JPS605064B2 - Thyristor control device - Google Patents

Thyristor control device

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JPS605064B2
JPS605064B2 JP9070476A JP9070476A JPS605064B2 JP S605064 B2 JPS605064 B2 JP S605064B2 JP 9070476 A JP9070476 A JP 9070476A JP 9070476 A JP9070476 A JP 9070476A JP S605064 B2 JPS605064 B2 JP S605064B2
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thyristor
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main
signal
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潤一 西沢
憲太郎 中村
久雄 岡
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、主信号の径路から主信号に重畳された制御
信号を分離して静電誘導形サィリスタの制御電極に印加
する径路を有するサィリスタの制御装置に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a thyristor control device having a path for separating a control signal superimposed on a main signal from a main signal path and applying the separated control signal to a control electrode of an electrostatic induction thyristor. .

従釆のサィリスタの制御は、主電極以外の制御電極に制
御信号を印加するか、あるいは順阻止電圧以上の大きな
電圧を主電極に一時的に印加することにより行われてい
る。
The slave thyristor is controlled by applying a control signal to a control electrode other than the main electrode, or by temporarily applying a voltage higher than the forward blocking voltage to the main electrode.

前者の場合には3つの端子および制御信号として主電流
とは別の信号を必要とし制御方法が複雑になる欠点があ
り、特に遠方にあるサィリス夕を制御する場合に困難を
伴う。また後者の場合には主電流に影響を与えるという
大きな欠点を有している。この発明は上記欠点を除去し
たもので、静電誘導形サィリスタの主信号からこの主信
号に重畳された制御信号を分離し、この分離された制御
信号を静電誘導形サィリスタの制御電極に印加する手段
を設け、この手段によってサィリスタの制御を行うよう
にしたものである。
In the former case, three terminals and a signal other than the main current are required as a control signal, making the control method complicated, which is particularly difficult when controlling a syringe located far away. Moreover, the latter case has a major drawback in that it affects the main current. This invention eliminates the above-mentioned drawbacks by separating the control signal superimposed on the main signal from the main signal of the electrostatic induction thyristor, and applying this separated control signal to the control electrode of the electrostatic induction thyristor. A means for controlling the thyristor is provided, and the thyristor is controlled by this means.

以下この発明について説明する。第1図はこの発明の一
実施例の概略を示す回路図で、サィリスターおよび制御
電極5と陽極3の間に挿入されたコンデンサ2で構成さ
れている。
This invention will be explained below. FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing an embodiment of the present invention, which is composed of a thyristor and a capacitor 2 inserted between a control electrode 5 and an anode 3.

直流または交流の主電流より高い周波数の交流またはパ
ルスの制御信号の重畳された電圧が、陽極3および陰極
4の間に印加されると制御信号はコンデンサ2を通って
制御電極5に印加され、サィリスターの制御が行われる
。ここで主電流の径路にコイルを挿入してもよく、その
場合には主電流と制御信号が、さらによく分離される特
徴がある。この発明の制御装置を従来のpnpnの4層
構造を有するサィリス外こ用いた場合について説明する
と、主電流に制御信号を重畳することは、例えそれが高
い周波数の交流またはパルスであっても、主電極に高い
電圧を印加することになり、それによりサィリスタはス
イッチする可能性がある。
When a voltage with a superimposed alternating current or pulse control signal having a higher frequency than the direct current or alternating main current is applied between the anode 3 and the cathode 4, the control signal is applied to the control electrode 5 through the capacitor 2, Thyristor control is performed. Here, a coil may be inserted into the path of the main current, and in that case, the main current and the control signal are further separated. To explain the case where the control device of the present invention is used outside of a conventional PNPN four-layered Siris, superimposing a control signal on the main current, even if it is a high frequency alternating current or pulse, A high voltage will be applied to the main electrode, which may cause the thyristor to switch.

