JPS6046404A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
- Publication number
- JPS6046404A JPS6046404A JP15525183A JP15525183A JPS6046404A JP S6046404 A JPS6046404 A JP S6046404A JP 15525183 A JP15525183 A JP 15525183A JP 15525183 A JP15525183 A JP 15525183A JP S6046404 A JPS6046404 A JP S6046404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- vapor
- reflectivity
- reflectance
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の分野
この発明は、蒸着膜の膜厚を測定する装置に関するもの
である。
である。
（２）従来技術
従来、蒸着膜の膜厚変化、蒸着速度制御は水晶振動子を
使ったものが多く、光学用の薄膜の制御を行う場合、膜
厚制御用の光学式膜厚計と蒸着速度制御用の水晶式膜厚
計の２つが必要であり、蒸着槽内のスペース上の問題も
あり、２つとも膜分布の良い所へ置くことができなかっ
た。また、水晶振動子は水冷しているため、実際の蒸着
基板と温度差をもち、対応がとりにくかった。
使ったものが多く、光学用の薄膜の制御を行う場合、膜
厚制御用の光学式膜厚計と蒸着速度制御用の水晶式膜厚
計の２つが必要であり、蒸着槽内のスペース上の問題も
あり、２つとも膜分布の良い所へ置くことができなかっ
た。また、水晶振動子は水冷しているため、実際の蒸着
基板と温度差をもち、対応がとりにくかった。
（３）発明の目的
この発明の目的は９以上の点に鑑み、光学的にである。
（４）発明の実施例
第１図は、この発明の一実施例を示す構成説明図である
。
。
図において、１は、蒸着源２．シャッタ３．モニタ用の
基板４等を有する蒸着装置、５は基板４ψ に光を照射する光源、６は基板金からの反射光を受光し
て出力を発生する検出器、７は検出器６の出力を反射率
比に換算する測定手段、８は一定時間間隔毎の反射率の
差を演算する減算手段、９は。
基板４等を有する蒸着装置、５は基板４ψ に光を照射する光源、６は基板金からの反射光を受光し
て出力を発生する検出器、７は検出器６の出力を反射率
比に換算する測定手段、８は一定時間間隔毎の反射率の
差を演算する減算手段、９は。
反射率比に、傾きＧｋ等が記憶されているメモリ（記憶
器）、１０は減算手段の出力ΔＲとメモリ９の反射率比
にとの比をとり、膜厚変化を演算する演算手信号信号を
発生する比較手段、１３は比較手段１１の出力により蒸
着源２のヒータ等の制御を行う蒸着源制御手段、１４は
測定手段７の反射率比に対応する出力によりシ’ｒｙり
３の開閉制御を行う膜厚制御手段である。
器）、１０は減算手段の出力ΔＲとメモリ９の反射率比
にとの比をとり、膜厚変化を演算する演算手信号信号を
発生する比較手段、１３は比較手段１１の出力により蒸
着源２のヒータ等の制御を行う蒸着源制御手段、１４は
測定手段７の反射率比に対応する出力によりシ’ｒｙり
３の開閉制御を行う膜厚制御手段である。
次に第２図を参照して動作の説明を行う。
蒸着膜の反射率比は、蒸着膜の屈折率、吸収係数を設定
して理論計算によりまり、膜厚Ｍに対する反射率比は、
第２図Ａで示すように所定の曲線となる１、この理論計
算値曲線Ａを何点かに分割して折線近似し、各点での反
射率ｚＬｋと折線の傾きＧｋ ＝ （Ｉｌ’Ｌｋ−几ｋ
１ ）／ （Ｍｌ＜ Ｍｌ＜ −１）をメモリ９に記
憶しておく。また、速度設定手段１２により蒸着速度を
設定しでおく。
して理論計算によりまり、膜厚Ｍに対する反射率比は、
第２図Ａで示すように所定の曲線となる１、この理論計
算値曲線Ａを何点かに分割して折線近似し、各点での反
射率ｚＬｋと折線の傾きＧｋ ＝ （Ｉｌ’Ｌｋ−几ｋ
１ ）／ （Ｍｌ＜ Ｍｌ＜ −１）をメモリ９に記
憶しておく。また、速度設定手段１２により蒸着速度を
設定しでおく。
次に、測定時、シャッタ３を開゛とし、蒸着源２のヒー
タ等を加熱すると蒸着膜が基板４に形成されて行き１反
射率比が変化する。光源５が基板４を反射した光を検出
器６により検出し、この検出器６の出力は一定時間間隔
毎に取り込まれ、測定手段７により反射率比に換算され
て測定が行われる。この測定手段７の一定時間間隔毎の
反射率Ｒは、順次その前の値と後の値との差が減算手段
８によりとられ出力ΔＢが取り出せる。この反射率差Δ
几と、メモリ９に記憶されたその所定の区間（几に−ｘ
〜）１．ｋ）の傾きＧｋとの比△Ｒ／ＧＩｃ ＝ΔＭが
演算手段１０により演算され、一定時間間隔についての
膜厚変動量ΔＭが出力される。この膜厚変動量ΔＭと速
度設定手段１２の速度設定値とを比較しそ／／ の差に応じた制御出力を比較手−石発生し、この制御出
力により蒸着源制御手段１３は、蒸着速度が所定の設定
値となるように蒸着源２を制御する。
タ等を加熱すると蒸着膜が基板４に形成されて行き１反
射率比が変化する。光源５が基板４を反射した光を検出
器６により検出し、この検出器６の出力は一定時間間隔
毎に取り込まれ、測定手段７により反射率比に換算され
て測定が行われる。この測定手段７の一定時間間隔毎の
反射率Ｒは、順次その前の値と後の値との差が減算手段
８によりとられ出力ΔＢが取り出せる。この反射率差Δ
