JPH058722B2 - - Google Patents
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- JPH058722B2 JPH058722B2 JP59151140A JP15114084A JPH058722B2 JP H058722 B2 JPH058722 B2 JP H058722B2 JP 59151140 A JP59151140 A JP 59151140A JP 15114084 A JP15114084 A JP 15114084A JP H058722 B2 JPH058722 B2 JP H058722B2
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Classifications
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F114/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F114/18—Monomers containing fluorine
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- C08F2/52—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by electric discharge, e.g. voltolisation
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05D2506/10—Fluorinated polymers
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板上に高周波低圧グロー放電に
よつて単量体の炭化水素および／またはフツ化炭
素からなるグロー重合体層を形成する方法に関す
る。
よつて単量体の炭化水素および／またはフツ化炭
素からなるグロー重合体層を形成する方法に関す
る。
ガス状の有機単量体から出発して低圧プラズマ
励起によつて基板上に重合体を生じるグロー重合
によつて、その他の方法では重合不可能な単量体
からでも薄く均質で気孔のない層を製造すること
ができることは知られている。特に無線周波数領
域（A.T.Bell、S.Veprek、M.Venugopalan著
“Plasma Chemistry”、Berlin Heidel−berg、
Springer−Verlag、1980年、43ページ以降参照）
即ち0.1ないし100MHz（RF）の領域、およびマ
イクロ波領域（J.Macromol著Sci.−Chem.A14
(3)、321ないし337ページ、1980年参照）即ち0.1
ないし1000GHz（MW）の領域における高周波放
電は、グロー重合用の低圧プラズマを発生するの
に特に好適であることが判明している。その場合
エネルギーは、プラズマ即ちグロー重合が行われ
る反応装置に、容易に外部導体を介して容量的お
よび誘導的に、および共振空洞いわゆる“低速波
構造”などのような導波管によつて導くことがで
きるので、導電部とプラズマとの間の相互干渉は
阻止される。
励起によつて基板上に重合体を生じるグロー重合
によつて、その他の方法では重合不可能な単量体
からでも薄く均質で気孔のない層を製造すること
ができることは知られている。特に無線周波数領
域（A.T.Bell、S.Veprek、M.Venugopalan著
“Plasma Chemistry”、Berlin Heidel−berg、
Springer−Verlag、1980年、43ページ以降参照）
即ち0.1ないし100MHz（RF）の領域、およびマ
イクロ波領域（J.Macromol著Sci.−Chem.A14
(3)、321ないし337ページ、1980年参照）即ち0.1
ないし1000GHz（MW）の領域における高周波放
電は、グロー重合用の低圧プラズマを発生するの
に特に好適であることが判明している。その場合
エネルギーは、プラズマ即ちグロー重合が行われ
る反応装置に、容易に外部導体を介して容量的お
よび誘導的に、および共振空洞いわゆる“低速波
構造”などのような導波管によつて導くことがで
きるので、導電部とプラズマとの間の相互干渉は
阻止される。
グロー重合における興味のある点は、炭化水素
（CH）およびフツ化炭素（CF）を原材料とする
層の製造である。その場合重合性化合物の広いス
