JPS603836A - 電子管用電子銃 - Google Patents
電子管用電子銃Info
- Publication number
- JPS603836A JPS603836A JP11201783A JP11201783A JPS603836A JP S603836 A JPS603836 A JP S603836A JP 11201783 A JP11201783 A JP 11201783A JP 11201783 A JP11201783 A JP 11201783A JP S603836 A JPS603836 A JP S603836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- wehnelt
- wehnelt electrode
- electron
- supporter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/06—Electron or ion guns
- H01J23/065—Electron or ion guns producing a solid cylindrical beam
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、直進形タライストロン、進行波管の電子ビー
ム源として広く採用されているピアス形電子銃の構造に
関するものである。
ム源として広く採用されているピアス形電子銃の構造に
関するものである。
直進形クライストロン、進行波管は通信用、放送用のマ
イクロ波増巾器として広く用いられてきているが、近年
工業用マイクロ波増巾器としての用途も拡大しはじめ、
用途の要請によりＭＷ級のマイクロ波電力出力を可能と
するものが、設計・開発されつつある。この様な超大電
力とも言うべき、マイクロ波管においては、ＭＷ級の電
力出力を得るために、陰極・陽極間に印加される電位差
であるビーム電圧は１００ＫＶ前板、ビーム電流は数十
アンペアにせざるを得な（・。これは、直進形クライス
トロン進行波管の増巾原理と、密接に関係している。す
なわちこれらのマイクロ減増中管にお（・て電子銃に隣
接して設けられて（・る高周波回路部において、入力さ
れた電磁波と、電子ビームとの相互作用を行なわせしめ
、電子ビームの持つ運動エネルギーを電磁波のエネルギ
ーに変換しているため、大ぎな電力出力を得るためには
、電子ビームに大きな運動エネルギーを与えねばならず
、又大電力であるためエネルギー変摸効率は少しでも高
くするのが有利でありビーム電圧を極めて高い値に設定
せざるを得ない。又、ビーム電流としても数十アンペア
という大電流を要するため陰極の電子放射面の直径を数
７センチメードルの大きにする必要が出てくる。陰極の
電子放射面積を大きくせねばならない理由は、陰極の電
子放射密度には、上限があり、又高い電子放射密度で使
用すると、陰極の寿命が、短かくなる事にある。
イクロ波増巾器として広く用いられてきているが、近年
工業用マイクロ波増巾器としての用途も拡大しはじめ、
用途の要請によりＭＷ級のマイクロ波電力出力を可能と
するものが、設計・開発されつつある。この様な超大電
力とも言うべき、マイクロ波管においては、ＭＷ級の電
力出力を得るために、陰極・陽極間に印加される電位差
であるビーム電圧は１００ＫＶ前板、ビーム電流は数十
アンペアにせざるを得な（・。これは、直進形クライス
トロン進行波管の増巾原理と、密接に関係している。す
なわちこれらのマイクロ減増中管にお（・て電子銃に隣
接して設けられて（・る高周波回路部において、入力さ
れた電磁波と、電子ビームとの相互作用を行なわせしめ
、電子ビームの持つ運動エネルギーを電磁波のエネルギ
ーに変換しているため、大ぎな電力出力を得るためには
、電子ビームに大きな運動エネルギーを与えねばならず
、又大電力であるためエネルギー変摸効率は少しでも高
くするのが有利でありビーム電圧を極めて高い値に設定
せざるを得ない。又、ビーム電流としても数十アンペア
という大電流を要するため陰極の電子放射面の直径を数
７センチメードルの大きにする必要が出てくる。陰極の
電子放射面積を大きくせねばならない理由は、陰極の電
子放射密度には、上限があり、又高い電子放射密度で使
