JPS6037376B2 - 太陽熱吸収体の製法 - Google Patents
太陽熱吸収体の製法Info
- Publication number
- JPS6037376B2 JPS6037376B2 JP56041254A JP4125481A JPS6037376B2 JP S6037376 B2 JPS6037376 B2 JP S6037376B2 JP 56041254 A JP56041254 A JP 56041254A JP 4125481 A JP4125481 A JP 4125481A JP S6037376 B2 JPS6037376 B2 JP S6037376B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solar heat
- selective absorption
- oxidizing agent
- thickness
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Sustainable Energy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、大陽熱温水器などを用いられる太陽熱吸収
体の製法に関するものである。
体の製法に関するものである。
太陽エネルギーの吸収体としては、可視光城および近赤
外領域の電磁波に対する吸収率が高く、しかも赤外領域
での放射率の低いものが要求される。
外領域の電磁波に対する吸収率が高く、しかも赤外領域
での放射率の低いものが要求される。
従来、太陽エネルギーを良好に吸収し、かつ赤外領域で
の熱放射が少ない被膜(一般に選択吸収膜と呼ばれる)
を表面に形成してなる太陽熱吸収体が種々考え出されて
おり、このような選択吸収膜としては酸化第1銅(C均
○)被膜や酸化第2銅(Cu○)被膜などの酸化鋼被膜
が広く知られている。
の熱放射が少ない被膜(一般に選択吸収膜と呼ばれる)
を表面に形成してなる太陽熱吸収体が種々考え出されて
おり、このような選択吸収膜としては酸化第1銅(C均
○)被膜や酸化第2銅(Cu○)被膜などの酸化鋼被膜
が広く知られている。
しかしながら、上記酸化鋼からなる選択吸収膜を基材表
面に形成した従来の太陽熱吸収体は、一般に耐熱性が悪
いため、たとえば使用中、熱媒体を導通させない状態で
太陽光に曝されるなどのため、ときにより200qoも
の高温に達することがあり、劣化が起きる。
面に形成した従来の太陽熱吸収体は、一般に耐熱性が悪
いため、たとえば使用中、熱媒体を導通させない状態で
太陽光に曝されるなどのため、ときにより200qoも
の高温に達することがあり、劣化が起きる。
そのため、近赤外城(波長0.7〜2.5ミクロン)で
の吸収率が低下するほか、下地の銅成分が酸化されて選
択吸収膜の膜厚が次第に増加するため、赤外領域におけ
る熱放射が増大するというような問題を生ずることが多
かった。この発明は、以上のような事情に鑑みなされた
もので、太陽熱の吸収率が高く、かつ耐熱性にすぐれた
太陽熱吸収体の製法を提供するものである。
の吸収率が低下するほか、下地の銅成分が酸化されて選
択吸収膜の膜厚が次第に増加するため、赤外領域におけ
る熱放射が増大するというような問題を生ずることが多
かった。この発明は、以上のような事情に鑑みなされた
もので、太陽熱の吸収率が高く、かつ耐熱性にすぐれた
太陽熱吸収体の製法を提供するものである。
これについて以下に説明する。この発明にかかる太陽熱
吸収体の製法は、化学的および熱的に安定な金属基村の
表面に銅を含有する薄膜層を形成し、この薄膜層を酸化
処理することによって選択吸収酸化するにあたり、化成
処理液として、亜塩素酸塩もしくは過硫酸塩からなる酸
化剤およびアルカリ添加剤を含む水溶液であって、上記
酸化剤とアルカリ添加剤とのモル比が(アルカリ添加剤
のモル数)/(酸化剤のモル数)≦2.25 であるような化成処理液を用いることを特徴としている
。
吸収体の製法は、化学的および熱的に安定な金属基村の
表面に銅を含有する薄膜層を形成し、この薄膜層を酸化
処理することによって選択吸収酸化するにあたり、化成
処理液として、亜塩素酸塩もしくは過硫酸塩からなる酸
化剤およびアルカリ添加剤を含む水溶液であって、上記
酸化剤とアルカリ添加剤とのモル比が(アルカリ添加剤
のモル数)/(酸化剤のモル数)≦2.25 であるような化成処理液を用いることを特徴としている
。
化学的、熱的に安定な金属基材としては、例えばステン
レス鋼板、ニッケルメッキ鋼板、クロムメッキ鋼板など
を採用することができる。
レス鋼板、ニッケルメッキ鋼板、クロムメッキ鋼板など
を採用することができる。
銅または銅合金を材質とする基材は、使用中に酸化して
酸化銅となり、選択吸収膜の厚みを増加させるので好ま
しくない。この基材の表面にメッキ法、真空蒸着法、ス
パッタリング法などの方法を用いて、厚み0.1〜1ミ
クロン(仏m)の銅または銅合金の薄膜層、すなわち銅
を含有する薄膜層を形成する。
