JPS6052063A - 光半導体装置用ステム - Google Patents

光半導体装置用ステム

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JPS6052063A
JPS6052063A JP58161293A JP16129383A JPS6052063A JP S6052063 A JPS6052063 A JP S6052063A JP 58161293 A JP58161293 A JP 58161293A JP 16129383 A JP16129383 A JP 16129383A JP S6052063 A JPS6052063 A JP S6052063A
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JP
Japan
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light
stem
receiving element
mounting surface
stem substrate
Prior art date
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Application number
JP58161293A
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English (en)
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JPH0334674B2 (ja
Inventor
Masatoshi Watanabe
渡辺 正利
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS6052063A publication Critical patent/JPS6052063A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は光半導体装置用ステムに関し、より詳しくは
光通信用の受光器用ステムに関する。
背景技術 光通信においては、光ファイバよりなる光伝送路の一端
に発光器を配置し、他端に受光器全配置している。
従来一般の受光器は、例えば第1図に示す構造を有する
。図において、]けステムで、ステム基板2の透孔3,
3にガラス4,4を介してリード線5,5を気密かつ絶
縁して封着したものである。
このステムlのステム基板2の上面中央部には、受光素
子6が固着され、受光素子6の電極が接続細線7,7に
よって、前記リード線5,5に接続されている。8tf
iキヤツプで、キャップ本体9の透孔10に窓ガラス1
1が気密に固着されている。
上記の構成において、図示しない光ファイバから投射さ
れた入力光12は、窓ガラス11を通って受光素子6に
照射される。ところが、図示するように、窓ガラス]0
と受光素子6の面が、入力光12の糸路に対して垂直の
関係になっていると、受光素子6の表面で反射された一
部の反射光]3が、窓ガラス11の下面で反射されて再
び受光素子6に入射したり、窓ガラス11を通って光フ
アイバ内に帰M¥るため、ノイズを生じていた。
そこで、このような反射光によるノイズ全防止するため
に、第2図のよう表受光器も考えられている。図におい
て、次の点を除いては第2図と同様であり、同一部分に
は同一参照符号を付している。第1図と相違する点け、
リードm5の一つに、窓ガラス11の板面に対して傾斜
している受光素子支持板14を固着し、この支持板14
上に受光素子6を固着していることである。
このような構造にすると、光ファイバから投射された入
力光12d、窓ガラス11を通って受光素子に照身寸さ
れるが、受光素子6の表面で反射した一部の反射光13
は、前記入力光13とは違った方向に再反射f:たは透
過するので、前述した不要反射光によるノイズの問題は
解消される。しかしながら、リード線5の一つに受光素
子支持板14を固着しなければならず煩雑である、支持
板14上に受光素子6を固着する際に、支持板14が動
かないように固定しなければならない、支持板]4の変
形によって、受光素子6の取付角度が変化する、ステム
1にもう1本のリード線5′を必要とする等の問題点が
あった。
このため、第3図のようなステム2oが考えられる。こ
のステム20け、ステム基板21に透孔22.22を形
成するとともに、その上面がステム基&2Xの残余面に
対して傾斜している受光素子取付面23を影線1し、前
記透孔22,22にガラス24.24を介して、リード
線25.25を気密かつ絶縁して封着したものである。
このような構造であれば、前記第2図に示したような、
リードm5の一つに受光素子支持板14を固着したもの
の問題点が一掃される。
ところが、前記受光素子取付面23は、ステム基板21
のプレス成型時に同時に形成されるが、受光素子取付面
23の高さHが大きいため、相当大きなプレス圧力が必
要であり、かつその平面度も低くなりやすいという問題
点がある。
発明のrfF’J示 〔目自勺〕 そこで、この発明は、より小さいプレス圧力でステム基
板の製作が可能で、しかも受光素子取付面の平面度が高
い、光半導体装置用ステムを提供することを目的とする
〔構成〕
この発明は要約すると、傾斜した受光素子取付面の一部
を、ステム基板の上面よりも凹入させたことを特徴とす
るものである。
〔効果〕
この発明は上記のように、受光素子取付面の一部を、ス
テム基板の上面よりも凹入させたので、凹入部分の肉を
もって受光素子取付面のステム基板上面からの凸部を容
易に形成可能で、プレス圧力を従来よりも小さくするこ
とができ、受光素子取付面の平面度を高くすることがで
きる。
発明を実施するための最良の形態 以下に、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
 5− 第4図はこの発明の光半導体装置用ステム3゜の斜視図
を示す。図において、次の点をj余いては、第3図と同
様であるため、第3図と同一部分には同一お照符号を付
している。第3図との相違点は、受光素子取付面26の
一部を四部27内に形成しステム基板21の−に面より
も門人せしめているこ・ とである。
上記の構成によると、四部27の肉の移動で、受光素子
取付面26のステム基板21上面からの凸部28が形成
されるので、凸部28の高さhは小さくなり、ステム基
板21のプレス圧力を小さくでき、しかも受光素子取付
面26の平面度を高くすることができる。
なお、この発明は、四部27の容積と凸部280体積と
を同一にすることが望ましいが、正確に同一にする必要
はない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の受光器の断面図である。 第2図は第1図の受光器の欠点を解決する受光 6− 器の断面図である。 第3図はこの発明の背景となる光半導体装置用ステムの
斜視図である。 第4図はこの発明の一実施例の光半導体装置用ステムの
斜視図である。 21・・・・・・ステム基板、 22・・・・・・透孔、 24・・・・・・ガラス、 25・・・・・・リード線、 26・・・・・・受光素子取付面、 27・・・・・・凹部、 28・・・・・・凸部。 特許出願人 関西日本電気株式会社  7− 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 ステム基板の透孔にガラスを介してリード線全気
    密かつ絶縁して封着するとともに、ステム基板上にステ
    ム基板上面に対して傾斜した受光素子取付面を形成して
    なる光半導体装置用ステムにおいて、 前記受光素子取付面の一部がステム基板の上面よりも四
    人していることを特徴とする光半導体装置用ステム。 2 前記四部の容積が凸部の体積と略同−である、特許
    請求の範囲第1項記載の光半導体装置用ステム0
JP58161293A 1983-08-31 1983-08-31 光半導体装置用ステム Granted JPS6052063A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58161293A JPS6052063A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 光半導体装置用ステム

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JP58161293A JPS6052063A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 光半導体装置用ステム

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Publication Number Publication Date
JPS6052063A true JPS6052063A (ja) 1985-03-23
JPH0334674B2 JPH0334674B2 (ja) 1991-05-23

Family

ID=15732351

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JP58161293A Granted JPS6052063A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 光半導体装置用ステム

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JP (1) JPS6052063A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61172355U (ja) * 1985-04-12 1986-10-25
JPS6287459U (ja) * 1985-11-19 1987-06-04
US8743564B2 (en) 2011-04-22 2014-06-03 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Optical device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61172355U (ja) * 1985-04-12 1986-10-25
JPS6287459U (ja) * 1985-11-19 1987-06-04
US8743564B2 (en) 2011-04-22 2014-06-03 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Optical device

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JPH0334674B2 (ja) 1991-05-23

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