用すると、陰極の寿命が、短かくなる事にある。
以上述べてきた如く、ビーム電圧を、１００ＫＶ前後、
陰極直径数センチメートルという条件で電子銃を従来の
考えで設計すると、真空外囲器電極導入端子を含めた電
子銃部としては従来のものに比して非常に大きなものに
なり、重量も数十に２になるため真空封止部の機械的強
度に不安が生じる。
陰極直径数センチメートルという条件で電子銃を従来の
考えで設計すると、真空外囲器電極導入端子を含めた電
子銃部としては従来のものに比して非常に大きなものに
なり、重量も数十に２になるため真空封止部の機械的強
度に不安が生じる。
又、陰極としては、通常傍熱形、酸化物陰極もしくは含
浸形タングステン陰極を用いるため陰極を摂氏子鹿前後
の温度に加熱維持するためのヒーターを装置せねばなら
ないが、陰極周辺の熱容量がその様な大きなヒーター電
力のヒーターを設計する事も困難である。
浸形タングステン陰極を用いるため陰極を摂氏子鹿前後
の温度に加熱維持するためのヒーターを装置せねばなら
ないが、陰極周辺の熱容量がその様な大きなヒーター電
力のヒーターを設計する事も困難である。
本発明は、この様な現状に鑑みて、電子銃部重量が、よ
り軽く、又ヒーター電力も比較的少なくてすむ電子銃構
造を提供する事を目的としている。
り軽く、又ヒーター電力も比較的少なくてすむ電子銃構
造を提供する事を目的としている。
以下、従来よりある電子銃部構造の典型例を模式的に示
した第１図、又本発明の１実施例を示す第２図に従い説
明する。第１図は大電力電子管用の電子銃として従来よ
り広く用いられて（・る典型的な構造を模式的に示した
ものである。ヒータ２により摂氏子鹿に加熱された陰極
１は陽極６との間に印加される電位差により電子を放出
する。放出された電子はウェネルト電極３．陽極６にょ
る静電ポテンシャルレンズ及びそれに付加される磁界に
より所要形状の電子ビーム１４に形成される。
した第１図、又本発明の１実施例を示す第２図に従い説
明する。第１図は大電力電子管用の電子銃として従来よ
り広く用いられて（・る典型的な構造を模式的に示した
ものである。ヒータ２により摂氏子鹿に加熱された陰極
１は陽極６との間に印加される電位差により電子を放出
する。放出された電子はウェネルト電極３．陽極６にょ
る静電ポテンシャルレンズ及びそれに付加される磁界に
より所要形状の電子ビーム１４に形成される。
ウェネルト電極３は、ウェネルト支持体４ととも ）に
通常Ｃｕ、ＳＵＳ、Ｍｏ等の金属で作られている。
通常Ｃｕ、ＳＵＳ、Ｍｏ等の金属で作られている。
ウェネルト支持体４は陰極支持体１６を介してカソード
１を機械的に支持する機能をはたして（・るが金属で作
られていて、熱伝導度が良いためヒータ２より供給され
る熱量の多くは陰極支持体１６を通りウェネルト支持体
４を通り外部に放散される。ウェネルト支持体４はウェ
ネルト電極３と摂氏子鹿前後の陰極１を機械的に支持し
ているため十分な機械的強度が要求され、従って十分な
厚さを与えられる。このためウェネルト支持体４は前記
したＣ ｕ ｓ ８ Ｕ Ｓ ｔ Ｍ ｏ等の金属で作
られるとかなりの重量となる。加えて熱伝導特性が非常
に良くなるため陰極１を所定の温度に昇温、維持するの
にヒータ２は大きな発熱量を要求される。これらの重量
は、絶縁体真空外囲器９，１００両端面に存する金属電
極導入部等との真空封止部にかかるから、大きなサイズ
の電子銃においては、この真空封止部にかかる重量を軽
くする事は、破壊しゃする真空封止部の信頼性を高める
ために重要な問題と力る。又大きな発熱量のヒータは設
計・製造が困難であるうえ、信頼性の点でも種々の点で
問題があるため要求されるヒーターの発熱量は少ない事
が望ましい。
１を機械的に支持する機能をはたして（・るが金属で作
られていて、熱伝導度が良いためヒータ２より供給され
る熱量の多くは陰極支持体１６を通りウェネルト支持体
４を通り外部に放散される。ウェネルト支持体４はウェ
ネルト電極３と摂氏子鹿前後の陰極１を機械的に支持し
ているため十分な機械的強度が要求され、従って十分な
厚さを与えられる。このためウェネルト支持体４は前記
したＣ ｕ ｓ ８ Ｕ Ｓ ｔ Ｍ ｏ等の金属で作
られるとかなりの重量となる。加えて熱伝導特性が非常
