JPS605029A - 光学ガラス製造用気化原料供給方法 - Google Patents
光学ガラス製造用気化原料供給方法Info
- Publication number
- JPS605029A JPS605029A JP11008283A JP11008283A JPS605029A JP S605029 A JPS605029 A JP S605029A JP 11008283 A JP11008283 A JP 11008283A JP 11008283 A JP11008283 A JP 11008283A JP S605029 A JPS605029 A JP S605029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- liquefied
- chamber
- reaction system
- supplied
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4488—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by in situ generation of reactive gas by chemical or electrochemical reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はVAD法、CVD法などにより元ファイバ母材
等の光学ガラスを製造する際の気化原料供給方法に関す
る。
等の光学ガラスを製造する際の気化原料供給方法に関す
る。
ガラス生成用の気化原料を火炎加水分解反応、熱分解反
応、酸化反応などにより反応させて所定の酸化物を生成
する方法としては、VAD法、外付けCVD法、内付け
CVD法(MC,、VD法)、プラズマCVD法などが
各種の態様で実施されており、これら各法はガラススー
トの生成と同時にこれをガラス化してガラス堆積させる
ものと、−たんガラススートを堆積させてからこれにガ
ラス化するものとに大別でき、さらに酸水素炎バーナへ
気化原料を供給するものと、石英”ガラスパイプ内へ気
化原料を供給するものとに分けることもできるが、上記
いずれの方法も気化原料をそれぞれの反応系へ供給する
点では共通している。
応、酸化反応などにより反応させて所定の酸化物を生成
する方法としては、VAD法、外付けCVD法、内付け
CVD法(MC,、VD法)、プラズマCVD法などが
各種の態様で実施されており、これら各法はガラススー
トの生成と同時にこれをガラス化してガラス堆積させる
ものと、−たんガラススートを堆積させてからこれにガ
ラス化するものとに大別でき、さらに酸水素炎バーナへ
気化原料を供給するものと、石英”ガラスパイプ内へ気
化原料を供給するものとに分けることもできるが、上記
いずれの方法も気化原料をそれぞれの反応系へ供給する
点では共通している。
上記における一般的な気化原料供給手段はパン゛リング
法であり、これは原料槽内に塩化物系の液化原料を収容
しておき、該原料槽内の液化原料中に不活性ガス、酸素
ガスなどのバブリングガスを吹きこみ、これにより蒸発
した気化原料をそのバブリングガス(キャリアガスとも
いう)により担持して所定の反応系へ供給するようにし
ている。
法であり、これは原料槽内に塩化物系の液化原料を収容
しておき、該原料槽内の液化原料中に不活性ガス、酸素
ガスなどのバブリングガスを吹きこみ、これにより蒸発
した気化原料をそのバブリングガス(キャリアガスとも
いう)により担持して所定の反応系へ供給するようにし
ている。
例えば、G e 02 S b 20s系の赤外線透過
ガラスを上記各法により製造するとき、上記バブリング
法により発生させたGeC14C沸点84℃)、5bC
t、(沸点140℃)の気化原料を反応系へ供給するよ
うにしており、しかもこの際、原料気化促進のためGe
C1+は30〜50℃、s b CL、は80〜110
℃のようにそれぞれの液化原料を加熱している。
ガラスを上記各法により製造するとき、上記バブリング
法により発生させたGeC14C沸点84℃)、5bC
t、(沸点140℃)の気化原料を反応系へ供給するよ
うにしており、しかもこの際、原料気化促進のためGe
C1+は30〜50℃、s b CL、は80〜110
℃のようにそれぞれの液化原料を加熱している。
ところが塩化物系原料のうちでも分解しやすいものの場
合、加熱された状態でのバブリング時に組成が変化して
しまい、所定の原料供給が行なえないといった問題が起
こっている。
合、加熱された状態でのバブリング時に組成が変化して
しまい、所定の原料供給が行なえないといった問題が起
こっている。
このような分解の生じやすい原料として既述のs b
c t、があげられるが、この5bcz5(五塩化アン
チモン)の場合に加熱され、バブリングされることによ
り脱塩素化されて5bct3(三塩化アンチモン)にな
ってしまい、この5bcz3は融点72.9℃の物質で
あって原料槽内で沈澱現象を起こし、しかも該5bcz
3の一部が5bct、中にも溶けこむのでその5bCt
5の組成が変化することとなり、したがってバブリング
条件と5bCt、発生量との相関関係が成立せず、アン
チモンの量的な供給制御が行なえなくなっている。
c t、があげられるが、この5bcz5(五塩化アン
チモン)の場合に加熱され、バブリングされることによ
