JPS6038384B2 - チオセミカルバゾン誘導体 - Google Patents
チオセミカルバゾン誘導体Info
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- JPS6038384B2 JPS6038384B2 JP53034499A JP3449978A JPS6038384B2 JP S6038384 B2 JPS6038384 B2 JP S6038384B2 JP 53034499 A JP53034499 A JP 53034499A JP 3449978 A JP3449978 A JP 3449978A JP S6038384 B2 JPS6038384 B2 JP S6038384B2
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Landscapes
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチオセミカルバゾン誘導体に関する。
本発明の化合物は新規化合物であり、一般式（式中ＲＩ
は水素原子又は低級ァルキル基を、Ｒ２は水素原子、低
級アルキル基、低級アルケニル基又はシクロアルキル基
を、Ｒ３は水素原子又は水酸基を夫々示す。またカルボ
スチリル骨格の３位及び４位の炭素間結合は一重結合又
は二重結合を示す。）で表わされる。該化合物は抗梶作
用、抗ウイルス作用等を有し、制癌剤、抗ウイルス剤等
として有用である。上記一股式ｍに於てＲＩで示される
低級アルキル基としては炭素数１〜６の直鎖もしくは分
枝状のアルキル基を挙げることができ、具体的にはメチ
ル、エチル、プロピル、イソフ。
は水素原子又は低級ァルキル基を、Ｒ２は水素原子、低
級アルキル基、低級アルケニル基又はシクロアルキル基
を、Ｒ３は水素原子又は水酸基を夫々示す。またカルボ
スチリル骨格の３位及び４位の炭素間結合は一重結合又
は二重結合を示す。）で表わされる。該化合物は抗梶作
用、抗ウイルス作用等を有し、制癌剤、抗ウイルス剤等
として有用である。上記一股式ｍに於てＲＩで示される
低級アルキル基としては炭素数１〜６の直鎖もしくは分
枝状のアルキル基を挙げることができ、具体的にはメチ
ル、エチル、プロピル、イソフ。
ロピル、ブチル、イソブチル、ベンチル、ヘキシル基等
を例示できる。またＲ２で示される低級アルキル基とし
ては炭素数１〜４の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を
挙げることができ、具体的にはメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル基等を例示でき
る。Ｒ２で示される低級アルケニル基としては炭素数２
〜４個の直鎖もしくは分枝状のアルケニル基を挙げるこ
とができ、具体的にはビニル、アリル、１ーメチルビニ
ル、２−プテニル、３ーブテニル、１−メチルアリル基
等を例示できる。Ｒ２で示されるシクロアルキル基とし
ては炭素数３〜７のシクロアルキル基を挙げることがで
き、具体的にはシクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ベンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル基等を例示
できる。本発明化合物のうち代表的なものを以下に掲げ
る。
を例示できる。またＲ２で示される低級アルキル基とし
ては炭素数１〜４の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を
挙げることができ、具体的にはメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル基等を例示でき
る。Ｒ２で示される低級アルケニル基としては炭素数２
〜４個の直鎖もしくは分枝状のアルケニル基を挙げるこ
とができ、具体的にはビニル、アリル、１ーメチルビニ
ル、２−プテニル、３ーブテニル、１−メチルアリル基
等を例示できる。Ｒ２で示されるシクロアルキル基とし
ては炭素数３〜７のシクロアルキル基を挙げることがで
き、具体的にはシクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ベンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル基等を例示
できる。本発明化合物のうち代表的なものを以下に掲げ
る。
０８−ヒドロキシ−５ーホルミルカルボスチリルチオセ
ミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシ−５ーアセチルカルボ
スチリルチオセミカルバゾン０８ーヒドロキシー５ーア
セチルー３，４ージヒドロカルボスチリル チオセミカ
ルバゾン０８ーヒドロキシ−５−プロピオニル−３，４
−ジヒドロカルボステル チオセミカル／ゞソン０８ー
ヒドロキシ−５−ブチリル−３，４−ジヒドロカルポス
チリル チオセミカルバゾン０５ーヒドロキシー８ーホ
ルミルカルボスチリルチオセミカルノゞゾン０５ーヒド
ロキシ−８ーアセチルカルボスチリルチオセミカルバゾ
ン０５ーヒドロキシー８−アセチルー３，４ージヒドロ
カルポスチリル チオセミカルバゾン０５−ヒドロキシ
ー８ープロビオニル−３，４−ジヒドロカルボスチリル
チオセミカルバゾン０５ーヒドロキシ−８−ブチリル
−３，４ージヒドロカルボスチリル チオセミカルバゾ
ン０６ーヒドロキシー５ーアセチルカルボスチリルチオ
セミカル／ゞゾン０５ーヒドロキシ−６ープロピオニル
カルポスチリル チオセミカルバゾン０７ーヒドロキシ
−６ーアセチルー３，４−ジヒドロカルボステリル チ
オセミカルバゾン０６ーヒドロキシ−７−アセチルカル
ボスチリルチオセミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシ−７
−ホルミル−３，４ージヒドロカルボスチリル チオセ
ミカル′ゞゾン０７ーヒド。
ミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシ−５ーアセチルカルボ
スチリルチオセミカルバゾン０８ーヒドロキシー５ーア
セチルー３，４ージヒドロカルボスチリル チオセミカ
ルバゾン０８ーヒドロキシ−５−プロピオニル−３，４
−ジヒドロカルボステル チオセミカル／ゞソン０８ー
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チリル チオセミカルバゾン０５ーヒドロキシー８ーホ
ルミルカルボスチリルチオセミカルノゞゾン０５ーヒド
ロキシ−８ーアセチルカルボスチリルチオセミカルバゾ
ン０５ーヒドロキシー８−アセチルー３，４ージヒドロ
カルポスチリル チオセミカルバゾン０５−ヒドロキシ
ー８ープロビオニル−３，４−ジヒドロカルボスチリル
チオセミカルバゾン０５ーヒドロキシ−８−ブチリル
−３，４ージヒドロカルボスチリル チオセミカルバゾ
ン０６ーヒドロキシー５ーアセチルカルボスチリルチオ
セミカル／ゞゾン０５ーヒドロキシ−６ープロピオニル
カルポスチリル チオセミカルバゾン０７ーヒドロキシ
−６ーアセチルー３，４−ジヒドロカルボステリル チ
オセミカルバゾン０６ーヒドロキシ−７−アセチルカル
ボスチリルチオセミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシ−７
−ホルミル−３，４ージヒドロカルボスチリル チオセ
ミカル′ゞゾン０７ーヒド。
キシー８−アセチルー３，４ージヒドロカルボスチリル
チオセミカルバゾン０５−アセチルー３，４ージヒド
ロカルボスチリル チオセミカル／ゞゾン０６ーアセチ
ルー３，４−ジヒドロカルボスチリル チオセミカル／
ゞゾン０７ーアセチル−３，４ージヒドロカルボスチリ
ル チオセミカル／ゞソン０８ーアセチルー３，４ージ
ヒドロカルポスチリル チオセミカル／ゞソン０６ーホ
ルミルカルボスチリル チオセミカルバゾン０６ーアセ
チルカルボスチリル チオセミカルバゾン０６ープロピ
オニルカルボスチリル チオセミカル／ｒゾン０６ープ
ロピオニルー３，４ージヒドロカルボスチリル チオセ
ミカルバゾン０６ープチリル−３，４ージヒドロカルボ
スチリル チオセミカルバゾン０６ーイソバレリル−３
，４ージヒドロカルボスチリル チオセミカル／ゞゾン
００６ーバレリルー３，４−ジヒドロカルボスチリル
チオセミカル／ゞゾン０６−カプロイル−３，４−ジヒ
ドロカルポスチリル チオセミカルバゾン０６ーヘプタ
ノイル−３，４−ジヒド。
チオセミカルバゾン０５−アセチルー３，４ージヒド
ロカルボスチリル チオセミカル／ゞゾン０６ーアセチ
ルー３，４−ジヒドロカルボスチリル チオセミカル／
ゞゾン０７ーアセチル−３，４ージヒドロカルボスチリ
ル チオセミカル／ゞソン０８ーアセチルー３，４ージ
ヒドロカルポスチリル チオセミカル／ゞソン０６ーホ
ルミルカルボスチリル チオセミカルバゾン０６ーアセ
チルカルボスチリル チオセミカルバゾン０６ープロピ
オニルカルボスチリル チオセミカル／ｒゾン０６ープ
ロピオニルー３，４ージヒドロカルボスチリル チオセ
ミカルバゾン０６ープチリル−３，４ージヒドロカルボ
スチリル チオセミカルバゾン０６ーイソバレリル−３
