JPS6044504A - グロ−重合体層の形成方法 - Google Patents
グロ−重合体層の形成方法Info
- Publication number
- JPS6044504A JPS6044504A JP59151140A JP15114084A JPS6044504A JP S6044504 A JPS6044504 A JP S6044504A JP 59151140 A JP59151140 A JP 59151140A JP 15114084 A JP15114084 A JP 15114084A JP S6044504 A JPS6044504 A JP S6044504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glow
- microwave
- discharge
- polymer layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- -1 perfluoro Chemical group 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKIMETXDACNTIE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F RKIMETXDACNTIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJGCZWVJDRIHNC-UHFFFAOYSA-N 1-fluoroprop-1-ene Chemical compound CC=CF VJGCZWVJDRIHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F114/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F114/18—Monomers containing fluorine
- C08F114/26—Tetrafluoroethene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/52—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by electric discharge, e.g. voltolisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2506/00—Halogenated polymers
- B05D2506/10—Fluorinated polymers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板上に高周波低圧グロー放電によって単
量体の炭化水素および/またはフッ化炭素からなるグロ
ー重合体層を形成する方法に関する。
量体の炭化水素および/またはフッ化炭素からなるグロ
ー重合体層を形成する方法に関する。
ガス状の有機単量体から出発して低圧プラズマ励起によ
って基板上に重合体を生じるグロー重合によって、その
他の方法では重合不可能な単量体からでも薄く均質で気
孔のdい層を製造することができることは知られている
。特に無線周波数領域(A、 T−BEIII、S、
Veprek、 M、 VenugOpalan著”P
lasma Chemistry ill ”、 Be
rlin Heidel−berg 、 Spring
er、−Verlag、1980年、43ページ以降参
照)即ち0.1ないし100 MHz(RF)の領域、
およびマイクロ波領域(J、Macromol 著Sc
i、 −Ohem、A I L(3)、321ないし3
37ページ、1980年参照)即ち01ないし1000
GHz (M W )の領域における高周波放電は、グ
ロー重合用の低圧プラズマを発生するのに特に好適であ
ることが判明している。その場合エネルギーは、プラズ
マ1巨グロ一重合が行われる反応装置に、容易に外部導
体を介して容量的および誘導的に、および共振空洞いわ
ゆる1低速波構造1などのような導波管によって導くこ
とができるので、導電部とプラズマとの間の相q干$1
−1:阻止さ、れる。
って基板上に重合体を生じるグロー重合によって、その
他の方法では重合不可能な単量体からでも薄く均質で気
孔のdい層を製造することができることは知られている
。特に無線周波数領域(A、 T−BEIII、S、
Veprek、 M、 VenugOpalan著”P
lasma Chemistry ill ”、 Be
rlin Heidel−berg 、 Spring
er、−Verlag、1980年、43ページ以降参
照)即ち0.1ないし100 MHz(RF)の領域、
およびマイクロ波領域(J、Macromol 著Sc
i、 −Ohem、A I L(3)、321ないし3
37ページ、1980年参照)即ち01ないし1000
GHz (M W )の領域における高周波放電は、グ
ロー重合用の低圧プラズマを発生するのに特に好適であ
ることが判明している。その場合エネルギーは、プラズ
マ1巨グロ一重合が行われる反応装置に、容易に外部導
体を介して容量的および誘導的に、および共振空洞いわ
ゆる1低速波構造1などのような導波管によって導くこ