り脱塩素化されて5bct3(三塩化アンチモン)にな
ってしまい、この5bcz3は融点72.9℃の物質で
あって原料槽内で沈澱現象を起こし、しかも該5bcz
3の一部が5bct、中にも溶けこむのでその5bCt
5の組成が変化することとなり、したがってバブリング
条件と5bCt、発生量との相関関係が成立せず、アン
チモンの量的な供給制御が行なえなくなっている。
それ故、前述したG e 02−8 b20s 系の酸
化物を製造するとき、上記5bCt、の蒸発量制御不可
、該s b c t、の供給量不足、G e C14と
5bct、との混合比変動が連鎖的に発生し、所定の酸
化物が得られなくなっている。
化物を製造するとき、上記5bCt、の蒸発量制御不可
、該s b c t、の供給量不足、G e C14と
5bct、との混合比変動が連鎖的に発生し、所定の酸
化物が得られなくなっている。
本発明は上記の問題点に対処すべくなされたものでちり
、以下その具体的方法を図示の実施例により説明する。
、以下その具体的方法を図示の実施例により説明する。
第1図において、1は原料槽、2は該原料槽ハ内を2つ
の原料室3a、3bに区画している上下方向の仕切壁で
あり、この仕切壁2の下部には開通部4が形成されてい
るとともに該開通部4i介して上記両原料室3 a s
3 bが相互に連通されている。
の原料室3a、3bに区画している上下方向の仕切壁で
あり、この仕切壁2の下部には開通部4が形成されてい
るとともに該開通部4i介して上記両原料室3 a s
3 bが相互に連通されている。
4 a % 4 bは各原料室3a13b内にそれぞれ
挿設されたバブリングパイプ、6は一方の原料室3aの
上面に設けられた供給口、6は他方の原料室3bの上面
に設けられた凝縮流路であり、この凝縮流路6の外周に
は冷媒量ロアaと冷媒量ロアbとを有する水冷式または
空冷式のコンデンサ8が装着されている。
挿設されたバブリングパイプ、6は一方の原料室3aの
上面に設けられた供給口、6は他方の原料室3bの上面
に設けられた凝縮流路であり、この凝縮流路6の外周に
は冷媒量ロアaと冷媒量ロアbとを有する水冷式または
空冷式のコンデンサ8が装着されている。
9は上記原料槽1の原料室3 a % 3 b内に収容
された塩化物系の、しかも分解の生じやすい液化原料で
ある。
された塩化物系の、しかも分解の生じやすい液化原料で
ある。
本発明では図示しない加熱手段により原料種1を加熱し
て原料室3a、3b内の液化原料9を適温に保持し、一
方の原料室3a内の級化原料9中にはバブリングパイプ
4aを介して不活性ガス(例えばAr)、または酸素ガ
ス(02)、あるいはこれらの混合ガスを吹きこむとと
もに他方の原料室3b内にある液化原料9中にはバブリ
ングパイプ4bを介して塩素ガス(C42)を吹きこみ
、かつ、原料室3a内で発生した気化原料9′をその供
給口5から所定の反応系へ供給するら この際、各原料室3a−,3b内に収容されている液化
原料9がs b c t、であると、上記バグリングに
よシ原料室3aからはS’bC1sの気化原料9′が反
応系へ供給されるのであり、これにともない通常では原
料室3a内にある液化原料9の脱塩素化が起こり、これ
が5bCt3へと組成変化するが、上記においては原料
室3a内でのバブリングおよび気化原料供給と同期して
他方の原料室Sb内にある液化原料9中に塩素ガスが吹
きこ捷れており、しかも両原料室3 a %3bが開通
部4を介して互いに連通しているので、Ct2 が常時
補給されている原料室3b内の液化原料9と、脱塩素化
傾向のある原料室3a内の液化原料9とが相互に混じ9
合い、かつ、バブリングガスの吹きこみ力、塩素ガスの
吹きこみ力による攪拌流動性により上記両液化原料の均
質混合性も得られる。
て原料室3a、3b内の液化原料9を適温に保持し、一
方の原料室3a内の級化原料9中にはバブリングパイプ
4aを介して不活性ガス(例えばAr)、または酸素ガ
ス(02)、あるいはこれらの混合ガスを吹きこむとと
もに他方の原料室3b内にある液化原料9中にはバブリ
ングパイプ4bを介して塩素ガス(C42)を吹きこみ
、かつ、原料室3a内で発生した気化原料9′をその供
給口5から所定の反応系へ供給するら この際、各原料室3a−,3b内に収容されている液化
原料9がs b c t、であると、上記バグリングに
よシ原料室3aからはS’bC1sの気化原料9′が反
応系へ供給されるのであり、これにともない通常では原
料室3a内にある液化原料9の脱塩素化が起こり、これ
が5bCt3へと組成変化するが、上記においては原料
室3a内でのバブリングおよび気化原料供給と同期して
他方の原料室Sb内にある液化原料9中に塩素ガスが吹
きこ捷れており、しかも両原料室3 a %3bが開通
部4を介して互いに連通しているので、Ct2 が常時
補給されている原料室3b内の液化原料9と、脱塩素化
傾向のある原料室3a内の液化原料9とが相互に混じ9
合い、かつ、バブリングガスの吹きこみ力、塩素ガスの
吹きこみ力による攪拌流動性により上記両液化原料の均
質混合性も得られる。
したがって一方の原料室3a内にある液化原料9がs
b c t、から5bct3に分解したとじても、該液
化原料9が他方の原料室3b内にある液化原料9と混じ
り合うことにより再び5bCt。
b c t、から5bct3に分解したとじても、該液
化原料9が他方の原料室3b内にある液化原料9と混じ
