JPS60434B2 - 水素発生方法 - Google Patents
水素発生方法Info
- Publication number
- JPS60434B2 JPS60434B2 JP58042509A JP4250983A JPS60434B2 JP S60434 B2 JPS60434 B2 JP S60434B2 JP 58042509 A JP58042509 A JP 58042509A JP 4250983 A JP4250983 A JP 4250983A JP S60434 B2 JPS60434 B2 JP S60434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- hydrogen
- polymer
- cathode
- metallocenophane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/50—Processes
- C25B1/55—Photoelectrolysis
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の分野〕
本発明は、光を用いて水から水素を発生させる方法に係
り、更に具体的に云えば、特別な処理を施された陰極を
用いて酸を含む水に電流が流される上記方法に係る。
り、更に具体的に云えば、特別な処理を施された陰極を
用いて酸を含む水に電流が流される上記方法に係る。
水素を発生させるために水を電解することは、極めて古
くから知られている。
くから知られている。
本発明の方法は遷移金属のメタロセノフアン（ｍｅｔａ
ｌｌＭｅｎｏｐｈａ艦）化合物（連結された２つのメタ
ロセン（ｍｅｔａｌｌｏｃｅｎｅ）を含む化合物）を用
いている。
ｌｌＭｅｎｏｐｈａ艦）化合物（連結された２つのメタ
ロセン（ｍｅｔａｌｌｏｃｅｎｅ）を含む化合物）を用
いている。
それらの形成については、文献に記載されており、その
ような材料に関するイｂ学については、“Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ａｎｄ Ｅｎｇｍｅｅｒｉｎｇ Ｎｅｗｓ’’、
１９８２王３月１日版の第２３頁以降に於て論じられて
いる。しかしながら、それらの化合物を陰極に結合させ
るために重合体を用いることについては、従来に於て、
何ら開示されていない。〔本発明の概要〕 本発明の方法に於ては、酸を含む水の電解によって水素
が発生される。
ような材料に関するイｂ学については、“Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ａｎｄ Ｅｎｇｍｅｅｒｉｎｇ Ｎｅｗｓ’’、
１９８２王３月１日版の第２３頁以降に於て論じられて
いる。しかしながら、それらの化合物を陰極に結合させ
るために重合体を用いることについては、従来に於て、
何ら開示されていない。〔本発明の概要〕 本発明の方法に於ては、酸を含む水の電解によって水素
が発生される。
その陰極は、後述される如く、特別な処理を施された半
導体であり、該陰極は動作中光に対してさらされる。こ
の方法は、その光が太陽光である場合に、特に重要であ
る。本発明の方法に於ては、遷移金属のメタロセノフア
ン化合物を陰極に結合させるために重合体が用いられる
。それらの好ましい遷移金属は、コバルト、ルテニウム
、及び特に鉄である。最も好ましい化合物は、〔１・１
〕フェロセノフアンである。本発明の方法に於ては、陰
極は半導体でなければならない。
導体であり、該陰極は動作中光に対してさらされる。こ
の方法は、その光が太陽光である場合に、特に重要であ
る。本発明の方法に於ては、遷移金属のメタロセノフア
ン化合物を陰極に結合させるために重合体が用いられる
。それらの好ましい遷移金属は、コバルト、ルテニウム
、及び特に鉄である。最も好ましい化合物は、〔１・１
〕フェロセノフアンである。本発明の方法に於ては、陰
極は半導体でなければならない。
最も好ましい種類の陰極は、ｐ型シリコンから形成され
たものである。例えばｌｎｐの如き他の半導体も用いら
れ得るが、経済的でありそして入手し易いという理由か
ら、ｐ型シリコンの半導体が特に好ましい。ｐ型シリコ
ンを光電陰極として用いることにより、３００のＶ以上
