JPS6050102B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPS6050102B2
JPS6050102B2 JP55107466A JP10746680A JPS6050102B2 JP S6050102 B2 JPS6050102 B2 JP S6050102B2 JP 55107466 A JP55107466 A JP 55107466A JP 10746680 A JP10746680 A JP 10746680A JP S6050102 B2 JPS6050102 B2 JP S6050102B2
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JP
Japan
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photoelectric conversion
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state imaging
signal
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JP55107466A
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優 吉野
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • HELECTRICITY
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    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]

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  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は自己走査型の固体撮影装置に関するものであ
る。
自己走査型の光電変換走査列を有する固体撮像装置にお
ける画像特性劣化の要因の1つに、このような自己走査
型の走査列は必ず不完全転送される信号電荷が存在する
ということが挙げられる。
いま、Qなる信号電荷をn段の走査列で転送したとする
と、その時の出力電荷Qrは、1段の転送当たりの不完
全転送効率をEとして、Qr=Q−nEQ・・・・・・
(1)となる。
したがつて、信号走査部の段数が増大すればするほど、
出力に得られる信号電荷は減少することになる。さて、
現在のテレビジョンにおける走査線数は525本である
ため、固体撮影装置の垂直走査部の段数は500段位が
標準と考えられている。
いま、転送効率の悪い例としてE ■O、001(7)
場合を考えると、(1)式はQ、■(1−500×0.
001)Q■IQ・・・・・・(2)となり、垂直走査
部の1月の信号走査によつて得られる影像信号のうち、
最終段の映像信号は、初段の映像信号の=の信号量しか
得られないことになる。
したがつて、前記のような信号走査列で走査された映像
信号をテレビジョンに出力させれば、白黒テレビでは、
画面の上と下とでは明らかにクレーのレベルが異なる画
像となる。
また、カラーカメラを実現しようとすれば、その転送効
率(不完転送効率)の違いが、出力信号の色すれとして
現われ、良質の画像を得ることが困難てある。したがつ
て、この発明の目的は、各光電変換素子の位置ごとに異
なる転送段数に起因する信号電荷の転送効率の相違を回
避して、白黒TVのクレーレベルの違いやカラーカメラ
の色ずれを防止するようにした固体撮像装置を提供する
ことである。この発明の第1の実施例を第1図に示す。
すなわち、この固体撮像装置は、光信号を信号電荷に変
換する複数の光電変換素子1,2・・・・・・を半導体
基板上に2次元マトリックス状に配列形成した固体撮像
部3と、この固体撮像部3の前記光電変換素子1,2・
・・・・の各列に対応させて前記半導体基板上に形成さ
れ各光電変換素子1,2・・・・・で得らねる信号電荷
を上下2つの出力端に分割転送する1対の垂直転送列4
,5,6,7,・・・・からなる信号電荷転送手段と、
前記信号電荷転送手段を経て前記上部の出力端側に出力
されるる各光電変換素子1,2・・・・・・の分割信号
電荷を1フレーム分蓄積する第1のフレームメモリ8と
、前記信号電荷転送手段を経て前記下部の出力端側に出
力される各光電変換素子の分割信号電荷を1フレーム分
蓄積する第2のフレームメモリ9と、前記第1、第2の
フレームメモリ8,9に蓄積された各光電変換素子1,
2・・・・・・に対応する分割信号電荷同士を加算して
各加算値を映像信号10として走査順序にしたがつて出
力する演算手段11とを備えたものてあり、第1図中に
示す固体撮像部3には、1,2・・・・・・て示す光電
変換素子(たとえばホトダイオード)かM8n列(M.
