JPS6050936A - 化合物半導体結晶の組成分布評価法 - Google Patents
化合物半導体結晶の組成分布評価法Info
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- JPS6050936A JPS6050936A JP58159867A JP15986783A JPS6050936A JP S6050936 A JPS6050936 A JP S6050936A JP 58159867 A JP58159867 A JP 58159867A JP 15986783 A JP15986783 A JP 15986783A JP S6050936 A JPS6050936 A JP S6050936A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は化合物半導体結晶の組成分布評価法に係り、特
に化合物半導体結晶からなる基板全面の組成分布状態を
、赤外線の透過波長によって正確、かつ短時間に評価し
得る方法に関するものである。
に化合物半導体結晶からなる基板全面の組成分布状態を
、赤外線の透過波長によって正確、かつ短時間に評価し
得る方法に関するものである。
（ｂｌ 技術の背景
化合物半導体結晶、特に赤外線検知素子の製造に用いら
れる例えば水銀−カドミウムーテルル（１１ｇ１−ウＣ
ｄｘＴｅ）からなる結晶基板としては、Ｘ値を変化させ
ることにより任意の最大応答波長特性を有する赤外線検
知素子を製作することができる。
れる例えば水銀−カドミウムーテルル（１１ｇ１−ウＣ
ｄｘＴｅ）からなる結晶基板としては、Ｘ値を変化させ
ることにより任意の最大応答波長特性を有する赤外線検
知素子を製作することができる。
しかしこの場合、問題になるのは前記結晶基板内での各
組成の均−性及び不純物分布の均一性などである。従っ
てこれらの問題は結晶成長技術の改善等によって解消を
図っているが、このようなことに関連して前記結晶基板
の結晶組成分布を正確に観測評価することが重要となる
。
組成の均−性及び不純物分布の均一性などである。従っ
てこれらの問題は結晶成長技術の改善等によって解消を
図っているが、このようなことに関連して前記結晶基板
の結晶組成分布を正確に観測評価することが重要となる
。
（ｃ＋ 従来技術と問題点
従来、赤外線検知素子の製造に用いられる例えば水銀−
カドミウム−テルル（Ｈｇｌ−ｘＣｄｘＴｅ）からなる
結晶基板等の組成分布評価法としては、第１図に示すよ
うに、結晶の組成分布状態を評価すべきＩＩｇ＋−ｘＣ
ｄｘＴｅからなる結晶基板１の前面に、スリ７ト３が穿
設され、かつ基板前面に沿ってＸ、 Ｙ方向に移動可能
なスリット板２を配置し、所定波長範囲の赤外光を赤外
用分光器４より前記スリット３を通して、結晶基板ｌ上
にスポット状にその波長を順次変化させそ照射する。そ
して該結晶基板１を透過した波長の赤外光は、ホトカプ
ラ等からなる赤外線検出器５にて受光され、かつ光電変
換され、その電気信号は例えば測定記録装置６に送られ
て第２図に示すように記録される。この第２図に示す記
録曲線Ａより前記結晶基板１を透過し始めた波長、即ち
その波長のピークを過ぎて、該ピークでの感度が半分と
なる感度のカットオフ波長Ｂを測定する。しかる後、各
カットオフ波長と結晶組成との関係表により前記カット
オフ波長Ｂと対応する結晶組成を前記結晶基板ｌの赤外
光透過部分の結晶組成とする。以下前記結晶基板１の全
面にスリ７）板２のスリット３を所定間隔をもって移動
操作して上記と同様のプロセスによって各部分の結晶組
成を検出し、該結晶基板１全面の結晶組成分布図を作成
してその評価を行う方法がとられている。
カドミウム−テルル（Ｈｇｌ−ｘＣｄｘＴｅ）からなる
結晶基板等の組成分布評価法としては、第１図に示すよ
うに、結晶の組成分布状態を評価すべきＩＩｇ＋−ｘＣ
ｄｘＴｅからなる結晶基板１の前面に、スリ７ト３が穿
設され、かつ基板前面に沿ってＸ、 Ｙ方向に移動可能
なスリット板２を配置し、所定波長範囲の赤外光を赤外
用分光器４より前記スリット３を通して、結晶基板ｌ上
にスポット状にその波長を順次変化させそ照射する。そ
して該結晶基板１を透過した波長の赤外光は、ホトカプ
ラ等からなる赤外線検出器５にて受光され、かつ光電変
換され、その電気信号は例えば測定記録装置６に送られ
て第２図に示すように記録される。この第２図に示す記
録曲線Ａより前記結晶基板１を透過し始めた波長、即ち
その波長のピークを過ぎて、該ピークでの感度が半分と
なる感度のカットオフ波長Ｂを測定する。しかる後、各
カットオフ波長と結晶組成との関係表により前記カット
オフ波長Ｂと対応する結晶組成を前記結晶基板ｌの赤外
光透過部分の結晶組成とする。以下前記結晶基板１の全
面にスリ７）板２のスリット３を所定間隔をもって移動
操作して上記と同様のプロセスによって各部分の結晶組
成を検出し、該結晶基板１全面の結晶組成分布図を作成
してその評価を行う方法がとられている。
しかしこの方法においては、所定波長範囲の赤外ビーム
・スポットを照射操作し、その時の透過波長によって結
晶基板１全面の結晶組成分布状態図を作成し、評価して
いるため、その評価過程に長時間が費やされると共に、
前記組成分布状態図が大まかになり、結晶基板１全面の
結晶組成分布の評価に正確性が欠ける欠点があった。
・スポットを照射操作し、その時の透過波長によって結
晶基板１全面の結晶組成分布状態図を作成し、評価して
いるため、その評価過程に長時間が費やされると共に、
前記組成分布状態図が大まかになり、結晶基板１全面の
結晶組成分布の評価に正確性が欠ける欠点があった。
（ｄｌ 発明の目的
本発明は上記従来の実情に鑑み、評価すべき化合物半導
体結晶基板の全面に、所定波長範囲の赤外ビームを、そ
の波長を順次変化させて照射し、透過した波長の赤外光
を赤外線画像装置によ７て二次元的にサーモグラフィ・
