JPS6052712U - パルス動作マイクロ波半導体発振器 - Google Patents

パルス動作マイクロ波半導体発振器

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JPS6052712U
JPS6052712U JP14526283U JP14526283U JPS6052712U JP S6052712 U JPS6052712 U JP S6052712U JP 14526283 U JP14526283 U JP 14526283U JP 14526283 U JP14526283 U JP 14526283U JP S6052712 U JPS6052712 U JP S6052712U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave semiconductor
semiconductor oscillator
voltage
pulse
diode
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Pending
Application number
JP14526283U
Other languages
English (en)
Inventor
明夫 飯田
中沢　俊夫
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はパルス動作発振器のパルス内における周波数の
変動を説明する図、第２図は従来のパルス動作マイクロ
波半導体発振器の一例を示す図、第３図は電子同調発振
器の電子同調特性を示す図、第４図は周波数同調電源の
出力電圧を示す図、第５図はこの考案によるパルス動作
マイクロ波半導体発振器の一例を示す図、第６図はこの
考案の動作を説明する図、第７図、第８図はこの考案に
よる他の実施例を示す図である。 図中４はバイアス端子、５は周波数同調電圧端子、８は
インダクタ、９は抵抗である。なお図中、同一あるいは
相当部分には同一符号を付して示しである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. インバットダイオード、ガンダイオード、電界効果トラ
    ンジスタ等の能動半導体素子を用いたパルス動作マイク
    ロ波半導体発振器において、バラクタダイ１−ドなどの
    電圧制御可変容量素子を能動半導体素子に隣接させて付
    加し上記能動半導体素子に加えるパルス入力端子を所定
    の値のインダクタと１個あるいは複数個の抵抗とにより
    接地し上記抵抗の両端の電圧を電圧制御可変容量素子に
    加えることを特徴とするパルス動作マイクロ波半導体発
    振器。
JP14526283U 1983-09-20 1983-09-20 パルス動作マイクロ波半導体発振器 Pending JPS6052712U (ja)

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Family

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4834655A (ja) * 1971-09-08 1973-05-21
JPS5783905A (en) * 1980-11-13 1982-05-26 Nec Corp Pulse impatt diode oscillator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4834655A (ja) * 1971-09-08 1973-05-21
JPS5783905A (en) * 1980-11-13 1982-05-26 Nec Corp Pulse impatt diode oscillator

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