.nは1以上の整数)に配列されており、光電変換素子
1,2・・・・・の1つずつて得られた信号電荷は、そ
れぞれ4,5あるいは6,7なる2列の垂直転送列に分
割して転送するようにしている。垂直転送列4,5,6
,7,・・・は、自己走査型てあるBBDまたはCCD
で構成されるが、その他の転送手段を用いた場合でも、
必ず特有の転送効率を有する。
前記垂直転送列4と5あるいは6,7は相互に逆方向に
転送される転送特性を有するものであり、第1図におけ
る各矢印Pl,P2は信号電荷の転送方向を示すもので
ある。
12および13はそれぞれ前記固体撮像部3の上部出力
端と第1のフレームメモリ8および下部出力端と第2の
フレームメモリ9との間に接続され、信号電荷の転送手
段の一部を構成する水平転送列てあり、固体撮像部3の
上下の出力端に出力された分割信号電荷をそれぞれ自己
の出力端12a,13aに転送するようにしている。
前記各水平転送列12,13を経て転送される信号電荷
は、1フレーム分それぞれ第1、第2のフレームメモリ
8,9に蓄積記憶されるが、第1のフレームメモリ8と
第2のフレームメモリ9とでは信号電荷の入力順序が相
互に逆の関係になつているので、例えば第1のフレーム
メモリ8の出力順序を第2のフレームメモリ9と逆にす
るなどの手段を用いて各フレームメモリ8,9の出力順
序が前記光電変換素子1,2・・・・・の走査順序に等
しくなるように調整している。
11は加算回路であり、1フレーム分蓄積された信号電
荷のうち、フレームメモリ8,9のそれぞれより同一の
光電変換素子1,2・・・・・・から分割された信号電
荷を走査順序に従つてとり出し加算して、映像出力10
として順次取り出すようにしている。
なお、前記フレームメモリ8,9は映像信号を読み込む
ものであつて、いわゆるビット相関法において片方のメ
モリにノイズのみを記憶させノイズキャンセルを行なう
方式とは全く異なる。
この固体撮影装置における信号電荷の転送過程を以下に
述べる。光電変換素子1で得られる信号電荷量Q1のう
ち、垂直転送列4,5には光電変換素子1の信号電萌Q
1が等分に分割されてQ1/2の電荷量が送られ、さら
に垂直転送列4のうちAll段と水平転送列13のうち
Bll段を通つて出力端13aに出力されるものと、他
方垂直転送列5のうちAl2段と水平転送列12のうち
Bl。
段を通つて出力端12aに出力されるものとに分けられ
る。したがつて、演算回路11で加算して出力される光
電変換素子1の信号電荷が演算回路11の出力端に至る
”までの全転送ビット数Lはとなる。
ここで、All+Al。
=M..bll+Bl2=nであるからとなる。
つぎに光電変換素子2で得られる信号電荷量Q2のうち
、垂直転送列6,7には光電変換素子2の信号電荷Q2
が等分に分割されてQ2/2の電ノ荷量が送られ、さら
に、垂直転送列6のうちA2l段と水平転送列13のう
ちF)21段を通つて出力端13aに出力されるものと
、他方垂直転送列7のうちA22段と水平転送列12の
うち?2段を通つて出力端12aに出力されるものとに
分けられる。
したがつて、演算回路11で加算して出力される光電変
換素子2の信号電荷が演算回路11の出力端に至るまで
の全転送ビット数しはとなる。
ここでA2l+A2。
=M..l)71+Y)22=nであるからとなる。ゆ
えに、(4)式と(6)式より明らかなように、この固
体撮像装置においては、固体撮像部3の各光電変換素子
1,2・・・から演算回路11の出力端に至るまでの転
送ビット数が、画像のどの位置においても均一であるた
めに、従来のような転送効率が異なることによる画像特
性の劣化を大幅におさえることが可能となり、白黒出力
のクレーのレベルのはらつきやカラー出力の色すれを改
善することができる。
さらに、この固体撮像装置ては、1つあるいはそれ以上
のフレームメモリを有するために、万一固体撮像装置に
画像欠陥がある場合でも、電気的な信号処理により容易
に補正できるという二次的な効果を有する。
この発明の第2の実施例を第2図に示す。
すなわち、この固体撮像装置は、前記第1の実施例にお
ける水平転送列12,13を省略して、垂直転−送列4
,5,6,7,・・を経て固体撮像部3の上下出力端に
送られた信号電荷を直接各フレームメモリ8,9に蓄積
するようにしたものてあり、その他の構成は前記第1の
実施例と同様である。この固体撮像装置の信号電荷の転
送過程は以下.のとおりてある。光電変換素子1て得ら