ペクトルを包含する有機単量体から、広範囲にわ
たつて特定できる特性をもつグロー重合体、例え
ば質的および量的に良好な歩留りにおいて損失の
少い誘電体、表面エネルギーの少い疎液性の被
覆、Ｘ線リトグラフおよび電子線リトグラフにお
ける乾燥構造化プロセス用の高感度抵抗層、電気
医療に使用する薄膜および種々な用途に使用する
エレクトレツト用のCH基板および／またはCF基
板上の薄い層を製造する必要がある。
（CH）およびフツ化炭素（CF）を原材料とする
層の製造である。その場合重合性化合物の広いス
ペクトルを包含する有機単量体から、広範囲にわ
たつて特定できる特性をもつグロー重合体、例え
ば質的および量的に良好な歩留りにおいて損失の
少い誘電体、表面エネルギーの少い疎液性の被
覆、Ｘ線リトグラフおよび電子線リトグラフにお
ける乾燥構造化プロセス用の高感度抵抗層、電気
医療に使用する薄膜および種々な用途に使用する
エレクトレツト用のCH基板および／またはCF基
板上の薄い層を製造する必要がある。
高周波のRFグロー放電およびMWグロー放電
を使用する場合、単量体に比べて低い水素成分お
よび／またはフツ素成分をもつ重合体は、一般に
CH単量体、CF単量体およびCH−CF単量体から
なつている。これは、単量体分子からなるプラズ
マにおいては荷電粒子特に電子との衝突によつ
て、水素原子およびフツ素原子または水素の多い
核種およびフツ素の多い核種が分裂し、ガス流
（単量体成分の）によつて押し流され、従つて層
の形成が阻止されることに帰因している。その結
果として、形成された層は、単量体に比べて化学
量論以下のＣ／Ｈ組成またはＣ／Ｆ組成を有して
いる。従つて、層には一次不飽和構造およびラジ
カルが形成され、これは、空気中の酸素が入つた
場合に酸化し、その際、好ましくない不明確な極
性構造が生じる。この構造は、例えば誘電特性の
低下、吸水性の増加および溶媒の作用時における
化学変化反応（親媒性）の原因となる。
を使用する場合、単量体に比べて低い水素成分お
よび／またはフツ素成分をもつ重合体は、一般に
CH単量体、CF単量体およびCH−CF単量体から
なつている。これは、単量体分子からなるプラズ
マにおいては荷電粒子特に電子との衝突によつ
て、水素原子およびフツ素原子または水素の多い
核種およびフツ素の多い核種が分裂し、ガス流
（単量体成分の）によつて押し流され、従つて層
の形成が阻止されることに帰因している。その結
果として、形成された層は、単量体に比べて化学
量論以下のＣ／Ｈ組成またはＣ／Ｆ組成を有して
いる。従つて、層には一次不飽和構造およびラジ
カルが形成され、これは、空気中の酸素が入つた
場合に酸化し、その際、好ましくない不明確な極
性構造が生じる。この構造は、例えば誘電特性の
低下、吸水性の増加および溶媒の作用時における
化学変化反応（親媒性）の原因となる。
本発明の目的は、単量の炭化水素および／また
はフツ化炭素を原材料とし、直接完全に水素また
はフツ素で飽和されたグロー重合体が形成される
ように構成された明細書冒頭に記述のグロー重合
体層の形成方法を提供することにある。
はフツ化炭素を原材料とし、直接完全に水素また
はフツ素で飽和されたグロー重合体が形成される
ように構成された明細書冒頭に記述のグロー重合
体層の形成方法を提供することにある。
この目的は本発明によれば、0.5ないし1000G
Hzのマイクロ波領域においてグロー放電を行な
い、マイクロ波放電の際の基板部分における有効
電界強度の振幅がEp≦850V／cmにすることによ
つて達成される。
Hzのマイクロ波領域においてグロー放電を行な
い、マイクロ波放電の際の基板部分における有効
電界強度の振幅がEp≦850V／cmにすることによ
つて達成される。
本発明による方法においては、使用された単量
体から水素原子またはフツ素原子の分裂が阻止さ
れ、むしろこれからＣ−Ｃ結合の分裂によつて、
主として重合性のCH2核種またはCF2核種が生じ
るものである。これは、一般にこれと反対に、無
線周波数領域における高周波放電には当て嵌まら
ない。本発明による方法において、マイクロ波放
電の場合、第１線において衝突粒子として作用す
る電子のエネルギーが明らかに制限されるため、
単量体の、強固なＣ−Ｈ結合またはＣ−Ｆ結合で
はなく主としてＣ−Ｃ結合が分裂する。理論的考
察はこの仮定によつている。
体から水素原子またはフツ素原子の分裂が阻止さ
れ、むしろこれからＣ−Ｃ結合の分裂によつて、
主として重合性のCH2核種またはCF2核種が生じ
るものである。これは、一般にこれと反対に、無