サィリスタがスイッチしない制御信号の大きさにすると
きは、制御電極は陰極から見た電位は高くなっているが
、従来のpnpn構造のサイリスタはキヤリヤ注入がな
ければスイッチオンをしない。すなわち、この方法は従
来のpnpnの構造を有するサィリスタに対してはあま
り利点をもたらさない。上記理由からこの発明は静電誘
導形サィリスタ(以下SITと称す)に用いた場合に特
に利点がある。以下これについて説明する。まず、静電
誘導形サィリスタの構造と動作原理につき簡単に説明す
る。
When the magnitude of the control signal is such that the thyristor does not switch, the potential of the control electrode as viewed from the cathode is high, but the conventional pnpn structure thyristor does not switch on without carrier injection. That is, this method does not offer much advantage over thyristors having a conventional pnpn structure. For the above reasons, the present invention is particularly advantageous when used in a static induction thyristor (hereinafter referred to as SIT). This will be explained below. First, the structure and operating principle of the electrostatic induction thyristor will be briefly explained.

第2図は静電誘導形サィリスタの一例を示す断面図であ
る。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of an electrostatic induction thyristor.

陽極3はn形基板6にp形不純物を導入して形成されそ
の反対主面に櫛形または網目状に分布したp+形の制御
電極5があり、さらにその上に気相成長等の方法で形成
したn層61が存在し、その表面に接するところに選択
的に、または全面にn+層を設けて陰極4が形成されて
いる。SITの動作特性は第3図のように、通常のサィ
リスタと類似の陽極電流1^−陽極・陰極間電圧V^K
特性を示す。
The anode 3 is formed by introducing p-type impurities into an n-type substrate 6, and has a p+-type control electrode 5 distributed in a comb shape or a mesh shape on the opposite main surface, and is further formed by a method such as vapor phase growth on the anode 3. An n layer 61 is present, and the cathode 4 is formed by providing an n+ layer selectively or entirely in contact with the surface thereof. As shown in Figure 3, the operating characteristics of SIT are as follows: anode current 1^ - anode-cathode voltage V^K, which is similar to that of a normal thyristor.
Show characteristics.

しかしSITは陽極・陰極間電圧V小が順方向にかけら
れているときは通常は導適状態■であり、陰極・制御電
極間に負の電圧VGが印加されることによって電流阻止
状態■となる。この電流阻止状態■を維持させるために
は負の電圧VGおよび制御電流IGを流しておかなけれ
ばならない。陽極電流1^と制御電流lcがお互いに同
時に流す必要がない場合にこの発明の特徴が最もよく発
揮される。陽極電流1^を阻止状態に保つとき負の電圧
VGを印加して制御電流IGを流さなければならないの
は、順バイアスが陽極3と陰極4の間に印加されている
ため陽極3から正孔が、陰極4から電子が注入されてい
るので、それを制御電極5の静電ポテンシャルによりそ
の周囲に空乏層領域51を形成することによって阻止す
るためであり、陽極から注入された正孔を制御電極5を
吸収して静電ポテンシャルの低下を防止することによっ
て、陽極・陰極間を阻止状態に保つのである。この制御
電極5に流れる制御電流IGが流れなくなると、空乏層
領域51に大量の電子と正孔が集積される結果、その電
流阻止能力を失ってしまうものと考えられる。従って、
SITをオンさせるのは制御電流IGを断ってしまえば
よい。またオン状態からオフ状態へ移行させるには、制
御電極5の間に存在する電子、正孔を制御電流lcとし
て外に引き出してその密度を低下させて空乏層領域51
を復活させなければならない。次にこの発明の動作につ
いて述べる。
However, SIT is normally in a conductive state (■) when a small voltage V between the anode and cathode is applied in the forward direction, and becomes a current blocking state (■) when a negative voltage VG is applied between the cathode and the control electrode. . In order to maintain this current blocking state (2), a negative voltage VG and a control current IG must be allowed to flow. The features of the present invention are best exhibited when the anode current 1^ and the control current lc do not need to flow at the same time. The reason why it is necessary to apply a negative voltage VG and flow the control current IG when keeping the anode current 1^ in a blocked state is because a forward bias is applied between the anode 3 and the cathode 4, so holes are removed from the anode 3. However, since electrons are injected from the cathode 4, the purpose is to prevent this by forming a depletion layer region 51 around it by the electrostatic potential of the control electrode 5, and to control the holes injected from the anode. By absorbing the electrode 5 and preventing a drop in electrostatic potential, the anode and cathode are maintained in a blocking state. When the control current IG that flows through the control electrode 5 ceases to flow, a large amount of electrons and holes are accumulated in the depletion layer region 51, and as a result, it is considered that the current blocking ability is lost. Therefore,
SIT can be turned on by cutting off the control current IG. In addition, in order to shift from the on state to the off state, electrons and holes existing between the control electrodes 5 are drawn out as a control current lc to reduce their density, and the depletion layer region 51
must be revived. Next, the operation of this invention will be described.