とができるので、導電部とプラズマとの間の相q干$1
−1:阻止さ、れる。
グロー重合における興味のある点は、炭fヒ水素(CH
)およびフッ化炭素(cF)を原材料とする層の製造で
ある。その場合重合性化a物の広いスペクトルを包含す
る有機単量体から、広範囲にわたって特定できる特性を
もつグロー重合体、例えば質的および計的に良好な歩留
りにおいて損失の少い誘電体、表面エネルギーの少い疎
液性の被覆、xAlトゲラフおよび電子線リトグラフに
おける乾燥構造化プロセス用の高感度抵抗層、電気医療
に使用する薄:莫および種々な用途に使用するエレクト
レット用のOH基板および/またはCF基板上の薄い層
を製造する必要がある。
)およびフッ化炭素(cF)を原材料とする層の製造で
ある。その場合重合性化a物の広いスペクトルを包含す
る有機単量体から、広範囲にわたって特定できる特性を
もつグロー重合体、例えば質的および計的に良好な歩留
りにおいて損失の少い誘電体、表面エネルギーの少い疎
液性の被覆、xAlトゲラフおよび電子線リトグラフに
おける乾燥構造化プロセス用の高感度抵抗層、電気医療
に使用する薄:莫および種々な用途に使用するエレクト
レット用のOH基板および/またはCF基板上の薄い層
を製造する必要がある。
高周波のRFグロー放電およびMWグロー放電を使用す
る場合、単量体に比べて低い水素成分および/またはフ
ッ素成分をもつ重合体は、一般にCH単量体、OF単量
体および0H−OF単量体からなっている。これは、単
量体分子からなるプラズマにおいては荷電粒子特に電子
との衝突によって、水素原子訃よびフッ素原子または水
素の多い核種およびフッ素の多い核種が分裂し、ガス流
(単量体成分の)によって押し流され、従って層の形成
が阻止されることに帰因している。その結果として、形
成された層z、−1:、単量体に比べて化学量論以下の
C/ H組成またはC/ F組成を有している。従って
、層には一次不飽和構造およびラジカルが形成され、こ
れは、空気中の酸素が入った場合に酸化し、その際、好
ましくない不明確な極性構造が生じる。この・構造は、
例えば誘電特性の低五、吸水性の増加および溶媒の作用
時における化学変化反応(親媒性)の原因となる。
る場合、単量体に比べて低い水素成分および/またはフ
ッ素成分をもつ重合体は、一般にCH単量体、OF単量
体および0H−OF単量体からなっている。これは、単
量体分子からなるプラズマにおいては荷電粒子特に電子
との衝突によって、水素原子訃よびフッ素原子または水
素の多い核種およびフッ素の多い核種が分裂し、ガス流
(単量体成分の)によって押し流され、従って層の形成
が阻止されることに帰因している。その結果として、形
成された層z、−1:、単量体に比べて化学量論以下の
C/ H組成またはC/ F組成を有している。従って
、層には一次不飽和構造およびラジカルが形成され、こ
れは、空気中の酸素が入った場合に酸化し、その際、好
ましくない不明確な極性構造が生じる。この・構造は、
例えば誘電特性の低五、吸水性の増加および溶媒の作用
時における化学変化反応(親媒性)の原因となる。
本発明の目的は、単量の炭化水素および/またはフン化
炭素を原材料とし、直接完全に水素またはフッ素で胞和
されたグロー重合体が形成されるように構成された明1
0書冒頭に記述のグロー重合体層の形成方法を提供する
ことにある。
炭素を原材料とし、直接完全に水素またはフッ素で胞和
されたグロー重合体が形成されるように構成された明1
0書冒頭に記述のグロー重合体層の形成方法を提供する
ことにある。
この目的は本発明によれば、0,5ないし1000GH
zのマイクロ波領域においてグロー放電を行ない、マイ
クロ波放電の際の基板部分における有効電界強度の振幅
がE。≦850V/cmにすることによって達成される
。
zのマイクロ波領域においてグロー放電を行ない、マイ
クロ波放電の際の基板部分における有効電界強度の振幅
がE。≦850V/cmにすることによって達成される
。
本発明による方法においては、使用された単量体から水
素原子またけフッ素原子の分裂が阻止され、むしろこれ
からC−C結合の分裂によって、主として重合性のCH
2核憧またはCF2核種が生じるものである。これは、
一般にこれと反対に、無線周波数領域における高周波放
電には当て嵌まら次い。本発明による方法において、マ
イクロ波放電の場合、第1線において衝突粒子として作
用する電子のエネルギーが明らかに制限されるため、単
量体の、強固なC−H結合またはc −Fi合ではなく
主としてC−C結合が分裂する。理論的考察はこの仮定
VCよっている。
素原子またけフッ素原子の分裂が阻止され、むしろこれ
からC−C結合の分裂によって、主として重合性のCH
2核憧またはCF2核種が生じるものである。これは、
一般にこれと反対に、無線周波数領域における高周波放
電には当て嵌まら次い。本発明による方法において、マ
イクロ波放電の場合、第1線において衝突粒子として作
用する電子のエネルギーが明らかに制限されるため、単
量体の、強固なC−H結合またはc −Fi合ではなく
主としてC−C結合が分裂する。理論的考察はこの仮定
VCよっている。
正弦波状に推移する時間経過をもつ交番電界から電子に
よシプラズマに伝達可能なエネルギーUは、電界周波数
νが電子の自由行程と相関関係をもつプラズマ衝突周波
数りより小さい場合においては、一般に次式が成立する
