成さ
れた磁気バブル転送回路において、回転磁界3の回転に
伴ないシェブロンパタン1の上の磁気バブル4が転送回
路2上を順次転送することになる。Further, 5 is a bias magnetic field HB. In the magnetic bubble transfer circuit configured in this manner, the magnetic bubbles 4 on the chevron pattern 1 are sequentially transferred on the transfer circuit 2 as the rotating magnetic field 3 rotates.
しかしながら、上記構成による磁気バブル転送回路にお
いて、バイアス磁界5の磁界HBを高くすると、転送中
の磁気バフル4が極めて容易に消滅してしまい。However, in the magnetic bubble transfer circuit having the above configuration, when the magnetic field HB of the bias magnetic field 5 is increased, the magnetic baffle 4 during transfer is extremely easily eliminated.
磁気バブル素子が誤動作をしてしまうなどの欠点を有し
ている。It has drawbacks such as the magnetic bubble element malfunctioning.
すなわち、この磁気バブル5の消滅は、磁気バブル4が
転送方向Pに隣接しているシェブロンバタン1間の間隙
gを渡るときに生じ、そして、この転送方向Pの間隙g
が大きくなるほど磁気バブル4の消滅が容易となり、バ
イアスマージンの上限値が下ることになる。That is, the extinction of the magnetic bubble 5 occurs when the magnetic bubble 4 crosses the gap g between the chevron battens 1 adjacent to each other in the transfer direction P, and the gap g in the transfer direction P
The larger the value, the easier the magnetic bubble 4 will disappear, and the upper limit value of the bias margin will be lowered.
したがって、このような問題を解決してバイアスマージ
ン幅△HBのより広い転送回路を得るには、P方向の間
隙yを小さくすれば良いことになる。Therefore, in order to solve this problem and obtain a transfer circuit with a wider bias margin width ΔHB, it is sufficient to reduce the gap y in the P direction.
ところが、隣接したシェブロンバタン1間の間隙yは、
転送回路の作製技術の制約で定まるある値9minより
小さくすることができない。However, the gap y between adjacent chevron battens 1 is
It cannot be made smaller than a certain value of 9 min determined by restrictions on the transfer circuit manufacturing technology.
そして、このgminは、現在のホトリゾグラフイ技術
では1μm程度が限度とされている。In the current photolithography technology, the gmin is limited to about 1 μm.
したがって、本発明の目的は、上記の点に着目してなさ
れたものであり、転送中の磁気バブルの消滅をおこり難
くしてバイアスマージン幅△HBの広い転送回路を得る
ようにした磁気バブル素子を提供することにある。Therefore, an object of the present invention has been made with attention to the above points, and is to provide a magnetic bubble element that makes it difficult for magnetic bubbles to disappear during transfer to obtain a transfer circuit with a wide bias margin width ΔHB. Our goal is to provide the following.
このような目的を達成するために、本発明による磁気バ
ブル素子は、転送方向に隣接する同層内に形成したシェ
ブロンバタン相互の間隔位置が上下段で異なり、パタン
を歯車のように相互でかみ合うようにしたものである。In order to achieve this purpose, the magnetic bubble element according to the present invention has chevron battens formed in the same layer adjacent to each other in the transfer direction. This is how it was done.
以下図面を用いて本発明による磁気バブル素子について
詳細に説明する。The magnetic bubble element according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第3図a,bは本発明による磁気バブルメモリ素子、特
に磁気バブル転送回路の一実施例を示す要部平面図であ
り、第1図、第2図と同記号は同一要素となるのでその
説明は省略する。3a and 3b are principal part plan views showing an embodiment of a magnetic bubble memory element, particularly a magnetic bubble transfer circuit, according to the present invention, and the same symbols as in FIGS. 1 and 2 are the same elements, so that Explanation will be omitted.
同図aにおいて、転送回路の構成基本要素であるシェブ
ロンバタン5a,6bは、それぞれ「へ」の字の両側に
延びている腕の長さが左右で異なり、Y軸に対して非対
称な形状に形成されている。In Figure a, the chevron battens 5a and 6b, which are the basic constituent elements of the transfer circuit, have different lengths of the arms extending on both sides of the "he" shape, and are asymmetrical with respect to the Y axis. It is formed.
また、同図bは、上記シェブロンパタン5a,6bをP
方向とQ方向へ交互に繰返し配列して複数個のシェブロ
ンパタン6が形成されて5段シェブロン転送回路7が同
層内に構成されている。In addition, the same figure b shows the chevron patterns 5a and 6b as P
A plurality of chevron patterns 6 are formed alternately and repeatedly in the direction and the Q direction, and a five-stage chevron transfer circuit 7 is constructed in the same layer.
