JPS6043930A - モ−ド選択及びパワ−制御手段に関連して半導体レ−ザを組み込んだ赤外光源 - Google Patents
モ−ド選択及びパワ−制御手段に関連して半導体レ−ザを組み込んだ赤外光源Info
- Publication number
- JPS6043930A JPS6043930A JP59153288A JP15328884A JPS6043930A JP S6043930 A JPS6043930 A JP S6043930A JP 59153288 A JP59153288 A JP 59153288A JP 15328884 A JP15328884 A JP 15328884A JP S6043930 A JPS6043930 A JP S6043930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light source
- mirror
- laser light
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/424—Mounting of the optical light guide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4245—Mounting of the opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/4257—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
- G02B6/4268—Cooling
- G02B6/4271—Cooling with thermo electric cooling
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4286—Optical modules with optical power monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1039—Details on the cavity length
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はモード選択とパワー制御手段に関連して一！Ｉ
４導体し−サを組み込んだ赤外光源に関するものでル）
る。その光源は長距離の光学通信リンクに対−づ−４１
５５μＩｎの光源の製造に使用される。
４導体し−サを組み込んだ赤外光源に関するものでル）
る。その光源は長距離の光学通信リンクに対−づ−４１
５５μＩｎの光源の製造に使用される。
（従来の技術）
長距離の光通信に対して設計される１５５μｍの波長に
おいて動作する光学ファイバーは非常に制限された減衰
（０３乃至０．５ ｔｌＢ ／ Ｉ（Ｉη）を有すが、
かなりの波長の分散（０，１５ｐｓ ／ｎｒｎ／ｋｍ
）を有する。
おいて動作する光学ファイバーは非常に制限された減衰
（０３乃至０．５ ｔｌＢ ／ Ｉ（Ｉη）を有すが、
かなりの波長の分散（０，１５ｐｓ ／ｎｒｎ／ｋｍ
）を有する。
Ｊ（距＋Ｖリンク、例えば５０ ｋｍに関して、ナノメ
ータの数十分の１の非常に狭いスペクトルの光源を使用
することを必要とする。
ータの数十分の１の非常に狭いスペクトルの光源を使用
することを必要とする。
しかしながら、利得又は屈折率によって案内さＪする通
常の半導体レーザは数ナノメータのスペクトル幅を有し
、この幅は変調の場合において更に増加する。この幅を
減らすために、単一周波数を作るべきソースを可能とし
、光フィードバックと１１・Ｐばれるモード選択手順が
使用される。この光フィードバックの原理は第１図に示
される。
常の半導体レーザは数ナノメータのスペクトル幅を有し
、この幅は変調の場合において更に増加する。この幅を
減らすために、単一周波数を作るべきソースを可能とし
、光フィードバックと１１・Ｐばれるモード選択手順が
使用される。この光フィードバックの原理は第１図に示
される。
第１図ａに示されるレーザは、共振周波数が量λ２
’２ｎＴ、とわずかに相違するΔλ、たけ分離されるフ
ァブリ・ペロー共振器で構成される。但し、λはソース
の波長、１）はファブリ・ペロー共振器の長さ、ｎは物
質の有効屈折率である。
ァブリ・ペロー共振器で構成される。但し、λはソース
の波長、１）はファブリ・ペロー共振器の長さ、ｎは物
質の有効屈折率である。
増幅媒質の利得カーブ２は、その周波数のうちいくつか
を選択する。これらの周波数は共振器の縦モードを定め
る（第１図１））。レーザは、そのモードの１つだけが
あるとき（一般に最も高見・エネルギーモード）、単色
又は縦の単一形態である。
を選択する。これらの周波数は共振器の縦モードを定め
る（第１図１））。レーザは、そのモードの１つだけが
あるとき（一般に最も高見・エネルギーモード）、単色
又は縦の単一形態である。
レーザの近くで、長さＬのレーザから距離１６における
外部鏡（第１図ａ）は、レーザによって輻射される輻射
の波面の形状を変化させる曲率を持ち、レーザの共振状
態を変化さぜる。この球面鏡とごくわずかな平面鏡によ
って構成される共振器、λ２ は長さ■、ｌ−４を有する。それに対して、値か２（ｎ
Ｌ＋ｌ）に接近する△λ２だげ離間する共振周波数（第
１図Ｃ）は対応する。
外部鏡（第１図ａ）は、レーザによって輻射される輻射
の波面の形状を変化させる曲率を持ち、レーザの共振状
