JPS6043621B2 - カラ−陰極線管 - Google Patents
カラ−陰極線管Info
- Publication number
- JPS6043621B2 JPS6043621B2 JP5664780A JP5664780A JPS6043621B2 JP S6043621 B2 JPS6043621 B2 JP S6043621B2 JP 5664780 A JP5664780 A JP 5664780A JP 5664780 A JP5664780 A JP 5664780A JP S6043621 B2 JPS6043621 B2 JP S6043621B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shadow mask
- cathode ray
- ray tube
- color cathode
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はシヤドウマスクを改善したカラー陰極線管に
関するものである。
関するものである。
まず第１図に示されたカラー陰極線管を説明すると、同
図において、１はガラス製のパネルで、その内面には色
選別機構であるシヤドウマスク２を介して露光法により
螢光面３が形成されている。
図において、１はガラス製のパネルで、その内面には色
選別機構であるシヤドウマスク２を介して露光法により
螢光面３が形成されている。
４はガラス製のフアンネルで、このフアンネル４のロー
ド状の細くなつた部分には電子ビームを発射する電子銃
５が内蔵されている。
ド状の細くなつた部分には電子ビームを発射する電子銃
５が内蔵されている。
パネル１とフアンネル４とは低融点ガラス６にて融着さ
れ、内部は高真空に保たれている。７は偏向ヨークで、
電子銃５から発射された電子ビームを蛍光面３上を走査
する。
れ、内部は高真空に保たれている。７は偏向ヨークで、
電子銃５から発射された電子ビームを蛍光面３上を走査
する。
その際、電子ビームはシヤドウマスク２の孔を透過する
が、シヤドウマスク２の透過率が２０％であるため、８
０％の電子ビームはシヤドウマスク２に衝突する。その
結果、シヤドウマスク２の温度が約４０℃上昇し、シヤ
ドウマスク２が熱膨張を起こす。シヤドウマスク２は冷
間圧延鋼 ＰＣＥ材で純鉄に近く、約１．３×１０−０
／℃の熱膨張係数を有し、その熱変形量を等価的に法線
方向の分布荷重で表現すると次式のようになる。
が、シヤドウマスク２の透過率が２０％であるため、８
０％の電子ビームはシヤドウマスク２に衝突する。その
結果、シヤドウマスク２の温度が約４０℃上昇し、シヤ
ドウマスク２が熱膨張を起こす。シヤドウマスク２は冷
間圧延鋼 ＰＣＥ材で純鉄に近く、約１．３×１０−０
／℃の熱膨張係数を有し、その熱変形量を等価的に法線
方向の分布荷重で表現すると次式のようになる。
Ｐ０＝−αＴＯ
ａ（１−Ｖ）
上式において、Ｐｏは等価分布荷重、Ｅはシヤドウマス
ク材のヤング率、れはシヤドウマスク材の厚さ、αはシ
ヤドウマスク材の熱膨張係数、Ｔｏはシヤドウマスク断
内面の平均温度、νはシヤドウマスク材のポアソン化で
、計算はシヤドウマスクと同じ形状とした孔のあいてい
ないものについてである。
ク材のヤング率、れはシヤドウマスク材の厚さ、αはシ
ヤドウマスク材の熱膨張係数、Ｔｏはシヤドウマスク断
内面の平均温度、νはシヤドウマスク材のポアソン化で
、計算はシヤドウマスクと同じ形状とした孔のあいてい
ないものについてである。
またａはシヤドウマスクの球面の半径である。今 Ｅ＝
２×１ＣＦ３に９／Ｃ！ｌ） れ ■０．０１５ｃｍａ
＝１０Ｃ）ｃｍα＝１．３×１０−５／℃ ＴＯ■４０
０Ｃν■０．３でＰｏΞ−４４５．７ｙ／ｄとなる。
２×１ＣＦ３に９／Ｃ！ｌ） れ ■０．０１５ｃｍａ
＝１０Ｃ）ｃｍα＝１．３×１０−５／℃ ＴＯ■４０
０Ｃν■０．３でＰｏΞ−４４５．７ｙ／ｄとなる。
すなわち４４５．７ｙ／ ｃ４、の荷重が歪としてシヤ
ドウマスクに加つていることになり、この計算では孔の
あいてないシヤドウマスクとして計算した。上記のよう
にカラー陰極線管が動作してシヤドウマスク２に電子ビ
ームが衝突すると、シヤドウマスク２が４０℃近くまで
昇温して、上に計算したような値に近い荷重が加つたと