のアンダー電位に於て触媒量のメタロセノフアンを含む
三弗化側素化物（戊ｒｏｎｔｒ正ｌｕｏｒｉｄｅｈｙｄ
ｒａに）の如き酸から水素が発生され得る。
たものである。例えばｌｎｐの如き他の半導体も用いら
れ得るが、経済的でありそして入手し易いという理由か
ら、ｐ型シリコンの半導体が特に好ましい。ｐ型シリコ
ンを光電陰極として用いることにより、３００のＶ以上
のアンダー電位に於て触媒量のメタロセノフアンを含む
三弗化側素化物（戊ｒｏｎｔｒ正ｌｕｏｒｉｄｅｈｙｄ
ｒａに）の如き酸から水素が発生され得る。
これは、その電極の電位が白金の如き金属電極上に水素
を発生させるために必要とされる電位よりも３００ｍＶ
以上も正であることを意味する。この方法に於ては、水
素はメタロセノフアンと酸との反応に於て発生される。
即ち、メタロセノフアンは上記反応によってそのジカチ
オンに酸化され、それから半導体表面に発生される電子
によって再び中性のメタロセノフアンに還元される。メ
タロセノフアンが存在していない場合は、極めて負の電
位に於ても、又照射されても、水素は三弗化棚素水化物
から発生され得ない。これは、すべての水素発生反応に
於てシリコンが高いオーバー電位を有することによるも
のである。メタロセノフアンの触媒は不可欠である。本
発明の方法に於ては、その触媒は、重合体によって、半
導体の陰極の表面に付着される。この付着は、表面に高
濃度の触媒を与え、又半導体を電解質による表面安定化
及び浸食から保護するという利点を更に有している。本
発明の方法によって、燃料として後に用いられるために
貯蔵され得る水素を得ることが可能である。
を発生させるために必要とされる電位よりも３００ｍＶ
以上も正であることを意味する。この方法に於ては、水
素はメタロセノフアンと酸との反応に於て発生される。
即ち、メタロセノフアンは上記反応によってそのジカチ
オンに酸化され、それから半導体表面に発生される電子
によって再び中性のメタロセノフアンに還元される。メ
タロセノフアンが存在していない場合は、極めて負の電
位に於ても、又照射されても、水素は三弗化棚素水化物
から発生され得ない。これは、すべての水素発生反応に
於てシリコンが高いオーバー電位を有することによるも
のである。メタロセノフアンの触媒は不可欠である。本
発明の方法に於ては、その触媒は、重合体によって、半
導体の陰極の表面に付着される。この付着は、表面に高
濃度の触媒を与え、又半導体を電解質による表面安定化
及び浸食から保護するという利点を更に有している。本
発明の方法によって、燃料として後に用いられるために
貯蔵され得る水素を得ることが可能である。
電解中に、電気的ェネルギが上記の系に加えられる。し
かしながら、そのェネルギ量は、重合体で修正されたシ
リコン電極の代りに白金の如き金属電極が用いられた場
合に必要とされる量よりも少ない。その差は、陰極を照
らす光のェネルギによって供給される。従って、本発明
の方法は太陽光の如き光のェネルギを水素の形で貯蔵さ
れた化学的ェネルギに変化させる方法である。本発明の
１好実施例に於ては、〔１・１〕フェロセノフアンのカ
ルボアニオンのリチウム塩がクロルメチル・ポリスチレ
ンと反応されて、重合体（クロルメチル・ポリスチレン
）に結合された〔１・１〕フェロセノフアンが形成され
る。この重合体に結合された〔１・１〕フェロセノフア
ン材料は、種々の有機溶媒中に可溶であり、それらから
濠簿、回転被覆及び同種の方法により半導体表面上に付
着され得る。この様に重合体（クロルメチル・ポリスチ
レン）に結合された〔１０１〕フェロセノフアン材料が
付着されたｐ型シリコンの光導電体は、白金電極を参照
電極として４５０のＶのアンダー電位に於て、三弗化棚
秦水化物から水素を発生させる。このアンダー電位は太
陽ェネルギを電気的ェネルギに変換させるェネルギ利得
を示し、それによって電気的ェネルギが後に燃料として
用いられる水素の形のェネルギに直接変換される。正味
の電力密度利得として測定される最大効率は８．６％で
ある。最も重要な点は、修正された電極の寿命が著しく
延長されることである。キセノン・アーク灯を用いて数
日間に亘って連続的に照射が施されても、水素発生効率
の低下は何ら観察されていない。最も驚くべき点は、水