。
よシプラズマに伝達可能なエネルギーUは、電界周波数
νが電子の自由行程と相関関係をもつプラズマ衝突周波
数りより小さい場合においては、一般に次式が成立する
。
ここに、θ・・・電気素量。
E・・・一定の場所において電子に作用する電界強度(
Eは設定された外部 電界と位置との関数である)。
Eは設定された外部 電界と位置との関数である)。
m・・・電子の質量。
ν・・・電界周波数。
エネルギーの時間的平均値Ujは次式のようになる。
ここにE。・・有効電界強度Eの娠幅。
従って、衝突現象に伴い電子によってプラズマに伝達さ
れるエネルギーは、可逆電界周波数の自乗に比例する。
れるエネルギーは、可逆電界周波数の自乗に比例する。
これはi EOを対比可能な値とした場合、マイクロ波
放電においては、無線周波放電の場合に比べて極めて少
いエネルギーが単量体分子に伝達されることを意味して
いる。他方においてマイクロ波プラズマにおいては電子
密度が無線周波プラズマにおける場合よp極めて高いた
め、マイクロ波プラズマにおいては均一のエネルギー分
布をもつ極めて多くの電子が生じる。本発明の方法によ
って、特に外部から加えられた電界強度のE。を適当に
選択することにより、又は共振空洞を有する装置におい
ては基板の所定の位置により、Utの上限d1電子か主
としてC−C結合だけを分裂し頻固なC−H結合および
C’−F結合は分裂させない値にされる。本発明によれ
ば、このためE。の上限値として850V/crnの値
が定められている。
放電においては、無線周波放電の場合に比べて極めて少
いエネルギーが単量体分子に伝達されることを意味して
いる。他方においてマイクロ波プラズマにおいては電子
密度が無線周波プラズマにおける場合よp極めて高いた
め、マイクロ波プラズマにおいては均一のエネルギー分
布をもつ極めて多くの電子が生じる。本発明の方法によ
って、特に外部から加えられた電界強度のE。を適当に
選択することにより、又は共振空洞を有する装置におい
ては基板の所定の位置により、Utの上限d1電子か主
としてC−C結合だけを分裂し頻固なC−H結合および
C’−F結合は分裂させない値にされる。本発明によれ
ば、このためE。の上限値として850V/crnの値
が定められている。
本発明による方法の場合にはa−C結合の選択的分裂に
よって、化学的観点において使用された単量体と同じ組
成および同じ構造特徴をもつ層が得られる。これはこの
方法の本質的な長所であり、特に例えばCH−CF結合
からなるエレクトレット特性をもつ層の製造にも重要で
ある。
よって、化学的観点において使用された単量体と同じ組
成および同じ構造特徴をもつ層が得られる。これはこの
方法の本質的な長所であり、特に例えばCH−CF結合
からなるエレクトレット特性をもつ層の製造にも重要で
ある。
エレクトレットはドイツ連邦共和国特許出願公開第30
395fJ1号公報から知られており、これは容積測定
の空間電荷をもつプラズマ重合された誘電材料の薄膜か
らなっている。この薄+NはOHz な’/’ L 3
0 GHzの周波数においてプラズマ重合され、その場
合、周波数はマイクロ波周波数頭域にすることができる
。プラズマ重合の場合単量体として、ヘキサメチルジシ
ロキサン、シラン、エチレン、スチロールおよびテトラ
フルオルエチレンを使用することができる。しかしなが
らこの場合、完全に水素添加されフッ素添加されたグロ
ー重合体の製造に関し、および本発明の方法において本
質的な基板の部分における有効電界強度の娠幅≦850
V/c!nの%徴に関して何も指摘されていない。従っ
てこの本質的な条件が従来知られていなかったことが前
提となる。そのほか、従来知られているプラズマ化学に
おけるマイクロ波放電の使用は、強力な電子を必要とす
るラジカル反応(H,Drost著’Plasmach
emie’、 71および72ページ参照)の始動用に
限られている。
395fJ1号公報から知られており、これは容積測定
の空間電荷をもつプラズマ重合された誘電材料の薄膜か
らなっている。この薄+NはOHz な’/’ L 3
0 GHzの周波数においてプラズマ重合され、その場
合、周波数はマイクロ波周波数頭域にすることができる
。プラズマ重合の場合単量体として、ヘキサメチルジシ
ロキサン、シラン、エチレン、スチロールおよびテトラ
フルオルエチレンを使用することができる。しかしなが
らこの場合、完全に水素添加されフッ素添加されたグロ
ー重合体の製造に関し、および本発明の方法において本
質的な基板の部分における有効電界強度の娠幅≦850
V/c!nの%徴に関して何も指摘されていない。従っ
てこの本質的な条件が従来知られていなかったことが前
提となる。そのほか、従来知られているプラズマ化学に
おけるマイクロ波放電の使用は、強力な電子を必要とす
るラジカル反応(H,Drost著’Plasmach
emie’、 71および72ページ参照)の始動用に
限られている。
プラズマ衝卓周ji数νpは、電子の自由行程および放
電装置を通しての単重体ガスの貫流率によって影響され
、従って僅少な程度であっても間接的に分裂現象の傾向
も影響される。その場合自由行程の短縮およびプラズマ
@4周波数の増ノ用は、電子が平均して僅かなエネルギ
ーを得るため、C−C結合の増ノルされた分裂を生じる
。従って本発明方法においては、0.1ないし1 mb