同じ変形がシヤドウマスク２に生じる。このため、カラ
ー陰極線管を製造したときに、螢光面３をパネル１にシ
ヤドウマスク２を介して作成したときの蛍光面３上での
光軸と、カラー陰極線管として動作したときの蛍光面３
上での電子軌道とが合致しなくなり、その結果、それぞ
れ対応した電子ビームと螢光体ドット間に位置ずれ、つ
まり色ずれを生じ、画質が低下する。さらに、シヤドウ
マスク２はパネル１の内面にそつた球面の一部をなす形
状にブレス成形する必要があり、このとき、素材の組成
が純鉄に近い方がブレス成形しやすい。
ドウマスクに加つていることになり、この計算では孔の
あいてないシヤドウマスクとして計算した。上記のよう
にカラー陰極線管が動作してシヤドウマスク２に電子ビ
ームが衝突すると、シヤドウマスク２が４０℃近くまで
昇温して、上に計算したような値に近い荷重が加つたと
同じ変形がシヤドウマスク２に生じる。このため、カラ
ー陰極線管を製造したときに、螢光面３をパネル１にシ
ヤドウマスク２を介して作成したときの蛍光面３上での
光軸と、カラー陰極線管として動作したときの蛍光面３
上での電子軌道とが合致しなくなり、その結果、それぞ
れ対応した電子ビームと螢光体ドット間に位置ずれ、つ
まり色ずれを生じ、画質が低下する。さらに、シヤドウ
マスク２はパネル１の内面にそつた球面の一部をなす形
状にブレス成形する必要があり、このとき、素材の組成
が純鉄に近い方がブレス成形しやすい。
一方、シヤドウマスク２の熱膨張係数を小さくするには
、純鉄に色々の不純物たとえば炭素、窒素などを混入す
ると良いが、シヤドウマスクの孔をホトエッチングによ
りあけた場合、シヤドウマスクの清浄度が悪く、不純物
による孔形状のくずれを生じ、画質が低下する。この発
明は上記のような欠点を解消するためになされたもので
、電子ビームの衝突によるシヤドウマスクの熱変形を小
さくおさえるとともに、不純物によるシヤドウマスクの
孔形状のくずれを防止して、画質を向上できるカラー陰
極線管を提供することを目的とする。
、純鉄に色々の不純物たとえば炭素、窒素などを混入す
ると良いが、シヤドウマスクの孔をホトエッチングによ
りあけた場合、シヤドウマスクの清浄度が悪く、不純物
による孔形状のくずれを生じ、画質が低下する。この発
明は上記のような欠点を解消するためになされたもので
、電子ビームの衝突によるシヤドウマスクの熱変形を小
さくおさえるとともに、不純物によるシヤドウマスクの
孔形状のくずれを防止して、画質を向上できるカラー陰
極線管を提供することを目的とする。
以下、この発明の実施例を第２図を用いて説明する。
第２図は縦軸に熱膨張係数を、上部の横軸に等価分荷重
を、また下部の横軸に炭素の含有率をそれぞれ示す。ま
た熱膨張係数と炭素含有率との関係を実線て示し、熱膨
張係数と等価分布荷重の関係を丸印と点線とで示す。ま
ず、第１図のようにカラー陰極線管に内蔵するシヤドウ
マスク２の素材（前述のＳＰＣＥ材）にホトエッチング
により孔をあけ、かつこの素材を所定形状にブレス成形
する。
を、また下部の横軸に炭素の含有率をそれぞれ示す。ま
た熱膨張係数と炭素含有率との関係を実線て示し、熱膨
張係数と等価分布荷重の関係を丸印と点線とで示す。ま
ず、第１図のようにカラー陰極線管に内蔵するシヤドウ
マスク２の素材（前述のＳＰＣＥ材）にホトエッチング
により孔をあけ、かつこの素材を所定形状にブレス成形
する。
つぎに、このようにして得られたシヤドウマスクを浸炭
により炭化処理し、その表面に炭素を拡散含有させる。
これにより第２図のようにシヤドウマスクの熱膨張係数
を１．３×１０−５／℃から１．０５×１０−５／℃ま
で減少し、電子ビームの衝突によるシヤドウマスクの熱
変形量を２割近く減少することができる。このようにシ
ヤドウマスクの熱膨張係数を小さくするには、シヤドウ
マスクを炭化して、その表面に炭素を拡散含有させると
よい。上記のようにシヤドウマスクは熱膨張係数を小さ
くするために炭素のような不純物を含むが、この不純物
はシヤドウマスクのホトエッチングによる孔あけ加工時
には含まれておらず、したがつて不純物による孔形状の
くずれがなく、上記熱変形量の減少とで画質が向上する
。
により炭化処理し、その表面に炭素を拡散含有させる。
これにより第２図のようにシヤドウマスクの熱膨張係数