，４ージヒドロカルボスチリル チオセミカル／ゞゾン
００６ーバレリルー３，４−ジヒドロカルボスチリル
チオセミカル／ゞゾン０６−カプロイル−３，４−ジヒ
ドロカルポスチリル チオセミカルバゾン０６ーヘプタ
ノイル−３，４−ジヒド。
力ルボスチリル チオセミカルバゾン０８ーヒドロキシ
ー５ーホルミルカルボスチリル４′−メチルチオセミカ
ル／ゞゾン０８ーヒドロキシー５−ホルミルカルボスチ
リル４′−エチルチオセミカルノゞゾン０８−ヒドロキ
シー５−ホルミルカルボスチリル４′−ブロピルチオセ
ミカルバゾン０８−ヒドロキシー５ーホルミルカルボス
チリル４′−アリルチオセミカルノゞゾン０８ーヒドロ
キシー５−ホルミルカルボスチリル４′−ビニルチオセ
ミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシー５−ホルミルカルボ
スチリル４」（２ープテニル）チオセミカルバゾン０８
ーヒドロキシー５−ホルミルカルボスチリル４′叶シク
ロプロピルチオセミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシー５
−ホルミルカルボスチリル４′−シクロヘキシルチオセ
ミカル／ゞゾン０６−ヒドロキシー５−アセチルー３，
４−ジヒドロカルボスチリル ４′−エチルチオセミカ
ル／ゞゾン０７ーヒドロキシ−６−アセチルカルボスチ
リル４′ーアリルチオセミカルバゾン０６ーヒドロキシ
−７−アセチルー３，４−ジヒドロカルボスチリル ４
′−エチルチオセミカル／ゞゾン０７−ヒドロキシー８
ーアセチルカルボスチリル４′−メチルチオセミカルバ
ゾン０５ーヒドロキシー８ーアセチル−３，４ージヒド
ロカルポスチリル ４′−メチルチオセミカル／ゞゾン
０５−ヒドロキシー８ーアセチル−３，４ージヒドロカ
ルポスチリル ４′ーブチルチオセミカルノゞゾン０５
−ヒドロキシ−８ーアセチル−３，４ージヒドロカルボ
スチリル ４′−（１ーメチルビニル）チオセミカルバ
ゾン０５ーヒドロキシー８ーアセチルー３，４ージヒド
ロカルボスチリル ４′−シクロブチルチオセミカルバ
ゾン０６ーアセチルー３，４ージヒドロカルボスチリル
４′−メチルチオセミカルバゾン０６ーアセチルー３
，４−ジヒドロカルボスチリル ４」（３−ブテニル）
チオセミカルバゾン０６ーアセチルー３，４−ジヒドロ
カルボスチリル ４′ーシクロベンチルチオセミカル／
ゞゾン０６−プロピオニルー３，４ージヒドロカルポス
チリル ４′ーメチルチオセミカルバゾン０６ープロピ
オニル−３，４ージヒドロカルボスチリル ４′−（１
ーメチルアリル）チオセミカル／ゞゾン０６ープロピオ
ニルー３，４−ジヒドロカルボスチリル ４′−シクロ
ヘプチルチオセミカルバゾ、ン０６−ブチリル−３，４
ージヒドロカルボスチリル ４′−メチルチオセミカル
／ゞゾン０６ーイソバレリルー３，４ージヒドロカルボ
スチリル ４′−メチルチオセミカルバゾン０６ーバレ
リルー３，４−ジヒドロカルボスチリル ４′−メチル
チオセミカルバゾン０６−カプロイル−３，４−ジヒド
ロカルボスチリル ４′−アリルチオセミカルバゾン０
６ーヘプタノイルー３，４ージヒドロカルボスチリル
４′−アリルチオセミカルバゾン０５ーホルミルカルボ
スチリル ４′ーメチルチオセミカルバゾン０７ーアセ
チルカルボスチリル ４′ーエチルチオセミカルバゾン
０８ーホルミル−３，４ージヒドロカルボスチリル ４
′ーメチルチオセミカル／ゞゾンー般式【１１で表わさ
れる本発明の化合物は種々の方法により製造され得るが
、例えば下記反応行程式−１に示す方法にて容易に製造
される。
ー５ーホルミルカルボスチリル４′−メチルチオセミカ
ル／ゞゾン０８ーヒドロキシー５−ホルミルカルボスチ
リル４′−エチルチオセミカルノゞゾン０８−ヒドロキ
シー５−ホルミルカルボスチリル４′−ブロピルチオセ
ミカルバゾン０８−ヒドロキシー５ーホルミルカルボス
チリル４′−アリルチオセミカルノゞゾン０８ーヒドロ
キシー５−ホルミルカルボスチリル４′−ビニルチオセ
ミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシー５−ホルミルカルボ
スチリル４」（２ープテニル）チオセミカルバゾン０８
ーヒドロキシー５−ホルミルカルボスチリル４′叶シク
ロプロピルチオセミカル／ゞゾン０８ーヒドロキシー５
−ホルミルカルボスチリル４′−シクロヘキシルチオセ
ミカル／ゞゾン０６−ヒドロキシー５−アセチルー３，
４−ジヒドロカルボスチリル ４′−エチルチオセミカ
ル／ゞゾン０７ーヒドロキシ−６−アセチルカルボスチ
リル４′ーアリルチオセミカルバゾン０６ーヒドロキシ