態を変化さぜる。この球面鏡とごくわずかな平面鏡によ
って構成される共振器、λ２ は長さ■、ｌ−４を有する。それに対して、値か２（ｎ
Ｌ＋ｌ）に接近する△λ２だげ離間する共振周波数（第
１図Ｃ）は対応する。
長さＬの主共振器と長さｒ、 ＋ｉの空胴の共振の一致
は、鏡３の位置調整によって、主空胴のモートの１つを
選択１−ることを可能にする（第１図（１）。
は、鏡３の位置調整によって、主空胴のモートの１つを
選択１−ることを可能にする（第１図（１）。
例えは、平均有効屈折率が３５である２００ ｔｒｍの
ＪＱいレーザに対して、縦モード間の分離は１６Ａ１即
ち２１４ （ｉｌｌｚの周波数シフトである。
ＪＱいレーザに対して、縦モード間の分離は１６Ａ１即
ち２１４ （ｉｌｌｚの周波数シフトである。
このように、鋭：うを加えることによって作られイ）七
−ド選択はさておき、１１届射線のファインネス（１’
１ｎｅｓｓｃ ）が減少１−ろ。これは、鏡の反射係数
と共」１１階器の長さとがリンクされるファブリ・ペロ
ーれる。但し、０は光の速度、ｒは鏡の反射係数である
。この幅は前述のレーザに対して約１．００ ＧＨｚで
ある。外部の鏡をイ１加１″ることで反射係数ｒを増加
イろことによって、光学路の長さに比例してこの幅を減
少させることが可能となる。レーザの長さに等しい長さ
に主共振器から離間し、８０％Ｖ）反射係数を有１−る
外部鏡な使用することによって、線の幅は、はぼ減少し
、数ＧＨｚに落ちる。
−ド選択はさておき、１１届射線のファインネス（１’
１ｎｅｓｓｃ ）が減少１−ろ。これは、鏡の反射係数
と共」１１階器の長さとがリンクされるファブリ・ペロ
ーれる。但し、０は光の速度、ｒは鏡の反射係数である
。この幅は前述のレーザに対して約１．００ ＧＨｚで
ある。外部の鏡をイ１加１″ることで反射係数ｒを増加
イろことによって、光学路の長さに比例してこの幅を減
少させることが可能となる。レーザの長さに等しい長さ
に主共振器から離間し、８０％Ｖ）反射係数を有１−る
外部鏡な使用することによって、線の幅は、はぼ減少し
、数ＧＨｚに落ちる。
半導体レーザに刀えられる光学フィードバック手順のモ
ード選択は、” Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １ｅｔｔｅ
ｒｓ ” Ｖｏ ｌ。
ード選択は、” Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １ｅｔｔｅ
ｒｓ ” Ｖｏ ｌ。
１８、 ｎｏ、 ２５（１９８２−１２−９） （仏）
のレービュ（＋’ｅｖｔｌｃ ）に発表されたに、 Ｒ
，Ｐｒｅｓｔｏｎ ” ５ｉｒｒｐｌｅ ５ｐｅｃｔｒ
ａｌ ｃｏｎ−ｔｒｏｌ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｆｏｒ
ｅｘｔｅｒｎａｌ ｃａｖｉｔｙ １ａｓｅｒ ｔｒａ
ｎｓ−ｍｉｌＬｅｒｓ”及び１９８２年９月２１日から
２４日にカンタ（Ｃａｎｎｅｓ ）で行なわれた光学通
信欧州会議（１すＣ（、）Ｃ）の報告で発表されたＩう
５ｐｏｒｌｃｄｃｒ ” Ｌｏｗ Ｉ’ｒｃｑｕｃｎｃ
ｙｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｅｓ ｏｆ １ａｓｅｒ ｄｉ
ｏ（ｌｅｓ ｗｉｔｈ ｏｐｔｉｃａｌ Ｉ’ｅｃｒｌ
ｆａｃｋ”に更に詳細に説明されている。
のレービュ（＋’ｅｖｔｌｃ ）に発表されたに、 Ｒ
，Ｐｒｅｓｔｏｎ ” ５ｉｒｒｐｌｅ ５ｐｅｃｔｒ
ａｌ ｃｏｎ−ｔｒｏｌ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｆｏｒ
ｅｘｔｅｒｎａｌ ｃａｖｉｔｙ １ａｓｅｒ ｔｒａ
ｎｓ−ｍｉｌＬｅｒｓ”及び１９８２年９月２１日から
２４日にカンタ（Ｃａｎｎｅｓ ）で行なわれた光学通
信欧州会議（１すＣ（、）Ｃ）の報告で発表されたＩう
５ｐｏｒｌｃｄｃｒ ” Ｌｏｗ Ｉ’ｒｃｑｕｃｎｃ
ｙｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｅｓ ｏｆ １ａｓｅｒ ｄｉ
ｏ（ｌｅｓ ｗｉｔｈ ｏｐｔｉｃａｌ Ｉ’ｅｃｒｌ
ｆａｃｋ”に更に詳細に説明されている。
半導体レーザは電流帰還によって依存するパワーを作る
。−レーザによって輻射される光のパワーを測定１〜る
ことによって、レーザの供給電流を制御１−ることかで
きる電気信号を形成することを可能にする。その結果前
記パワーが常に残る。そのような手順は、例えば１９８
１年１０月６日に登録された米国特許第４，２９３，８
２７号明細書の１）、 Ｒ，５ｃｉｆｒｃｓ及びＲ，Ｉ
）、Ｂｕｒｎｈａｍ ” Ｉ−（ｙｂｒｉｄ ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｂ）ｒ １ａｓｅｒｄｅｔｅｃｔｏｒ ”
に記載されている。そのような方式において、光検出器
はレーザ共振器の分割された裏面に輻射される光を受け
取り、その前面は有益なビームを通過させる。光検出器
は、電流源を制御し２、レーザの半導体要素を与える増
幅を与える。
。−レーザによって輻射される光のパワーを測定１〜る
ことによって、レーザの供給電流を制御１−ることかで
きる電気信号を形成することを可能にする。その結果前
記パワーが常に残る。そのような手順は、例えば１９８
１年１０月６日に登録された米国特許第４，２９３，８
２７号明細書の１）、 Ｒ，５ｃｉｆｒｃｓ及びＲ，Ｉ