ンク化して前記結晶基板全面の結晶組成分布を短時間で
、かつ正確に評価し得る新規な化合物半導体結晶の組成
分布評価法を提供することを目的とするものである。
体結晶基板の全面に、所定波長範囲の赤外ビームを、そ
の波長を順次変化させて照射し、透過した波長の赤外光
を赤外線画像装置によ７て二次元的にサーモグラフィ・
ンク化して前記結晶基板全面の結晶組成分布を短時間で
、かつ正確に評価し得る新規な化合物半導体結晶の組成
分布評価法を提供することを目的とするものである。
ｔｅ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、所定波長範囲の赤外
線を化合物半導体結晶基板に可変照射して、該結晶基板
を透過する赤外線の波長によってその結晶組成分布を評
価する方法において、上記結晶基板を透過した波長の赤
外線を赤外ＩＩ画像手段によりパターン表示し、該赤外
線波長パターンにより該結晶基板の組成分布を評価する
ようにしたことを特徴とする化合物半導体結晶の組成分
布評価法を提供することによって達成される。
線を化合物半導体結晶基板に可変照射して、該結晶基板
を透過する赤外線の波長によってその結晶組成分布を評
価する方法において、上記結晶基板を透過した波長の赤
外線を赤外ＩＩ画像手段によりパターン表示し、該赤外
線波長パターンにより該結晶基板の組成分布を評価する
ようにしたことを特徴とする化合物半導体結晶の組成分
布評価法を提供することによって達成される。
（ｆｌ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第３図は本発明に係る化合物半導体結晶の組成分布評価
法に通用する装置構成の一実施例を概念的に示す説明図
である。
法に通用する装置構成の一実施例を概念的に示す説明図
である。
本発明においては、図示のようにまず所定波長範囲の赤
外光を赤外用分光器３２より結晶組成分布３を評価すべ
きＨｆｈ−８ＣｄｘＴｅからなる化合物半導体結晶基板
３１上の全面に、光波長切換制御装置３３によって光波
長を順次変化させて照射する。そして該結晶基板３１を
透過した各波長の赤外光は集光レンズ３４によって集束
され、更に赤外線画像装置３５において透過波長別に色
透過パターン化処理を行う。そしてこれら各透過波長別
の色透過）くターンを、例えばモニターＴＶ３６の画面
に重ねて図示のように表示することにより、前記結晶基
板３１全面に対する各透過波長分布が明確となり、此の
表示ノマクーン３７を結晶組成分布に画像処理すれば、
前記結晶基板３１全面の結晶組成分布を短時間に、し力
・も正確に得ることが可能となる。その結果二次元的に
上記結晶組成分布状態を正確、且つ容易に評価すること
が可能となる。
外光を赤外用分光器３２より結晶組成分布３を評価すべ
きＨｆｈ−８ＣｄｘＴｅからなる化合物半導体結晶基板
３１上の全面に、光波長切換制御装置３３によって光波
長を順次変化させて照射する。そして該結晶基板３１を
透過した各波長の赤外光は集光レンズ３４によって集束
され、更に赤外線画像装置３５において透過波長別に色
透過パターン化処理を行う。そしてこれら各透過波長別
の色透過）くターンを、例えばモニターＴＶ３６の画面
に重ねて図示のように表示することにより、前記結晶基
板３１全面に対する各透過波長分布が明確となり、此の
表示ノマクーン３７を結晶組成分布に画像処理すれば、
前記結晶基板３１全面の結晶組成分布を短時間に、し力
・も正確に得ることが可能となる。その結果二次元的に
上記結晶組成分布状態を正確、且つ容易に評価すること
が可能となる。
尚、以上の実施例では、水銀−カドミウム−テルル（Ｈ
ｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅ）からなる化合物半導体結晶基板
を用いた場合の例について説明したが、本発明はこの例
に限定されるものではなく、例えば鉛−錫−テルル（ｐ
ｂ、−ｘｓｅｘＴｅ） ｌ鉛−硫黄−セレン（Ｐｂ Ｓ
、ｘＳｅｘ）等からなる化合物半導体結晶基板の結晶組
成分布状態の評価にも適用可能なこと番よ言うまでもな
い。
ｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅ）からなる化合物半導体結晶基板
を用いた場合の例について説明したが、本発明はこの例
に限定されるものではなく、例えば鉛−錫−テルル（ｐ
ｂ、−ｘｓｅｘＴｅ） ｌ鉛−硫黄−セレン（Ｐｂ Ｓ
、ｘＳｅｘ）等からなる化合物半導体結晶基板の結晶組
成分布状態の評価にも適用可能なこと番よ言うまでもな
い。
（ｇｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る化合物半
導体結晶全体の組成分布評価法Ｇこよれｂｉ、各種化合
物半導体結晶の組成分布状態を短時間で、かつ正確に評
価することが可能となる優れた第１１点を有し、各種化
合物半導体結晶の成長工程へ、形成された各種化合物半
導体結晶の組成分布状態を短時間にフィードバンクする
ことができる。又所望とする最大応答波長特性を有する
化合物半導体結晶基板を短時間で選別し次の素子製造工
程に提供することができる等、実用上優れた効果を有す
る。
導体結晶全体の組成分布評価法Ｇこよれｂｉ、各種化合
物半導体結晶の組成分布状態を短時間で、かつ正確に評
価することが可能となる優れた第１１点を有し、各種化
合物半導体結晶の成長工程へ、形成された各種化合物半
導体結晶の組成分布状態を短時間にフィードバンクする
ことができる。又所望とする最大応答波長特性を有する
化合物半導体結晶基板を短時間で選別し次の素子製造工
程に提供することができる等、実用上優れた効果を有す
る。
第１図は従来の化合物半導体結晶の組成分布評価法を説
明する概念図、第２図は結晶基板を透過するカットオフ
波長を説明する図、第３図は本発明に係る化合物半導体
結晶の組成分布評価法に適用する装置構成の一実施例を