−７−アセチルー３，４−ジヒドロカルボスチリル ４
′−エチルチオセミカル／ゞゾン０７−ヒドロキシー８
ーアセチルカルボスチリル４′−メチルチオセミカルバ
ゾン０５ーヒドロキシー８ーアセチル−３，４ージヒド
ロカルポスチリル ４′−メチルチオセミカル／ゞゾン
０５−ヒドロキシー８ーアセチル−３，４ージヒドロカ
ルポスチリル ４′ーブチルチオセミカルノゞゾン０５
−ヒドロキシ−８ーアセチル−３，４ージヒドロカルボ
スチリル ４′−（１ーメチルビニル）チオセミカルバ
ゾン０５ーヒドロキシー８ーアセチルー３，４ージヒド
ロカルボスチリル ４′−シクロブチルチオセミカルバ
ゾン０６ーアセチルー３，４ージヒドロカルボスチリル
４′−メチルチオセミカルバゾン０６ーアセチルー３
，４−ジヒドロカルボスチリル ４」（３−ブテニル）
チオセミカルバゾン０６ーアセチルー３，４−ジヒドロ
カルボスチリル ４′ーシクロベンチルチオセミカル／
ゞゾン０６−プロピオニルー３，４ージヒドロカルポス
チリル ４′ーメチルチオセミカルバゾン０６ープロピ
オニル−３，４ージヒドロカルボスチリル ４′−（１
ーメチルアリル）チオセミカル／ゞゾン０６ープロピオ
ニルー３，４−ジヒドロカルボスチリル ４′−シクロ
ヘプチルチオセミカルバゾ、ン０６−ブチリル−３，４
ージヒドロカルボスチリル ４′−メチルチオセミカル
／ゞゾン０６ーイソバレリルー３，４ージヒドロカルボ
スチリル ４′−メチルチオセミカルバゾン０６ーバレ
リルー３，４−ジヒドロカルボスチリル ４′−メチル
チオセミカルバゾン０６−カプロイル−３，４−ジヒド
ロカルボスチリル ４′−アリルチオセミカルバゾン０
６ーヘプタノイルー３，４ージヒドロカルボスチリル
４′−アリルチオセミカルバゾン０５ーホルミルカルボ
スチリル ４′ーメチルチオセミカルバゾン０７ーアセ
チルカルボスチリル ４′ーエチルチオセミカルバゾン
０８ーホルミル−３，４ージヒドロカルボスチリル ４
′ーメチルチオセミカル／ゞゾンー般式【１１で表わさ
れる本発明の化合物は種々の方法により製造され得るが
、例えば下記反応行程式−１に示す方法にて容易に製造
される。
反応行程式−１
（上式に於てＲ１，Ｒ２，Ｒ３及びカルボスチリル骨格
の３位と４位の炭素間結合は前記に同じ）即ち一反式（
０）で表わされるカルボニルカルボスチリル誘導体と一
般式皿）で表わされるチオセミカルバジド類とを反応さ
せることにより本発明の化合物が製造される。
の３位と４位の炭素間結合は前記に同じ）即ち一反式（
０）で表わされるカルボニルカルボスチリル誘導体と一
般式皿）で表わされるチオセミカルバジド類とを反応さ
せることにより本発明の化合物が製造される。
本発明化合物の製造原料として用いられる一般式（０）
の化合物は公知もしくは新規化合物であり、該化合物は
例えば下記反応行程式−２に示す如く一般式（Ｗ）で表
わされる公知の化合物に公知のホルミル化剤又はアシル
化剤を反応させることにより容易に製造される。
の化合物は公知もしくは新規化合物であり、該化合物は
例えば下記反応行程式−２に示す如く一般式（Ｗ）で表
わされる公知の化合物に公知のホルミル化剤又はアシル
化剤を反応させることにより容易に製造される。
また一般ョＸｍ）の化合物はいずれも公知化合物である
。反応行程式−２ （上式に於て×は水素原子又はハロゲン原子を示す。
。反応行程式−２ （上式に於て×は水素原子又はハロゲン原子を示す。
Ｒ３及びカルボスチリル骨格の３位と４位の炭素間結合
は前記に同じ。）一般式（Ｗ）の化合物のホルミル化反
応は例えばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の不
活性溶媒中通常のホルミル化剤を用いて行なうことがで
きる。
は前記に同じ。）一般式（Ｗ）の化合物のホルミル化反
応は例えばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の不
活性溶媒中通常のホルミル化剤を用いて行なうことがで
きる。
斯かるホルミル化剤としては例えば ＤＭＦ 一 Ｐ〇
ＣＩ３ 、 ＤＭＦ 一 ｎ − ＢｕＬｉ 、ＣＩ２
ＣＨＯＣＨ３一ＴＩＣ１４、Ｃ２日５０ＣＨＯ−ＮａＯ
ＣＨ３、ＤＭＦ−ＰＯＣ１３一ＣＩＣＨ＝ＣＣ１２等を
挙げることができる。ホルミル化剤の使用量は特に限定
がなく適宜選択すればよいが一般ヲ辻Ｗ）の化合物に対
して通常等モル〜２倍モル、好ましくは等モル〜１．２
倍モルである。該反応は冷却下、室温下あるし、は加溢
下のいずれでも行なうことができるが、通常０〜１００
午０（好ましくは０〜５０ｏｏ）であり、反応時間は通
常１〜１幼時間程度である。一般式（Ｗ）の化合物のア