素の発生が三弗化棚素水化物の如き強い酸に限定されな
いことである。
かしながら、そのェネルギ量は、重合体で修正されたシ
リコン電極の代りに白金の如き金属電極が用いられた場
合に必要とされる量よりも少ない。その差は、陰極を照
らす光のェネルギによって供給される。従って、本発明
の方法は太陽光の如き光のェネルギを水素の形で貯蔵さ
れた化学的ェネルギに変化させる方法である。本発明の
１好実施例に於ては、〔１・１〕フェロセノフアンのカ
ルボアニオンのリチウム塩がクロルメチル・ポリスチレ
ンと反応されて、重合体（クロルメチル・ポリスチレン
）に結合された〔１・１〕フェロセノフアンが形成され
る。この重合体に結合された〔１・１〕フェロセノフア
ン材料は、種々の有機溶媒中に可溶であり、それらから
濠簿、回転被覆及び同種の方法により半導体表面上に付
着され得る。この様に重合体（クロルメチル・ポリスチ
レン）に結合された〔１０１〕フェロセノフアン材料が
付着されたｐ型シリコンの光導電体は、白金電極を参照
電極として４５０のＶのアンダー電位に於て、三弗化棚
秦水化物から水素を発生させる。このアンダー電位は太
陽ェネルギを電気的ェネルギに変換させるェネルギ利得
を示し、それによって電気的ェネルギが後に燃料として
用いられる水素の形のェネルギに直接変換される。正味
の電力密度利得として測定される最大効率は８．６％で
ある。最も重要な点は、修正された電極の寿命が著しく
延長されることである。キセノン・アーク灯を用いて数
日間に亘って連続的に照射が施されても、水素発生効率
の低下は何ら観察されていない。最も驚くべき点は、水
素の発生が三弗化棚素水化物の如き強い酸に限定されな
いことである。
塩化水素酸及び過塩素酸の如き希薄な酸に於ても、水素
の発生が相当なアンダー電位（２００乃至２５０のＶ）
に於て観察される。メタロセノフアン化合物が重合体に
よって陰極の表面に付着されるということは、メタロセ
ノフアン化合物が重合体と化学的に反応する状態及び該
化合物が重合体中に物理的に分散される状態の両方を意
味している。
の発生が相当なアンダー電位（２００乃至２５０のＶ）
に於て観察される。メタロセノフアン化合物が重合体に
よって陰極の表面に付着されるということは、メタロセ
ノフアン化合物が重合体と化学的に反応する状態及び該
化合物が重合体中に物理的に分散される状態の両方を意
味している。
それらの両方の場合に於て、重合体は有機金属化合物を
陰極に付着させる様に働き、それによって触媒作用を増
加させ、又動作中に陰極が劣化しない様に保護する。電
極の形成 １乃至１００肌の抵抗率を有する、棚素をドープされた
ｐ型単結晶シリコン・ウェハが電極の形成に用いられた
。
陰極に付着させる様に働き、それによって触媒作用を増
加させ、又動作中に陰極が劣化しない様に保護する。電
極の形成 １乃至１００肌の抵抗率を有する、棚素をドープされた
ｐ型単結晶シリコン・ウェハが電極の形成に用いられた
。
その裏側に、５０００△のＡＩが蒸着されて、オーミッ
クス接点が形成された。上記ゥェハが約５×７肋の部分
に分割され、その裏側にシルバー・ェポキシ（銀を含む
導電性接着材）を用いて銅のワイヤが取付けられた。使
用される前に、その電極が表面酸化物を除去する清浄化
のために濃い弗化水素酸で１の砂間食刻され、水洗いさ
れて、乾燥された。後述の如く形成されるテトラヒドロ
フランで希釈された遷移金属のメタロセノフアン化合物
を含む重合体の溶液中に電極を浸潰しそして乾燥するこ
とによって、その重合体が電極に付着された。水素発生
反応が遷移金属のメタロセノフアン化合物を含む重合体
の付着された電極の面においてのみ発生するように、電
極のそれ以外の部分と水溶液との接触を防ぐため、銅の
ワイヤの端部及び電極の重合体が付着された面を除いて
、すべての電極表面がろう及びポリ（ポルフルオルェチ
レン）の管で絶縁された。重合体の形成 遷移金属のメタロセノフアン化合物を電極に付着させる
ための、遷移金属のメタロセノフアン化合物を含んだ重
合体は、テトラヒドロフラン中でリチオフエロセノフア
ンをポリ（クロルメチルスチレン）と反応させることに
よって形成された。
クス接点が形成された。上記ゥェハが約５×７肋の部分
に分割され、その裏側にシルバー・ェポキシ（銀を含む
