JPS6050190A - 2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製造法 - Google Patents
2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製造法Info
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- JPS6050190A JPS6050190A JP58155082A JP15508283A JPS6050190A JP S6050190 A JPS6050190 A JP S6050190A JP 58155082 A JP58155082 A JP 58155082A JP 15508283 A JP15508283 A JP 15508283A JP S6050190 A JPS6050190 A JP S6050190A
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メククリロニトリルの電解還元2値化による
2、5−ジメチルへギサンジニトリルの製造方法、特に
これを連続的に行々う方法に関するものである。
2、5−ジメチルへギサンジニトリルの製造方法、特に
これを連続的に行々う方法に関するものである。
2.5−ジメチルベキサンジニ) IJルは、農薬、2
医薬、合成繊維、合成樹脂などの原料として重要、で
あり、とりわけ、その水素添加生成物である2、5−ジ
メチル−1,6−ヘキサンジアミンは透明ナイロンの原
料として、また、水素添加抜脱アンモニアした連化生成
物であるヘキサハイドロ−3,6−シメチルー1H−ア
ゼピンはカーバメート系農薬のfE、旧として、最近と
くに重要度が増している。
医薬、合成繊維、合成樹脂などの原料として重要、で
あり、とりわけ、その水素添加生成物である2、5−ジ
メチル−1,6−ヘキサンジアミンは透明ナイロンの原
料として、また、水素添加抜脱アンモニアした連化生成
物であるヘキサハイドロ−3,6−シメチルー1H−ア
ゼピンはカーバメート系農薬のfE、旧として、最近と
くに重要度が増している。
従来、回分式のメタクリロニトリルのT(、M 還元2
翔化による2、5−ジメチルヘキサノンニトリルの與遣
方法として次の方法が知られている。
翔化による2、5−ジメチルヘキサノンニトリルの與遣
方法として次の方法が知られている。
11] 水酸化ナトリウムを電解支持環とし、水溶液中
で、黒鉛、亜鉛、錫、銅を各々陰極とし用い電解還元す
る方法。
で、黒鉛、亜鉛、錫、銅を各々陰極とし用い電解還元す
る方法。
(A、P、Tomilov、 L、V、Kaabak
and S、L。
and S、L。
Varghavskii、 Zb、Ob’ghch、
Khim、、 33(9)。
Khim、、 33(9)。
2811−15(196’3))
を支持電解質とし、水−ジメチルホルムアミド混合溶媒
中、水f;It!を陰極として用いて電解還元する方法
。
中、水f;It!を陰極として用いて電解還元する方法
。
(M+M、Ba1zer and J、D、 Ande
rs+nn、 J。
rs+nn、 J。
Electrochemical Soc、、 111
(2)、 223−26(1964)、および米国特
許第3,193,481号(1965):] しかし、(11の方法は、最大収率の得られた黒鉛陰極
下でも、12.9%の選択率と0.6%の@、 K m
l率しか得られておらす、°錫、銅陰極では2,5−ジ
メチルヘキサンジニトリルは生成しなかった旨が上記(
11の文献中に記載されているので、選択率および電流
効率が低いという点で大きな問題がある、+21の方法
は、水銀を陰極として用いるため、工業的製法としては
公害防止の点できわめて問題がある。
(2)、 223−26(1964)、および米国特
許第3,193,481号(1965):] しかし、(11の方法は、最大収率の得られた黒鉛陰極
下でも、12.9%の選択率と0.6%の@、 K m
l率しか得られておらす、°錫、銅陰極では2,5−ジ
メチルヘキサンジニトリルは生成しなかった旨が上記(
11の文献中に記載されているので、選択率および電流
効率が低いという点で大きな問題がある、+21の方法
は、水銀を陰極として用いるため、工業的製法としては
公害防止の点できわめて問題がある。
また、tl+ 、 +21いずれの方法も回分式反応で
あシ、ある程度以上の規模の工業的生産には適さないも
のである。そして、メタクリロニトリルの電解還元2量
化による2、5−ジメチルヘキサンジニトリルの連続的
製法は知られていなかった。
あシ、ある程度以上の規模の工業的生産には適さないも
のである。そして、メタクリロニトリルの電解還元2量
化による2、5−ジメチルヘキサンジニトリルの連続的
製法は知られていなかった。
一方、メタクリロニトリルの類似化合物であるアクリロ
ニトリルの電解還元2月化によるアジポニトリルの工業
的製造方法としては、水銀陰極を用いない方法が一般に
行なわれている。しかし、同じ電解還元2量化とはいっ
ても、出発物質のニトリルの構造によって、生成物の還
元2量体の収率は大きく嚢なり、単純な技術の転1Hk
よよい結果を与えない。すなわち、メ・タクリロニトリ
ルはそのメチル基の存在のため、アクリロニトリルとは
水に対する溶解度、電子状態、立体障害の程度々どが大
きく異ガるので、反応挙動はアクリロニトリルとは異な
ったものを示す。ちなみに、本発明者らが、アクリロニ
トリルの電解還元2量化として通常採用されている東件
でメタクリロニトリルの電Mf:試みたところ、比較例
6から明らかなように、2,5−ジメチルヘキサンジニ
トリルはほとんど生成せず、実用には不適であることが
わかった。
ニトリルの電解還元2月化によるアジポニトリルの工業
的製造方法としては、水銀陰極を用いない方法が一般に
行なわれている。しかし、同じ電解還元2量化とはいっ
ても、出発物質のニトリルの構造によって、生成物の還
元2量体の収率は大きく嚢なり、単純な技術の転1Hk
よよい結果を与えない。すなわち、メ・タクリロニトリ
ルはそのメチル基の存在のため、アクリロニトリルとは
水に対する溶解度、電子状態、立体障害の程度々どが大
きく異ガるので、反応挙動はアクリロニトリルとは異な
ったものを示す。ちなみに、本発明者らが、アクリロニ
トリルの電解還元2量化として通常採用されている東件
でメタクリロニトリルの電Mf:試みたところ、比較例
6から明らかなように、2,5−ジメチルヘキサンジニ
トリルはほとんど生成せず、実用には不適であることが
わかった。
本発明者らは、上記のような問題点を解決すべく水銀を
用いない2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製法を
鋭意検討した結果、鉛、銅、亜鉛、炭素、チタン、およ
び錫の群から選ばれた少なくとも一つの元素をヨミ成分
とする陰極を用いて、適切な4級アンモニウム塩および
水の存在する非プロトン性極性溶媒中で、メタクリロニ
トリルを電解還元2量化することによシ、高選択率、高
11C流効率で、2,5−ジメチルヘキサンジニトリル
が生成することを見出し、すでに特許出願した(特願昭
58−91465号)。
用いない2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製法を
鋭意検討した結果、鉛、銅、亜鉛、炭素、チタン、およ
び錫の群から選ばれた少なくとも一つの元素をヨミ成分
とする陰極を用いて、適切な4級アンモニウム塩および
水の存在する非プロトン性極性溶媒中で、メタクリロニ
トリルを電解還元2量化することによシ、高選択率、高
11C流効率で、2,5−ジメチルヘキサンジニトリル
が生成することを見出し、すでに特許出願した(特願昭
58−91465号)。
しかしながら、上記!+!f願昭58−91465号の