几と、メモリ９に記憶されたその所定の区間（几に−ｘ
〜）１．ｋ）の傾きＧｋとの比△Ｒ／ＧＩｃ ＝ΔＭが
演算手段１０により演算され、一定時間間隔についての
膜厚変動量ΔＭが出力される。この膜厚変動量ΔＭと速
度設定手段１２の速度設定値とを比較しそ／／ の差に応じた制御出力を比較手−石発生し、この制御出
力により蒸着源制御手段１３は、蒸着速度が所定の設定
値となるように蒸着源２を制御する。
蒸着中の反射率比が、その区間の反射率Ｒｋを・射率几
が目標とする膜厚Ｍに対応する反射率となったとぎ、膜
厚制御手段１４はシャッタ３を閉として薄膜の形成は終
了し、必要に応じて蒸着源２のヒータもオフとし、蒸着
は終了する。
が目標とする膜厚Ｍに対応する反射率となったとぎ、膜
厚制御手段１４はシャッタ３を閉として薄膜の形成は終
了し、必要に応じて蒸着源２のヒータもオフとし、蒸着
は終了する。
これら一連の動作はマイクロコンピュータにより行って
もよく２反射率の代わりに透過率を利用してもよい。
もよく２反射率の代わりに透過率を利用してもよい。
なお１曲線の極値付近では、膜厚に対する反射率比の変
化は小さく精密な速度制御はできないので、極値付近の
反射率の一定レベル内では、蒸着源２の制御は行わずそ
の前の値を保持する。
化は小さく精密な速度制御はできないので、極値付近の
反射率の一定レベル内では、蒸着源２の制御は行わずそ
の前の値を保持する。
また、光源５の光を回転セクタ等で複数波長λ１゜λ２
．λ３のフィルタを介して基板４に投光し、複数波長λ
１．λ２．λ３に対応した反射率比は、第３図で示すよ
うに互いに極値がずれたものとなる。従って。
．λ３のフィルタを介して基板４に投光し、複数波長λ
１．λ２．λ３に対応した反射率比は、第３図で示すよ
うに互いに極値がずれたものとなる。従って。
制御に用いる波長を適当に変更して制御をすることによ
り１反射率ｉｔの極値による制御は避けることができ、
より高精度の膜厚制御、蒸着速度制御が可能となる。
り１反射率ｉｔの極値による制御は避けることができ、
より高精度の膜厚制御、蒸着速度制御が可能となる。
（５）発明の要約
以上述べたように、この発明は、蒸着膜の膜厚に対する
反射率または透過率の理論計算値を折線近似しその各区
間の傾きを記憶する記憶器と、蒸「 着中に蒸着膜の反射率または透過率の一定時間間（６）
発明の効果 あらかじ゛め理論値に基く２反射率、傾き等をメモリに
記憶させて一定時間間隔毎に蒸着速度制御を行っている
ので、きわめて高精度な制御が可能である。また、光学
式であるので、膜厚制御用の膜厚計と共用でき７部品点
数等が増大せず、スペースもとらず、最適位置に基板を
置くことができ。
反射率または透過率の理論計算値を折線近似しその各区
間の傾きを記憶する記憶器と、蒸「 着中に蒸着膜の反射率または透過率の一定時間間（６）
発明の効果 あらかじ゛め理論値に基く２反射率、傾き等をメモリに
記憶させて一定時間間隔毎に蒸着速度制御を行っている
ので、きわめて高精度な制御が可能である。また、光学
式であるので、膜厚制御用の膜厚計と共用でき７部品点
数等が増大せず、スペースもとらず、最適位置に基板を
置くことができ。
安価、高精度、高信頼性のものとなる。
＠１図は、この発明の一実施例を示す溝成説明図、■２
図、８合３図は、動作説明図である。 １・・・蒸着装置、２・・・蒸着源、３・・・シャッタ
、４・・・基板、５・・・光源、６・・・検出器、７・
・・測定手段。 ８・・・減算手段、９・・・記憶器、１０・・・演算手
段、１１・・・比較手段、１２・・・速度設定手段、１
３・・・蒸着源制御手段、１４・・・膜厚制御手段 特許出願人 株式会社 千野製作所
図、８合３図は、動作説明図である。 １・・・蒸着装置、２・・・蒸着源、３・・・シャッタ
、４・・・基板、５・・・光源、６・・・検出器、７・
・・測定手段。 ８・・・減算手段、９・・・記憶器、１０・・・演算手
段、１１・・・比較手段、１２・・・速度設定手段、１
３・・・蒸着源制御手段、１４・・・膜厚制御手段 特許出願人 株式会社 千野製作所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、蒸着膜の膜厚に対する反射率または透過率の理論計
算値を折線近似しその各区間の傾きを記憶する記憶器と
、蒸着中に蒸着膜の反射率または透過率の一定時間間隔
毎の差と前記記憶器の傾きとの比から膜厚変動量を演算
する演算手段とを備えたことを特徴とする膜厚測定装置
。 ２、前記演算手段出力と蒸着速度設定値とを比較し蒸着
源を制御する比較手段を設は蒸着速度制御を行うことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜厚測定装置。 ３、蒸着膜の反射率または透過率の値から膜厚制御を行
う制御手段を設は膜厚制御を行うことを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の膜厚測定装置。 ４、ａ数波長による反射率または透過率を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項記載の膜厚