り合うことにより再び5bCt。
にもどることとなり、5bcz3 の量はほとんと増え
ないこととなる。
ないこととなる。
その結果、所定の反応系へSbC,a、を安定して供給
できるようになる。
できるようになる。
なお、」二記における他方の原料室3bでは、過剰のC
t2ガスとともにS b CAsが蒸発することとなる
が、こうして蒸発した5bcz、は凝縮流路6を通過す
る際、該流路6のコンデンサ8により液化され、原料室
3b内へ還流される。
t2ガスとともにS b CAsが蒸発することとなる
が、こうして蒸発した5bcz、は凝縮流路6を通過す
る際、該流路6のコンデンサ8により液化され、原料室
3b内へ還流される。
第1図の実施例では原料槽1内f:2つの原料室3 a
% 3 bに区画しているが、これは互いに連通ずる
3つ以上の原料室に区画してもよく、この場合、少なく
とも1つの原料室から前記と同じく気化原料を反応系へ
供給するようにし、少なくとも他の1つの原料室では同
室内の液化原料中に塩素ガスを吹きこむ。
% 3 bに区画しているが、これは互いに連通ずる
3つ以上の原料室に区画してもよく、この場合、少なく
とも1つの原料室から前記と同じく気化原料を反応系へ
供給するようにし、少なくとも他の1つの原料室では同
室内の液化原料中に塩素ガスを吹きこむ。
1だバブリングガスとしてij IT述した不活性ガス
、酸素ガス、これらの混合ガスとするのがよく、その理
由として、塩素ガス((−t2)で液化原料9を直接バ
ブリングし、その気化原料を、反応系(例えば火炎加水
分解反応系)へ供給すると、多量のC42が該反応系へ
導入されることとなり、塩化物を酸化物に変えるべき化
学反応に支障を来すといったことがあげられる。
、酸素ガス、これらの混合ガスとするのがよく、その理
由として、塩素ガス((−t2)で液化原料9を直接バ
ブリングし、その気化原料を、反応系(例えば火炎加水
分解反応系)へ供給すると、多量のC42が該反応系へ
導入されることとなり、塩化物を酸化物に変えるべき化
学反応に支障を来すといったことがあげられる。
第2図は火炎加水分解反応を利用するVAD法を例示し
たものであり、同図において1(lj寞水素炎バーナ、
11は回転自在かつ上下動自在ナターゲット、121−
1:該ターゲット11へ堆積形成された光フアイバ用の
多孔質母材である。
たものであり、同図において1(lj寞水素炎バーナ、
11は回転自在かつ上下動自在ナターゲット、121−
1:該ターゲット11へ堆積形成された光フアイバ用の
多孔質母材である。
以下、このVAD法において本発明と従来例とを比較す
る。
る。
多重管構造の酸水素炎バーナ11へ所定のガス(H2,
02、A rs 5bCt5 、GeCl4)を供給し
てGeO25b203系の多孔質母材12を形成すると
き、従来例でIri G e C14の原料槽を50℃
に加熱し、蒸気圧の低いs b c t、の原料槽は1
00℃に加熱してVAD法を実施した。
02、A rs 5bCt5 、GeCl4)を供給し
てGeO25b203系の多孔質母材12を形成すると
き、従来例でIri G e C14の原料槽を50℃
に加熱し、蒸気圧の低いs b c t、の原料槽は1
00℃に加熱してVAD法を実施した。
この従来例では、多孔質母材12中のSb含有量がほと
んどの場合10%以下であり、12チが1回あるのみに
とソまった。
んどの場合10%以下であり、12チが1回あるのみに
とソまった。
しかもs b c t、の組成が一定でなく、次第にs
’b c t3との混合物になってしまい、母料12
中のsb量を制御することができなくなった。
’b c t3との混合物になってしまい、母料12
中のsb量を制御することができなくなった。
さらに多孔質母材12の作製後、これを透明坊ラス化す
るとき、Sb含有量が少ないことにより該ガラス化温度
が高温化傾向を示し、しかも一定住せず、母料透明ガラ
ス化の失敗率が高くなった。
るとき、Sb含有量が少ないことにより該ガラス化温度
が高温化傾向を示し、しかも一定住せず、母料透明ガラ
ス化の失敗率が高くなった。
一方、G e C14の供給手段は上記と同じにし、f
sbcts(原料槽1の加熱温度30℃)を本発′明方
法により供給してVAD法を実施した場合では、原料室
3a内に5bCt3の沈澱物が発生せず、酸水素炎バー
ナ1oへ多くの5bCt、蒸気を供給することができた
ため、多孔質母材12中のSb含有量を23%にまで高
めることができた。
sbcts(原料槽1の加熱温度30℃)を本発′明方
法により供給してVAD法を実施した場合では、原料室
3a内に5bCt3の沈澱物が発生せず、酸水素炎バー
ナ1oへ多くの5bCt、蒸気を供給することができた
ため、多孔質母材12中のSb含有量を23%にまで高
めることができた。
また、Sb含有量を安定させることができたため、多孔
質母材12を透明ガラス化するときの電気炉による温度
も約600℃に一定化することができ、はとんど失敗な
く母材の透明ガラス化が行なえた。
質母材12を透明ガラス化するときの電気炉による温度
も約600℃に一定化することができ、はとんど失敗な
く母材の透明ガラス化が行なえた。
なお、本発明の原料供給方法はVAD法の他、内付け、
外付けなど各種CVD法にも利用できる0 以上説明した通り、本発明方法は塩化物系の液化原料を
収容している原料槽内を上下方向の仕切壁により複数の