シル化反応には公知のフリーデルクラフト反応を適用で
き、塩化アルミニウム、塩化亜塩、塩化鉄、塩化錫等の
ルイス酸の存在下適当な溶媒中もしくは無溶媒下に通常
のァシル化剤を用いて行なわれる。
ＣＩ３ 、 ＤＭＦ 一 ｎ − ＢｕＬｉ 、ＣＩ２
ＣＨＯＣＨ３一ＴＩＣ１４、Ｃ２日５０ＣＨＯ−ＮａＯ
ＣＨ３、ＤＭＦ−ＰＯＣ１３一ＣＩＣＨ＝ＣＣ１２等を
挙げることができる。ホルミル化剤の使用量は特に限定
がなく適宜選択すればよいが一般ヲ辻Ｗ）の化合物に対
して通常等モル〜２倍モル、好ましくは等モル〜１．２
倍モルである。該反応は冷却下、室温下あるし、は加溢
下のいずれでも行なうことができるが、通常０〜１００
午０（好ましくは０〜５０ｏｏ）であり、反応時間は通
常１〜１幼時間程度である。一般式（Ｗ）の化合物のア
シル化反応には公知のフリーデルクラフト反応を適用で
き、塩化アルミニウム、塩化亜塩、塩化鉄、塩化錫等の
ルイス酸の存在下適当な溶媒中もしくは無溶媒下に通常
のァシル化剤を用いて行なわれる。
斯かるアシル化剤としては一般式ＲｒＣＯ×′
（Ｖ）（式中ＲＩは低級ァルキル基
を、刈まハロゲン原子を夫々示す。
（Ｖ）（式中ＲＩは低級ァルキル基
を、刈まハロゲン原子を夫々示す。
）で表わされる低級脂肪酸ハラィドを挙げることができ
、具体的にはアセチルクロラ＊イド、プロピオニルブロ
マイド、ブチリルクロライド、インブチリルブロマイド
、ヘキサノイルクロラィド、ヘプタノィルクロラィド等
を例示できる。アシル化剤の使用量は一般式（Ｗ）の化
合物に対して通常等モル〜過剰量、好ましくは１．５〜
５倍モル量用いるのがよい。用いられる溶媒としては例
えば二硫化炭素、ニトロベンゼン、モノクロルベンゼン
、クロロホルム、１，２ージクロルエタン等を挙げるこ
とができる。該反応は通常０〜１００℃、好ましくは２
０〜８０００にて行なうのがよく、反応時間は通常１〜
２岬時間程度である。一般式（０）の化合物のうちＲＩ
が低級アルキル基を示し且つＲ３が水酸基を示す化合物
（ロａ）は下記反応行程式−３に示す如く、一般式（の
）で表わされる公知のヒドロキシカルボスチリル誘導体
に一般式（Ｖ）の化合物を反応させて得られる一般式（
刑）で表わされるアシルオキシカルポスチリル誘導体を
フリース転位させることによっても製造される。反応行
程式−３ 一般式（Ｗ）の化合物と一般式（Ｖ）の化合物との反応
に於て、これら化合物の配合割合としては前者に対して
後者を通常等モル〜過剰量、好ましくは等モル〜５倍モ
ル量用いるのがよい。
、具体的にはアセチルクロラ＊イド、プロピオニルブロ
マイド、ブチリルクロライド、インブチリルブロマイド
、ヘキサノイルクロラィド、ヘプタノィルクロラィド等
を例示できる。アシル化剤の使用量は一般式（Ｗ）の化
合物に対して通常等モル〜過剰量、好ましくは１．５〜
５倍モル量用いるのがよい。用いられる溶媒としては例
えば二硫化炭素、ニトロベンゼン、モノクロルベンゼン
、クロロホルム、１，２ージクロルエタン等を挙げるこ
とができる。該反応は通常０〜１００℃、好ましくは２
０〜８０００にて行なうのがよく、反応時間は通常１〜
２岬時間程度である。一般式（０）の化合物のうちＲＩ
が低級アルキル基を示し且つＲ３が水酸基を示す化合物
（ロａ）は下記反応行程式−３に示す如く、一般式（の
）で表わされる公知のヒドロキシカルボスチリル誘導体
に一般式（Ｖ）の化合物を反応させて得られる一般式（
刑）で表わされるアシルオキシカルポスチリル誘導体を
フリース転位させることによっても製造される。反応行
程式−３ 一般式（Ｗ）の化合物と一般式（Ｖ）の化合物との反応
に於て、これら化合物の配合割合としては前者に対して
後者を通常等モル〜過剰量、好ましくは等モル〜５倍モ
ル量用いるのがよい。
該反応はピリジン、トリェチルアミン等の第３級アミン
類、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カ
リウム等の塩基性化合物の存在下ピリジン、クロロホル
ム、塩化メチレン、ベンゼン等の不活性溶媒中にて行な
うのがよい。また該反応は通常０〜１００℃好ましくは
室温〜５０℃にて行なうのがよく、反応時間は通常１〜
１５時間程度である。斯して得られる一般ョｑ肌）の化
合物のフリース転位反応は上記ルイス酸の存在下無溶媒
下にて通常１５０〜２００ｏｏ、好ましくは１８０〜１
９０℃で２〜６時間加熱溶融させることにより有利に進
行する。
類、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カ
リウム等の塩基性化合物の存在下ピリジン、クロロホル