）、Ｂｕｒｎｈａｍ ” Ｉ−（ｙｂｒｉｄ ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｂ）ｒ １ａｓｅｒｄｅｔｅｃｔｏｒ ”
に記載されている。そのような方式において、光検出器
はレーザ共振器の分割された裏面に輻射される光を受け
取り、その前面は有益なビームを通過させる。光検出器
は、電流源を制御し２、レーザの半導体要素を与える増
幅を与える。
このように制御ループは形成される。
（発明の課題）
本発明はソース構成の観点から真の長所を有する配列に
おいて、光選択とパワー制御の２つの手段を組み合ぜる
ことを提案１−るものである。光速距離通信に使用する
だめの半導体レーザの分野に、ｒ６いて、構成の安定性
（機械、電気、光、熱等）は極めて重要であり、特別な
予備策を講じないとしばしば不用能であることに注意し
なければならない。しかしながら、本発明は光選択及び
パワーの制御の組み合せだけでなく、非常に耐久力が大
きく、高安定な構成を生じさせることを可能とすく）独
創的な配列を尚える。
おいて、光選択とパワー制御の２つの手段を組み合ぜる
ことを提案１−るものである。光速距離通信に使用する
だめの半導体レーザの分野に、ｒ６いて、構成の安定性
（機械、電気、光、熱等）は極めて重要であり、特別な
予備策を講じないとしばしば不用能であることに注意し
なければならない。しかしながら、本発明は光選択及び
パワーの制御の組み合せだけでなく、非常に耐久力が大
きく、高安定な構成を生じさせることを可能とすく）独
創的な配列を尚える。
この配列はレーザの裏面に面する選択鏡を使用し、前記
鏡に確かな伝達な匈えることを勧める。
鏡に確かな伝達な匈えることを勧める。
−）ｉ、鏡の背後のパワー制御ループにおいて使用さね
ろ受光素子の位置決めと、鏡と受光素子の間の光結合と
は、サポートによって支持される光ファイバーによって
保証される。このように、本発明による補助鏡はモード
を選択することと、制御目的のためにパワーの一部を抽
出する手段との両方に使用される。
ろ受光素子の位置決めと、鏡と受光素子の間の光結合と
は、サポートによって支持される光ファイバーによって
保証される。このように、本発明による補助鏡はモード
を選択することと、制御目的のためにパワーの一部を抽
出する手段との両方に使用される。
更に、他の機能に関して、有益なビームはサポートによ
って支持される第２の光ファイバーを使用するレーザの
前面で抽出される。レーザによって輻射される２つのビ
ームの二重使用は、後者が特別な屋根形サポートの使用
を導ひく自由な面を有することを想定する。これらのす
べての手段は、温度制限素子を有するベースに設けられ
る。ソースを形成する本発明のづ−ベての手段の別の機
能については、いくつかの樹脂モールドされたサポート
の結果として、同じ箱又はケースの中に組み込まれる。
って支持される第２の光ファイバーを使用するレーザの
前面で抽出される。レーザによって輻射される２つのビ
ームの二重使用は、後者が特別な屋根形サポートの使用
を導ひく自由な面を有することを想定する。これらのす
べての手段は、温度制限素子を有するベースに設けられ
る。ソースを形成する本発明のづ−ベての手段の別の機
能については、いくつかの樹脂モールドされたサポート
の結果として、同じ箱又はケースの中に組み込まれる。
これらのサポートは場所の中（で置かれ、それらの位置
は調整され、また、それらはサポートの樹脂と同じ樹脂
の補助で固定される。
は調整され、また、それらはサポートの樹脂と同じ樹脂
の補助で固定される。
（発明の構成及び作用）
本発明による実施例を添伺図面を参照して説明する。
第２図に示されるデバイスは、屋根形のベース２０σ）
［・ノブに取りイマ１けられるレーザ・チップ１５、サ
ポート２・１で支持される光ファイバー２２、モード選
択目的で使用される球面鏡２６から構成され、前記鏡は
、サポート２８、該鏡の後に位置する光学）ｆイ・・−
及Ｏ・光検出器；３２と一体である。ベースプレー１・
；＋１にの組立て台は、適切な位置にサポート２１及び
２８を支持するために較正用のロッド３６，３８とかみ
合う。前記ベースプレー１・の下には熱電気モノ、−ル
４０か句えられる。組立品は箱又はケース・１２の中に
収容される。
［・ノブに取りイマ１けられるレーザ・チップ１５、サ
ポート２・１で支持される光ファイバー２２、モード選
択目的で使用される球面鏡２６から構成され、前記鏡は
、サポート２８、該鏡の後に位置する光学）ｆイ・・−
及Ｏ・光検出器；３２と一体である。ベースプレー１・
；＋１にの組立て台は、適切な位置にサポート２１及び
２８を支持するために較正用のロッド３６，３８とかみ
合う。前記ベースプレー１・の下には熱電気モノ、−ル
４０か句えられる。組立品は箱又はケース・１２の中に
収容される。
このようなノースによって供給されろビームは、ノアイ
ハ−２２によって案内される。通常の方法にお℃・て、
レーザは、２つの反射面（一般に分割された而）を有し
、取付台に形成された屋根の稜線に討１〜で２つのビー
ムを横方向に発する。
ハ−２２によって案内される。通常の方法にお℃・て、
レーザは、２つの反射面（一般に分割された而）を有し
、取付台に形成された屋根の稜線に討１〜で２つのビー
ムを横方向に発する。
第：う図及び第４図は、このデバイスの種々の副集成部
を詳細て示−Ｊ−ｏ第３図に示される取付台は集成体の
対称の而に対して傾斜した２つの面によ−）で形成され