原料室に区画するとともにこれら原料室相互をその内部
の液化原料液面下において連通させておき、少なくとも
1つの原料室では該室内にある液化原料、、中に不活性
ガス、酸素ガスなどのバブリングガスを吹き、こみ、こ
れにより蒸発した気化原料を当該原料室の供給口から光
学ガラス製造用の反応系へ供給し、少なくとも他の1つ
の原料室では該室内にある液化原料中に塩素ガスを吹き
こむことを特徴としているから、分解の生じやすい液化
原料であってもこれの組成変化を防止することができ、
これに基づき、原料の蒸発量制御不可、所定組成原料の
供給不足、他原料との混合比変動などが解消できる。
外付けなど各種CVD法にも利用できる0 以上説明した通り、本発明方法は塩化物系の液化原料を
収容している原料槽内を上下方向の仕切壁により複数の
原料室に区画するとともにこれら原料室相互をその内部
の液化原料液面下において連通させておき、少なくとも
1つの原料室では該室内にある液化原料、、中に不活性
ガス、酸素ガスなどのバブリングガスを吹き、こみ、こ
れにより蒸発した気化原料を当該原料室の供給口から光
学ガラス製造用の反応系へ供給し、少なくとも他の1つ
の原料室では該室内にある液化原料中に塩素ガスを吹き
こむことを特徴としているから、分解の生じやすい液化
原料であってもこれの組成変化を防止することができ、
これに基づき、原料の蒸発量制御不可、所定組成原料の
供給不足、他原料との混合比変動などが解消できる。
第1図は本発明方法の1実施例を略示した説明図、第2
図uVAD法を略示した説明図である。 1・・・・・原料槽 2・・・・・仕切壁 3a、3b・・・・・原料室 4・・・・・開通部 4a14b・・・・・バブリングバイブ5・・・・・供
給口 9・・・・・液化原料 9′・・・・気化原料 *7 図 1i2図
図uVAD法を略示した説明図である。 1・・・・・原料槽 2・・・・・仕切壁 3a、3b・・・・・原料室 4・・・・・開通部 4a14b・・・・・バブリングバイブ5・・・・・供
給口 9・・・・・液化原料 9′・・・・気化原料 *7 図 1i2図
Claims (1)
- 塩化物系の液化原料を収容している原料槽内を上下方向
の仕切壁により複数の原料砲に区画するとともにこれら
原料室相互をその内部の液化原料液面下において連通さ
せておき、少なくとも、1つの原料室では該室内にある
液化原料中に不活性ガス、酸素ガスなどのバブリングガ
スを吹きこみ、これにより蒸発した気化原料を当該原料
室の供給口から光学ガラス製造用の反応系へ供給し、少
なくとも他の1つの原料室では該室内にある液化原料中
に塩素ガスを吹きこむ光学ガラス製造用気化原料供給方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11008283A JPS605029A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11008283A JPS605029A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605029A true JPS605029A (ja) | 1985-01-11 |
JPS616013B2 JPS616013B2 (ja) | 1986-02-22 |
Family
ID=14526571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11008283A Granted JPS605029A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605029A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
EP0572150A2 (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-01 | General Electric Company | Chemical vapour-deposition of aluminide coatings |
US5588383A (en) * | 1995-03-02 | 1996-12-31 | Tapistron International, Inc. | Apparatus and method for producing patterned tufted goods |
EP1027482A1 (en) * | 1997-08-05 | 2000-08-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for the in-situ generation of dopants |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11008283A patent/JPS605029A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
JPH0251852B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1990-11-08 | Sumitomo Electric Industries | |