方法を回分式で行なう場合は、累積の通電tを多くする
と、選択率、電流効率ともに低下してし笠い、最高選択
率および/または最高電流効率を得るためには、通電量
を仕込みメタクリロニトリル1 moAあたり0.2〜
0.6フアラデイー(F)の範囲内にとどめる必要があ
るという問題があり、工業的実施によシ好ましい連続電
解技術、それも安定して高い反応成績が得られる連船−
化技術が望まれていた。
方法を回分式で行なう場合は、累積の通電tを多くする
と、選択率、電流効率ともに低下してし笠い、最高選択
率および/または最高電流効率を得るためには、通電量
を仕込みメタクリロニトリル1 moAあたり0.2〜
0.6フアラデイー(F)の範囲内にとどめる必要があ
るという問題があり、工業的実施によシ好ましい連続電
解技術、それも安定して高い反応成績が得られる連船−
化技術が望まれていた。
そこで、本発明者らは、メタクリロニトリルのiU、M
M元2究″化の連続化技術について鋭意検8・1シ友
部果、メタクリロニトリルおよび水の濃度k 一定範囲
内の任意の水準に剤1持すれば、高31q択率、高電流
効率で、連続的に2,5−ジメチルヘキサンジニトリル
が生成することを見出し、本発明に至った。
M元2究″化の連続化技術について鋭意検8・1シ友
部果、メタクリロニトリルおよび水の濃度k 一定範囲
内の任意の水準に剤1持すれば、高31q択率、高電流
効率で、連続的に2,5−ジメチルヘキサンジニトリル
が生成することを見出し、本発明に至った。
本発明の目的は、水釦市、極を月jいない高選択率およ
び高電流効率の電解による2、5−ジメチルベキサンジ
ニ) IJルの収率のよい連続的製法”k Jl+j供
するととにある。
び高電流効率の電解による2、5−ジメチルベキサンジ
ニ) IJルの収率のよい連続的製法”k Jl+j供
するととにある。
すなわち、上記目的を達成した本発明は、メタクリロニ
トリルを、一般式 ル基、XOはモノアルキル硫酸アーオン、芳香族スルホ
ン酸アニオン、ハロゲンアニオン、リン酸アニオンおよ
び過塩素酸アニオンの群から選ばれた少ガくとも一つの
対アニオンを表わす。)で示される4級アンモニウム塩
および水の存在する非プロトン性極性溶媒中で、鉛、銅
、亜鉛、炭素、チタン、および錫の群から選ばれた少な
くとも一つの元素を生成分とする陰極を用い、メタクリ
ロニトリルの濃度を5〜40重i%の範囲内の任意の水
準に、かつ水の濃度を8〜・25重量%の範囲内の任意
の水準に各々維持し外から、連続的に電解還元2賃化す
ることに%徴としている。
トリルを、一般式 ル基、XOはモノアルキル硫酸アーオン、芳香族スルホ
ン酸アニオン、ハロゲンアニオン、リン酸アニオンおよ
び過塩素酸アニオンの群から選ばれた少ガくとも一つの
対アニオンを表わす。)で示される4級アンモニウム塩
および水の存在する非プロトン性極性溶媒中で、鉛、銅
、亜鉛、炭素、チタン、および錫の群から選ばれた少な
くとも一つの元素を生成分とする陰極を用い、メタクリ
ロニトリルの濃度を5〜40重i%の範囲内の任意の水
準に、かつ水の濃度を8〜・25重量%の範囲内の任意
の水準に各々維持し外から、連続的に電解還元2賃化す
ることに%徴としている。
本発明技術においては、メタクリロニトリルの濃度およ
び水の濃度が反応成績に大きな影響全力える。とくに水
の濃)秒が数重量襲異なるだけで、反応成績が大きく変
化する。すなわち、水の濃度が数重量係上昇するだけで
、目的物である2、5−ジメチルヘキサンジニトリルの
電流助出および選択率が低下し、かわって、メククリロ
ニトリルの還元単量体であるインブチロニトリルが多く
生成するようになる。さらに駕くべきことに、メタクリ
ロニトリルの濃度が高いほどイソブチロニトリルの生成
量が多くなり、ある程度以上のグル度では2.5−ジメ
チルへギサンジニトリルのftj流効蚕および選択率が
低下する。
び水の濃度が反応成績に大きな影響全力える。とくに水
の濃)秒が数重量襲異なるだけで、反応成績が大きく変
化する。すなわち、水の濃度が数重量係上昇するだけで
、目的物である2、5−ジメチルヘキサンジニトリルの
電流助出および選択率が低下し、かわって、メククリロ
ニトリルの還元単量体であるインブチロニトリルが多く
生成するようになる。さらに駕くべきことに、メタクリ
ロニトリルの濃度が高いほどイソブチロニトリルの生成
量が多くなり、ある程度以上のグル度では2.5−ジメ
チルへギサンジニトリルのftj流効蚕および選択率が
低下する。
連続電解による2、5−ヘキサンジニトリルの製法にお
いて維持すべきメタクリロニトリルおよび水の濃度と、
回分式反応における反応開始時のそれらの濃度とは、本
質的に異なるものである。すなわち、メタクリロニトリ
ルの濃度は前述したように、回分式の場合、通電量に応
じイへ下していくため、実際に反応に適したe度は不明
であシ、一つの指標として、反応開始時の濃度を規定す
ることができるにすぎ々い。さらに、隔lF′l電解に
おいては、回分式の場合、通電量に応じ移動水が増加し
、陰極液中の水濃度が上昇するため1反応開始時の霞度
は一つの指標であシ、実際に反応に適した濃度はやはシ
ネ明である。
いて維持すべきメタクリロニトリルおよび水の濃度と、
回分式反応における反応開始時のそれらの濃度とは、本
質的に異なるものである。すなわち、メタクリロニトリ
ルの濃度は前述したように、回分式の場合、通電量に応
じイへ下していくため、実際に反応に適したe度は不明
であシ、一つの指標として、反応開始時の濃度を規定す
ることができるにすぎ々い。さらに、隔lF′l電解に
おいては、回分式の場合、通電量に応じ移動水が増加し
、陰極液中の水濃度が上昇するため1反応開始時の霞度
は一つの指標であシ、実際に反応に適した濃度はやはシ
ネ明である。
本発明においては、連続的Vこ電Mを行ないつつ生成物
′ff:取り出し、消費されたメタクリロニトリルを供
給し、かつ隔膜1u、解の場合は、さらに移動水に相当
する水を反応糸から抜き出し、て、メククリロニ) I
Jルおよび水の濃度を一定の6度範囲に保つことにより
、目的物である2、5−ジメチルベキサガニトリルが高
い反応成績で得られるメククIJ Oニトリルおよび水
の濃度範囲ケ検削シ2、メタクリロニトリルの濃度を5
〜40重童嘱の範囲内の任意の水準に、かつ、水の濃度
(l:8〜25重量%の範囲内の任意の水準に各々維持
すれば、2,5−ジメチルヘキサンジニトリルが連続的
に高部、ωLダ1率、高選択率で得られることを見出し
たのである。
′ff:取り出し、消費されたメタクリロニトリルを供
給し、かつ隔膜1u、解の場合は、さらに移動水に相当
する水を反応糸から抜き出し、て、メククリロニ) I
Jルおよび水の濃度を一定の6度範囲に保つことにより
、目的物である2、5−ジメチルベキサガニトリルが高
い反応成績で得られるメククIJ Oニトリルおよび水
の濃度範囲ケ検削シ2、メタクリロニトリルの濃度を5
〜40重童嘱の範囲内の任意の水準に、かつ、水の濃度
(l:8〜25重量%の範囲内の任意の水準に各々維持
すれば、2,5−ジメチルヘキサンジニトリルが連続的
に高部、ωLダ1率、高選択率で得られることを見出し
たのである。
以下、本発明の詳細な説明する。
従来、メタクリロニトリルの類似物質であるアクリロニ
トリルの電解還元2賃化においては、出発物質の濃度が
高いほど2景化に有利であシ、単量体への還元が抑制さ
れるといわれてきた〔例えrat、 M、M、Bajz
er、J、Elcctrochemical Soc、
、111 (2)p215−222(1964)〕。
トリルの電解還元2賃化においては、出発物質の濃度が
高いほど2景化に有利であシ、単量体への還元が抑制さ
れるといわれてきた〔例えrat、 M、M、Bajz
er、J、Elcctrochemical Soc、
、111 (2)p215−222(1964)〕。
しかしながら、詳細な検討の結果、驚くべきことに、メ
タクリロニトリルのam−が高いほど還元単量体である