ar特に約0、5 mbarの圧力においてマイクロ波
放電を行なうことが好ましい。
電装置を通しての単重体ガスの貫流率によって影響され
、従って僅少な程度であっても間接的に分裂現象の傾向
も影響される。その場合自由行程の短縮およびプラズマ
@4周波数の増ノ用は、電子が平均して僅かなエネルギ
ーを得るため、C−C結合の増ノルされた分裂を生じる
。従って本発明方法においては、0.1ないし1 mb
ar特に約0、5 mbarの圧力においてマイクロ波
放電を行なうことが好ましい。
さらに本発明による方法においては、基板はマイクロ波
放電の間200℃以下の温度に加熱することが好ましく
、この場合に優れた特性をもつグロー重合体層が得られ
る。グロー放電自体は、0.5ないし1000H2のマ
イクロ波領域で行なうことが好ましい。
放電の間200℃以下の温度に加熱することが好ましく
、この場合に優れた特性をもつグロー重合体層が得られ
る。グロー放電自体は、0.5ないし1000H2のマ
イクロ波領域で行なうことが好ましい。
本発明による方法において、炭化水素単量体としては、
例えばエチレン、プロペン、ブテン、ブタジェンおよび
ソクロヘキサンなどの化合物を使用することができる。
例えばエチレン、プロペン、ブテン、ブタジェンおよび
ソクロヘキサンなどの化合物を使用することができる。
この方法においては、過フッ素性の有機化合物すなわち
フッ化炭素を使用することが好ましい。単量体フッ素4
6合物としては、特にオクタフルオル/りロブタン04
Fs (過フルオル/りロブタン)が使用され、これと
共にテトラフルオルエチレン02F4 、 Jフルオル
プロペン03F6.4フルオルブタン04FBおよび過
フルオルシクロヘキサン06 F12などのその他の過
フッ素性の炭化水素も使用される。
フッ化炭素を使用することが好ましい。単量体フッ素4
6合物としては、特にオクタフルオル/りロブタン04
Fs (過フルオル/りロブタン)が使用され、これと
共にテトラフルオルエチレン02F4 、 Jフルオル
プロペン03F6.4フルオルブタン04FBおよび過
フルオルシクロヘキサン06 F12などのその他の過
フッ素性の炭化水素も使用される。
本発明の方法によって製造されたグロー重合体層は、無
孔性および均質構造を備えるだけでなく、さらに化学組
成および物理的特性におりて安定であ勺、シかもポリエ
チレン(PE)、ポリテトラフルオルエチレン(、PT
FB)、テ)う7/l/オル工チレンーヘキサフルオル
グロペンー共M合体−CFEP)およびその他の類似物
質のよ−うな適当な従来の方法で製造された重合体と等
価である。これは明らかに、プラズマ内において単量体
からなる水素原子および/またはフッ素原子の分裂が大
幅に阻止され、従って製造された層が分析的測定限界内
において単量体に相癌するH/cまたばF / Oの比
率を有するため、本発明の方法によって製造されたグロ
ー重合体が完全に水素添加またはフッ素添加されている
ことに帰因している。
孔性および均質構造を備えるだけでなく、さらに化学組
成および物理的特性におりて安定であ勺、シかもポリエ
チレン(PE)、ポリテトラフルオルエチレン(、PT
FB)、テ)う7/l/オル工チレンーヘキサフルオル
グロペンー共M合体−CFEP)およびその他の類似物
質のよ−うな適当な従来の方法で製造された重合体と等
価である。これは明らかに、プラズマ内において単量体
からなる水素原子および/またはフッ素原子の分裂が大
幅に阻止され、従って製造された層が分析的測定限界内
において単量体に相癌するH/cまたばF / Oの比
率を有するため、本発明の方法によって製造されたグロ
ー重合体が完全に水素添加またはフッ素添加されている
ことに帰因している。
以下に実施例および図によって、本発明を一層詳細に説
明す今。
明す今。
本発明による方法を実施するのに好適な装置が図に示さ
れている。反応装置1すなわち反応容器は、単量体の炭
化水素化合物およびフッ化炭素化合物用または単量体化
合物用の貯蔵槽3と導管2を介して結合されている。導
管2には、単量体ガス用のニードル弁4および流駿計5
が設けられている。さらに導管2には圧力測定器6が設
けられている。必要な場合には、反応装置は適当な方法
で2個または数個の貯蔵槽と結合するこ吉もできる。
れている。反応装置1すなわち反応容器は、単量体の炭
化水素化合物およびフッ化炭素化合物用または単量体化
合物用の貯蔵槽3と導管2を介して結合されている。導
管2には、単量体ガス用のニードル弁4および流駿計5
が設けられている。さらに導管2には圧力測定器6が設
けられている。必要な場合には、反応装置は適当な方法
で2個または数個の貯蔵槽と結合するこ吉もできる。
反応装置lは、空洞7すなわち所定の大きさの中空導管
と炉8とに囲まれており、その場合空洞7Viマイクロ
波発生装置9に結合されている。反応装置1の内部には
炉80部分に1個または数個の基板10が設けられてい
る。熱電対11は基板10の部分の温度測定に使用され
る。反応装置1の出口は導W12によって真空ポンプ1
3と結合されている。導管12には、減圧弁14と液体
望素を備えたコールドトラップ15とが設けられている
。
と炉8とに囲まれており、その場合空洞7Viマイクロ
波発生装置9に結合されている。反応装置1の内部には
炉80部分に1個または数個の基板10が設けられてい