第1図において主電流径路は始め導適状態とする。主電
流に車畳した負の制御信号が主電流のある時間入ってく
ると主電流径路中のインダクタンス分によって主電流径
路には大きな抵抗となり制御電極回路に進む。この際主
電流径路中にコイルを挿入すれば一層効果的である。こ
の負の制御信号により制御電極周辺の空乏層を拡大し陽
極電流を阻止する。この制御信号がなくなると再び主電
流径路はオン状態となる。この制御方式の利点は、主電
流径路内での何らかの原因によるサージ電流とか異常が
発生したとき、その電流の急激な変化には常に、高周波
成分を含んでいる結果、それによってSITを阻止状態
に保つ作用をしその結果、SITを過電流から保護する
役目をするという点にある。
In FIG. 1, the main current path is initially in a conductive state. When a negative control signal multiplied by the main current enters the main current for a certain period of time, it becomes a large resistance in the main current path due to the inductance in the main current path and proceeds to the control electrode circuit. In this case, it is more effective if a coil is inserted into the main current path. This negative control signal expands the depletion layer around the control electrode and blocks anode current. When this control signal disappears, the main current path is turned on again. The advantage of this control method is that when a surge current or abnormality occurs due to some cause in the main current path, the sudden change in current always contains a high frequency component, which blocks the SIT. As a result, it serves to protect the SIT from overcurrent.

また遠方にあるサイリスタを制御する場合に配線等が非
常に容易になる利点をも有する。第4図、第5図、第6
図はこの発明の他の実施例を示すもので、第4図はコン
デンサ2を主電流径路に直列に挿入したもので、主電流
径路が制御信号径路より極めて高い周波数の場合に採用
される例であり、第5図、第6図はコイル7が制御回路
または主電流径路中に直列に挿入された場合であり、特
定の狭帯城の周波数での共振を利用することによって制
御信号と上記サージ等による誤信号との識別をするもの
である。
It also has the advantage that wiring etc. are extremely easy when controlling a thyristor located far away. Figure 4, Figure 5, Figure 6
The figure shows another embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows a capacitor 2 inserted in series in the main current path, which is an example adopted when the main current path has a much higher frequency than the control signal path. 5 and 6 show the case where the coil 7 is inserted in series in the control circuit or the main current path, and by utilizing resonance at a specific narrow band frequency, the control signal and the above This is used to distinguish between false signals caused by surges, etc.

第7図は制御電極への信号電流の流れによって主電流が
どのように変化するかを示したもので、aは陽極電流、
bは制御電極電圧、cは制御電流である。
Figure 7 shows how the main current changes depending on the flow of signal current to the control electrode, where a is the anode current,
b is the control electrode voltage, and c is the control current.

主電流は制御電極が負にバイアスされたとき阻止され、
零バイアスまたは正にバイアスされたとき導適状態とな
るから、第7図bに示す電圧パルスによって第7図aに
示すように主電流は断続される。このとき制御電極にも
電流が流れるが、その変化は第7図cのようになり、こ
の電流は通常のサイリスタまたはゲート・ターンオフサ
ィリス外こ比較して十分小さくできる利点を有している
。第8図はこの発明のさらに他の実施例を示すものであ
り、制御電極5に付加的にコンデンサ2(またはコイル
)を導入して主電流と異なる周波数の信号または瞬間的
なサージ電流が流れるとき、制御電極5に流れて主電流
を瞬時に断ち、サィリスタ1の保護を行うことができる
ものである。
The main current is blocked when the control electrode is negatively biased,
Since it is in a conductive state when it is zero biased or positively biased, the main current is interrupted as shown in FIG. 7a by the voltage pulse shown in FIG. 7b. At this time, a current also flows through the control electrode, and its change is as shown in FIG. FIG. 8 shows still another embodiment of the present invention, in which a capacitor 2 (or coil) is additionally introduced to the control electrode 5, and a signal with a frequency different from the main current or an instantaneous surge current flows. When the main current flows through the control electrode 5, the main current can be instantaneously cut off, and the thyristor 1 can be protected.