を１．３×１０−５／℃から１．０５×１０−５／℃ま
で減少し、電子ビームの衝突によるシヤドウマスクの熱
変形量を２割近く減少することができる。このようにシ
ヤドウマスクの熱膨張係数を小さくするには、シヤドウ
マスクを炭化して、その表面に炭素を拡散含有させると
よい。上記のようにシヤドウマスクは熱膨張係数を小さ
くするために炭素のような不純物を含むが、この不純物
はシヤドウマスクのホトエッチングによる孔あけ加工時
には含まれておらず、したがつて不純物による孔形状の
くずれがなく、上記熱変形量の減少とで画質が向上する
。
以上のように、この発明によれば、電子ビームの衝突に
よるシヤドウマスクの熱変形を小さくおさえるとともに
、不純物によるシヤドウマスクの孔形状のくずれをなく
し、画質を向上できるカラー陰極線管が提供される。
よるシヤドウマスクの熱変形を小さくおさえるとともに
、不純物によるシヤドウマスクの孔形状のくずれをなく
し、画質を向上できるカラー陰極線管が提供される。
第１図はカラー陰極線管の一部切欠側面図、第２図は炭
素含有量、熱膨張係数および等価分布荷重の関係図であ
る。 １・・・・・・パネル、２・・・・・・シヤドウマスク
、３・・・螢光面、４・・・・・・フアンネル、５・・
・・・・電子銃、７・・・・・・偏向コイル。
素含有量、熱膨張係数および等価分布荷重の関係図であ
る。 １・・・・・・パネル、２・・・・・・シヤドウマスク
、３・・・螢光面、４・・・・・・フアンネル、５・・
・・・・電子銃、７・・・・・・偏向コイル。
Claims (1)
- １ 色選別機構であるシヤドウマスクを炭化処理して、
その表面に炭素を拡散含有させることにより、その熱膨
張係数を小さくしたことを特徴とするカラー陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664780A JPS6043621B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | カラ−陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664780A JPS6043621B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | カラ−陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152140A JPS56152140A (en) | 1981-11-25 |
| JPS6043621B2 true JPS6043621B2 (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=13033134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5664780A Expired JPS6043621B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | カラ−陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043621B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58186130A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-31 | Toshiba Corp | カラ−受像管の製造方法 |
| JPH0738295B2 (ja) * | 1983-08-16 | 1995-04-26 | 株式会社東芝 | カラー受像管 |
| JPS6070642A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | シヤドウマスク |
-
1980
- 1980-04-25 JP JP5664780A patent/JPS6043621B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152140A (en) | 1981-11-25 |
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