このように構成された磁気バブル転送回路において、転
送方向Pに隣接する2個のシェブロンバタン6a,6b
によって形成された局所的間隙glocは、同図bに明
らかなようにP方向に垂直な方向Qに対して交互左右に
変在されている。In the magnetic bubble transfer circuit configured in this way, two chevron buttons 6a and 6b adjacent in the transfer direction P
As is clear from Figure b, the local gaps gloc formed by the gloc are shifted alternately left and right with respect to the direction Q perpendicular to the P direction.
この結果、シェブロンパタン6a,6bは間隙部内で歯
車のように相互にかみ合っている。As a result, the chevron patterns 6a and 6b mesh with each other like gears within the gap.
この結果局所的間隙glocをQ方向に全体的に観た実
効的間隙geffは、glocより小さくなり、同図の
場合geff〜0になる。As a result, the effective gap geff when looking at the local gap gloc as a whole in the Q direction becomes smaller than gloc, and becomes geff~0 in the case of the same figure.
したがって、互いに隣接したシェブロンバタン6間の間
隙が磁気的に小さくなるので、この部分を磁気バブル4
が容易に渡ることができ、磁気バブル4の消滅を防止す
ることができる。Therefore, since the gap between adjacent chevron battens 6 becomes magnetically small, this part can be used as a magnetic bubble 4.
The magnetic bubbles 4 can be easily crossed, and the disappearance of the magnetic bubbles 4 can be prevented.
第4図a,bは本発明による磁気バブルメモリ素子、特
に磁気バブル転送回路の他の実施例を示す要部平面図で
あり、第1図、第2図と同記号は同一要素となるのでそ
の説明は省略する。4a and 4b are principal part plan views showing other embodiments of the magnetic bubble memory element, particularly the magnetic bubble transfer circuit, according to the present invention, and the same symbols as in FIGS. 1 and 2 are the same elements, so The explanation will be omitted.
同図において、第3図a,bと異なる点は、転送回路の
構成基本賢素であるシェブロンパタン8a,8bは、「
へ」の字形に形成され、かつシェブロンパタン8aと8
bとでは腕の長さが異なり、Y軸に対してそれぞれ対称
な形状に形成されている。In the same figure, the difference from FIGS. 3a and 3b is that the chevron patterns 8a and 8b, which are the basic structure of the transfer circuit, are
The chevron patterns 8a and 8 are formed in the shape of a
The lengths of the arms are different between the two arms, and they are each formed in a symmetrical shape with respect to the Y axis.
また、同図bは、上記シエブロンパタン8a,8bをP
方向とQ方向に交互に配列して複数個のシェブロンパタ
ン8が形成され5段シェブロン転送回路9が同層内に構
成されている。In addition, FIG. b shows that the Chevron patterns 8a and 8b are
A plurality of chevron patterns 8 are formed alternately in the direction and the Q direction, and a five-stage chevron transfer circuit 9 is constructed in the same layer.
このように構成された磁気バブル転送回路においても、
転送方向Pに隣接する2個のシェブロンパタン8a,8
bによって形成された局所的間隙glocは、同図bに
示したように、P方向に垂直な方向Qに対して左右に変
在されている。In the magnetic bubble transfer circuit configured in this way,
Two chevron patterns 8a, 8 adjacent to each other in the transfer direction P
The local gap gloc formed by b is shifted left and right with respect to the direction Q perpendicular to the P direction, as shown in b of the same figure.
この結果、シェブロンパタン8a,8bは間隙部分で歯
車のように相互にかみ合っている。As a result, the chevron patterns 8a and 8b mesh with each other like gears at the gap portion.
そして、この場合も実効的間隙geffは、glocよ
り小さくなり、前述と全く同様の作用と効果が得られる
。In this case as well, the effective gap geff is smaller than gloc, and the same operation and effect as described above can be obtained.
なお、上記実施例においては、5段のシェブロンバタン
からなる5段シェブロン転送回路について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、シェブロンの
段数がnであるn段シェブロン転送回路に適用しても前
述と全く同様の効果が得られる。In the above embodiment, a 5-stage chevron transfer circuit consisting of 5-stage chevron battens was explained.
The present invention is not limited to this, and even when applied to an n-stage chevron transfer circuit in which the number of chevron stages is n, the same effects as described above can be obtained.
また、上記実施例においては、glocのP方向の位置
をQ方向に対して変在させた場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、glocの位
置を変動させてgeffを小さくする他の場合に適用し
ても前述と全く同様の効果が得られることは言うまでも
ない。Further, in the above embodiment, the case where the position of the gloc in the P direction is varied with respect to the Q direction is explained.
It goes without saying that the present invention is not limited to this, and that the same effects as described above can be obtained even if the present invention is applied to other cases in which geff is reduced by varying the position of gloc.