インブチロニトリルの生成が増加し、メククリロニ)
IJルの濃度がある451度低い方が、還元2量体であ
る2、5−ジメチルヘキサンジニトリルの電流効率およ
び選択率が高くなる、そこで、本発明の連続的製造方法
で維持すべきメタクIJ rJニトリルの電解反応液中
濃度は、5〜4 Q pt、 m係の範囲内するが、よ
り大きな管理幅であってもよい。たたし、連続電WFk
安定して行なうために11、設定値の±2%程度の管理
幅が好フしい。比較例にも示したように、メタクリロニ
トリルの濃度が棒端に低いと、2,5−ジメチルヘキサ
ンジニトリルの反応成績が低下してしまう。メタクリヮ
ニトリルの濃度が高すぎると、2,5−ジメチルへギザ
ンジニトリルの反応成績が低下するとともに、電流密度
の大きさによっては、ポリマー状の物質が少量ながら生
成する場合があシ、それが電極表面やプロセス中の隘路
に蓄積することにより、安定運転に支障をきたす恐れが
ある。
タクリロニトリルのam−が高いほど還元単量体である
インブチロニトリルの生成が増加し、メククリロニ)
IJルの濃度がある451度低い方が、還元2量体であ
る2、5−ジメチルヘキサンジニトリルの電流効率およ
び選択率が高くなる、そこで、本発明の連続的製造方法
で維持すべきメタクIJ rJニトリルの電解反応液中
濃度は、5〜4 Q pt、 m係の範囲内するが、よ
り大きな管理幅であってもよい。たたし、連続電WFk
安定して行なうために11、設定値の±2%程度の管理
幅が好フしい。比較例にも示したように、メタクリロニ
トリルの濃度が棒端に低いと、2,5−ジメチルヘキサ
ンジニトリルの反応成績が低下してしまう。メタクリヮ
ニトリルの濃度が高すぎると、2,5−ジメチルへギザ
ンジニトリルの反応成績が低下するとともに、電流密度
の大きさによっては、ポリマー状の物質が少量ながら生
成する場合があシ、それが電極表面やプロセス中の隘路
に蓄積することにより、安定運転に支障をきたす恐れが
ある。
メタクリロニトリルの濃度を一定に保つ方法の一例とし
ては、電解反応液から蒸留によって反応生成物全抜き出
した後、電解により消費され、または蒸留により留去さ
れた開に相当するメククリロニトリルを添カロし、再び
電解に供するプロセスが挙けられる。
ては、電解反応液から蒸留によって反応生成物全抜き出
した後、電解により消費され、または蒸留により留去さ
れた開に相当するメククリロニトリルを添カロし、再び
電解に供するプロセスが挙けられる。
次に、本発明で維持すべき水の11L解反応液中の濃度
は、8〜25重量%の範囲内の任意の水準であシ、よシ
好ましくは10〜15重量%の範、凹円の任意の水準で
ある。水濃度の管理は、設定値の±2〜3%程度の管理
幅が好ましい。比較例5にも示したように、水の濃度が
極めて低いと、2,5−ジメチルへキ茗ンジニトリルの
電流効率、とシわけ選択率が低く、ポリマー状物質が生
成してしまうので好ま しくない。水の濃度が棒端に高
いと、2.5−ジメチルヘキサンジニトリルの反応成績
が低下し、かわってイソブチロニトリルが多く生成する
ようになる。
は、8〜25重量%の範囲内の任意の水準であシ、よシ
好ましくは10〜15重量%の範、凹円の任意の水準で
ある。水濃度の管理は、設定値の±2〜3%程度の管理
幅が好ましい。比較例5にも示したように、水の濃度が
極めて低いと、2,5−ジメチルへキ茗ンジニトリルの
電流効率、とシわけ選択率が低く、ポリマー状物質が生
成してしまうので好ま しくない。水の濃度が棒端に高
いと、2.5−ジメチルヘキサンジニトリルの反応成績
が低下し、かわってイソブチロニトリルが多く生成する
ようになる。
隔膜電解においては、前述したように、移動水のため水
の濃度が経時的に上昇してくる。そのため水濃度を一定
に保つためには、例えば、電yf1反応液から蒸留によ
って移動水相当分の水を除去していく必要がある。
の濃度が経時的に上昇してくる。そのため水濃度を一定
に保つためには、例えば、電yf1反応液から蒸留によ
って移動水相当分の水を除去していく必要がある。
本発明において、メタクリロニ) IJル濃度および水
濃度以外の電解条件については、次の3者の絹合せが重
要である。すなわち、電解支持塩としての4級゛アンモ
ニウム場、非プロトン性極性溶媒、および〔鉛、銅、亜
鉛、炭素、チタン、錫〕の肝から選ばれた少なくとも一
つの元素を主成分とする陰極の3者の糾合せが重要であ
り、このうちいずれかが欠けても、目的物である2、5
−ジメチルヘキサンジニトリルの選択率および/または
電流効率が低下する。
濃度以外の電解条件については、次の3者の絹合せが重
要である。すなわち、電解支持塩としての4級゛アンモ
ニウム場、非プロトン性極性溶媒、および〔鉛、銅、亜
鉛、炭素、チタン、錫〕の肝から選ばれた少なくとも一
つの元素を主成分とする陰極の3者の糾合せが重要であ
り、このうちいずれかが欠けても、目的物である2、5
−ジメチルヘキサンジニトリルの選択率および/または
電流効率が低下する。
本発明に係るメタクリロニトリルの’ijj:解2童化
による2、5−ジメチルへキッーンジごトリルの製造方
法においては、上記6者(4級アンモニウム塩、非プロ
トン性極性溶媒、前述した陰極)の絹合せによシ、水銀
を用いないで目的物雀高い選択率および/″!、たけ電
流効率で得ることができるのである。
による2、5−ジメチルへキッーンジごトリルの製造方
法においては、上記6者(4級アンモニウム塩、非プロ
トン性極性溶媒、前述した陰極)の絹合せによシ、水銀
を用いないで目的物雀高い選択率および/″!、たけ電
流効率で得ることができるのである。
さらに、本発明方法の最も好ましい実施態様においては
、水銀を用いた回分式反応の場合と同等またはそれ以上
の選択率および/または電流9J+率で、2,5−ジメ
チルへギザンジニトリルを連続的に得ることが可能であ
る。すなわち、本発明方法のうちでも、最も好寸しい4
級アンモニウム塩として、一般式 %式% 5〜16であり R5が炭素数4以下のアルキル基を表
わす。(R5としてはエチル基が最も好ましい。)〕で
示される4級アンモニウム−モノアルキル硫酸塩を用い
、最も好ましい非プロトン性溶妨としてジメチルスルホ
キシドを用い、かつ陰極として鉛、銅、亜鉛、炭素の群
から選ばれた少なくとも一つの元素ケ主成分とする陰極
を用いた板台には、メタクリロニトリル濃I]si p
s〜4o升量係の1lIii囲内の任意の水準に、が
っ木簡utを8〜25重弁チの範囲内の任意の水準に維
持ず扛げ、連続的かつ長時間安定して65〜80%程度
の選択率および/−またけ電流効率という男常に高い反
応成績で、目的とする2、5−ジメチルヘキサンジニト
リルが得らJするのである。
、水銀を用いた回分式反応の場合と同等またはそれ以上
の選択率および/または電流9J+率で、2,5−ジメ
チルへギザンジニトリルを連続的に得ることが可能であ
る。すなわち、本発明方法のうちでも、最も好寸しい4
級アンモニウム塩として、一般式 %式% 5〜16であり R5が炭素数4以下のアルキル基を表
わす。(R5としてはエチル基が最も好ましい。)〕で
示される4級アンモニウム−モノアルキル硫酸塩を用い
、最も好ましい非プロトン性溶妨としてジメチルスルホ
キシドを用い、かつ陰極として鉛、銅、亜鉛、炭素の群
から選ばれた少なくとも一つの元素ケ主成分とする陰極
を用いた板台には、メタクリロニトリル濃I]si p
s〜4o升量係の1lIii囲内の任意の水準に、が
っ木簡utを8〜25重弁チの範囲内の任意の水準に維
持ず扛げ、連続的かつ長時間安定して65〜80%程度
の選択率および/−またけ電流効率という男常に高い反
応成績で、目的とする2、5−ジメチルヘキサンジニト
リルが得らJするのである。
本発明に用いる陰極材訃1は、鉛、外1、他船、炭素、
チタン、および錫のf++−がらシば才lた少なくとも
一つの元素を主成分とするΔ2料である。例えば鉛のJ
〃合は、純鉛、アンチモンを含むイ便釦、鉛−錫合金、