る。熱電対11は基板10の部分の温度測定に使用され
る。反応装置1の出口は導W12によって真空ポンプ1
3と結合されている。導管12には、減圧弁14と液体
望素を備えたコールドトラップ15とが設けられている
。
図に示された装置において、例えば2.45Gl(Zの
周波数をもつマイクロ波放電によって、04F8から基
板上にグロー重合体層が製造される。単量体ガスは、1
3標準cm3/ mj nの貫流率および05mbar
のガス圧で2.5mの内径をもつ石英管の形の反応装置
を通して送られる。石英管の周勺VC設けられたマイク
ロ波共振器は、200W以下の出力でマイクロ波エネル
ギーをテスラコイルによって点弧されたガス放電に供給
する。基板は石英管内の共J辰器の外部に、しかもガス
流の下方に設けられるが、同じく空洞の外部におけるガ
ス流の上方の反応装置に設けることもできる。
周波数をもつマイクロ波放電によって、04F8から基
板上にグロー重合体層が製造される。単量体ガスは、1
3標準cm3/ mj nの貫流率および05mbar
のガス圧で2.5mの内径をもつ石英管の形の反応装置
を通して送られる。石英管の周勺VC設けられたマイク
ロ波共振器は、200W以下の出力でマイクロ波エネル
ギーをテスラコイルによって点弧されたガス放電に供給
する。基板は石英管内の共J辰器の外部に、しかもガス
流の下方に設けられるが、同じく空洞の外部におけるガ
ス流の上方の反応装置に設けることもできる。
マイクロ波共振器に対して種々の距離に設けられた基板
上にグロー重合体が析出されるが、この重合体は固く脆
く透明な層から軟かく白い層への移行を示している。プ
ラズマ内において明らかに0−C結合の分裂に適した電
界強度に相当する反応装置の所定の範囲においては、層
は透明で脆くなく、赤外線分光検査では従来の方法で製
造されたPTFEと同じであシ、光電分光検査によって
2=1のIi / C比率を示している。同様に絶R抵
抗、誘電率および誘電損率に関する誘電測定は、本発明
((よって製造されたマイクロ波重合体と従来の方法で
製造されたPTFEとが等価であることを示している。
上にグロー重合体が析出されるが、この重合体は固く脆
く透明な層から軟かく白い層への移行を示している。プ
ラズマ内において明らかに0−C結合の分裂に適した電
界強度に相当する反応装置の所定の範囲においては、層
は透明で脆くなく、赤外線分光検査では従来の方法で製
造されたPTFEと同じであシ、光電分光検査によって
2=1のIi / C比率を示している。同様に絶R抵
抗、誘電率および誘電損率に関する誘電測定は、本発明
((よって製造されたマイクロ波重合体と従来の方法で
製造されたPTFEとが等価であることを示している。
図(d本発明による方法を実施する装置の一実施例を示
す説明図である。 1・・・反応装置、2・・・環管、3・・・貯蔵槽、4
・・・ニードル弁、5・・・流量i+、6・・・圧力測
定器、7・・・空洞、8・・炉、9・・・マイクロ波発
生装置、10・・・基板、11・・・熱電対、12・・
導管、13・・・真空ポンプ、14・・・減圧弁、15
・・・コールドトラップ。 第1頁の続き ■Int、CI、’ 識別記号 庁内整理番号@発明者
ロルフウインフリー ドイツ連邦共和国エツト、シュ
ルテ ラーセ2 25−
す説明図である。 1・・・反応装置、2・・・環管、3・・・貯蔵槽、4
・・・ニードル弁、5・・・流量i+、6・・・圧力測
定器、7・・・空洞、8・・炉、9・・・マイクロ波発
生装置、10・・・基板、11・・・熱電対、12・・
導管、13・・・真空ポンプ、14・・・減圧弁、15
・・・コールドトラップ。 第1頁の続き ■Int、CI、’ 識別記号 庁内整理番号@発明者
ロルフウインフリー ドイツ連邦共和国エツト、シュ
ルテ ラーセ2 25−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■)基板上に高周波低圧グロー放電によって単量体の炭
化水素および/またはフッ化炭素からなるグロー重合体
層を形成する方法において、0.5ないし10000H
2;のマイクロ波領域のグロー放電を行ない、マイクロ
波放電における基板部分の有効電界強度の振幅がE。 ≦850V/cynであることを特徴とするグロー重合
体層の形成方法。 2)マイクロ波放電を01ないし1 mbar 、特に
約0.5 mbarの圧力で行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の方法。 3)マイクロ波放電の1−基糎を200℃以rの温度に
加熱することを特徴とする特許請求の範囲第1項または
第2項記載の方法。 4)単量体として過フッ素性の化合物、特にオクタフル
オルンクロブタンを使用することを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3326377.9 | 1983-07-22 | ||
DE19833326377 DE3326377A1 (de) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | Verfahren zum erzeugen von glimmpolymerisat-schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6044504A true JPS6044504A (ja) | 1985-03-09 |