線周波数領域における高周波放電には当て嵌まら
ない。本発明による方法において、マイクロ波放
電の場合、第１線において衝突粒子として作用す
る電子のエネルギーが明らかに制限されるため、
単量体の、強固なＣ−Ｈ結合またはＣ−Ｆ結合で
はなく主としてＣ−Ｃ結合が分裂する。理論的考
察はこの仮定によつている。
正弦波状に推移する時間経過をもつ交番電界か
ら電子によりプラズマに伝達可能なエネルギーＵ
は、電界周波数νが電子の自由行程と相関関係を
もつプラズマ衝突周波数νpより小さい場合におい
ては、一般に次式が成立する。
ら電子によりプラズマに伝達可能なエネルギーＵ
は、電界周波数νが電子の自由行程と相関関係を
もつプラズマ衝突周波数νpより小さい場合におい
ては、一般に次式が成立する。
Ｕ＝1/2・e2E2／ｍ（2πν）2
ここに、ｅ…電気素量、
Ｅ…一定の場所において電子に作用する電界強度
（Ｅは設定された外部電界と位置との関数であ
る）、 ｍ…電子の質量、 ν…電界周波数。
（Ｅは設定された外部電界と位置との関数であ
る）、 ｍ…電子の質量、 ν…電界周波数。
エネルギーの時間的平均値Utは次式のように
なる。
なる。
Ｕ＝1/4・e2Ep 2／ｍ（2πν）2
ここにEp…有効電界強度Ｅの振幅。
従つて、衝突現象に伴い電子によつてプラズマ
に伝達されるエネルギーは、可逆電界周波数の自
乗に比例する。これは、Epを対比可能な値とした
場合、マイクロ波放電においては、無線周波放電
の場合に比べて極めて少いエネルギーが単量体分
子に伝達されることを意味している。他方におい
てマイクロ波プラズマにおいては電子密度が無線
周波プラズマにおける場合より極めて高いため、
マイクロ波プラズマにおいては均一のエネルギー
分布をもつ極めて多くの電子が生じる。本発明の
方法によつて、特に外部から加えられた電界強度
のEpを適当に選択することにより、又は共振空洞
を有する装置においては基板の所定の位置によ
り、Utの上限は、電子が主としてＣ−Ｃ結合だ
けを分裂し強固なＣ−Ｈ結合およびＣ−Ｆ結合は
分裂させない値にされる。本発明によれば、この
ためEpの上限値として850V／cmの値が定められ
ている。
に伝達されるエネルギーは、可逆電界周波数の自
乗に比例する。これは、Epを対比可能な値とした
場合、マイクロ波放電においては、無線周波放電
の場合に比べて極めて少いエネルギーが単量体分
子に伝達されることを意味している。他方におい
てマイクロ波プラズマにおいては電子密度が無線
周波プラズマにおける場合より極めて高いため、
マイクロ波プラズマにおいては均一のエネルギー
分布をもつ極めて多くの電子が生じる。本発明の
方法によつて、特に外部から加えられた電界強度
のEpを適当に選択することにより、又は共振空洞
を有する装置においては基板の所定の位置によ
り、Utの上限は、電子が主としてＣ−Ｃ結合だ
けを分裂し強固なＣ−Ｈ結合およびＣ−Ｆ結合は
分裂させない値にされる。本発明によれば、この
ためEpの上限値として850V／cmの値が定められ
ている。
本発明による方法の場合にはＣ−Ｃ結合の選択
的分裂によつて、化学的観点において使用された
単量体と同じ組成および同じ構造特徴をもつ層が
得られる。これはこの方法の本質的な長所であ
り、特に例えばCH−CF結合からなるエレクトレ
ツト特性をもつ層の製造にも重要である。
的分裂によつて、化学的観点において使用された
単量体と同じ組成および同じ構造特徴をもつ層が
得られる。これはこの方法の本質的な長所であ
り、特に例えばCH−CF結合からなるエレクトレ
ツト特性をもつ層の製造にも重要である。
エレクトレツトはドイツ連邦共和国特許出願公
開第3039561号公報から知られており、これは容
積測定の空間電荷をもつプラズマ重合された誘電
材料の薄膜からなつている。この薄膜は０Hzない
し30GHzの周波数においてプラズマ重合され、そ
の場合、周波数はマイクロ波周波数領域にするこ
とができる。プラズマ重合の場合単量体として、
ヘキサメチルジシロキサン、シラン、エチレン、
スチロールおよびテトラフルオルエチレンを使用
することができる。しかしながらこの場合、完全
に水素添加されフツ素添加されたグロー重合体の
製造に関し、および本発明の方法において本質的
な基板の部分における有効電界強度の振幅≦
850V／cmの特徴に関して何も指摘されていない。
従つてこの本質的な条件が従来知られていなかつ
たことが前提となる。そのほか、従来知られてい
るプラズマ化学におけるマイクロ波放電の使用
は、強力な電子を必要とするラジカル反応（H.