れた信号電荷は垂直転送列4,5に送られ、All、A
l2段の転送の後、フレームメモリ8,9に蓄積され、
1フレーム後のタイミングて演算回路11て加算され、
出力端に映!像出力10として出力される。
この時、垂直転送列4を通る転送ビット数はAll段、
垂直転送列5を通る転送ビット数はAl2段であり、信
号電荷が演算回路11の出力端に至るまての全転送ビッ
ト数はてある。
他方、光電変換素子2て得られた信号電荷は垂直転送列
6,7に送られ、A2l、A22段の転送の後フレーム
メモリ8,9に蓄積され、1フレーム後のタイミングで
演算回路11で加算され、出力端に映像出力10として
出力される。
この時、垂直転送列6を通る転送ビット数はA2l段、
垂直転送列7を通る転送ビット数はA22段であり、信
号電荷が各光電変換素子1,2・・・・・・から演算回
路11の出力端に至るまでの全転送ビット数はである。
ノ したがつて、この実施例の固体撮像装置では、各光
電変換素子1,2・・・・・・に対応する映像出力は必
ず、m段の転送経路を通ることになり、映像出力10に
よる画像は全く均一な画像となる。
その他の効果は前記第1の実施例と同様である。以上の
ように、この発明の固体撮像装置は、光信号を信号電荷
に変換する複数の光電変換素子を半導体基板上に2次元
マトリックス状に配列形成した固体撮像部と、この固体
撮像部の前記光電変換素子の各列に対応させて前記半導
体基板上に形成され各光電変換素子て得られる信号電荷
を両側の2つの出力端に分割転送する1対の垂直転送列
からなる信号電荷転送手段と、前記信号電荷転送手段を
経て一方の出力端側に出力される各光電変換素子の分割
信号電荷を1フレーム分蓄積する第1のフレームメモリ
と、前記信号電荷転送手段を経て他方の出力端側に出力
される各光電変換素子の分割信号電荷を1フレーム分蓄
積する第2のフレームメモリと、前記第1、第2のフレ
ームメモリにそれぞれ蓄積された各光電変換素子に互に
対応する分割信号電荷同士を加算して各加算値を映像信
号として走査順序にしたがつて出力する演算手段とを備
えたものであるため、各光電変換素子の配列位置により
異なる転送段数に基づく信号電荷の転送効率の相違に起
因する画像への悪影響を回避して、良質な画像を再生す
ることがてきるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例を示す説明図、第2図
はこの発明の第2の実施例を示す説明図てある。 1,2・・・・・・光電変換素子、3・・・・・・固体
撮像部、4,5,6,7・・・・・・垂直転送列、8,
9・・・・・フレームメモリ、11・・・・・・演算回
路、12,13・・水平転送列。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 光信号を信号電荷に変換する複数の光電変換素子を
    半導体基板上に2次元マトリックス状に配列形成した固
    体撮像部と、この固体撮像部の前記光電変換素子の各列
    に対応させて前記半導体基板上に形成され各光電変換素
    子で得られる信号電荷を両側の2つの出力端に分割転送
    する1対の垂直転送列からなる信号電荷転送手段と、前
    記信号電荷転送手段を経て一方の出力端側に出力される
    各光電変換素子の分割信号電荷を1フレーム分蓄積する
    第1のフレームメモリと、前記信号電荷転送手段を経て
    他方の出力端側に出力される各光電変換素子分割信号電
    荷を1フレーム分蓄積する第2のフレームメモリと、前
    記第1、第2のフレームメモリにそれぞれ蓄積された各
    光電変換素子に互に対応する分割信号電荷同士を加算し
    て加算値を映像信号として走査順序にしたがつて出力す
    る演算手段とを備えた固体撮像装置。
JP55107466A 1980-08-04 1980-08-04 固体撮像装置 Expired JPS6050102B2 (ja)

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JPS5732184A JPS5732184A (en) 1982-02-20
JPS6050102B2 true JPS6050102B2 (ja) 1985-11-06

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