た三稜形部１２を有する金属のモノブロノクサポ−１・
を有する。三稜形部１２は対称の面から成るスロット１
：３を有する。金属ストリノプト１はスロット内でろう
イ何される。このストリップはレーザチップ１５を受け
とめるために磨きあげられた」二端面な有する。後者の
長さはスＩ・リップの厚さに等しい。従って、レーザ放
射は横方向に向う。
を詳細て示−Ｊ−ｏ第３図に示される取付台は集成体の
対称の而に対して傾斜した２つの面によ−）で形成され
た三稜形部１２を有する金属のモノブロノクサポ−１・
を有する。三稜形部１２は対称の面から成るスロット１
：３を有する。金属ストリノプト１はスロット内でろう
イ何される。このストリップはレーザチップ１５を受け
とめるために磨きあげられた」二端面な有する。後者の
長さはスＩ・リップの厚さに等しい。従って、レーザ放
射は横方向に向う。
また、平行六面体の相互接続プレー！・」６にろう刊さ
れるメベース１１を有′１−る。サポートは固定用の穴
１８を有する。
れるメベース１１を有′１−る。サポートは固定用の穴
１８を有する。
レーザチップの全体に残る温度コンタクトを破壊するこ
となしにプリズム形部１２はレーザチップ及び鏡を開放
することは明らかである。
となしにプリズム形部１２はレーザチップ及び鏡を開放
することは明らかである。
そのような取付台は次のように得られる。サポートは引
き伸ばされた銅製品又はリングをフライス削り及びイＬ
Ｉ［削することにより得られる。ベース１１及びプリズ
ム形部］２は得られる。スロット１：３ば、望む幅が学
−パスで得られるような幅の１一つわりのこの補助を持
つフライス盤上でのこ引き１−ろことにより得られる。
き伸ばされた銅製品又はリングをフライス削り及びイＬ
Ｉ［削することにより得られる。ベース１１及びプリズ
ム形部］２は得られる。スロット１：３ば、望む幅が学
−パスで得られるような幅の１一つわりのこの補助を持
つフライス盤上でのこ引き１−ろことにより得られる。
これは、フィツトされるストリップの厚さ、プラス３０
乃至４０ ｔｔｍに等しい。ハリ取りか起きるとき、超
音波タンク中で塩素化又はツノ素化浴剤で洗浄される。
乃至４０ ｔｔｍに等しい。ハリ取りか起きるとき、超
音波タンク中で塩素化又はツノ素化浴剤で洗浄される。
ストリップは、サポートと同じ方法で銅から作らｊｔろ
。金属・・ントは圧延され、すりわりのこの補助て１Ｅ
Ｌ−い長さに切断される。切断された後、ストリップは
塩素化又はフッ素化溶剤によって洗浄される。各ストリ
ップは、３つの面が研削され、レーザチップを受けとめ
るための面は、磨きあげられる。
。金属・・ントは圧延され、すりわりのこの補助て１Ｅ
Ｌ−い長さに切断される。切断された後、ストリップは
塩素化又はフッ素化溶剤によって洗浄される。各ストリ
ップは、３つの面が研削され、レーザチップを受けとめ
るための面は、磨きあげられる。
相互接続プレート１６は、相互接続のために使用される
１パ導性コーデイングで覆われたフリットアルミナザブ
ストレートによって構成され、ガラス成分を含まない金
ペースＩ・のスクリーン印刷（５ｃｒｅｅｎ ｐｒｎｃ
ｅｓｓ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ）で製産される。サポート
ノベースに固定するための内面は、銀−パラジウムの補
助で得られるコーティングで覆われる。
１パ導性コーデイングで覆われたフリットアルミナザブ
ストレートによって構成され、ガラス成分を含まない金
ペースＩ・のスクリーン印刷（５ｃｒｅｅｎ ｐｒｎｃ
ｅｓｓ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ）で製産される。サポート
ノベースに固定するための内面は、銀−パラジウムの補
助で得られるコーティングで覆われる。
ス］・リップはサポートに作られるスロットの中に軟質
ろう伺けによって固定される。充填合金（ｆｉｌｌ ；
＋１ｌｏｙ ）は、その融点及び取付台に必要とされる
温度性能特性の関数として選択される。例えば、１６０
℃の性能特性の場合におし・て、融点が１７９℃で、６
２．５％の錫、３６褒の鉛及び１５係の銀から形成され
る合金に使用することが可能である。
ろう伺けによって固定される。充填合金（ｆｉｌｌ ；
＋１ｌｏｙ ）は、その融点及び取付台に必要とされる
温度性能特性の関数として選択される。例えば、１６０
℃の性能特性の場合におし・て、融点が１７９℃で、６
２．５％の錫、３６褒の鉛及び１５係の銀から形成され
る合金に使用することが可能である。
２００°Ｃの性能特性の場合において、融点が２１１０
°Ｃで、９５係錫−５多アンチモンの合金に使用１−る
ことか可能である。
°Ｃで、９５係錫−５多アンチモンの合金に使用１−る
ことか可能である。
第４図はサポート２４及び２８を示し、センタリンググ
リッド２５を有する前者はファイバー２２に位置する。
リッド２５を有する前者はファイバー２２に位置する。
サポートは樹脂の補助でモールドすることによって作ら
れる。それは内腔３６１，３６２に従う２つの較正用固
定ロッド関によってベースプレート＆１に固定される。
れる。それは内腔３６１，３６２に従う２つの較正用固
定ロッド関によってベースプレート＆１に固定される。
これらのロッドはベースプレート讃に予じめ固定される
。サボー）３４を形成１−るために使用される樹脂は、
サポートを各ロッドに固定づ−るために使用される。動
作のために必要な隙間は、約１／ｌｏａｍである。これ