ム、塩化メチレン、ベンゼン等の不活性溶媒中にて行な
うのがよい。また該反応は通常０〜１００℃好ましくは
室温〜５０℃にて行なうのがよく、反応時間は通常１〜
１５時間程度である。斯して得られる一般ョｑ肌）の化
合物のフリース転位反応は上記ルイス酸の存在下無溶媒
下にて通常１５０〜２００ｏｏ、好ましくは１８０〜１
９０℃で２〜６時間加熱溶融させることにより有利に進
行する。
用いられるルイス酸の使用量は一般式（肌）の化合物に
対して通常等モル〜過剰量、好ましくは等モル〜２倍モ
ル量とするのがよい。以上の如くして一股ョＸＯ）の化
合物が製造される。
対して通常等モル〜過剰量、好ましくは等モル〜２倍モ
ル量とするのがよい。以上の如くして一股ョＸＯ）の化
合物が製造される。
一般式（０）の化合物と一般式皿）の化合物との反応に
於て、これら化合物の配合割合としては特に限定されず
広い範囲内で適宜選択すればよいが、通常前者に対して
後者を等モル〜過常量、好ましくは等モル〜３倍モル量
用いるのがよい。
於て、これら化合物の配合割合としては特に限定されず
広い範囲内で適宜選択すればよいが、通常前者に対して
後者を等モル〜過常量、好ましくは等モル〜３倍モル量
用いるのがよい。
該反応は適当な溶媒中にて行なうのがよい。用いられる
溶媒としては反応に悪影響を及ぼさないものを広く使用
でき、具体的にはジオキサン、テトラヒドロフラン、モ
ノグラィム、ジグラィム等のエーテル類、ベンゼン、ト
ルェン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、
エタノール、ィソフ。ロパノール等のアルコ−ル類、水
、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、リン
酸へキサメチルトリアミド、ギ酸、酢酸等の低級脂肪酸
類等を例示し得る。これらのうちで低級脂肪酸類を用い
るのが好ましい。該反応は通常０〜２００℃、好ましく
は５０〜１５０ｏｏにて行なうのがよく、反応時間は通
常１〜１幼時間程度である。斯くして得られる本発明の
化合物は通常公知の分離手段、例えば溶媒抽出法、沈殿
法、再結晶法、カラムクロマトグラフイー、プレパラテ
ィブ薄層クロマトグラフィー等により容易に単離精製さ
れる。
溶媒としては反応に悪影響を及ぼさないものを広く使用
でき、具体的にはジオキサン、テトラヒドロフラン、モ
ノグラィム、ジグラィム等のエーテル類、ベンゼン、ト
ルェン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、
エタノール、ィソフ。ロパノール等のアルコ−ル類、水
、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、リン
酸へキサメチルトリアミド、ギ酸、酢酸等の低級脂肪酸
類等を例示し得る。これらのうちで低級脂肪酸類を用い
るのが好ましい。該反応は通常０〜２００℃、好ましく
は５０〜１５０ｏｏにて行なうのがよく、反応時間は通
常１〜１幼時間程度である。斯くして得られる本発明の
化合物は通常公知の分離手段、例えば溶媒抽出法、沈殿
法、再結晶法、カラムクロマトグラフイー、プレパラテ
ィブ薄層クロマトグラフィー等により容易に単離精製さ
れる。
一般式（０）の化合物の製造例を参公例として、また本
発明の化合物の製造例を実施例として以下に掲げて本発
明を更に説明する。
発明の化合物の製造例を実施例として以下に掲げて本発
明を更に説明する。
参考例 １
氷冷蝿梓下ジメチルホルムアミド５０の【にＰＯＣ１３
１５．３夕を３０分要して滴下し、次いで１時間を要し
て８ーヒドロキシカルボスチリル１７．８夕のジメチル
ホルムアミド５０の‘溶液を滴下する。
１５．３夕を３０分要して滴下し、次いで１時間を要し
て８ーヒドロキシカルボスチリル１７．８夕のジメチル
ホルムアミド５０の‘溶液を滴下する。
滴下終了後反応液を３０〜３５００で２時間燈拝し、次
いで反応液に１００夕の氷を加えて１０分間縄拝する。
次いで縄梓下に苛性ソーダ４．０夕の水溶液４００の‘
を３０分要して滴下し一晩放置する。析出晶を炉取し酢
酸エチルェステルより再結晶して無色針状晶の８ーヒド
ロキシー５ーホルミルカルボスチリル７．５夕を得る。
融 点 ３１５〜３７０ｑｏ（分解） 参考例 ２ 乾燥した５ーアセチルオキシー３，４−ジヒドロカルボ
スチリル４夕に微細化した無水塩化アルミニウム４夕を
加え、時々縄拝しながら油浴上１８０〜１９０ｑｏで３
時間加熱した。
いで反応液に１００夕の氷を加えて１０分間縄拝する。
次いで縄梓下に苛性ソーダ４．０夕の水溶液４００の‘
を３０分要して滴下し一晩放置する。析出晶を炉取し酢