その実施例において図示したような非線形素子8をコン
デンサ2と直列に接続し、ある大きさ以上の信号のみで
動作するようにしたものである。この第8図の実施例は
主サィリスタを制御する制御信号源からサィリスタ1の
制御電極5への主制御信号入力回路9および主電流径路
から分離された副制御信号の入力回路5′を併有する実
施例である。
In this embodiment, a nonlinear element 8 as shown in the figure is connected in series with a capacitor 2, so that it operates only with signals of a certain magnitude or more. The embodiment of FIG. 8 has a main control signal input circuit 9 from a control signal source for controlling the main thyristor to the control electrode 5 of the thyristor 1, and a sub-control signal input circuit 5' separated from the main current path. This is an example.

ここに主制御信号と副制御信号との関係は両者が協同し
て所望の制御特性を実現する場合と、両者が異なる制御
動作態様に対応する場合とが考えられる。後の場合の例
として副制御信号が主電流径路に発生した異常電圧に対
応する場合がある。すなわち主制御信号による正常制御
動作中に主電流径路に異常に高い電圧パルスが加わった
とき、このパルス電圧は主電流径路より分離されて主サ
ィリスタ1の制御電極5に印加され主サィリスタ1を一
時的に阻止状態にすることにより前記回路を保護する。
この場合、副制御信号径路が一定電圧以上でのみ動作す
るように前記径路にゼナーダイオード、トランジスタ、
サイリスタのような非線形素子8を挿入しておくことが
有効である。一般に主制御信号系と副制御信号系との動
作態様が異なる場合、一方あるいは双方の径路に信号を
分離または選択する回路を挿入することが有効である。
なお、上述した実施例では制御電極5に印加される制御
信号は主回路径路より分離した信号成分のみであったが
、ころ発明はこれに限定されるものではない。
Here, the relationship between the main control signal and the sub-control signal can be considered in two cases: one in which they cooperate to realize desired control characteristics, and the other in which they correspond to different control operation modes. As an example of the latter case, the sub-control signal may correspond to an abnormal voltage occurring in the main current path. That is, when an abnormally high voltage pulse is applied to the main current path during normal control operation by the main control signal, this pulse voltage is separated from the main current path and is applied to the control electrode 5 of the main thyristor 1, causing the main thyristor 1 to temporarily The circuit is protected by being put into a blocked state.
In this case, a zener diode, a transistor,
It is effective to insert a nonlinear element 8 such as a thyristor. Generally, when the operating modes of the main control signal system and the sub control signal system are different, it is effective to insert a circuit for separating or selecting signals in one or both paths.
In the above embodiment, the control signal applied to the control electrode 5 was only a signal component separated from the main circuit path, but the invention is not limited to this.

またこの発明の制御装置をサィリスタと共に集積化すれ
ば、1個の素子で前記の制御を行うことができ、非常に
小形かつ使用の簡便な素子なる利点がある。
Furthermore, if the control device of the present invention is integrated with a thyristor, the above-mentioned control can be performed with one element, which has the advantage of being a very small and easy-to-use element.

以上詳細に説明したように、この発明は主信号径路から
制御信号を分離してサィリスタの制御電極を加え制御を
行うようにしたので、サイリスタを2端子で制御でき、
その制御信号が主電流に影響をおよぽさない小さなもの
でよい利点があり、既設の伝送路にそのま)挿入できる
利点を有し、主電流が直流、交流を問わず適用すること
ができる。
As explained in detail above, this invention separates the control signal from the main signal path and adds the control electrode of the thyristor for control, so the thyristor can be controlled with two terminals.
The control signal has the advantage of being small and does not affect the main current, and has the advantage of being able to be directly inserted into an existing transmission line, and can be applied regardless of whether the main current is direct current or alternating current. can.