Drost著“Plasmachemie”、71および72ページ参
照）の始動用に限られている。
開第3039561号公報から知られており、これは容
積測定の空間電荷をもつプラズマ重合された誘電
材料の薄膜からなつている。この薄膜は０Hzない
し30GHzの周波数においてプラズマ重合され、そ
の場合、周波数はマイクロ波周波数領域にするこ
とができる。プラズマ重合の場合単量体として、
ヘキサメチルジシロキサン、シラン、エチレン、
スチロールおよびテトラフルオルエチレンを使用
することができる。しかしながらこの場合、完全
に水素添加されフツ素添加されたグロー重合体の
製造に関し、および本発明の方法において本質的
な基板の部分における有効電界強度の振幅≦
850V／cmの特徴に関して何も指摘されていない。
従つてこの本質的な条件が従来知られていなかつ
たことが前提となる。そのほか、従来知られてい
るプラズマ化学におけるマイクロ波放電の使用
は、強力な電子を必要とするラジカル反応（H.
Drost著“Plasmachemie”、71および72ページ参
照）の始動用に限られている。
プラズマ衝撃周波数νpは、電子の自由行程およ
び放電装置を通しての単量体ガスの質流率によつ
て影響され、従つて僅少な程度であつても間接的
に分裂現象の傾向も影響される。その場合自由行
程の短縮およびプラズマ衝撃周波数の増加は、電
子が平均して僅かなエネルギーを得るため、Ｃ−
Ｃ結合の増加された分裂を生じる。従つて本発明
方法においては、0.1ないし１ｍbar特に約0.5ｍ
barの圧力においてマイクロ波放電を行なうこと
が好ましい。
び放電装置を通しての単量体ガスの質流率によつ
て影響され、従つて僅少な程度であつても間接的
に分裂現象の傾向も影響される。その場合自由行
程の短縮およびプラズマ衝撃周波数の増加は、電
子が平均して僅かなエネルギーを得るため、Ｃ−
Ｃ結合の増加された分裂を生じる。従つて本発明
方法においては、0.1ないし１ｍbar特に約0.5ｍ
barの圧力においてマイクロ波放電を行なうこと
が好ましい。
さらに本発明による方法においては、基板はマ
イクロ波放電の間200℃以下の温度に加熱するこ
とが好ましく、この場合に優れた特性をもつグロ
ー重合体層が得られる。グロー放電自体は、0.5
ないし100GHzのマイクロ波領域で行なうことが
好ましい。
イクロ波放電の間200℃以下の温度に加熱するこ
とが好ましく、この場合に優れた特性をもつグロ
ー重合体層が得られる。グロー放電自体は、0.5
ないし100GHzのマイクロ波領域で行なうことが
好ましい。
本発明による方法において、炭化水素単量体と
しては、例えばエチレン、プロペン、ブテン、ブ
タジエンおよびシクロヘキサンなどの化合物を使
用することができる。この方法においては、過フ
ツ素性の有機化合物すなわちフツ化炭素を使用す
ることが好ましい。単量体フツ素化合物として
は、特にオクタフルオルシクロブタンC4F8（過フ
ルオルシクロブタン）使用され、これと共にテト
ラフルオルエチレンC2F4、過フルオルプロペン
C3F6、過フルオルブタンC4F8および過フルオル
シクロヘキサンC6F12などのその他の過フツ素性
の炭化水素も使用される。
しては、例えばエチレン、プロペン、ブテン、ブ
タジエンおよびシクロヘキサンなどの化合物を使
用することができる。この方法においては、過フ
ツ素性の有機化合物すなわちフツ化炭素を使用す
ることが好ましい。単量体フツ素化合物として
は、特にオクタフルオルシクロブタンC4F8（過フ
ルオルシクロブタン）使用され、これと共にテト
ラフルオルエチレンC2F4、過フルオルプロペン
C3F6、過フルオルブタンC4F8および過フルオル
シクロヘキサンC6F12などのその他の過フツ素性
の炭化水素も使用される。
本発明の方法によつて製造されたグロー重合体
層は、無孔性および均質構造を備えるだけでな
く、さらに化学組成および物理的特性において安
定であり、しかもポリエチレン（PE）、ポリテト
ラフルオルエチレン（PTFE）、テトラフルオル
エチレン−ヘキサフルオルプロペン−共重合体
（FEP）およびその他の類似物質のような適当な
従来の方法で製造された重合体と等価である。こ
れは明らかに、プラズマ内において単量体からな
る水素原子および／またはフツ素原子の分裂が大
幅に阻止され、従つて製造された層が分析的測定
限界内において単量体に相当するＨ／Ｃまたは
Ｆ／Ｃの比率を有するため、本発明の方法によつ
て製造されたグロー重合体が完全に水素添加また
はフツ素添加されていることに帰因している。
層は、無孔性および均質構造を備えるだけでな
く、さらに化学組成および物理的特性において安
定であり、しかもポリエチレン（PE）、ポリテト
ラフルオルエチレン（PTFE）、テトラフルオル
エチレン−ヘキサフルオルプロペン−共重合体
（FEP）およびその他の類似物質のような適当な
従来の方法で製造された重合体と等価である。こ
れは明らかに、プラズマ内において単量体からな
る水素原子および／またはフツ素原子の分裂が大
幅に阻止され、従つて製造された層が分析的測定
限界内において単量体に相当するＨ／Ｃまたは
Ｆ／Ｃの比率を有するため、本発明の方法によつ
て製造されたグロー重合体が完全に水素添加また
はフツ素添加されていることに帰因している。
以下に実施例および図によつて、本発明を一層
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明による方法を実施するのに好適な装置が
図に示されている。反応装置１すなわち反応容器
は、単量体の炭化水素化合物およびフツ化炭素化
合物用または単量体化合物用の貯蔵槽３と導管２
を介して結合されている。導管２には、単量体ガ
ス用のニードル弁４および流量計５が設けられて
