JPS605029A - 光学ガラス製造用気化原料供給方法 - Google Patents
光学ガラス製造用気化原料供給方法Info
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- JPS605029A JPS605029A JP11008283A JP11008283A JPS605029A JP S605029 A JPS605029 A JP S605029A JP 11008283 A JP11008283 A JP 11008283A JP 11008283 A JP11008283 A JP 11008283A JP S605029 A JPS605029 A JP S605029A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4488—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by in situ generation of reactive gas by chemical or electrochemical reaction
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＶＡＤ法、ＣＶＤ法などにより元ファイバ母材
等の光学ガラスを製造する際の気化原料供給方法に関す
る。
等の光学ガラスを製造する際の気化原料供給方法に関す
る。
ガラス生成用の気化原料を火炎加水分解反応、熱分解反
応、酸化反応などにより反応させて所定の酸化物を生成
する方法としては、ＶＡＤ法、外付けＣＶＤ法、内付け
ＣＶＤ法（ＭＣ，、ＶＤ法）、プラズマＣＶＤ法などが
各種の態様で実施されており、これら各法はガラススー
トの生成と同時にこれをガラス化してガラス堆積させる
ものと、−たんガラススートを堆積させてからこれにガ
ラス化するものとに大別でき、さらに酸水素炎バーナへ
気化原料を供給するものと、石英”ガラスパイプ内へ気
化原料を供給するものとに分けることもできるが、上記
いずれの方法も気化原料をそれぞれの反応系へ供給する
点では共通している。
応、酸化反応などにより反応させて所定の酸化物を生成
する方法としては、ＶＡＤ法、外付けＣＶＤ法、内付け
ＣＶＤ法（ＭＣ，、ＶＤ法）、プラズマＣＶＤ法などが
各種の態様で実施されており、これら各法はガラススー
トの生成と同時にこれをガラス化してガラス堆積させる
ものと、−たんガラススートを堆積させてからこれにガ
ラス化するものとに大別でき、さらに酸水素炎バーナへ
気化原料を供給するものと、石英”ガラスパイプ内へ気
化原料を供給するものとに分けることもできるが、上記
いずれの方法も気化原料をそれぞれの反応系へ供給する
点では共通している。
上記における一般的な気化原料供給手段はパン゛リング
法であり、これは原料槽内に塩化物系の液化原料を収容
しておき、該原料槽内の液化原料中に不活性ガス、酸素
ガスなどのバブリングガスを吹きこみ、これにより蒸発
した気化原料をそのバブリングガス（キャリアガスとも
いう）により担持して所定の反応系へ供給するようにし
ている。
法であり、これは原料槽内に塩化物系の液化原料を収容
しておき、該原料槽内の液化原料中に不活性ガス、酸素
ガスなどのバブリングガスを吹きこみ、これにより蒸発
した気化原料をそのバブリングガス（キャリアガスとも
いう）により担持して所定の反応系へ供給するようにし
ている。
例えば、Ｇ ｅ ０２ Ｓ ｂ ２０ｓ系の赤外線透過
ガラスを上記各法により製造するとき、上記バブリング
法により発生させたＧｅＣ１４Ｃ沸点８４℃）、５ｂＣ
ｔ、（沸点１４０℃）の気化原料を反応系へ供給するよ
うにしており、しかもこの際、原料気化促進のためＧｅ
Ｃ１＋は３０〜５０℃、ｓ ｂ ＣＬ、は８０〜１１０
℃のようにそれぞれの液化原料を加熱している。
ガラスを上記各法により製造するとき、上記バブリング
法により発生させたＧｅＣ１４Ｃ沸点８４℃）、５ｂＣ
ｔ、（沸点１４０℃）の気化原料を反応系へ供給するよ
うにしており、しかもこの際、原料気化促進のためＧｅ
Ｃ１＋は３０〜５０℃、ｓ ｂ ＣＬ、は８０〜１１０
℃のようにそれぞれの液化原料を加熱している。
ところが塩化物系原料のうちでも分解しやすいものの場
合、加熱された状態でのバブリング時に組成が変化して
しまい、所定の原料供給が行なえないといった問題が起
こっている。
合、加熱された状態でのバブリング時に組成が変化して