EP0572150A2 (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-01 | General Electric Company | Chemical vapour-deposition of aluminide coatings |
EP0572150A3 (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-29 | General Electric Company | Chemical vapour-deposition of aluminide coatings |
US5588383A (en) * | 1995-03-02 | 1996-12-31 | Tapistron International, Inc. | Apparatus and method for producing patterned tufted goods |
EP1027482A1 (en) * | 1997-08-05 | 2000-08-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for the in-situ generation of dopants |
EP1027482A4 (en) * | 1997-08-05 | 2002-12-18 | Advanced Tech Materials | DEVICE AND METHOD FOR THE IN-SITU PRODUCTION OF DOPE |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS616013B2 (ja) | 1986-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6241738A (ja) | 気相沈積された酸化生成物の合成方法 | |
US3698936A (en) | Production of very high purity metal oxide articles | |
EP0450016A1 (en) | PROCESS FOR THE PREPARATION OF VAPORIZED REAGENTS FOR THEIR DEPOSITION IN THE GAS PHASE BY CHEMICAL PROCESS. | |
US3117838A (en) | Manufacture of silica | |
US4661140A (en) | Gas reaction apparatus and multi-wall pipe type burner therefor | |
JP2017036172A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
US3644607A (en) | Use of vapor phase deposition to make fused silica articles having titanium dioxide in the surface layer | |
JPS605029A (ja) | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 | |
US3639100A (en) | MOLTEN SALT PRE-TREATMENT OF REACTANTS FOR TiC1{11 {0 OXIDATION | |
US2967113A (en) | Coating method | |
US4539221A (en) | Process for the chemical vapor deposition of oxidic particles | |
CN108947212A (zh) | 玻璃微粒沉积体制造方法、玻璃母材制造方法以及玻璃微粒沉积体 | |
US3322499A (en) | Apparatus and process for the production of metal oxides | |
JPS6348805B2 (ja) | ||
US6378337B1 (en) | Method for producing bulk fused silica | |
JP4277574B2 (ja) | 気体材料の供給法及び装置、並びにそれを用いたガラス微粒子堆積体及びガラス材料の製造法 | |
US2792284A (en) | Production of alkali metal phosphates | |
EP0140625B1 (en) | Tellurides | |
JPS6117433A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
US4073875A (en) | Oxidation of magnesium chloride | |
JPS63134531A (ja) | ガラス微粒子合成装置 | |
US1889157A (en) | Process of chlorinating hydrocarbons | |
JPS62113717A (ja) | 塩化アルミニウム供給方法 | |
JPS57170834A (en) | Manufacture of base material for glass fiber | |
JPS59162143A (ja) | 合成石英の製造方法 |