いる。さらに導管２には圧力測定器６が設けられ
ている。必要な場合には、反応装置は適当な方法
で２個または数個の貯蔵槽と結合することもでき
る。
図に示されている。反応装置１すなわち反応容器
は、単量体の炭化水素化合物およびフツ化炭素化
合物用または単量体化合物用の貯蔵槽３と導管２
を介して結合されている。導管２には、単量体ガ
ス用のニードル弁４および流量計５が設けられて
いる。さらに導管２には圧力測定器６が設けられ
ている。必要な場合には、反応装置は適当な方法
で２個または数個の貯蔵槽と結合することもでき
る。
反応装置１は、空洞７すなわち所定の大きさの
中空導管と炉８とに囲まれており、その場合空洞
７はマイクロ波発生装置９に結合されている。反
応装置１の内部には炉８の部分に１個または数個
の基板１０が設けられている。熱電対１１は基板
１０の部分の温度測定に使用される。反応装置１
の出口は導管１２によつて真空ポンプ１３と結合
されている。導管１２には、減圧弁１４と液体窒
素を備えたコールドトラツプ１５とが設けられて
いる。
中空導管と炉８とに囲まれており、その場合空洞
７はマイクロ波発生装置９に結合されている。反
応装置１の内部には炉８の部分に１個または数個
の基板１０が設けられている。熱電対１１は基板
１０の部分の温度測定に使用される。反応装置１
の出口は導管１２によつて真空ポンプ１３と結合
されている。導管１２には、減圧弁１４と液体窒
素を備えたコールドトラツプ１５とが設けられて
いる。
図に示された装置において、例えば2.45GHzの
周波数をもつマイクロ波放電によつて、C4F8か
ら基板上にグロー重合体層が製造される。単量体
ガスは、13標準cm3／minの質流率および0.5ｍbar
のガス圧で2.5cmの内径をもつ石英管の形の反応
装置を通して送られる。石英管の周りに設けられ
たマイクロ波共振器は、200W以下の出力でマイ
クロ波エネルギーをテスラコイルによつて点弧さ
れたガス放電に供給する。基板は石英管内の共振
器の外部に、しかもガス流の下方に設けられる
が、同じく空洞の外部におけるガス流の上方の反
応装置に設けることもできる。
周波数をもつマイクロ波放電によつて、C4F8か
ら基板上にグロー重合体層が製造される。単量体
ガスは、13標準cm3／minの質流率および0.5ｍbar
のガス圧で2.5cmの内径をもつ石英管の形の反応
装置を通して送られる。石英管の周りに設けられ
たマイクロ波共振器は、200W以下の出力でマイ
クロ波エネルギーをテスラコイルによつて点弧さ
れたガス放電に供給する。基板は石英管内の共振
器の外部に、しかもガス流の下方に設けられる
が、同じく空洞の外部におけるガス流の上方の反
応装置に設けることもできる。
マイクロ波共振器に対して種々の距離に設けら
れた基板上にグロー重合体が析出されるが、この
重合体は固く脆く透明な層から軟かく白い層への
移行を示している。プラズマ内において明らかに
Ｃ−Ｃ結合の分裂に適した電界強度に相当する反
応装置の所定の範囲においては、層は透明で脆く
なく、赤外線分光検査では従来の方法で製造され
たPTFEと同じであり、光電分光検査によつて
２：１のＦ／Ｃ比率を示している。同様に絶縁抵
抗、誘電率および誘電損率に関する誘電測定は、
本発明によつて製造されたマイクロ波重合体と従
来の方法で製造されたPTFEとが等価であること
を示している。
れた基板上にグロー重合体が析出されるが、この
重合体は固く脆く透明な層から軟かく白い層への
移行を示している。プラズマ内において明らかに
Ｃ−Ｃ結合の分裂に適した電界強度に相当する反
応装置の所定の範囲においては、層は透明で脆く
なく、赤外線分光検査では従来の方法で製造され
たPTFEと同じであり、光電分光検査によつて
２：１のＦ／Ｃ比率を示している。同様に絶縁抵
抗、誘電率および誘電損率に関する誘電測定は、
本発明によつて製造されたマイクロ波重合体と従
来の方法で製造されたPTFEとが等価であること
を示している。
図は本発明による方法を実施する装置の一実施
例を示す説明図である。 １……反応装置、２……導管、３……貯蔵槽、
４……ニードル弁、５……流量計、６……圧力測
定器、７……空洞、８……炉、９……マイクロ波
発生装置、１０……基板、１１……熱電対、１２
……導管、１３……真空ポンプ、１４……減圧
弁、１５……コールドトラツプ。
例を示す説明図である。 １……反応装置、２……導管、３……貯蔵槽、
４……ニードル弁、５……流量計、６……圧力測
定器、７……空洞、８……炉、９……マイクロ波
発生装置、１０……基板、１１……熱電対、１２
……導管、１３……真空ポンプ、１４……減圧
弁、１５……コールドトラツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に高周波低圧グロー放電によつて単量
体の炭化水素および／またはフツ化炭素からなる
グロー重合体層を形成する方法において、0.5な
いし1000GHzのマイクロ波領域のグロー放電をキ
ヤリアガスの不存在下に行ない、マイクロ波放電
における基板部分の有効電界強度の振幅がEp≦
850V／cmであることを特徴とするグロー重合体
層の形成方法。 ２ マイクロ波放電を0.1ないし１ｍbar、特に約
0.5ｍbarの圧力で行なうことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３ マイクロ波放電の間基板を200℃以下の温度
に加熱することを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載の方法。 ４ 単量体として過フツ素性の化合物、特にオク
タフルオルシクロブタンを使用することを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