らの樹脂の収縮は５／１０００である。即ち、約１／２
ミクロンの変位が１乃至２ ｄ１３の結合損失となる重
合の間に生じる。
。サボー）３４を形成１−るために使用される樹脂は、
サポートを各ロッドに固定づ−るために使用される。動
作のために必要な隙間は、約１／ｌｏａｍである。これ
らの樹脂の収縮は５／１０００である。即ち、約１／２
ミクロンの変位が１乃至２ ｄ１３の結合損失となる重
合の間に生じる。
同様の過程は、鏡のサポート２８（対して使用される。
それは樹脂で作られ、内腔３８．、 ：Ｊ３２に従う各
固定ロッドの補助によって、ベースプレート３４に固定
される３、また、これらのロッドはサポートを作るため
に使用される樹脂によって固定される。
固定ロッドの補助によって、ベースプレート３４に固定
される３、また、これらのロッドはサポートを作るため
に使用される樹脂によって固定される。
例えば、鏡は５８０１ｔｍ （７）直径の球面キャップ
で、純粋の樹脂から作られる。その曲率半径はレーザの
波面にできるたけ近づける。鏡は考慮する波長ｔ、７）
７ｆ）係の反射を許容１−る１００ Ａの常温コーティ
ングを・ンげる。その後部において、サポート２８は光
検出器：３２を収容できるように空胴３１を有する。
で、純粋の樹脂から作られる。その曲率半径はレーザの
波面にできるたけ近づける。鏡は考慮する波長ｔ、７）
７ｆ）係の反射を許容１−る１００ Ａの常温コーティ
ングを・ンげる。その後部において、サポート２８は光
検出器：３２を収容できるように空胴３１を有する。
中断ノアイハー：３０は３００μＩｎのコア径を有する
。
。
それは光検出器の表面と鏡の間のサポート２８の中に埋
められる。レーザ１５の後面から鏡２６を横切って光検
出器３２に向う光の転送を保証する。鏡が作１ニー）Ｊ
する純粋の樹脂は１．５の屈折率を有する。即ち七Ｊ′
（はＩ 、５５ ／（Ｉｌ＋の波長にお℃・て透明であ
る。このように集められたパワーは、約５０ ｌｔｍで
ある。それはレーザ供給電流のバイアスによって制御１
−るパワーな生じさせるために十分である。
められる。レーザ１５の後面から鏡２６を横切って光検
出器３２に向う光の転送を保証する。鏡が作１ニー）Ｊ
する純粋の樹脂は１．５の屈折率を有する。即ち七Ｊ′
（はＩ 、５５ ／（Ｉｌ＋の波長にお℃・て透明であ
る。このように集められたパワーは、約５０ ｌｔｍで
ある。それはレーザ供給電流のバイアスによって制御１
−るパワーな生じさせるために十分である。
太ぎ（・表面領域の熱電気モシー−ル４０（例えば、３
Ｘ ３ ｃｙｎ ）はベースプレート３４の一部をお
おう。
Ｘ ３ ｃｙｎ ）はベースプレート３４の一部をお
おう。
それはレーザ取付台の近くに位置する熱センサに関連し
、１５乃至２０°Ｇの温度に対して平衡する結果として
起る約０２℃の正確に箱の中で熱調整を生じさせること
を可能とする。要素の組立は熱電気要素に対して放熱物
（ラジェター）とし−（動作１−る箱４２の中に組込ま
れろ。
、１５乃至２０°Ｇの温度に対して平衡する結果として
起る約０２℃の正確に箱の中で熱調整を生じさせること
を可能とする。要素の組立は熱電気要素に対して放熱物
（ラジェター）とし−（動作１−る箱４２の中に組込ま
れろ。
第５図は、組立台上の箱の全体図である。操作アーム５
０は、最適結合を生じさせるようにレーザの輻射領域の
前で、微小操作されるファイバーザポート２１１をつか
む。サポートは固定ロッドの回りに樹脂を加えることに
よって固定される。前記樹脂はサポートを作るために使
用されたものと同じものである。同様に、アーム５２は
鏡のサポート２８をつかみ、レーザの背後に位置する。
０は、最適結合を生じさせるようにレーザの輻射領域の
前で、微小操作されるファイバーザポート２１１をつか
む。サポートは固定ロッドの回りに樹脂を加えることに
よって固定される。前記樹脂はサポートを作るために使
用されたものと同じものである。同様に、アーム５２は
鏡のサポート２８をつかみ、レーザの背後に位置する。
同じ樹脂は固定１−るために使用される。すべての動作
は拡大光学装置別により、オペレータによって制御され
る。
は拡大光学装置別により、オペレータによって制御され
る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、光選択及びパワ
ーの制御の機能を有し、かつ耐久性があり、高安定な構
成のレーザ光源を提供できる効果かある。
ーの制御の機能を有し、かつ耐久性があり、高安定な構
成のレーザ光源を提供できる効果かある。
第１図はモード選択の説明する図、第２図は本発明に、
Ｊ二るレーザ光源の実施例を示す図、第３図は本発明の
実施例に使用するレーザ取付台を示す図、第１１図は本
発明のレーザ光源の種々の要素を／Ｊ＜−Ｊ−図、第５
図は種々の要素を適合させる方法を示−４−図である。 １：）・レーザチップ、２０・・屋根形ベース、２２、
：ダ）・−光ファイバー、 ２１Ｉ、 ２８・・サポー
ト、２０ 球面鏡、 ３２・・・光検出器、ニジ１ ベ
ースプレート、３６．３８・・・ロッド、１１０ 熱電
気モジュール、４２ ・箱（又はケース）特許出願人 ルネ オノノｋ ルネ ルマレーノ＋、ｒ イボン ン
レル特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − ＦＩＧ、４ ア４ 第１頁の続き ０発 明 者 ルネ ル マレール フランス国。 地無し） ｏ発明者 イボン ソレル フランス国。 （番地無し）