しまい、所定の原料供給が行なえないといった問題が起
こっている。
このような分解の生じやすい原料として既述のｓ ｂ
ｃ ｔ、があげられるが、この５ｂｃｚ５（五塩化アン
チモン）の場合に加熱され、バブリングされることによ
り脱塩素化されて５ｂｃｔ３（三塩化アンチモン）にな
ってしまい、この５ｂｃｚ３は融点７２．９℃の物質で
あって原料槽内で沈澱現象を起こし、しかも該５ｂｃｚ
３の一部が５ｂｃｔ、中にも溶けこむのでその５ｂＣｔ
５の組成が変化することとなり、したがってバブリング
条件と５ｂＣｔ、発生量との相関関係が成立せず、アン
チモンの量的な供給制御が行なえなくなっている。
ｃ ｔ、があげられるが、この５ｂｃｚ５（五塩化アン
チモン）の場合に加熱され、バブリングされることによ
り脱塩素化されて５ｂｃｔ３（三塩化アンチモン）にな
ってしまい、この５ｂｃｚ３は融点７２．９℃の物質で
あって原料槽内で沈澱現象を起こし、しかも該５ｂｃｚ
３の一部が５ｂｃｔ、中にも溶けこむのでその５ｂＣｔ
５の組成が変化することとなり、したがってバブリング
条件と５ｂＣｔ、発生量との相関関係が成立せず、アン
チモンの量的な供給制御が行なえなくなっている。
それ故、前述したＧ ｅ ０２−８ ｂ２０ｓ 系の酸
化物を製造するとき、上記５ｂＣｔ、の蒸発量制御不可
、該ｓ ｂ ｃ ｔ、の供給量不足、Ｇ ｅ Ｃ１４と
５ｂｃｔ、との混合比変動が連鎖的に発生し、所定の酸
化物が得られなくなっている。
化物を製造するとき、上記５ｂＣｔ、の蒸発量制御不可
、該ｓ ｂ ｃ ｔ、の供給量不足、Ｇ ｅ Ｃ１４と
５ｂｃｔ、との混合比変動が連鎖的に発生し、所定の酸
化物が得られなくなっている。
本発明は上記の問題点に対処すべくなされたものでちり
、以下その具体的方法を図示の実施例により説明する。
、以下その具体的方法を図示の実施例により説明する。
第１図において、１は原料槽、２は該原料槽ハ内を２つ
の原料室３ａ、３ｂに区画している上下方向の仕切壁で
あり、この仕切壁２の下部には開通部４が形成されてい
るとともに該開通部４ｉ介して上記両原料室３ ａ ｓ
３ ｂが相互に連通されている。
の原料室３ａ、３ｂに区画している上下方向の仕切壁で
あり、この仕切壁２の下部には開通部４が形成されてい
るとともに該開通部４ｉ介して上記両原料室３ ａ ｓ
３ ｂが相互に連通されている。
４ ａ ％ ４ ｂは各原料室３ａ１３ｂ内にそれぞれ
挿設されたバブリングパイプ、６は一方の原料室３ａの
上面に設けられた供給口、６は他方の原料室３ｂの上面
に設けられた凝縮流路であり、この凝縮流路６の外周に
は冷媒量ロアａと冷媒量ロアｂとを有する水冷式または
空冷式のコンデンサ８が装着されている。
挿設されたバブリングパイプ、６は一方の原料室３ａの
上面に設けられた供給口、６は他方の原料室３ｂの上面
に設けられた凝縮流路であり、この凝縮流路６の外周に
は冷媒量ロアａと冷媒量ロアｂとを有する水冷式または
空冷式のコンデンサ８が装着されている。
９は上記原料槽１の原料室３ ａ ％ ３ ｂ内に収容
された塩化物系の、しかも分解の生じやすい液化原料で
ある。
された塩化物系の、しかも分解の生じやすい液化原料で
ある。
本発明では図示しない加熱手段により原料種１を加熱し
て原料室３ａ、３ｂ内の液化原料９を適温に保持し、一
方の原料室３ａ内の級化原料９中にはバブリングパイプ
４ａを介して不活性ガス（例えばＡｒ）、または酸素ガ
ス（０２）、あるいはこれらの混合ガスを吹きこむとと
もに他方の原料室３ｂ内にある液化原料９中にはバブリ
ングパイプ４ｂを介して塩素ガス（Ｃ４２）を吹きこみ
、かつ、原料室３ａ内で発生した気化原料９′をその供
給口５から所定の反応系へ供給するら この際、各原料室３ａ−，３ｂ内に収容されている液化
原料９がｓ ｂ ｃ ｔ、であると、上記バグリングに
よシ原料室３ａからはＳ’ｂＣ１ｓの気化原料９′が反
応系へ供給されるのであり、これにともない通常では原
料室３ａ内にある液化原料９の脱塩素化が起こり、これ
が５ｂＣｔ３へと組成変化するが、上記においては原料
室３ａ内でのバブリングおよび気化原料供給と同期して
他方の原料室Ｓｂ内にある液化原料９中に塩素ガスが吹
きこ捷れており、しかも両原料室３ ａ ％３ｂが開通
部４を介して互いに連通しているので、Ｃｔ２ が常時
補給されている原料室３ｂ内の液化原料９と、脱塩素化
傾向のある原料室３ａ内の液化原料９とが相互に混じ９
合い、かつ、バブリングガスの吹きこみ力、塩素ガスの