鉛−銅合金々とが挙けられる。炭素の場合性、黒鉛、グ
ラッシーカーボンなどがd;けられる。さらに反応成績
の点、加工の容易さ、価格、フィルタープレス型電槽に
した場合の強度、および工業的入手のしやすさなどから
、鉛または鉛を主成分とする合金がよυ好せしい。これ
らの例としては、先述した純鉛、アンチモンを言む硬鉛
、鉛−錫合金、鉛−銅合金力どが挙げられる。
チタン、および錫のf++−がらシば才lた少なくとも
一つの元素を主成分とするΔ2料である。例えば鉛のJ
〃合は、純鉛、アンチモンを含むイ便釦、鉛−錫合金、
鉛−銅合金々とが挙けられる。炭素の場合性、黒鉛、グ
ラッシーカーボンなどがd;けられる。さらに反応成績
の点、加工の容易さ、価格、フィルタープレス型電槽に
した場合の強度、および工業的入手のしやすさなどから
、鉛または鉛を主成分とする合金がよυ好せしい。これ
らの例としては、先述した純鉛、アンチモンを言む硬鉛
、鉛−錫合金、鉛−銅合金力どが挙げられる。
次に本発明で用いられる4級アンモニウム塩は、一般式
(式中、R1,R2,R3,R4は炭素数4以下のアル
ギル基、X○はモノアーキ・・硫酸アニオン、芳香族ス
ルホン酸アニオン、ハロゲンアニオン、リン酸アニオン
、過塩素酸アニオンの11fから選ばれた少なくとも一
つの対アニオンを表わす。)で示される4級アンモニウ
ム塩である。
ギル基、X○はモノアーキ・・硫酸アニオン、芳香族ス
ルホン酸アニオン、ハロゲンアニオン、リン酸アニオン
、過塩素酸アニオンの11fから選ばれた少なくとも一
つの対アニオンを表わす。)で示される4級アンモニウ
ム塩である。
上記4級アンモニウム塩のアンモニウム・カチオンの太
ささについては R1〜I(,4が炭素数4以下である
ことが好ましい。R1−R4がブチル基よりも大きな炭
素数5以上のアルキル基になった場合、目的物である2
、5−ジメチルヘキサンジニトリルの選択率および電μ
を効率が低下し、ポリマー状物質が多く生成するため適
さない。さらに、炭素数4以下のアルキル基からなる4
級アンモニウノ・カチオンのうちでも、炭素数の総和が
5〜16である4級アンモニウムカチオンが好ましい。
ささについては R1〜I(,4が炭素数4以下である
ことが好ましい。R1−R4がブチル基よりも大きな炭
素数5以上のアルキル基になった場合、目的物である2
、5−ジメチルヘキサンジニトリルの選択率および電μ
を効率が低下し、ポリマー状物質が多く生成するため適
さない。さらに、炭素数4以下のアルキル基からなる4
級アンモニウノ・カチオンのうちでも、炭素数の総和が
5〜16である4級アンモニウムカチオンが好ましい。
炭素数の総和が4以下のアンモニウムカナオン、すなわ
ち、ブトラメチルアンモニウムカチオン以下の小さガア
ンモニウムカチオン(R1□ R4が水素原子である場
合も含む)の場合は、2,5−ジメチルへキツンジニト
リルの選択率および電流効率が低下し、かわってメタク
リロニトリル単」け体の還元体であるインブチロニトリ
ルが多く生成するようになる。
ち、ブトラメチルアンモニウムカチオン以下の小さガア
ンモニウムカチオン(R1□ R4が水素原子である場
合も含む)の場合は、2,5−ジメチルへキツンジニト
リルの選択率および電流効率が低下し、かわってメタク
リロニトリル単」け体の還元体であるインブチロニトリ
ルが多く生成するようになる。
一方、炭素数の総和が17以」二の歩合は、ポリマー状
物質が生成するようになり、2,5−ジメチルヘキサン
ジニトリルの選択率および電流効率が低下するので好ま
しくない。炭素数の総和が5−・16の4級アンモニウ
ムカチメンの中でモ、R1〜R20゛アルキル基がエチ
ル基および/洩たはプロピル基および/またはブチル基
である4級アンモニウムカチオンが反応成績の点から最
も好ましい。
物質が生成するようになり、2,5−ジメチルヘキサン
ジニトリルの選択率および電流効率が低下するので好ま
しくない。炭素数の総和が5−・16の4級アンモニウ
ムカチメンの中でモ、R1〜R20゛アルキル基がエチ
ル基および/洩たはプロピル基および/またはブチル基
である4級アンモニウムカチオンが反応成績の点から最
も好ましい。
さらに、4級アンモニウム塩の幻アニオンについては、
モノアルキル硫酸アニオ/、芳香族スルホン酸アニオン
、ハロゲンアニオン、リン酸アニオン、過塩素酸アニオ
ンの群から選ばれた少なくとも一つのアニオンが好まし
い。
モノアルキル硫酸アニオ/、芳香族スルホン酸アニオン
、ハロゲンアニオン、リン酸アニオン、過塩素酸アニオ
ンの群から選ばれた少なくとも一つのアニオンが好まし
い。
上記のアニオン群の中でも、一般式
%式%
(ただし、R5は炭素数3以下のアルキル基金表ゎす。
)
で示されるモノアルキル(IIit酸アニオン、一般式
(ただし、R6はH’!:たはCH3’i表わす。)好
ましい。これらの中で、とりわけ ++ これらの対アニオンが反応成績に寿える影響については
明らかではないが、一つにはメタクリロニ) IJル、
水、溶媒の相互溶f+7F黒を増し、系の均一性を高め
る働きの大小、あるいは陰極表面に特異吸着して、陰極
表面の反応場の状態を還元2量化に有利なようにする働
きの大小などが考えられる。
(ただし、R6はH’!:たはCH3’i表わす。)好
ましい。これらの中で、とりわけ ++ これらの対アニオンが反応成績に寿える影響については
明らかではないが、一つにはメタクリロニ) IJル、
水、溶媒の相互溶f+7F黒を増し、系の均一性を高め
る働きの大小、あるいは陰極表面に特異吸着して、陰極
表面の反応場の状態を還元2量化に有利なようにする働
きの大小などが考えられる。
以上述べた4級アンモニウム塩の中で、好捷しいもの全
例示すると、テトラエチルアンモニウムモノエチルサル
フェート、テトラ−n−フロビルアンモニウムモノエチ
ルザル7エート、テトラ−9−プロピルアンモニウムモ
ノ−n−プロビルザルフエー)、)+7−n−プロビル
エチルアンモニムウモノエチルザルフエート、トリエチ
ルメチルアンモニウムモノエチルザル7エート、トリエ
チルメチルアンモニウムモノメチルザルフェート、テト
ラエチルアンモニウムバラトルエンスルフオネート、テ
トラーロープロビルアンモニウムノ(ラドルエンスルフ
ォネート、テトラエチルアンモニウムリン酸2水素塩、
テトラエチルアンモニウムクロライトガとが挙けられる
。ただし、サルフェートは硫酸塩、スルツメネートはス
ルホン酸塩全庁す。これらの堝の混合物または他の塩と
上記の塙との混合物ももち ろん用いられる。
例示すると、テトラエチルアンモニウムモノエチルサル
フェート、テトラ−n−フロビルアンモニウムモノエチ
ルザル7エート、テトラ−9−プロピルアンモニウムモ
ノ−n−プロビルザルフエー)、)+7−n−プロビル
エチルアンモニムウモノエチルザルフエート、トリエチ
ルメチルアンモニウムモノエチルザル7エート、トリエ
チルメチルアンモニウムモノメチルザルフェート、テト
ラエチルアンモニウムバラトルエンスルフオネート、テ
トラーロープロビルアンモニウムノ(ラドルエンスルフ
ォネート、テトラエチルアンモニウムリン酸2水素塩、
テトラエチルアンモニウムクロライトガとが挙けられる
。ただし、サルフェートは硫酸塩、スルツメネートはス
ルホン酸塩全庁す。これらの堝の混合物または他の塩と
上記の塙との混合物ももち ろん用いられる。
上述の4級アンモニウム塩の中でも、反応成績の点で最
も好ましいのは、トリーロープロピルエチルアンモニウ
ムモノエチルサルフェート、テトラエチルアンモニウム
モノエチルサルフェート、およびテトラ−n−プロピル
アンモニウムモノエチルサルフェートから選ばれる少々
くとも一つの4級アンモニウム塩である。
も好ましいのは、トリーロープロピルエチルアンモニウ
ムモノエチルサルフェート、テトラエチルアンモニウム
モノエチルサルフェート、およびテトラ−n−プロピル
アンモニウムモノエチルサルフェートから選ばれる少々