Ｊ二るレーザ光源の実施例を示す図、第３図は本発明の
実施例に使用するレーザ取付台を示す図、第１１図は本
発明のレーザ光源の種々の要素を／Ｊ＜−Ｊ−図、第５
図は種々の要素を適合させる方法を示−４−図である。 １：）・レーザチップ、２０・・屋根形ベース、２２、
：ダ）・−光ファイバー、 ２１Ｉ、 ２８・・サポー
ト、２０ 球面鏡、 ３２・・・光検出器、ニジ１ ベ
ースプレート、３６．３８・・・ロッド、１１０ 熱電
気モジュール、４２ ・箱（又はケース）特許出願人 ルネ オノノｋ ルネ ルマレーノ＋、ｒ イボン ン
レル特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − ＦＩＧ、４ ア４ 第１頁の続き ０発 明 者 ルネ ル マレール フランス国。 地無し） ｏ発明者 イボン ソレル フランス国。 （番地無し）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）２つの面により光を輻射する半導体レーザと、負
荷選択器として動作する外部の鏡と、レーザによって発
射される輻射の一部を受光し、レーザ（〆（−よって発
射されるパワーを制御するためにレーザの供給電流を制
御するために使用１−る光検出器を有１″る光源であっ
て、光検出器は、半透明で、レーザの２つの面のうち１
つの面に面するモード選択鏡の背後に位置していること
を特徴とするレーザ光源。 （２）前記レーザが、屋根形取伺台の頂上に位置し７、
その２つの面を横切って、前記屋根形の縁に差］し７て
２つの方向法めされたビームを横方向に発射−１−４）
ことをＬｌも一部とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ーザ光源。 （３）第１のサポートで支持され、レーザの各面０１つ
に面部装置し、光源によって輻射される有用なビームを
案内する第１の光ファイバーと、第２のサポートで支持
され、鏡と光検出器を保持し、鏡と光検出器の間に位置
する第２の光ファイバーと、取付台が置かれ、第１及び
第２のサポートを移動させる固定ロッドが固定され、後
者が接着によって固定されるベースプレー１・とがら構
成されることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
レーザ光源。 （／１）第１及び第２のサポートが、固定ロッドに対し
てそれらを接着１−るために使用されるものと同じ樹脂
から作られることを特徴とする特許請求する熱電気モジ
ュールを有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のレーザ光源。 （６）光源を形成する各要素の組立体は、密封の箱の中
に置かれ、第１の光ファイバーによって移動されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ光源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8312249 | 1983-07-25 | ||
| FR8312249A FR2550023B1 (fr) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | Source lumineuse infrarouge comprenant un laser a semiconducteur associe a des moyens de selection de mode et d'asservissement en puissance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043930A true JPS6043930A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=9291080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59153288A Pending JPS6043930A (ja) | 1983-07-25 | 1984-07-25 | モ−ド選択及びパワ−制御手段に関連して半導体レ−ザを組み込んだ赤外光源 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4630278A (ja) |
| EP (1) | EP0133394B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6043930A (ja) |
| DE (1) | DE3466840D1 (ja) |
| FR (1) | FR2550023B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156329U (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-27 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784454A (en) * | 1982-08-02 | 1988-11-15 | Andrew Corporation | Optical fiber and laser interface device |