導電性接着材）を用いて銅のワイヤが取付けられた。使
用される前に、その電極が表面酸化物を除去する清浄化
のために濃い弗化水素酸で１の砂間食刻され、水洗いさ
れて、乾燥された。後述の如く形成されるテトラヒドロ
フランで希釈された遷移金属のメタロセノフアン化合物
を含む重合体の溶液中に電極を浸潰しそして乾燥するこ
とによって、その重合体が電極に付着された。水素発生
反応が遷移金属のメタロセノフアン化合物を含む重合体
の付着された電極の面においてのみ発生するように、電
極のそれ以外の部分と水溶液との接触を防ぐため、銅の
ワイヤの端部及び電極の重合体が付着された面を除いて
、すべての電極表面がろう及びポリ（ポルフルオルェチ
レン）の管で絶縁された。重合体の形成 遷移金属のメタロセノフアン化合物を電極に付着させる
ための、遷移金属のメタロセノフアン化合物を含んだ重
合体は、テトラヒドロフラン中でリチオフエロセノフア
ンをポリ（クロルメチルスチレン）と反応させることに
よって形成された。
その重合体は、クロロホルム／へキサンからの沈殿を反
復的に行うことによって、精製された。光電気化学的構
成標準的な３つの電極を有する電気化学セルが用いられ
た。
復的に行うことによって、精製された。光電気化学的構
成標準的な３つの電極を有する電気化学セルが用いられ
た。
ｐｔのワイヤが対向電極として用いられ、飽和カロメル
電極（ＳＣＥ）が標準とされた。電位は、ＳＣＥに対し
て十０．５Ｖから−０．６Ｖ迄、毎秒５０乃至１００の
Ｖの速度で走査された。小さな領域上に２．５ワット／
地の強度の光を供給し得るキセノン・アーク灯が光源と
して用いられた。実施例 １ 前述の如く遷移金属のメタロセノファン化合物を含んだ
重合体が付着され且つ電極の他の部分を覆う絶縁材に覆
れないように処理された０．１６流の露出面を有する電
極が、ＨＢＦ３０日で満たされた電気化学セル中に配置
された。
電極（ＳＣＥ）が標準とされた。電位は、ＳＣＥに対し
て十０．５Ｖから−０．６Ｖ迄、毎秒５０乃至１００の
Ｖの速度で走査された。小さな領域上に２．５ワット／
地の強度の光を供給し得るキセノン・アーク灯が光源と
して用いられた。実施例 １ 前述の如く遷移金属のメタロセノファン化合物を含んだ
重合体が付着され且つ電極の他の部分を覆う絶縁材に覆
れないように処理された０．１６流の露出面を有する電
極が、ＨＢＦ３０日で満たされた電気化学セル中に配置
された。
暗い所では、ＳＣＥに対して十０．５乃至一０．６Ｖの
電位に於て、電流は何ら生じなかった。電極の面を光で
照らしたとき、一０．６Ｖに於て小さな電流（〜０．１
のＡ）が流れた。１５分後に、その電流が１．５ｍＡに
増加し、４．虫時間後にアンダー電位が４２０のＶにな
りそして飽和電流が−０．６Ｖに於て３６ｍＡになる迄
、増加し続けた。
電位に於て、電流は何ら生じなかった。電極の面を光で
照らしたとき、一０．６Ｖに於て小さな電流（〜０．１
のＡ）が流れた。１５分後に、その電流が１．５ｍＡに
増加し、４．虫時間後にアンダー電位が４２０のＶにな
りそして飽和電流が−０．６Ｖに於て３６ｍＡになる迄
、増加し続けた。
３０のＡ及びＳＣＥに対して−０．５Ｖに於ける最大電
力密度利得は、８７０のｗ′ｃ杉の光の強度を用いて８
．６％であり、最大に於てアンダー電位が４００のＶで
あった。この電極は、電流又はアンダー電位の低下を生
じずに２餌時間の間連続的に動作した。
力密度利得は、８７０のｗ′ｃ杉の光の強度を用いて８
．６％であり、最大に於てアンダー電位が４００のＶで
あった。この電極は、電流又はアンダー電位の低下を生
じずに２餌時間の間連続的に動作した。
実施例 ２
用いられたシリコンが露出された（１１１）面及びＩＱ
伽抵抗率を有した他は実施例１の場合と同機であった。
伽抵抗率を有した他は実施例１の場合と同機であった。
より薄い重合体の被膜が用いられた。購い所に於ては、
電流は何ら流れなかった。
電流は何ら流れなかった。
雷極が光で照らされたとき、一０．６Ｖに於て１．５肌
Ａの飽和電流が観察された。ＩＱ分後に、電流が２凧Ａ
に増加した。１時間後には、一０．６Ｖに於ける電流は
５．５仇Ａであり、１００ｍＡのアンダー電位が観察さ
れた。
Ａの飽和電流が観察された。ＩＱ分後に、電流が２凧Ａ
に増加した。１時間後には、一０．６Ｖに於ける電流は