に良くなるため陰極１を所定の温度に昇温、維持するの
にヒータ２は大きな発熱量を要求される。これらの重量
は、絶縁体真空外囲器９，１００両端面に存する金属電
極導入部等との真空封止部にかかるから、大きなサイズ
の電子銃においては、この真空封止部にかかる重量を軽
くする事は、破壊しゃする真空封止部の信頼性を高める
ために重要な問題と力る。又大きな発熱量のヒータは設
計・製造が困難であるうえ、信頼性の点でも種々の点で
問題があるため要求されるヒーターの発熱量は少ない事
が望ましい。
本発明は、かかる要求を満足する電子銃ｊｆｌ’４造を
提供するものであり、第２図に本発明の一実施例を模式
的に示した。ウニネル）３．！７エネルト支持体４はＬ
（３２０，、ＢｅＯ，ＢＮ、８ｉＣ，ＳｉＮ、石英のい
ずれか、もしく−１それらを組合わせたものから成りか
つその内外表面を薄い金属膜でおおわれている。このた
め、ウェネルト電極３．ウェネルト支持体４は前記した
如きＣｕ ＊ Ｓ Ｕ Ｓ ＊ Ｍ ｏ等の金属で作っ
た時のＨ〜３≦以下の重量にする華が可能となる。Ａ２
．．０３．ＢｅＯ，ＢＮ、ＳｉＣ，８ｉＮ、石英４Ｓは
十分な機械的強度を持っているため金属で構成した竣１
合に比べ厚さを厚くする必ｇはな（・。又 −金属１に
比べ剛性が強く展延性に乏しいため金属の場合、はばし
ば発生する製造中、及び製造徒の変形による電子銃特性
の不良も起きにくい利点を有シテイル。又、Ａ−ｅ、０
３．８ｉＣ，石英、等の材料を使用すれば陰極１から陰
極支持体２、ウェネルト支持体４を径由する熱流量が大
きく減少し、少いヒータ熱量で、陰極１を所定の温度に
昇温、維持する事が可能となる。前記した如きＡｉ、
０． 。
提供するものであり、第２図に本発明の一実施例を模式
的に示した。ウニネル）３．！７エネルト支持体４はＬ
（３２０，、ＢｅＯ，ＢＮ、８ｉＣ，ＳｉＮ、石英のい
ずれか、もしく−１それらを組合わせたものから成りか
つその内外表面を薄い金属膜でおおわれている。このた
め、ウェネルト電極３．ウェネルト支持体４は前記した
如きＣｕ ＊ Ｓ Ｕ Ｓ ＊ Ｍ ｏ等の金属で作っ
た時のＨ〜３≦以下の重量にする華が可能となる。Ａ２
．．０３．ＢｅＯ，ＢＮ、ＳｉＣ，８ｉＮ、石英４Ｓは
十分な機械的強度を持っているため金属で構成した竣１
合に比べ厚さを厚くする必ｇはな（・。又 −金属１に
比べ剛性が強く展延性に乏しいため金属の場合、はばし
ば発生する製造中、及び製造徒の変形による電子銃特性
の不良も起きにくい利点を有シテイル。又、Ａ−ｅ、０
３．８ｉＣ，石英、等の材料を使用すれば陰極１から陰
極支持体２、ウェネルト支持体４を径由する熱流量が大
きく減少し、少いヒータ熱量で、陰極１を所定の温度に
昇温、維持する事が可能となる。前記した如きＡｉ、
０． 。
ＢｅＯ，ＢＮ、ＳｉＣ，ＳｉＮ、石英等の表面に金属薄
膜１７を形成するには、例えは、蒸着、無電界メッキ等
により容易に行なう事ができる。又ウェネルト支持体４
と陰極支持体１６との接続、固定はウェネルト支持体４
の接続部、表面に、点溶接が可能な程度の厚さをもつ金
属をロー付しておくことにより点溶接でもって容易に行
なえる。又、ウェネルト支持体４と導入端子１３との固
定接続は、ロー付、金属製バンドの締め付は等により、
容易かつ確実に行なえる。又第２図に示した１実施例で
は、ウェネルト電極３．ウェネルト寛＠！４の全表面が
金属薄膜１７で覆われているが、金属薄膜１７はウェネ
ルト電極３の亀臭特性上必要力部分にのみ設ければ十分
であり、他の部分は基体の材質をそのまま露出させてお
く事も可能であり、この場合にはウェネルト電極３．ウ
ェネルト支持体４と陽極６．陽極支持体７の間の耐電圧
特性が著しく向上する事が期待される。更に又、高価で
あったり、機械的強度に劣るため従来用いられていない
Ｐｉ、Ａｕ等を薄膜１７の材質として選択する事が軽済
的にも可能となり前記した如き電槓間の耐電圧特性を一
層向上させる事も可能となる。
膜１７を形成するには、例えは、蒸着、無電界メッキ等
により容易に行なう事ができる。又ウェネルト支持体４
と陰極支持体１６との接続、固定はウェネルト支持体４
の接続部、表面に、点溶接が可能な程度の厚さをもつ金
属をロー付しておくことにより点溶接でもって容易に行
なえる。又、ウェネルト支持体４と導入端子１３との固