JPH058722B2 JPH058722B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=6204590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59151140A Granted JPS6044504A (ja) | 1983-07-22 | 1984-07-20 | グロ−重合体層の形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4729906A (ja) |
EP (1) | EP0132684B1 (ja) |
JP (1) | JPS6044504A (ja) |
AT (1) | ATE25852T1 (ja) |
CA (1) | CA1233782A (ja) |
DE (2) | DE3326377A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3632748A1 (de) * | 1986-09-26 | 1988-04-07 | Ver Foerderung Inst Kunststoff | Verfahren zur beschichtung von hohlkoerpern |
US5424131A (en) * | 1987-11-30 | 1995-06-13 | Polyplasma, Inc. | Barrier coatings on spacecraft materials |
DE3908418C2 (de) * | 1989-03-15 | 1999-06-02 | Buck Chem Tech Werke | Verfahren zum Innenbeschichten von Kunststoff-Behältern und Vorrichtung zum Beschichten |
US5035917A (en) * | 1989-06-22 | 1991-07-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of preparing layers of vinylidene fluoride polymers and vinylidene fluoride/trifluoroethylene copolymers on a substrate |
US5156919A (en) * | 1990-04-03 | 1992-10-20 | Segate Technology, Inc. | Fluorocarbon coated magnesium alloy carriage and method of coating a magnesium alloy shaped part |
US5244730A (en) * | 1991-04-30 | 1993-09-14 | International Business Machines Corporation | Plasma deposition of fluorocarbon |
US5773098A (en) * | 1991-06-20 | 1998-06-30 | British Technology Group, Ltd. | Applying a fluoropolymer film to a body |
GB9113350D0 (en) * | 1991-06-20 | 1991-08-07 | Thomas Thomas Ronald | Asymmetric/anisotropic fluoropolymer membrane manufacture |
DE4220171A1 (de) * | 1992-06-19 | 1992-12-17 | Lsg Loet Und Schweissgeraete G | Verfahren zur herstellung von ionen- und elektronenleitenden polymeren |
US5569810A (en) * | 1994-03-18 | 1996-10-29 | Samco International, Inc. | Method of and system for processing halogenated hydrocarbons |
ES2409063T3 (es) * | 2003-11-18 | 2013-06-24 | Habasit Ag | Cinta transportadora recubierta por plasma |