| DE3534017A1 (de) * | 1985-09-24 | 1987-03-26 | Siemens Ag | Verfahren zum ankoppeln einer laserdiode an einen monomode-lichtwellenleiter und eine anordnung aus einer laserdiode und einem daran angekoppelten lichtwellenleiter |
| FR2588377B1 (fr) * | 1985-10-08 | 1989-03-31 | Comp Generale Electricite | Source lumineuse infrarouge accordable |
| US4797896A (en) * | 1987-05-06 | 1989-01-10 | Light Wave Electronics Co. | Solid state optical ring resonator and laser using same |
| EP0308603A1 (de) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Dynamisch einmodiger Lasersender |
| FR2655161B1 (fr) * | 1989-11-30 | 1992-12-24 | Cit Alcatel | Dispositif a double couplage optique, notamment pour systeme de transmission a fibres optiques. |
| US5073838A (en) * | 1989-12-04 | 1991-12-17 | Ncr Corporation | Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device |
| US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| GB9221105D0 (en) * | 1992-10-07 | 1992-11-18 | Diomed Ltd | Laser diode assembly |
| DE69529209T2 (de) * | 1995-03-14 | 2003-11-13 | Tesa Brown & Sharpe Sa | Element mit einem geregelten Diodenlaser, und elektrooptische Vorrichtung unter Verwendung eines derartigen Elements |
| US20060038302A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Kejun Zeng | Thermal fatigue resistant tin-lead-silver solder |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3793595A (en) * | 1971-12-27 | 1974-02-19 | Perkin Elmer Corp | Single frequency stabilized laser |
| US3835415A (en) * | 1972-06-28 | 1974-09-10 | Ibm | High radiance semiconductor laser |
| US4375067A (en) * | 1979-05-08 | 1983-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
| DE2931526C2 (de) * | 1979-08-03 | 1984-02-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur Intensitätsregelung einer von einem Halbleiter-Laser emittierten Strahlung |
| US4297651A (en) * | 1979-08-23 | 1981-10-27 | Northern Telecom Limited | Methods for simultaneous suppression of laser pulsations and continuous monitoring of output power |
| FR2519813B1 (fr) * | 1982-01-08 | 1986-01-17 | Thomson Csf | Dispositif de stabilisation de la puissance optique d'un laser semi-conducteur |
| FR2531819A1 (fr) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Demeure Loic | Embase pour laser a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US4485475A (en) * | 1983-05-27 | 1984-11-27 | The Mitre Corporation | Optical source peak wavelength control using a wavelength feedback network |