か１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833326377 DE3326377A1 (de) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | Verfahren zum erzeugen von glimmpolymerisat-schichten |
| DE3326377.9 | 1983-07-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044504A JPS6044504A (ja) | 1985-03-09 |
| JPH058722B2 true JPH058722B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=6204590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151140A Granted JPS6044504A (ja) | 1983-07-22 | 1984-07-20 | グロ−重合体層の形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4729906A (ja) |
| EP (1) | EP0132684B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6044504A (ja) |
| AT (1) | ATE25852T1 (ja) |
| CA (1) | CA1233782A (ja) |
| DE (2) | DE3326377A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3632748A1 (de) * | 1986-09-26 | 1988-04-07 | Ver Foerderung Inst Kunststoff | Verfahren zur beschichtung von hohlkoerpern |
| US5424131A (en) * | 1987-11-30 | 1995-06-13 | Polyplasma, Inc. | Barrier coatings on spacecraft materials |
| DE3908418C2 (de) * | 1989-03-15 | 1999-06-02 | Buck Chem Tech Werke | Verfahren zum Innenbeschichten von Kunststoff-Behältern und Vorrichtung zum Beschichten |
| US5035917A (en) * | 1989-06-22 | 1991-07-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of preparing layers of vinylidene fluoride polymers and vinylidene fluoride/trifluoroethylene copolymers on a substrate |
| US5156919A (en) * | 1990-04-03 | 1992-10-20 | Segate Technology, Inc. | Fluorocarbon coated magnesium alloy carriage and method of coating a magnesium alloy shaped part |
| US5244730A (en) * | 1991-04-30 | 1993-09-14 | International Business Machines Corporation | Plasma deposition of fluorocarbon |
| US5773098A (en) * | 1991-06-20 | 1998-06-30 | British Technology Group, Ltd. | Applying a fluoropolymer film to a body |
| GB9113350D0 (en) * | 1991-06-20 | 1991-08-07 | Thomas Thomas Ronald | Asymmetric/anisotropic fluoropolymer membrane manufacture |
| DE4220171A1 (de) * | 1992-06-19 | 1992-12-17 | Lsg Loet Und Schweissgeraete G | Verfahren zur herstellung von ionen- und elektronenleitenden polymeren |
| US5569810A (en) * | 1994-03-18 | 1996-10-29 | Samco International, Inc. | Method of and system for processing halogenated hydrocarbons |
| US7824742B2 (en) * | 2003-11-18 | 2010-11-02 | Habasit Ag | Plasma-coated conveyor belt |