５．５仇Ａであり、１００ｍＡのアンダー電位が観察さ
れた。
一晩動作された後、飽和電流は１７肌Ａであり、４００
のＶのアンダー電位が観察された。この電極は、１２０
時間の間連続的に動作された。
のＶのアンダー電位が観察された。この電極は、１２０
時間の間連続的に動作された。
そのとき、飽和電流は一０．６Ｖ‘こ於て１３．５のＡ
であり、アンダー電位は２００のＶであった。実施例
３電解質としてＩＭのＦＢＦ４が用いられた他は、実施
例１の場合と同様であった。
であり、アンダー電位は２００のＶであった。実施例
３電解質としてＩＭのＦＢＦ４が用いられた他は、実施
例１の場合と同様であった。
２時間後に、２５０のＶのアンダー電位が得られた。
この電極はアンダー電位に於て何ら損失を生じずに、一
晩中安定であった。実施例 ４ 電解質としてＩＭのＨＣＩ／２ ＭのＫＣＩが用いられ
た他は、実施例１の場合と同様であった。
晩中安定であった。実施例 ４ 電解質としてＩＭのＨＣＩ／２ ＭのＫＣＩが用いられ
た他は、実施例１の場合と同様であった。
−晩の後に３００ｍＶのアンダー電位が得られた。分割
されたセルを用いていなかったので、電極は、２独特間
の間連続的に動作された後、対向電極に生じた塩素ガス
の濃度の増加によって劣化し始めた。実施例 ５ 電解質としてＩＭのＨＣＩ０４／２ＭのＮａＣＩ０４が
用いられた他は、実施例１の場合と同様であった。
されたセルを用いていなかったので、電極は、２独特間
の間連続的に動作された後、対向電極に生じた塩素ガス
の濃度の増加によって劣化し始めた。実施例 ５ 電解質としてＩＭのＨＣＩ０４／２ＭのＮａＣＩ０４が
用いられた他は、実施例１の場合と同様であった。
一晩の後、３００のＶのアンダー電位が得られた。この
電極は、３畑時間の闇、動作に於て何ら損失を生じなか
った。上記電極が太陽の光にさらされたとき、キセノン
・ァーク灯の場合と同一のアンダー電位が得られた。
電極は、３畑時間の闇、動作に於て何ら損失を生じなか
った。上記電極が太陽の光にさらされたとき、キセノン
・ァーク灯の場合と同一のアンダー電位が得られた。
太陽光が手に持ったレンズで上記電極上に篤結されたと
き、装置の限界以上に電流が増加した。実施例 ６ Ｓ俵面上に１−メチル‐１２‐ビニルーフェロセノファ
ンをプラズマ重合させることにより、被膜が形成された
。
き、装置の限界以上に電流が増加した。実施例 ６ Ｓ俵面上に１−メチル‐１２‐ビニルーフェロセノファ
ンをプラズマ重合させることにより、被膜が形成された
。
その被膜は５０ム仇の厚さを有した。電解質としてＨＢ
Ｆ３０日が用いられた。３日間動作された後、この電極
は４５０ｍＶのアンダー電位を得た。
Ｆ３０日が用いられた。３日間動作された後、この電極
は４５０ｍＶのアンダー電位を得た。
Claims (1)
- １ 光が照射される半導体陰極を用いて、酸を含む水に
電流を流すことにより水素を発生させる方法に於て、遷
移金属のメタロセノフアン化合物を重合体により陰極表
面に付着させた上記陰極を用いることを特徴とする、水
素発生方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/390,085 US4379740A (en) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | Photoassisted generation of hydrogen from water |
| US390085 | 1982-06-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224190A JPS58224190A (ja) | 1983-12-26 |
| JPS60434B2 true JPS60434B2 (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=23540987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042509A Expired JPS60434B2 (ja) | 1982-06-21 | 1983-03-16 | 水素発生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4379740A (ja) |