EP2009029B1 (en) * | 2007-06-28 | 2012-11-07 | Masarykova univerzita | Method of realisation of polyreactions, plasma-chemical polyreactions, their modification and modification of macromolecular substances by the plasma jet with a dielectric capillary enlaced by a hollow cathode |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56159203A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-08 | Toshiba Corp | Formation of organic film sensitive to warmness |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3847652A (en) * | 1972-12-08 | 1974-11-12 | Nasa | Method of preparing water purification membranes |
US4143949A (en) * | 1976-10-28 | 1979-03-13 | Bausch & Lomb Incorporated | Process for putting a hydrophilic coating on a hydrophobic contact lens |
DE2652383C3 (de) * | 1976-11-17 | 1980-08-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von elektrisch isolierenden Schichten durch Polymerisation von Gasen mittels einer'"'1"111611 Wechselspannung |
JPS5518403A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-08 | Toshiba Corp | Formation of organic thin film |
DE2900200A1 (de) * | 1979-01-04 | 1980-07-17 | Bosch Gmbh Robert | Messonde mit schutzschicht und verfahren zur herstellung einer schutzschicht auf einer messonde |
CA1141020A (en) * | 1979-10-19 | 1983-02-08 | Slawomir W. Sapieha | Electrets from plasma polymerized material |
JPS57150154A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Toshiba Corp | Manufacture for information recording body |
JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
-
1983
- 1983-07-22 DE DE19833326377 patent/DE3326377A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-07-09 AT AT84108032T patent/ATE25852T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-07-09 DE DE8484108032T patent/DE3462604D1/de not_active Expired
- 1984-07-09 EP EP84108032A patent/EP0132684B1/de not_active Expired
- 1984-07-20 JP JP59151140A patent/JPS6044504A/ja active Granted
- 1984-07-20 CA CA000459316A patent/CA1233782A/en not_active Expired
-
1986
- 1986-01-31 US US06/824,937 patent/US4729906A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56159203A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-08 | Toshiba Corp | Formation of organic film sensitive to warmness |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE25852T1 (de) | 1987-03-15 |
CA1233782A (en) | 1988-03-08 |
EP0132684A1 (de) | 1985-02-13 |
US4729906A (en) | 1988-03-08 |
EP0132684B1 (de) | 1987-03-11 |
JPH058722B2 (ja) | 1993-02-03 |
DE3326377A1 (de) | 1985-01-31 |
DE3462604D1 (en) | 1987-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yasuda et al. | Plasma polymerization investigated by the comparison of hydrocarbons and perfluorocarbons | |