| EP2009029B1 (en) * | 2007-06-28 | 2012-11-07 | Masarykova univerzita | Method of realisation of polyreactions, plasma-chemical polyreactions, their modification and modification of macromolecular substances by the plasma jet with a dielectric capillary enlaced by a hollow cathode |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56159203A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-08 | Toshiba Corp | Formation of organic film sensitive to warmness |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3847652A (en) * | 1972-12-08 | 1974-11-12 | Nasa | Method of preparing water purification membranes |
| US4143949A (en) * | 1976-10-28 | 1979-03-13 | Bausch & Lomb Incorporated | Process for putting a hydrophilic coating on a hydrophobic contact lens |
| DE2652383C3 (de) * | 1976-11-17 | 1980-08-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von elektrisch isolierenden Schichten durch Polymerisation von Gasen mittels einer'"'1"111611 Wechselspannung |
| JPS5518403A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-08 | Toshiba Corp | Formation of organic thin film |
| DE2900200A1 (de) * | 1979-01-04 | 1980-07-17 | Bosch Gmbh Robert | Messonde mit schutzschicht und verfahren zur herstellung einer schutzschicht auf einer messonde |
| CA1141020A (en) * | 1979-10-19 | 1983-02-08 | Slawomir W. Sapieha | Electrets from plasma polymerized material |
| JPS57150154A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Toshiba Corp | Manufacture for information recording body |
| JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
-
1983
- 1983-07-22 DE DE19833326377 patent/DE3326377A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-07-09 DE DE8484108032T patent/DE3462604D1/de not_active Expired
- 1984-07-09 EP EP84108032A patent/EP0132684B1/de not_active Expired
- 1984-07-09 AT AT84108032T patent/ATE25852T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-07-20 CA CA000459316A patent/CA1233782A/en not_active Expired
- 1984-07-20 JP JP59151140A patent/JPS6044504A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-31 US US06/824,937 patent/US4729906A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56159203A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-08 | Toshiba Corp | Formation of organic film sensitive to warmness |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0132684A1 (de) | 1985-02-13 |
| CA1233782A (en) | 1988-03-08 |
| US4729906A (en) | 1988-03-08 |
| DE3462604D1 (en) | 1987-04-16 |
| EP0132684B1 (de) | 1987-03-11 |
| JPS6044504A (ja) | 1985-03-09 |
| DE3326377A1 (de) | 1985-01-31 |
| ATE25852T1 (de) | 1987-03-15 |
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