-
1983
- 1983-07-25 FR FR8312249A patent/FR2550023B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-07-18 EP EP84401510A patent/EP0133394B1/fr not_active Expired
- 1984-07-18 DE DE8484401510T patent/DE3466840D1/de not_active Expired
- 1984-07-20 US US06/632,729 patent/US4630278A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-25 JP JP59153288A patent/JPS6043930A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156329U (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0133394A1 (fr) | 1985-02-20 |
| US4630278A (en) | 1986-12-16 |
| FR2550023A1 (fr) | 1985-02-01 |
| DE3466840D1 (en) | 1987-11-19 |
| FR2550023B1 (fr) | 1987-03-27 |
| EP0133394B1 (fr) | 1987-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2196032C (en) | Optical module and a temperature control method therefor | |
| JP4670384B2 (ja) | 光送信アセンブリの製造方法 | |
| JP3782126B2 (ja) | 二方向光通信及び信号伝送用送信及び受信モジュール | |
| US7027469B2 (en) | Tunable filter | |
| US8259765B2 (en) | Passive phase control in an external cavity laser | |
| US7259905B2 (en) | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module | |
| JPS6043930A (ja) | モ−ド選択及びパワ−制御手段に関連して半導体レ−ザを組み込んだ赤外光源 | |
| JPH01502619A (ja) | 光学波長分割多重化装置 | |
| US20200144790A1 (en) | Silicon photonics based tunable laser | |
| JPH1138372A (ja) | 高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法 | |
| JP2000056185A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| US6792178B1 (en) | Fiber optic header with integrated power monitor | |
| EP0477842B1 (en) | Semiconducteur laser amplifier | |
| JP2003124566A (ja) | 半導体レーザ制御モジュール及び光システム | |
| US6273620B1 (en) | Semiconductor light emitting module | |
| JP2003177365A (ja) | 光送信装置、光受信装置、及び光装置の製造方法 | |
| CN112563883A (zh) | 一种集成化外腔式单频线偏振半导体激光器 | |
| US4065730A (en) | Laser optical coupler | |
| EP1958302B1 (en) | Passive phase control in an external cavity laser | |
| EP0187716A2 (en) | Semiconductor laser array device | |
| JP2001144370A (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
| JPS60133776A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2000323791A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 | |
| JP2023144957A (ja) | レーザダイオードを用いた光源、光合波器及び画像投影装置 | |
| Ladany et al. | Single-mode laser studies: Design and performance of a fixed-wave length source and coupling of lasers to thin-film optical waveguides |