吹きこみ力による攪拌流動性により上記両液化原料の均
質混合性も得られる。
て原料室３ａ、３ｂ内の液化原料９を適温に保持し、一
方の原料室３ａ内の級化原料９中にはバブリングパイプ
４ａを介して不活性ガス（例えばＡｒ）、または酸素ガ
ス（０２）、あるいはこれらの混合ガスを吹きこむとと
もに他方の原料室３ｂ内にある液化原料９中にはバブリ
ングパイプ４ｂを介して塩素ガス（Ｃ４２）を吹きこみ
、かつ、原料室３ａ内で発生した気化原料９′をその供
給口５から所定の反応系へ供給するら この際、各原料室３ａ−，３ｂ内に収容されている液化
原料９がｓ ｂ ｃ ｔ、であると、上記バグリングに
よシ原料室３ａからはＳ’ｂＣ１ｓの気化原料９′が反
応系へ供給されるのであり、これにともない通常では原
料室３ａ内にある液化原料９の脱塩素化が起こり、これ
が５ｂＣｔ３へと組成変化するが、上記においては原料
室３ａ内でのバブリングおよび気化原料供給と同期して
他方の原料室Ｓｂ内にある液化原料９中に塩素ガスが吹
きこ捷れており、しかも両原料室３ ａ ％３ｂが開通
部４を介して互いに連通しているので、Ｃｔ２ が常時
補給されている原料室３ｂ内の液化原料９と、脱塩素化
傾向のある原料室３ａ内の液化原料９とが相互に混じ９
合い、かつ、バブリングガスの吹きこみ力、塩素ガスの
吹きこみ力による攪拌流動性により上記両液化原料の均
質混合性も得られる。
したがって一方の原料室３ａ内にある液化原料９がｓ
ｂ ｃ ｔ、から５ｂｃｔ３に分解したとじても、該液
化原料９が他方の原料室３ｂ内にある液化原料９と混じ
り合うことにより再び５ｂＣｔ。
ｂ ｃ ｔ、から５ｂｃｔ３に分解したとじても、該液
化原料９が他方の原料室３ｂ内にある液化原料９と混じ
り合うことにより再び５ｂＣｔ。
にもどることとなり、５ｂｃｚ３ の量はほとんと増え
ないこととなる。
ないこととなる。
その結果、所定の反応系へＳｂＣ，ａ、を安定して供給
できるようになる。
できるようになる。
なお、」二記における他方の原料室３ｂでは、過剰のＣ
ｔ２ガスとともにＳ ｂ ＣＡｓが蒸発することとなる
が、こうして蒸発した５ｂｃｚ、は凝縮流路６を通過す
る際、該流路６のコンデンサ８により液化され、原料室
３ｂ内へ還流される。
ｔ２ガスとともにＳ ｂ ＣＡｓが蒸発することとなる
が、こうして蒸発した５ｂｃｚ、は凝縮流路６を通過す
る際、該流路６のコンデンサ８により液化され、原料室
３ｂ内へ還流される。
第１図の実施例では原料槽１内ｆ：２つの原料室３ ａ
％ ３ ｂに区画しているが、これは互いに連通ずる
３つ以上の原料室に区画してもよく、この場合、少なく
とも１つの原料室から前記と同じく気化原料を反応系へ
供給するようにし、少なくとも他の１つの原料室では同
室内の液化原料中に塩素ガスを吹きこむ。
％ ３ ｂに区画しているが、これは互いに連通ずる
３つ以上の原料室に区画してもよく、この場合、少なく
とも１つの原料室から前記と同じく気化原料を反応系へ
供給するようにし、少なくとも他の１つの原料室では同
室内の液化原料中に塩素ガスを吹きこむ。
１だバブリングガスとしてｉｊ ＩＴ述した不活性ガス
、酸素ガス、これらの混合ガスとするのがよく、その理
由として、塩素ガス（（−ｔ２）で液化原料９を直接バ
ブリングし、その気化原料を、反応系（例えば火炎加水
分解反応系）へ供給すると、多量のＣ４２が該反応系へ
導入されることとなり、塩化物を酸化物に変えるべき化
学反応に支障を来すといったことがあげられる。
、酸素ガス、これらの混合ガスとするのがよく、その理
由として、塩素ガス（（−ｔ２）で液化原料９を直接バ
ブリングし、その気化原料を、反応系（例えば火炎加水
分解反応系）へ供給すると、多量のＣ４２が該反応系へ
導入されることとなり、塩化物を酸化物に変えるべき化
学反応に支障を来すといったことがあげられる。
第２図は火炎加水分解反応を利用するＶＡＤ法を例示し
たものであり、同図において１（ｌｊ寞水素炎バーナ、
１１は回転自在かつ上下動自在ナターゲット、１２１−
１：該ターゲット１１へ堆積形成された光フアイバ用の
多孔質母材である。
たものであり、同図において１（ｌｊ寞水素炎バーナ、
１１は回転自在かつ上下動自在ナターゲット、１２１−
１：該ターゲット１１へ堆積形成された光フアイバ用の
多孔質母材である。
以下、このＶＡＤ法において本発明と従来例とを比較す
る。
る。
多重管構造の酸水素炎バーナ１１へ所定のガス（Ｈ２，
０２、Ａ ｒｓ ５ｂＣｔ５ 、ＧｅＣｌ４）を供給し