くとも一つの4級アンモニウム塩である。
ガお、硫酸のような無機物質も支持電解質として用いる
ことができるが、反応成績はよくない。
ことができるが、反応成績はよくない。
次に、本発明で用いる溶媒について説明する。
メタクリロニトリルは水に対する溶解度が低いためか、
催屏反応を有jI9層と水層のエマルジョン系で行なう
と、メタクリロニトリルの還元単量体であるインブチロ
ニトリルが多く生成する。そのたメ、2,5−ジメチル
ベキサンジニトリルヲ選択出良く得るには、反応系を均
一にすることが好ましい。溶媒としては、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリド
ン等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。非プロトン性
極性溶媒の中でも/メチルスルホギシドおよびジメチル
ホルムアミドが好1しく、とりわけジメチルスルホキシ
ドにおいて2,5−ジメチルベキザンジニ) IJルの
高い電流動量および選択率が15すら才1、最も好まし
い。メタノールのようなノロトン性溶媒中では、還元単
量体であるインブチロニトリルが主生成物となってし甘
う。このような顕著な溶媒効果の原因は明らかでないが
、メタクリロニトリル、水、4級アンモニウム塩の相互
溶解度ケ高める均−化部の差異たけではなく、出発原料
および反応中間体への溶媒和の差異が大きく影与:セし
ているものと思われる。
催屏反応を有jI9層と水層のエマルジョン系で行なう
と、メタクリロニトリルの還元単量体であるインブチロ
ニトリルが多く生成する。そのたメ、2,5−ジメチル
ベキサンジニトリルヲ選択出良く得るには、反応系を均
一にすることが好ましい。溶媒としては、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリド
ン等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。非プロトン性
極性溶媒の中でも/メチルスルホギシドおよびジメチル
ホルムアミドが好1しく、とりわけジメチルスルホキシ
ドにおいて2,5−ジメチルベキザンジニ) IJルの
高い電流動量および選択率が15すら才1、最も好まし
い。メタノールのようなノロトン性溶媒中では、還元単
量体であるインブチロニトリルが主生成物となってし甘
う。このような顕著な溶媒効果の原因は明らかでないが
、メタクリロニトリル、水、4級アンモニウム塩の相互
溶解度ケ高める均−化部の差異たけではなく、出発原料
および反応中間体への溶媒和の差異が大きく影与:セし
ているものと思われる。
本発明方法では、電!’r行な・うにあたって、メタク
リロニトリル、溶媒、4級アンモニウム塩、反応生成物
などが陽極上で酸化されるのを防ぐため、隔膜を用いて
陽極室(と@極室に仕切ることが望ましい。隔膜として
は陽イオン交換膜、素焼の隔膜々どが用いられる。一般
には陽イオン交換膜が好捷しい。
リロニトリル、溶媒、4級アンモニウム塩、反応生成物
などが陽極上で酸化されるのを防ぐため、隔膜を用いて
陽極室(と@極室に仕切ることが望ましい。隔膜として
は陽イオン交換膜、素焼の隔膜々どが用いられる。一般
には陽イオン交換膜が好捷しい。
陽極液としては、硫酸、リン酸、扁酸などの無機酸の水
溶液や、パラトルエンスルホン酸、酢酸なとの有磯酸の
水溶液および4級アンモニウム塩の水溶液などが用いら
れる。これらの陽極液は、陰祢上での電解還元2和化反
応の成績には大きな影響を与え安いが、陽極液の支持、
電解質として」1記有機酸や4級アンモニウム塩なとの
有機物を用いると、これらの有機物が酸化されてしまう
ので好1しく寿い。したがって、陽極液としては、硫酸
、リン酸、塩酸などの無機酸の水溶液が好ましい。なか
でも硫酸は、陽極で発生するガスが酸素であシ安全上好
ましく、価格の点からも硫酸が最も好ましい。
溶液や、パラトルエンスルホン酸、酢酸なとの有磯酸の
水溶液および4級アンモニウム塩の水溶液などが用いら
れる。これらの陽極液は、陰祢上での電解還元2和化反
応の成績には大きな影響を与え安いが、陽極液の支持、
電解質として」1記有機酸や4級アンモニウム塩なとの
有機物を用いると、これらの有機物が酸化されてしまう
ので好1しく寿い。したがって、陽極液としては、硫酸
、リン酸、塩酸などの無機酸の水溶液が好ましい。なか
でも硫酸は、陽極で発生するガスが酸素であシ安全上好
ましく、価格の点からも硫酸が最も好ましい。
陽極材料としては陽極液に対して十分な耐食性があるも
のであればよく、例えば、鉛、白金またはこれらの金属
を主体とする合金、二酸化鉛のよう&lN化物拐料1ま
たは他の金属にこれらの金属、合金をメッキしたものが
用いられる。
のであればよく、例えば、鉛、白金またはこれらの金属
を主体とする合金、二酸化鉛のよう&lN化物拐料1ま
たは他の金属にこれらの金属、合金をメッキしたものが
用いられる。
本発明の反応は、電解液中に重合防止削全存在させて行
なうことが好ましい。重合防止6剤としては、α、β−
不飽和二トリルの重合防止削として一般に用いられるも
のを使用することができる。
なうことが好ましい。重合防止6剤としては、α、β−
不飽和二トリルの重合防止削として一般に用いられるも
のを使用することができる。
たとえば、神原 拘着「アクリロニトリル−その化学と
工業−JP41(技報堂)に記載されているものがあけ
られ、−例をあけると、アルキルアミン、アルキルヒド
ラジン、アルキルツノしファイド、アルギルメルカプタ
ン、アントラセン、芳香族ニトロ化合物、α−ナフチル
アミン、ピリジン、m 素、臭素、ハイドロキノンモノ
メチルエーテル、ヨウ素、アンモニア、ハロゲンヲ含む
4級アンモニウム塩、水、ベンゾキノン、鉄、銅、鉛、
水銀外どである。
工業−JP41(技報堂)に記載されているものがあけ
られ、−例をあけると、アルキルアミン、アルキルヒド
ラジン、アルキルツノしファイド、アルギルメルカプタ
ン、アントラセン、芳香族ニトロ化合物、α−ナフチル
アミン、ピリジン、m 素、臭素、ハイドロキノンモノ
メチルエーテル、ヨウ素、アンモニア、ハロゲンヲ含む
4級アンモニウム塩、水、ベンゾキノン、鉄、銅、鉛、
水銀外どである。
これらの中でも、溶解度、反応酸・績、陰極」−で析出
し寿いなどの点で、フェノール万1、ヨウ素、アンモニ
ア、ナフチルアミン類、フエノチアジンおよびこれらの
混合物が好ましい。フェノール類としては、ハイドロキ
ノン、ピロガロール、ノ・イドロキノンモノメチルエー
テルカとが誉けられ、中でもハイドロキノンが好ましい
。
し寿いなどの点で、フェノール万1、ヨウ素、アンモニ
ア、ナフチルアミン類、フエノチアジンおよびこれらの
混合物が好ましい。フェノール類としては、ハイドロキ
ノン、ピロガロール、ノ・イドロキノンモノメチルエー
テルカとが誉けられ、中でもハイドロキノンが好ましい
。
本発明の反応は10〜80Cで実施することができる。
その範囲内でも反応成績の点で20〜60′cが好まし
い。あまp低温では、通電時の除熱のためのエネ゛ルギ
ー消費が太きCD実用的でない。あまり高温では、反応
成績の低下がおきるので好壕しくない。
い。あまp低温では、通電時の除熱のためのエネ゛ルギ
ー消費が太きCD実用的でない。あまり高温では、反応
成績の低下がおきるので好壕しくない。
本発明の反応において、電解液のp)(は1〜12に保
って実施することが好ましい。さらに女子ましくはpH
6〜11であり、より好1しくは1)H4〜9で実施さ
れる。pHがあ捷9低いと、溶媒や4級アンモニウム堪
のS類によっては溶媒や4級アンモニウム堪の分解がお
こる場合があシ好ましくなく、I)Hがあ壕υ高いと、
メククリロニトリルに対する水酸イオンの攻撃によって
、2−メチル−3−ヒドロキクプロl(ンニトリルやそ
の脱水縮合物である2、6−シメチルー4−オキサヘプ
タンジニトリルが生成し、目的物である2、5−ジメチ