酸エチルェステルより再結晶して無色針状晶の８ーヒド
ロキシー５ーホルミルカルボスチリル７．５夕を得る。
融 点 ３１５〜３７０ｑｏ（分解） 参考例 ２ 乾燥した５ーアセチルオキシー３，４−ジヒドロカルボ
スチリル４夕に微細化した無水塩化アルミニウム４夕を
加え、時々縄拝しながら油浴上１８０〜１９０ｑｏで３
時間加熱した。
塩酸ガスの発生が殆んど止まってから放冷し、１０％塩
酸水溶液２３の‘を加え一液放置した。析出した結晶を
炉取水洗し、ジオキサンより再結晶して融点２７５〜２
７６ｑｏの結晶２．１夕を得た。このものはＮＭＲ，Ｉ
Ｒによる分析結果から６−アセチル−５−ヒドロキシ−
３，４−ジヒドロカルボスチリルであることが確認され
た。参考例 ３ 二硫化炭素２００の‘に無水塩化アルミニウム２７夕及
びへプタノィルクロラィド６．５夕を加えて還流蝿梓し
熔解させ、これに３，４ージヒドロカルボスチリル４．
４夕を添加する。
酸水溶液２３の‘を加え一液放置した。析出した結晶を
炉取水洗し、ジオキサンより再結晶して融点２７５〜２
７６ｑｏの結晶２．１夕を得た。このものはＮＭＲ，Ｉ
Ｒによる分析結果から６−アセチル−５−ヒドロキシ−
３，４−ジヒドロカルボスチリルであることが確認され
た。参考例 ３ 二硫化炭素２００の‘に無水塩化アルミニウム２７夕及
びへプタノィルクロラィド６．５夕を加えて還流蝿梓し
熔解させ、これに３，４ージヒドロカルボスチリル４．
４夕を添加する。
添加後、櫨梓下還流を３．虫時間行なう。冷却後、反応
液を氷−水に注ぎ析出晶を炉取し、エタノールから再結
晶して無色針状晶の６−へプタノィル−３，４−ジヒド
ロカルボスチリル６夕を得る。融 点 １２９〜１３０
００ 参考例 ４ ５−ヒドロキシー３，４−ジヒドロカルボスチリル５夕
をピリジン５０の‘に加えブチリルクロライド３夕を加
えて室温で一瞬礎拝した後、氷−水５００の上に注ぎ析
出する結晶を炉取、水洗する。
液を氷−水に注ぎ析出晶を炉取し、エタノールから再結
晶して無色針状晶の６−へプタノィル−３，４−ジヒド
ロカルボスチリル６夕を得る。融 点 １２９〜１３０
００ 参考例 ４ ５−ヒドロキシー３，４−ジヒドロカルボスチリル５夕
をピリジン５０の‘に加えブチリルクロライド３夕を加
えて室温で一瞬礎拝した後、氷−水５００の上に注ぎ析
出する結晶を炉取、水洗する。
エタノールから再結晶して無色結晶の５−ブチリルオキ
シ−３，４ージヒドロカルボスチリル５．３夕を得る。
融 点 １４１〜１４３００ 実施例 １ ５−ホルミル−８−ヒドロキシカルボスチリル１．９夕
とチオセミカルバジド１．８夕とを酢酸５０の上に懸濁
し、３時間還流を行なう。
シ−３，４ージヒドロカルボスチリル５．３夕を得る。
融 点 １４１〜１４３００ 実施例 １ ５−ホルミル−８−ヒドロキシカルボスチリル１．９夕
とチオセミカルバジド１．８夕とを酢酸５０の上に懸濁
し、３時間還流を行なう。
析出結晶を熱時炉取する。ジメチルスルホキシド−水か
ら結晶して淡黄色粉末状晶の５−ホルミル−８ーヒドロ
キシカルボスチリル チオセミカルバゾン３夕を得る。
融 点 ２８５〜２８７０（分解） 実施例 ２〜５ 適当な出発原料を用い実施例１と同様にして下記第１表
に記載の化合物を得る。
ら結晶して淡黄色粉末状晶の５−ホルミル−８ーヒドロ
キシカルボスチリル チオセミカルバゾン３夕を得る。
融 点 ２８５〜２８７０（分解） 実施例 ２〜５ 適当な出発原料を用い実施例１と同様にして下記第１表
に記載の化合物を得る。
第１表
実施例５で得られた化合物を元素分析した結果は次の通
りであった。
りであった。
元素分析値（Ｃ，２日，４Ｎ４０２Ｓとして）Ｃ 日Ｎ
理論値（％） ５１．７８５．０７２０．１３実測値（
％） ５１．８７５．１１２０．１９実施例 ６６−プ
ロピオニル−３，４ージヒドロカルボスチリル１夕及び
チオセミカルバジド１．８夕を用い実施例１と同様に処
理する。
理論値（％） ５１．７８５．０７２０．１３実測値（
％） ５１．８７５．１１２０．１９実施例 ６６−プ
ロピオニル−３，４ージヒドロカルボスチリル１夕及び
チオセミカルバジド１．８夕を用い実施例１と同様に処
理する。
ジメチルスルホキシド−水から再結晶して淡黄色粉末状
晶の６ープロピオニル−３，４−ジヒドロカルポスチリ
ル チオセミカルバゾン１夕を得る。融 点 ２２０〜
２２１℃（分解） 実施例 ７ ６−へプタノイルー３，４ージヒドロカルポスチリル０
．３夕及びチオセミカルバジド０．２夕を用い実施例１
と同様に処理する。
晶の６ープロピオニル−３，４−ジヒドロカルポスチリ
ル チオセミカルバゾン１夕を得る。融 点 ２２０〜