概念的に示す説明図である。
明する概念図、第２図は結晶基板を透過するカットオフ
波長を説明する図、第３図は本発明に係る化合物半導体
結晶の組成分布評価法に適用する装置構成の一実施例を
概念的に示す説明図である。
Claims (1)
- 所定波長範囲の赤外線を化合物半導体結晶基板に可変照
射して、該結晶基板を透過する赤外線の波長によってそ
の結晶組成分布を評価する方法において、上記結晶基板
を透過した波長の赤外線を赤外線画像手段によりパター
ン表示し、該赤外線波長パターンにより該結晶基板の組
成分布を評価するようにしたことを特徴とする化合物半
導体結晶の組成分布評価法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159867A JPS6050936A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 化合物半導体結晶の組成分布評価法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159867A JPS6050936A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 化合物半導体結晶の組成分布評価法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050936A true JPS6050936A (ja) | 1985-03-22 |
| JPS6337501B2 JPS6337501B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=15702944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58159867A Granted JPS6050936A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 化合物半導体結晶の組成分布評価法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050936A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03187426A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 便器水洗装置 |
| JPH03187425A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 便器水洗装置 |
| WO2001020662A1 (fr) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Nikko Materials Co., Ltd. | Dispositif de mappage de rapport de composition d'un element specifique contenu dans une tranche de semi-conducteur |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114701U (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-26 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5193665A (ja) * | 1975-02-14 | 1976-08-17 | ||
| JPS57206045A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Fujitsu Ltd | Method for checking silicon wafer |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58159867A patent/JPS6050936A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5193665A (ja) * | 1975-02-14 | 1976-08-17 | ||
| JPS57206045A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Fujitsu Ltd | Method for checking silicon wafer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03187426A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 便器水洗装置 |
| JPH03187425A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 便器水洗装置 |
| WO2001020662A1 (fr) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Nikko Materials Co., Ltd. | Dispositif de mappage de rapport de composition d'un element specifique contenu dans une tranche de semi-conducteur |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337501B2 (ja) | 1988-07-26 |
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