Hynes et al. | Pulsed plasma polymerization of perfluorocyclohexane | |
Anand et al. | Surface modification of low density polyethylene in a fluorine gas plasma | |
JPS6044504A (ja) | グロ−重合体層の形成方法 | |
Biederman et al. | Plasma polymer films and their future prospects | |
US4132829A (en) | Preparation of dielectric coatings of variable dielectric constant by plasma polymerization | |
Ichikawa et al. | Actinometry measurement of dissociation degrees of nitrogen and oxygen in N2–O2 microwave discharge plasma | |
KR19980026719A (ko) | 자유전율의 절연막 제조방법 | |
Morinaka et al. | Residual stress and thermal expansion coefficient of plasma polymerized films | |
Millard et al. | Plasma synthesis of fluorocarbon films | |
Yasuda et al. | Some aspects of plasma polymerization of fluorine‐containing organic compounds. II. Comparison of ethylene and tetrafluoroethylene | |
Loh et al. | Surface modifications of polymers with fluorine‐containing plasmas: Deposition versus replacement reactions | |
Leich et al. | Pulsed plasma polymerization of benzaldehyde for retention of the aldehyde functional group | |
JPH0514722B2 (ja) | ||
EP0282827A2 (de) | Verfahren zur Plasmapolymerisation von Polymeren unter Verwendung polymerer Ausgangsprodukte | |
KR101881534B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 금속산화물이 포함된 탄소막의 형성 방법 | |
Benmassaoud et al. | Influence of the power and pressure on the growth rate and refractive index of aC: H thin films deposited by rf plasma-enhanced chemical vapour deposition | |
Clark et al. | Plasma polymerization. IV. A systematic investigation of the inductively coupled RF plasma polymerization of pentafluorobenzene. | |
Hynes et al. | Selective incorporation of perfluorinated phenyl rings during pulsed plasma polymerization of perfluoroallylbenzene | |
Loh et al. | Plasma surface modification of polymer powders with application to thermal energy storage | |
Sadhir et al. | Protective Thin Film Coatings by Plasma Polymerisation | |
JPH06507672A (ja) | 薄い、ミクロ細孔の無い導電性重合膜の製造方法 | |
Ristow | Time-dependent properties of organic thin films deposited by glow discharge | |
Chen et al. | Investigation on RF styrene plasma by emission spectroscopy | |
Bottin et al. | Modification of paper surface properties by microwave plasmas |