ルヘキサンジニトリルの選択率が下がってしまい、やは
シ好ましくない。
って実施することが好ましい。さらに女子ましくはpH
6〜11であり、より好1しくは1)H4〜9で実施さ
れる。pHがあ捷9低いと、溶媒や4級アンモニウム堪
のS類によっては溶媒や4級アンモニウム堪の分解がお
こる場合があシ好ましくなく、I)Hがあ壕υ高いと、
メククリロニトリルに対する水酸イオンの攻撃によって
、2−メチル−3−ヒドロキクプロl(ンニトリルやそ
の脱水縮合物である2、6−シメチルー4−オキサヘプ
タンジニトリルが生成し、目的物である2、5−ジメチ
ルヘキサンジニトリルの選択率が下がってしまい、やは
シ好ましくない。
陰極面上での電流密度については、I A / a ”
”〜50A/dmzが好ましい。1h7’dm”未満で
は生産性が低下し、広面積の電極が必要とカリ、50A
/d′nI2を超えると液抵抗による発熱が激し・く実
用的でない。反応成績の点からは1〜60A/dm2が
好ましく、より女子1しくは5〜25A / dra2
で行表われる。
”〜50A/dmzが好ましい。1h7’dm”未満で
は生産性が低下し、広面積の電極が必要とカリ、50A
/d′nI2を超えると液抵抗による発熱が激し・く実
用的でない。反応成績の点からは1〜60A/dm2が
好ましく、より女子1しくは5〜25A / dra2
で行表われる。
電解反応液の流通線速度(r、 v )は、%、極表面
への物質移動が円滑に行なわ扛るよう庁速度でちればよ
(,0,1,〜5 m7秒が好プしい。
への物質移動が円滑に行なわ扛るよう庁速度でちればよ
(,0,1,〜5 m7秒が好プしい。
本発明方法の実施の一態様全図面にもとすいて説明する
。図面は、隔膜’17.解の場合のメタクリロニトリル
(MAN)の2量化による2、5−ジメチルヘキサンジ
ニトリル(DIM)の製造法を説明するブロックフロー
チャートの一例であ′る。
。図面は、隔膜’17.解の場合のメタクリロニトリル
(MAN)の2量化による2、5−ジメチルヘキサンジ
ニトリル(DIM)の製造法を説明するブロックフロー
チャートの一例であ′る。
2はフィルタープレス′型の電解槽であり、陽極液タン
ク1内の陽極液(通常硫酸水溶液を用いる)は、電解槽
2の陽極室へ供給され、再び陽極液タンク1へ戻ってく
る。Aは電解槽2で発生した酸素であシ、陽極液タンク
1から人気中へ放出される。移動水および反応で消費さ
れる水(陽極での酸素発生および陰極でのプロトンの消
費に対応する水)に相当する水Bが陽極液タンク1へ連
続的にフィードされる。
ク1内の陽極液(通常硫酸水溶液を用いる)は、電解槽
2の陽極室へ供給され、再び陽極液タンク1へ戻ってく
る。Aは電解槽2で発生した酸素であシ、陽極液タンク
1から人気中へ放出される。移動水および反応で消費さ
れる水(陽極での酸素発生および陰極でのプロトンの消
費に対応する水)に相当する水Bが陽極液タンク1へ連
続的にフィードされる。
電解反応液は陰極液タンク6に保持さ扛ておシ、電解槽
2の陰極室へ供給され電解還元2量化反応を受けた後、
陰極液タンク6へ戻ってくる。陰極液り顎り6から反応
液の一部〔移動水に相当する童の水を系外へ抜き出すこ
と、および生成する2、5−ジメチルヘキサンジニトリ
ル(以下DIMと略記する)全抜き串すことの二つの条
件を満たす週〕が抜き出され、脱水塔4ヘフイードされ
る。
2の陰極室へ供給され電解還元2量化反応を受けた後、
陰極液タンク6へ戻ってくる。陰極液り顎り6から反応
液の一部〔移動水に相当する童の水を系外へ抜き出すこ
と、および生成する2、5−ジメチルヘキサンジニトリ
ル(以下DIMと略記する)全抜き串すことの二つの条
件を満たす週〕が抜き出され、脱水塔4ヘフイードされ
る。
脱水塔4の塔頂からはメタクリロニトリル(以下MAN
と略記する)、水およびイソブチロニトリル(以下工I
INと略記する)の混合物が留出し、デカンクー5に入
る。デカンク−5では水層と有機層が分離し、水層から
は移動水に相当する愈の水Gが抜き出される。有ml曽
はMAN回収塔6ヘフイード1され、塔頂からはMAN
が回収され、こ才りは陰極液タンク5へ戻され(E)、
塔底からは副生成物であるIBMが系外へ排出さtl、
るαOo脱水塔4の塔底からはDIMおよび溶媒などヲ
t(む液が抜き出され、溶媒回収塔7ヘフイードされる
。溶媒回収塔7の塔頂からは溶智が回収さ赴、陰@i、
沿タンク3へ戻されるC)。俗説回収塔7σ)塔ノ仄か
らは粗DIM液が抜き出さnlこれは製品槽8ヘフイー
ドされる(この例では、溶媒の沸点はDIM、!:IB
Nの■1にあり、例えは、ジメチルスルホキシド、ジメ
チルポルムアミド等の溶媒でイりる)。
と略記する)、水およびイソブチロニトリル(以下工I
INと略記する)の混合物が留出し、デカンクー5に入
る。デカンク−5では水層と有機層が分離し、水層から
は移動水に相当する愈の水Gが抜き出される。有ml曽
はMAN回収塔6ヘフイード1され、塔頂からはMAN
が回収され、こ才りは陰極液タンク5へ戻され(E)、
塔底からは副生成物であるIBMが系外へ排出さtl、
るαOo脱水塔4の塔底からはDIMおよび溶媒などヲ
t(む液が抜き出され、溶媒回収塔7ヘフイードされる
。溶媒回収塔7の塔頂からは溶智が回収さ赴、陰@i、
沿タンク3へ戻されるC)。俗説回収塔7σ)塔ノ仄か
らは粗DIM液が抜き出さnlこれは製品槽8ヘフイー
ドされる(この例では、溶媒の沸点はDIM、!:IB
Nの■1にあり、例えは、ジメチルスルホキシド、ジメ
チルポルムアミド等の溶媒でイりる)。
製品槽8の塔底からはD I’Mよりも高沸の成分が系
外へ排出され(6)、製品槽8の塔頂からは製品DIM
が抜き出される(L)。消費されるM A N (C)
および製品槽8の塔底から糸外へ抜き出さ扛る4級アン
モニウム堪に相当する4級アンモニウl−’M (D)
が連続的に陰極液タンク6ヘフイードされる。
外へ排出され(6)、製品槽8の塔頂からは製品DIM
が抜き出される(L)。消費されるM A N (C)
および製品槽8の塔底から糸外へ抜き出さ扛る4級アン
モニウム堪に相当する4級アンモニウl−’M (D)
が連続的に陰極液タンク6ヘフイードされる。
本発明は、下記の効果を有する。
(a) 2.5−ジメチルヘキサンジニトリルに高電流
動率および高選択藁で連続的に得ることができる。
動率および高選択藁で連続的に得ることができる。
(b) 水銀を陰極として用いないので、公害防止上、
工業的実施にきわめて有利である。
工業的実施にきわめて有利である。
このように、本発明は、メタクリロニトリル全電解還元
2世化して2,5−ジメチルヘキサンジニトリルを連続
的に製造するにあたって、非常に有利な工業的製法を提
供するという点で大きな意味を有するものである。
2世化して2,5−ジメチルヘキサンジニトリルを連続
的に製造するにあたって、非常に有利な工業的製法を提
供するという点で大きな意味を有するものである。
以下、本発明をさらに具体的に説明するために実施例を
示す。ただし、電流効率は2フアラデイーの電気量によ
#)1モルの2.5−ジメチルヘキサンジニトリル(D
IM)4*Uインブチロニトリル(I BM)が生成す
るとして、下記の式によりめた。
示す。ただし、電流効率は2フアラデイーの電気量によ
#)1モルの2.5−ジメチルヘキサンジニトリル(D
IM)4*Uインブチロニトリル(I BM)が生成す
るとして、下記の式によりめた。
rLVJは電極面上での流通線速度を表わし、ジメチル
スルホキシドはDMSOと略記する。
スルホキシドはDMSOと略記する。
また、選択率は以下の式によりめた。
ただし1ある時間内に消費されたMANのモル数は次の
ようにしてめた。
ようにしてめた。
h刻tnからtn+Iの間に消費されたMANのモル数
−(時刻tnに陰極液タンクおよび生成物分離系に保持
されていたMANのモルa ) + (tn” tn−
t−+間に添加したMANのモル斂) −(t、 ””