てＧｅＯ２５ｂ２０３系の多孔質母材１２を形成すると
き、従来例でＩｒｉ Ｇ ｅ Ｃ１４の原料槽を５０℃
に加熱し、蒸気圧の低いｓ ｂ ｃ ｔ、の原料槽は１
００℃に加熱してＶＡＤ法を実施した。
０２、Ａ ｒｓ ５ｂＣｔ５ 、ＧｅＣｌ４）を供給し
てＧｅＯ２５ｂ２０３系の多孔質母材１２を形成すると
き、従来例でＩｒｉ Ｇ ｅ Ｃ１４の原料槽を５０℃
に加熱し、蒸気圧の低いｓ ｂ ｃ ｔ、の原料槽は１
００℃に加熱してＶＡＤ法を実施した。
この従来例では、多孔質母材１２中のＳｂ含有量がほと
んどの場合１０％以下であり、１２チが１回あるのみに
とソまった。
んどの場合１０％以下であり、１２チが１回あるのみに
とソまった。
しかもｓ ｂ ｃ ｔ、の組成が一定でなく、次第にｓ
’ｂ ｃ ｔ３との混合物になってしまい、母料１２
中のｓｂ量を制御することができなくなった。
’ｂ ｃ ｔ３との混合物になってしまい、母料１２
中のｓｂ量を制御することができなくなった。
さらに多孔質母材１２の作製後、これを透明坊ラス化す
るとき、Ｓｂ含有量が少ないことにより該ガラス化温度
が高温化傾向を示し、しかも一定住せず、母料透明ガラ
ス化の失敗率が高くなった。
るとき、Ｓｂ含有量が少ないことにより該ガラス化温度
が高温化傾向を示し、しかも一定住せず、母料透明ガラ
ス化の失敗率が高くなった。
一方、Ｇ ｅ Ｃ１４の供給手段は上記と同じにし、ｆ
ｓｂｃｔｓ（原料槽１の加熱温度３０℃）を本発′明方
法により供給してＶＡＤ法を実施した場合では、原料室
３ａ内に５ｂＣｔ３の沈澱物が発生せず、酸水素炎バー
ナ１ｏへ多くの５ｂＣｔ、蒸気を供給することができた
ため、多孔質母材１２中のＳｂ含有量を２３％にまで高
めることができた。
ｓｂｃｔｓ（原料槽１の加熱温度３０℃）を本発′明方
法により供給してＶＡＤ法を実施した場合では、原料室
３ａ内に５ｂＣｔ３の沈澱物が発生せず、酸水素炎バー
ナ１ｏへ多くの５ｂＣｔ、蒸気を供給することができた
ため、多孔質母材１２中のＳｂ含有量を２３％にまで高
めることができた。
また、Ｓｂ含有量を安定させることができたため、多孔
質母材１２を透明ガラス化するときの電気炉による温度
も約６００℃に一定化することができ、はとんど失敗な
く母材の透明ガラス化が行なえた。
質母材１２を透明ガラス化するときの電気炉による温度
も約６００℃に一定化することができ、はとんど失敗な
く母材の透明ガラス化が行なえた。
なお、本発明の原料供給方法はＶＡＤ法の他、内付け、
外付けなど各種ＣＶＤ法にも利用できる０ 以上説明した通り、本発明方法は塩化物系の液化原料を
収容している原料槽内を上下方向の仕切壁により複数の
原料室に区画するとともにこれら原料室相互をその内部
の液化原料液面下において連通させておき、少なくとも
１つの原料室では該室内にある液化原料、、中に不活性
ガス、酸素ガスなどのバブリングガスを吹き、こみ、こ
れにより蒸発した気化原料を当該原料室の供給口から光
学ガラス製造用の反応系へ供給し、少なくとも他の１つ
の原料室では該室内にある液化原料中に塩素ガスを吹き
こむことを特徴としているから、分解の生じやすい液化
原料であってもこれの組成変化を防止することができ、
これに基づき、原料の蒸発量制御不可、所定組成原料の
供給不足、他原料との混合比変動などが解消できる。
外付けなど各種ＣＶＤ法にも利用できる０ 以上説明した通り、本発明方法は塩化物系の液化原料を
収容している原料槽内を上下方向の仕切壁により複数の
原料室に区画するとともにこれら原料室相互をその内部
の液化原料液面下において連通させておき、少なくとも
１つの原料室では該室内にある液化原料、、中に不活性
ガス、酸素ガスなどのバブリングガスを吹き、こみ、こ
れにより蒸発した気化原料を当該原料室の供給口から光
学ガラス製造用の反応系へ供給し、少なくとも他の１つ
の原料室では該室内にある液化原料中に塩素ガスを吹き
こむことを特徴としているから、分解の生じやすい液化
原料であってもこれの組成変化を防止することができ、
これに基づき、原料の蒸発量制御不可、所定組成原料の
供給不足、他原料との混合比変動などが解消できる。
第１図は本発明方法の１実施例を略示した説明図、第２
図ｕＶＡＤ法を略示した説明図である。 １・・・・・原料槽 ２・・・・・仕切壁 ３ａ、３ｂ・・・・・原料室 ４・・・・・開通部 ４ａ１４ｂ・・・・・バブリングバイブ５・・・・・供
給口 ９・・・・・液化原料 ９′・・・・気化原料 ＊７ 図 １ｉ２図