２２１℃（分解） 実施例 ７ ６−へプタノイルー３，４ージヒドロカルポスチリル０
．３夕及びチオセミカルバジド０．２夕を用い実施例１
と同様に処理する。
エタノールから再結晶して白色粉末状晶の６−へプタノ
ィルー３．４−ジヒドロカルボスチリル チオセミカル
バゾン０．３夕を得る。融 点 １９０〜１９が○ 実施例 ８ ５−ヒドロキシー８ーアセチルー３．４−ジヒドロカル
ボスチリル１夕及びチオセミカルバゾン０．９夕を用い
実施例１と同様に処理する。
ィルー３．４−ジヒドロカルボスチリル チオセミカル
バゾン０．３夕を得る。融 点 １９０〜１９が○ 実施例 ８ ５−ヒドロキシー８ーアセチルー３．４−ジヒドロカル
ボスチリル１夕及びチオセミカルバゾン０．９夕を用い
実施例１と同様に処理する。
ジメチルスルホキシド−水から再結晶して黄色粉末状晶
の５−ヒドロキシー８−アセチル−３，４−ジヒドロカ
ルポスチリル チオセミカルバゾン１．２夕を得る。融
点 ３２０℃以上
の５−ヒドロキシー８−アセチル−３，４−ジヒドロカ
ルポスチリル チオセミカルバゾン１．２夕を得る。融
点 ３２０℃以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１は水素原子又は低級アルキル基を、Ｒ＾２
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基又はシ
クロアルキル基を、Ｒ＾３は水素原子又は水酸基を夫々
示す。 またカルボスチリル骨格の３位及び４位の炭素間結合は
一重結合又は二重結合を示す。）で表わされるチオセミ
カルバゾン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53034499A JPS6038384B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | チオセミカルバゾン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53034499A JPS6038384B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | チオセミカルバゾン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54128583A JPS54128583A (en) | 1979-10-05 |
| JPS6038384B2 true JPS6038384B2 (ja) | 1985-08-31 |
Family
ID=12415937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53034499A Expired JPS6038384B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | チオセミカルバゾン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038384B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4440771A (en) * | 1982-02-12 | 1984-04-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | 2-Acetyl quinoline thiosemicarbazones useful in treatment of gonorrhea, malaria or bacterial infections |
| DE69230131T2 (de) * | 1991-07-03 | 2000-03-02 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Apoptoseregulator |
| CA2121148A1 (en) * | 1992-08-19 | 1994-03-03 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Apoptosis regulator |
-
1978
- 1978-03-24 JP JP53034499A patent/JPS6038384B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54128583A (en) | 1979-10-05 |
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