またその特性上、事故で伝送路に発生したサージから伝
送路およびそれに付随する機能を保護するという従来に
ない利点があり、非常に工業的価値の高いものである。
Furthermore, due to its characteristics, it has an unprecedented advantage of protecting the transmission line and its associated functions from surges generated in the transmission line due to an accident, and is of extremely high industrial value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図は静
電譲導形サィリスタの一例を示す断面図、第3図はSI
Tの動作特性図、第4図、第5図、第6図はこの発明の
他の実施例を示す回路図、第7図a,b,cは制御電極
への信号電流の流れによる主電流の変化の状態を示す波
形図、第8図はこの発明のさらに他の実施例を示す回路
図である。 図中、1はサイリス夕、2はコンデンサ、3は陽極、4
は陰極、5は制御電極、6はn形基板、7はコイル、8
は非線形素子、9は主制御信号入力回路である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。第
1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view showing an example of an electrostatic transfer type thyristor, and Fig. 3 is a SI
Figures 4, 5, and 6 are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention, and Figures 7a, b, and c show the main current due to the flow of signal current to the control electrode. FIG. 8 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. In the figure, 1 is the silis valve, 2 is the capacitor, 3 is the anode, and 4
is a cathode, 5 is a control electrode, 6 is an n-type substrate, 7 is a coil, 8
9 is a nonlinear element, and 9 is a main control signal input circuit. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 第1の導電型の半導体層中に埋設された第2の導電
型の制御電極を有する静電誘導形サイリスタ、この静電
誘導形サイリスタの主信号径路からこの主信号径路の主
信号に重畳された制御信号を分離し、この分離された制
御信号を前記制御電極に印加する手段を備え、この手段
によって前記静電誘導形サイリスタを制御することを特
徴とするサイリスタの制御装置。 2 制御信号は、交流の主電流にそれと周波数の異なる
交流または直流を重畳した主信号径路中の電流中から特
定の周波数成分の電流を分離したものである特許請求の
範囲第1項記載のサイリスタの制御装置。 3 制御信号はサイリスタの制御電極の回路中に設けた
共振回路により主信号径路中の電流から選択的に抽出し
たものである特許請求の範囲第1項記載のサイリスタの
制御装置。 4 制御信号は主信号径路に加えられる主電流とパルス
信号を重畳したものの中からパルス信号のみをとり出し
たものである特許請求の範囲第1項記載のサイリスタの
制御装置。 5 制御信号は主信号径路中の電流から分離された後整
流または平滑された脈流または直流である特許請求の範
囲第1項乃至第4項のいずれかに記載のサイリスタの制
御装置。 6 制御信号は主信号径路中の電流の急激な変化分をと
り出したものである特許請求の範囲第1項記載のサイリ
スタの制御装置。 7 制御信号をとり出す手段はサイリスタと共に集積化
されたものである特許請求の範囲第1項乃至第6項のい
ずれかに記載のサイリスタの制御装置。
[Claims] 1. A static induction thyristor having a control electrode of a second conductivity type embedded in a semiconductor layer of a first conductivity type; A thyristor comprising means for separating a control signal superimposed on a main signal of a path and applying the separated control signal to the control electrode, and controlling the electrostatic induction thyristor by this means. Control device. 2. The thyristor according to claim 1, wherein the control signal is a current having a specific frequency component separated from a current in a main signal path obtained by superimposing an alternating current or direct current with a different frequency on an alternating main current. control device. 3. The thyristor control device according to claim 1, wherein the control signal is selectively extracted from the current in the main signal path by a resonant circuit provided in the circuit of the control electrode of the thyristor. 4. The thyristor control device according to claim 1, wherein the control signal is obtained by extracting only a pulse signal from a superposition of a main current applied to the main signal path and a pulse signal. 5. The thyristor control device according to any one of claims 1 to 4, wherein the control signal is a pulsating current or a direct current that is rectified or smoothed after being separated from the current in the main signal path. 6. The thyristor control device according to claim 1, wherein the control signal is obtained by extracting a sudden change in current in the main signal path. 7. The thyristor control device according to any one of claims 1 to 6, wherein the means for extracting the control signal is integrated with the thyristor.
JP9070476A 1976-07-29 1976-07-29 Thyristor control device Expired JPS605064B2 (en)

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JPS5316569A JPS5316569A (en) 1978-02-15
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6163460A (en) * 1997-10-11 2000-12-19 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Housing for electronic assemblies including board-mounted components and separate discrete components

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