以上説明したように、本発明による磁気バブル素子によ
れば、隣接するシェブロンバタン間の実効的間隙gef
fを小さくすることができる。As explained above, according to the magnetic bubble element according to the present invention, the effective gap gef between adjacent chevron battens
f can be made small.
したがって磁気バブル転送特性であるバイアスマージン
の上限値が高くなり、マージン幅△HBを広くすること
ができるなど優れた効果を有する。Therefore, the upper limit value of the bias margin, which is a magnetic bubble transfer characteristic, becomes high, and the margin width ΔHB can be widened, which has excellent effects.
第1図は従来のシェブロンパタンの一例を示す要部平面
図、第2図は従来の磁気バブル素子、特に磁気バブル転
送回路の一例を示す要部平面図、第3図a,bは本発明
による磁気バブル素子、特に磁気バブル転送回路の一実
施例を示す要部平面図、第4図a,bは本発明による磁
気バブル素子、特に磁気バブル転送回路の他の実施例を
示す要部平面図である。
1,1a・・・・・・シェブロンバタン、2・・・・・
・シェブロン転送回路、3・・・・・・回転磁界、4・
・・・・・磁気バブル、5・・・・・・バイアス磁界、
6,6a,6b・・・・・・シェブロンバタン、7・・
・・・・転送回路、8,8a,8b・・・・・・シェブ
ロンバタン、9・・・・・・転送回路。FIG. 1 is a plan view of an essential part showing an example of a conventional chevron pattern, FIG. 2 is a plan view of an essential part showing an example of a conventional magnetic bubble element, particularly a magnetic bubble transfer circuit, and FIGS. 3 a and b are in accordance with the present invention. FIGS. 4a and 4b are plan views of essential parts showing another embodiment of the magnetic bubble element, particularly a magnetic bubble transfer circuit, according to the present invention. It is a diagram. 1, 1a... Chevron slam, 2...
・Chevron transfer circuit, 3...Rotating magnetic field, 4.
...Magnetic bubble, 5...Bias magnetic field,
6, 6a, 6b...Chevron bang, 7...
...Transfer circuit, 8, 8a, 8b...Chevron baton, 9...Transfer circuit.
Claims (1)
タンを同層内でn段重ねたn段シェブロン磁気バブル転
送回路において、転送方向に隣接するシェブロンバタン
相互の間隔位置が上下で異なり、間隔位置でバタンが相
互にかみ合うことを特徴とした磁気バブル素子。 2 前記シェブロンパタンは、個々の形状が左右非対称
のパタンを交互にn段重ね合わせたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の磁気バブル素子。 3 前記シェブロンパタンは個々の形状が左右対称でか
つ腕の長さが異なるパタンを交互にn段重ね合わせたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気バブル
素子。[Claims] 1. In an n-stage chevron magnetic bubble transfer circuit in which n stages of chevron patterns are stacked in the same layer in a direction perpendicular to the transfer direction of magnetic bubbles, the spacing between adjacent chevron patterns in the transfer direction is vertical. A magnetic bubble element that differs in its characteristics in that the bangs interlock with each other at spaced positions. 2. The magnetic bubble element according to claim 1, wherein the chevron pattern is formed by alternately overlapping n stages of patterns each having a laterally asymmetrical shape. 3. The magnetic bubble element according to claim 1, wherein the chevron pattern is formed by alternately overlapping n stages of patterns each having a bilaterally symmetrical shape and having different arm lengths.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52050730A JPS5812665B2 (en) | 1977-05-04 | 1977-05-04 | magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52050730A JPS5812665B2 (en) | 1977-05-04 | 1977-05-04 | magnetic bubble element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53136446A JPS53136446A (en) | 1978-11-29 |
JPS5812665B2 true JPS5812665B2 (en) | 1983-03-09 |
Family
ID=12866960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52050730A Expired JPS5812665B2 (en) | 1977-05-04 | 1977-05-04 | magnetic bubble element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5812665B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0827007B2 (en) * | 1988-04-05 | 1996-03-21 | ミサト株式会社 | Manufacturing method of heat accumulator for heating |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5166737A (en) * | 1974-12-05 | 1976-06-09 | Fujitsu Ltd | |
JPS5189358A (en) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 |
-
1977
- 1977-05-04 JP JP52050730A patent/JPS5812665B2/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5166737A (en) * | 1974-12-05 | 1976-06-09 | Fujitsu Ltd | |
JPS5189358A (en) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0827007B2 (en) * | 1988-04-05 | 1996-03-21 | ミサト株式会社 | Manufacturing method of heat accumulator for heating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS53136446A (en) | 1978-11-29 |
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