”、tnlllflに系外へ抜き出したMANのモルi
ff ) −(時刻tn→1に陰極液タンクお゛よひ生
成物分離系に保持されていたMANのモル数) 実施例1 陽極、陰極ともに通電面積2.23(Iゴ(25m+g
x892關)の鉛を用い、厚さ1 mMのジビニルベン
ゼン−スチレン−ブタジェン共重合ポリマーをスルホン
化して得られる陽イオン交換膜で陽極室と陰極室に仕切
り、ポリエチレン製のスペーサーによって膜と′電極の
間隔を2証に保ったフィルタープレス型の電槽音用いた
。陽極液には10重量%硫酸水溶液30007を用い、
通′NL量1ファラデイー(F)あたり607程度の純
水全連続的に添加し、硫酸濃度金10重量%に保った。
−(時刻tnに陰極液タンクおよび生成物分離系に保持
されていたMANのモルa ) + (tn” tn−
t−+間に添加したMANのモル斂) −(t、 ””
”、tnlllflに系外へ抜き出したMANのモルi
ff ) −(時刻tn→1に陰極液タンクお゛よひ生
成物分離系に保持されていたMANのモル数) 実施例1 陽極、陰極ともに通電面積2.23(Iゴ(25m+g
x892關)の鉛を用い、厚さ1 mMのジビニルベン
ゼン−スチレン−ブタジェン共重合ポリマーをスルホン
化して得られる陽イオン交換膜で陽極室と陰極室に仕切
り、ポリエチレン製のスペーサーによって膜と′電極の
間隔を2証に保ったフィルタープレス型の電槽音用いた
。陽極液には10重量%硫酸水溶液30007を用い、
通′NL量1ファラデイー(F)あたり607程度の純
水全連続的に添加し、硫酸濃度金10重量%に保った。
陽極から発生する酸素は、冷却水を通じた長さ500■
のジムロートを経て大気中へ放散した。陰極液としては
、MAN 21重量%、DIM 13重量%、DMS0
41重i%、テトラエチルアンモニウムモノエチル硫酸
塩9重量%、水13重量%、ノ・イドロキノン0.02
重量%、反応副生成物3重量−の混合物3000Fを用
いた。陰極液ft50〜55Cの温度に保って、LV
1.0 m /secで循環攪拌し、陽極液もLV 1
,07F1 / secで循環攪拌を行ないつつ電流密
度10A/4で(総電流数22.3 Ampl ;ii
t電を行なった。
のジムロートを経て大気中へ放散した。陰極液としては
、MAN 21重量%、DIM 13重量%、DMS0
41重i%、テトラエチルアンモニウムモノエチル硫酸
塩9重量%、水13重量%、ノ・イドロキノン0.02
重量%、反応副生成物3重量−の混合物3000Fを用
いた。陰極液ft50〜55Cの温度に保って、LV
1.0 m /secで循環攪拌し、陽極液もLV 1
,07F1 / secで循環攪拌を行ないつつ電流密
度10A/4で(総電流数22.3 Ampl ;ii
t電を行なった。
通電中、図面のフローに準じて、生成物の抜き出し、メ
タクリロニトリルおよび水濃度の管理等を行なっtっす
なわち、陰極液タンクから1時間あたり326fの陰極
液全抜き出し、常1上下で運転されている脱水塔へ連続
的にフィードした。脱水塔の塔頂からは、68,5 f
/ hrのMAN、42.49 / h rの水、6
.3り/11rのIBNが留出し、デカンタ−で二層分
離された。デカンタ−の下層からは40.7 f /
brの水が排出された(この水を排出する際、溶解変分
のMANも0.9 f / hrで排出されるが、排出
水をさらに蒸留すれVよ、共沸によりMANは回収でき
る)。 デカンタ−内の上層は、常圧下で運転されてい
るMAN回収塔へ75.6fl/hrの速度で連続的に
フィードされた。
タクリロニトリルおよび水濃度の管理等を行なっtっす
なわち、陰極液タンクから1時間あたり326fの陰極
液全抜き出し、常1上下で運転されている脱水塔へ連続
的にフィードした。脱水塔の塔頂からは、68,5 f
/ hrのMAN、42.49 / h rの水、6
.3り/11rのIBNが留出し、デカンタ−で二層分
離された。デカンタ−の下層からは40.7 f /
brの水が排出された(この水を排出する際、溶解変分
のMANも0.9 f / hrで排出されるが、排出
水をさらに蒸留すれVよ、共沸によりMANは回収でき
る)。 デカンタ−内の上層は、常圧下で運転されてい
るMAN回収塔へ75.6fl/hrの速度で連続的に
フィードされた。
MAN回収塔の塔頂から留出する67.1グ/ brの
MANおよび1.7 ? / hrの水の混合物は、陰
極液タンクへ戻された。MAN回収塔の塔底からは、6
.3 f / brのll3N、0,5 f / hr
のM A Nが排出された。脱水塔の塔底液は、減圧下
で運転されている溶媒回収塔へ連続的にフィードされた
。溶媒回収塔の塔頂から留出する155.79/hrの
DMSOは、陰極液タンクへ戻された。溶媒回収塔の塔
底からは粗DIMが得られるが、これはタンクに貯めて
おき、24時間に1回程度回分的に減圧蒸留して、純度
98.0チの製品DIM全8142(24時間あたり)
得た。
MANおよび1.7 ? / hrの水の混合物は、陰
極液タンクへ戻された。MAN回収塔の塔底からは、6
.3 f / brのll3N、0,5 f / hr
のM A Nが排出された。脱水塔の塔底液は、減圧下
で運転されている溶媒回収塔へ連続的にフィードされた
。溶媒回収塔の塔頂から留出する155.79/hrの
DMSOは、陰極液タンクへ戻された。溶媒回収塔の塔
底からは粗DIMが得られるが、これはタンクに貯めて
おき、24時間に1回程度回分的に減圧蒸留して、純度
98.0チの製品DIM全8142(24時間あたり)
得た。
陰極液タンクへのフィードとしては、先に述べた回収M
AN 67.1 Y / hr 、水1.7り/hrs
回収DMSO1s 5,7 f / hrの他に、テト
ラエチルアンモニウムモノエチル硫酸塩(88重量%、
水12重量% ) 53,59/hr、 /’イド0キ
/ /i 1000pp雪含むMAN 52.4グ/
br 、 オj: U陰極液(D pHk7に保つだめ
の少が:のモノエチル硫酸があり、これらのフィード量
を微調整することによって、陰極液中のMAN濃度全2
0±2チ、水の濃度を11.5〜14.5重量%に維持
することができた。MANa度の分析はガスクロマトグ
ラフィー(FID、充填剤DO8,カラムSUS 3關
径2m1.インジェクシミン温度210C,カラム温度
80Cでスタートし、3C/mmで昇温し、ファイナル
温度は110C)により行ない、水濃度の分析はカール
・フィッシャ電量滴定法(平沼産業株式会社製、汎用形
水分測定装置AQ−101i使用)により行なった。
AN 67.1 Y / hr 、水1.7り/hrs
回収DMSO1s 5,7 f / hrの他に、テト
ラエチルアンモニウムモノエチル硫酸塩(88重量%、
水12重量% ) 53,59/hr、 /’イド0キ
/ /i 1000pp雪含むMAN 52.4グ/
br 、 オj: U陰極液(D pHk7に保つだめ
の少が:のモノエチル硫酸があり、これらのフィード量
を微調整することによって、陰極液中のMAN濃度全2
0±2チ、水の濃度を11.5〜14.5重量%に維持
することができた。MANa度の分析はガスクロマトグ
ラフィー(FID、充填剤DO8,カラムSUS 3關
径2m1.インジェクシミン温度210C,カラム温度
80Cでスタートし、3C/mmで昇温し、ファイナル
温度は110C)により行ない、水濃度の分析はカール
・フィッシャ電量滴定法(平沼産業株式会社製、汎用形
水分測定装置AQ−101i使用)により行なった。
電解および各蒸留塔が安定した状態で48時間通電を行
ない、その48時間の反応成績ケ表1に示す。反応成績
はガスクロマトグラフィーの分析値からめた。なお、D
IM、IBN、DMSOの分析はガスクロマトグラフィ
ーで、4級アンモニウム塩の分析は液体クロマトグラフ
ィーで行なった。
ない、その48時間の反応成績ケ表1に示す。反応成績
はガスクロマトグラフィーの分析値からめた。なお、D