| EP (1) | EP0097218B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60434B2 (ja) |
| DE (1) | DE3366716D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4414080A (en) * | 1982-05-10 | 1983-11-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Photoelectrochemical electrodes |
| US4461691A (en) * | 1983-02-10 | 1984-07-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Organic conductive films for semiconductor electrodes |
| US4476003A (en) * | 1983-04-07 | 1984-10-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Chemical anchoring of organic conducting polymers to semiconducting surfaces |
| US4650558A (en) * | 1985-02-19 | 1987-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Semiconductor electrode with improved photostability characteristics |
| US4676878A (en) * | 1986-01-06 | 1987-06-30 | Ephriam Chez | Apparatus and method for electronic decomposition of water into aqueous free radicals and free electrons |
| AUPO129496A0 (en) * | 1996-07-26 | 1996-08-22 | Broken Hill Proprietary Company Limited, The | Photoelectrochemical cell |
| US20070215201A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | Lawrence Curtin | Photovoltaic cell with integral light transmitting waveguide in a ceramic sleeve |
| US7727373B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-06-01 | Lawrence Curtin | Hydrogen absorption rod |
| US7833391B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-11-16 | Gas Technology Institute | Solar hydrogen charger |
| US20110214997A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-09-08 | The University Of Iowa Research Foundation | Magnetically modified semiconductor electrodes for photovoltaics, photoelectrosynthesis, and photocatalysis |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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