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15525183A JPS6046404A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15525183A JPS6046404A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046404A true JPS6046404A (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15601835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15525183A Pending JPS6046404A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313704A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 膜厚測定装置 |
| JPH0450604A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-19 | General Signal Japan Kk | フォトレジスト溶解速度の測定方法 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15525183A patent/JPS6046404A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313704A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 膜厚測定装置 |
| JPH0450604A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-19 | General Signal Japan Kk | フォトレジスト溶解速度の測定方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7182976B2 (en) | Process for forming a thin film and apparatus therefor | |
| US4999508A (en) | Optical film thickness measuring device for measuring two-layer film thicknesses using spectral reflectance | |
| US20090047416A1 (en) | Method for forming thin films and apparatus therefor | |
| US7835018B2 (en) | Optical method for controlling thin film growth | |
| JP3309101B2 (ja) | 薄膜の屈折率測定方法および装置 | |
| JPS6046404A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| US20030029382A1 (en) | Thin film forming method and apparatus | |
| JPH04301506A (ja) | 真空蒸着装置に於ける光学定数と膜厚の測定方法及び測定装置 | |
| JPH0443906A (ja) | 光学的膜厚モニタ装置 | |
| JPS6328862A (ja) | 膜厚制御方法 | |
| RU2690232C1 (ru) | Способ нанесения многослойного покрытия на оптические подложки и установка для осуществления способа | |
| JP4698166B2 (ja) | 薄膜形成方法，膜厚測定方法及び膜厚測定装置 | |
| vd Laan et al. | 4.2 Monitoring of optical thin films using a quartz crystal monitor | |
| JP2005002462A (ja) | 成膜制御装置およびプログラム、並びに光学薄膜の製造方法 | |
| JP2000171602A (ja) | 光学多層薄膜の形成方法および光学多層薄膜の形成装置 | |
| Yen et al. | Method of Determining Optical Constants of Thin Films Using an Infrared Ellipsometer | |
| Bader et al. | Determination of thin‐film optical constants with an automatic reflectance and transmittance goniometer | |
| US20090324805A1 (en) | Optical monitor for thin film deposition using base stack admittance | |
| Raad et al. | The Incremental Kramers-Kronig Method: Development and Application | |
| JPH0730447B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS61253408A (ja) | 光学薄膜の膜厚制御方法 | |
| JPH01172569A (ja) | 蒸着膜厚制御方法 | |
| JP2970020B2 (ja) | コーティング薄膜の形成方法 | |
| JPS627266B2 (ja) | ||
| JPH04303703A (ja) | 赤外線式厚み・濃度計 |