IM、IBN、DMSOの分析はガスクロマトグラフィ
ーで、4級アンモニウム塩の分析は液体クロマトグラフ
ィーで行なった。
実施例2〜10および比較例1〜4
表1および表2に記載した条件および以下に述べる事項
以外は、実施例1と同様に反応を行なった。実施例6お
よび4の電極は、通電面積が0.892 d@’ (1
0+amX 8,92mm )のものを用いた。
以外は、実施例1と同様に反応を行なった。実施例6お
よび4の電極は、通電面積が0.892 d@’ (1
0+amX 8,92mm )のものを用いた。
すべての実施例および比軸例について、MAN濃度およ
び水濃度が表1および表2に記載(〜た卸凹円に入るよ
うに、フィード州−および]友き出し量を調整した。
び水濃度が表1および表2に記載(〜た卸凹円に入るよ
うに、フィード州−および]友き出し量を調整した。
結果を表1および表2に示した。
比較例5
陽極、陰極ともに通電面積2,23 c17プの鉛全用
イ、厚さ1 rlllllのジビニルベンゼンースチレ
ンーブクジエン共重合ポリマー會スルホン化してイ()
られる陽イオン交換膜で陽極室と陰極室に仕切り、ポリ
エチレン製のスペーサーによって膜と電極の間隔を2
urmに保った電槽を用いた。陽極液上しては10重量
係の硫酸水溶液を用いた。陰極液としては、1000
ppllのハイドロキノンを含むMAN750.047
’、7−トラニチルアンモニウノ・モノエチル硫酸塩1
19.3 f、DMSO787,5f、水150−77
の混合物を用いた。陰極減音50〜55Cの温度に保っ
て、流速10 m / Srcで(it!+3”i:I
ツd、拌し、市4流密i 10 A / d77(テ
回分式1c ?h: iQ’l I、 タ。>r!1
市、中に陰極液のpHk 7に保つため、モノエチル硫
酸全少量添加した。対MAN辿電量が0.4F1モルに
なったとき、陰極液の一部全ザンブリング(〜、ガスク
ロマトグラフィーで分析したところ、MANの転化率4
0%、DIMの選択率71チ、I)IMの亜流効率71
%であった。
イ、厚さ1 rlllllのジビニルベンゼンースチレ
ンーブクジエン共重合ポリマー會スルホン化してイ()
られる陽イオン交換膜で陽極室と陰極室に仕切り、ポリ
エチレン製のスペーサーによって膜と電極の間隔を2
urmに保った電槽を用いた。陽極液上しては10重量
係の硫酸水溶液を用いた。陰極液としては、1000
ppllのハイドロキノンを含むMAN750.047
’、7−トラニチルアンモニウノ・モノエチル硫酸塩1
19.3 f、DMSO787,5f、水150−77
の混合物を用いた。陰極減音50〜55Cの温度に保っ
て、流速10 m / Srcで(it!+3”i:I
ツd、拌し、市4流密i 10 A / d77(テ
回分式1c ?h: iQ’l I、 タ。>r!1
市、中に陰極液のpHk 7に保つため、モノエチル硫
酸全少量添加した。対MAN辿電量が0.4F1モルに
なったとき、陰極液の一部全ザンブリング(〜、ガスク
ロマトグラフィーで分析したところ、MANの転化率4
0%、DIMの選択率71チ、I)IMの亜流効率71
%であった。
さらに通電を続け、対MAN通電用が0.8 F1モル
になったとき通電を終了し、陰極液を分析したところ、
MANの転化率66%、DIMの選択率45係、DIM
の電流効率37%であった。
になったとき通電を終了し、陰極液を分析したところ、
MANの転化率66%、DIMの選択率45係、DIM
の電流効率37%であった。
比較例6(アクリロニトリル類似条件での反応)陰極液
として、MAN8.2重量%、テトラエチルアンモニウ
ム硫酸塩8.7重量%、DIM 11.Bi量チ、水6
9.2重量%、およびIBM等の混合物を用い、陰極液
全体のMAN濃度を8±1重量%、陰極液全体の水濃度
fニア0±5 畢f#%に翁1持するように、抜き出し
量、フィード量を調整し7、電流密度y、、 30 A
/ dm二とし、脱溶媒塔全使用しなかった他に、実
施例1と同様に反応をや〕なったところ、DIMの電流
効率、選択率ともに10%以下であった。
として、MAN8.2重量%、テトラエチルアンモニウ
ム硫酸塩8.7重量%、DIM 11.Bi量チ、水6
9.2重量%、およびIBM等の混合物を用い、陰極液
全体のMAN濃度を8±1重量%、陰極液全体の水濃度
fニア0±5 畢f#%に翁1持するように、抜き出し
量、フィード量を調整し7、電流密度y、、 30 A
/ dm二とし、脱溶媒塔全使用しなかった他に、実
施例1と同様に反応をや〕なったところ、DIMの電流
効率、選択率ともに10%以下であった。
図面は本発明に係る連続式プロセスを隔膜電解で行なう
場合のブロックフローチャートの一例である。
場合のブロックフローチャートの一例である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メタクリロニトリルを、一般式 (式中、R’ 、 R2r R” + R4は炭素v4
以−F 17) 7 /し# /”基、XOハモノアノ
シ・キル(+RFfア=メーン、芳香族2ルホン酸アニ
オン、)・ロゲンアニオン、1ノン酸アニオン、過塩素
酸アニオンの君イ・力≧ら選ばれた少なくとも一つの対
アニオンを表わす。)テ示すしる4級アンモニウム塩お
よび水σ)存在する非プロトン性極性溶媒中で、鉛、9
ss ma鉛、炭素、チタン1錫の群から選ばわ、た少
なくとも一つの元素を主成分とする陰極を用い、メタク
IJ口二トリルの濃度を5〜40重量%の範囲内の任意
の水準に、かつ水の濃度を8〜25重量−の範囲内の任
意の水準に各々維持しながら、−i!!!続的に電解還
元2貴化することを特徴とする2、5−ジメチルへキサ
/ジニトリルの連続的製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58155082A JPS6050190A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58155082A JPS6050190A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6050190A true JPS6050190A (ja) | 1985-03-19 |
Family
ID=15598258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58155082A Pending JPS6050190A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 2,5−ジメチルヘキサンジニトリルの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6050190A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5659761A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-23 | Teijin Ltd | Imidazole derivative and its preparation |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58155082A patent/JPS6050190A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5659761A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-23 | Teijin Ltd | Imidazole derivative and its preparation |
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