定接続は、ロー付、金属製バンドの締め付は等により、
容易かつ確実に行なえる。又第２図に示した１実施例で
は、ウェネルト電極３．ウェネルト寛＠！４の全表面が
金属薄膜１７で覆われているが、金属薄膜１７はウェネ
ルト電極３の亀臭特性上必要力部分にのみ設ければ十分
であり、他の部分は基体の材質をそのまま露出させてお
く事も可能であり、この場合にはウェネルト電極３．ウ
ェネルト支持体４と陽極６．陽極支持体７の間の耐電圧
特性が著しく向上する事が期待される。更に又、高価で
あったり、機械的強度に劣るため従来用いられていない
Ｐｉ、Ａｕ等を薄膜１７の材質として選択する事が軽済
的にも可能となり前記した如き電槓間の耐電圧特性を一
層向上させる事も可能となる。
第１図は従来よりある典型的な電子銃構造を模式的に示
した断面図、第２図は本発明による１実施例の断面図で
ある。 １・・・・・・陰極、２・・・・・・ヒータ、３・・・
・・・ウェネルト電極、４・・・・・・ウェネルト支持
体、５・・・・・・金属薄膜、６・・・・・・陽枠、７
・・・・・・陽極支持体、８・・・・・・陽極酒太端子
、９，１０・・・・・・絶縁体真空外囲器、１１・・・
・・・ヒーター渚入端子、１２・・・・・・絶縁付真壁
外囲器、１３・・・・・・陰極導入端子、１４・・・・
・・電子ビーム、１５・・・・・・本体入口部。
した断面図、第２図は本発明による１実施例の断面図で
ある。 １・・・・・・陰極、２・・・・・・ヒータ、３・・・
・・・ウェネルト電極、４・・・・・・ウェネルト支持
体、５・・・・・・金属薄膜、６・・・・・・陽枠、７
・・・・・・陽極支持体、８・・・・・・陽極酒太端子
、９，１０・・・・・・絶縁体真空外囲器、１１・・・
・・・ヒーター渚入端子、１２・・・・・・絶縁付真壁
外囲器、１３・・・・・・陰極導入端子、１４・・・・
・・電子ビーム、１５・・・・・・本体入口部。
Claims (1)
- 電子ビーム源としての陰極と該陰極を所定の温度に加熱
するためのヒーターと陰極から放射された電子群を所定
形状の電子ビームに形成するためのウェネルト電極、陽
極及び、該ウェネルト電極の支持構体、該陽極の支持構
体、真空外囲器を具備した電子管用電子銃において、該
ウェネルト電極、該ウェネルト電極の支持構体の基体の
全部又は一部がＡ−ｅ、 ０３．ＢｅＯ，ＢＮ、８ｉｅ
、８ｉＮ、石英のいずれか、もしくはそれらを組合わせ
たものから成り、かつそれらの表面の全部又は一部が金
属薄膜で被覆されていることを特徴とする電子管用電子
銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201783A JPS603836A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 電子管用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201783A JPS603836A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 電子管用電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603836A true JPS603836A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14575890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11201783A Pending JPS603836A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 電子管用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603836A (ja) |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP11201783A patent/JPS603836A/ja active Pending
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