図ｕＶＡＤ法を略示した説明図である。 １・・・・・原料槽 ２・・・・・仕切壁 ３ａ、３ｂ・・・・・原料室 ４・・・・・開通部 ４ａ１４ｂ・・・・・バブリングバイブ５・・・・・供
給口 ９・・・・・液化原料 ９′・・・・気化原料 ＊７ 図 １ｉ２図
Claims (1)
- 塩化物系の液化原料を収容している原料槽内を上下方向
の仕切壁により複数の原料砲に区画するとともにこれら
原料室相互をその内部の液化原料液面下において連通さ
せておき、少なくとも、１つの原料室では該室内にある
液化原料中に不活性ガス、酸素ガスなどのバブリングガ
スを吹きこみ、これにより蒸発した気化原料を当該原料
室の供給口から光学ガラス製造用の反応系へ供給し、少
なくとも他の１つの原料室では該室内にある液化原料中
に塩素ガスを吹きこむ光学ガラス製造用気化原料供給方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008283A JPS605029A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008283A JPS605029A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605029A true JPS605029A (ja) | 1985-01-11 |
| JPS616013B2 JPS616013B2 (ja) | 1986-02-22 |
Family
ID=14526571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11008283A Granted JPS605029A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605029A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| EP0572150A2 (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-01 | General Electric Company | Chemical vapour-deposition of aluminide coatings |
| US5588383A (en) * | 1995-03-02 | 1996-12-31 | Tapistron International, Inc. | Apparatus and method for producing patterned tufted goods |
| EP1027482A1 (en) * | 1997-08-05 | 2000-08-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for the in-situ generation of dopants |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11008283A patent/JPS605029A/ja active Granted
Cited By (7)
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| JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| JPH0251852B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1990-11-08 | Sumitomo Electric Industries | |
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| EP0572150A3 (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-29 | General Electric Company | Chemical vapour-deposition of aluminide coatings |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS616013B2 (ja) | 1986-02-22 |
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