酸化銅となり、選択吸収膜の厚みを増加させるので好ま
しくない。この基材の表面にメッキ法、真空蒸着法、ス
パッタリング法などの方法を用いて、厚み0.1〜1ミ
クロン(仏m)の銅または銅合金の薄膜層、すなわち銅
を含有する薄膜層を形成する。
この薄膜層は、後で選択吸収膜に変えられるもので、薄
膜層の厚みが0.1ミクロンより薄いと、得られる選択
吸収膜層が薄くなりすぎて太陽熱の吸収が不充分となる
。逆に、薄膜層の厚みが1.0ミクロンを越えると、選
択吸収膜が厚くなりすぎて熱放射率が高くなり、総合的
な太陽熱吸収率が低下するようになるので、いずれの場
合もあまり好ましくない。つぎに、上記鋼または銅合金
からなる薄膜層に化成処理による酸化処理を施して、酸
化第2銅(Cu○)からなる選択吸収膜とする。
膜層の厚みが0.1ミクロンより薄いと、得られる選択
吸収膜層が薄くなりすぎて太陽熱の吸収が不充分となる
。逆に、薄膜層の厚みが1.0ミクロンを越えると、選
択吸収膜が厚くなりすぎて熱放射率が高くなり、総合的
な太陽熱吸収率が低下するようになるので、いずれの場
合もあまり好ましくない。つぎに、上記鋼または銅合金
からなる薄膜層に化成処理による酸化処理を施して、酸
化第2銅(Cu○)からなる選択吸収膜とする。
この発明は、この工程において、以下に述べる特別の条
件を選ぶところに特徴がある。この場合、選択吸収膜中
銅(Cu)または酸化第1銅(C舷0)が残留すると、
使用中に劣化するので、上記酸化処理は充分に行なう必
要がある。この酸化処理用の化成処理液は、酸化剤とア
ルカリ添加剤との混合水溶液であり、酸化剤としては、
亜塩素酸ナトリウム(NaCI02)、過硫酸カリウム
(K2S208)、過硫酸ナトリウム(Na2S208
)、過硫酸アンモニウム〔(N比)2S208〕などの
亜塩素酸塩もしくは過硫酸塩が用いられ、アルカリ添加
剤としては水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリ
ウム(KOH)などが用いられる。なお、酸化剤として
NaCI02を、またアルカリ添加剤としてNaOHを
用いるのが実用的に最もすぐれている。化成処理液中の
酸化剤とアルカリ添加剤とのモル比について述べれば、
前述したように、酸化剤のモル数に対し、アルカリ添加
剤のモル数が2.23音以上である必要がある。このよ
うな化成処理液を用いて酸化処理を施せば、前記鋼を含
む薄膜層は、長径方向の長さがほぼ0.6〜2.0ミク
ロンの、おおよそ繊維状ないし藁状を呈する酸化第2鋼
結晶からなる選択吸収膜となるのである。第1図は、こ
のようにして得られる選択吸収膜の微小構造をあらわす
顕微鏡写真(×10000)であり、写真からわかるよ
うに、この選択吸収膜は複雑にからみ合った葵状結晶(
長さ1.3山肌)で構成されている。また、第2図は結
晶の長さが短い葵状結晶(長さ0.3一肌)の顕微鏡写
真(×10000)であり、アルカリ添加剤のモル比が
少ない場合にこのような結晶となる。第3図は、酸化第
2銅(Cu○)系の選択吸収膜の光学的特性をあらわす
グラフであり、Aは前記繊維状ないし葉状の結晶の長径
方向長さが0.6ミクロン以上の場合、Bはその長さが
0.3ミクロン以下の場合およびCは0.1ミクロン以
下の場合の吸収率の変化をあらわす。但し、選択吸収膜
の膜厚は、いずれも0.4ミクロンである。すなわち、
酸化第2銅結晶からなる選択吸収膜では一般に、0.7
ミクロン以上の波長のいわゆる近赤外領域での吸収率が
低下するが、この低下の度合いは選択吸収膜の膜厚や微
小構造によって大きく影響され、結晶の長径方向長さ(
最も長い方向における長さ)が0.6ミクロン以上のも
のが最も低下が少ない。これは、近赤外領域(波長0.
7〜2.5ミクロン)の光に対し、上記結晶の長さが0
.3ミクロン以下であれば幾何学的に平らな面となるが
、0.6ミクロン以下であれば多重反射を起こして吸収
率が向上するためであろうと考えられる。なお、実験の
結果では、上記結晶長が0.6〜2.0ミクロンの範囲
においては、曲線Aで示す吸収率のままで、それ以上吸
収率が向上することはなかった。また、上記説明におい
て、結晶長が0.6〜2.0ミクロンであるにもかかわ
らず選択吸収膜の膜厚が0.4ミクロンと薄いのは、こ
の膜厚が空隙ないし凹凸のない平らな層の厚みに換算し
てあらわされているからである。この選択吸収膜の厚み
は、1000〜7000△(0.1〜0.7ミクロン)
とするのが好ましい。選択吸収層の厚みが0.1ミクロ
ンより薄い場合は太陽熱の吸収が不充分であり、逆に0
.7ミクロンより厚くすると放射率が高くなるので、い
ずれの場合も総合的な吸収効率が低下するからである。
つぎに、このようにして製造される太陽熱吸収体の耐久
性をさらに向上させるには、得られた選択吸収膜の表面
に耐熱性をそなえた保護被膜を形成しておくのが効果的
である。
件を選ぶところに特徴がある。この場合、選択吸収膜中
銅(Cu)または酸化第1銅(C舷0)が残留すると、
使用中に劣化するので、上記酸化処理は充分に行なう必
要がある。この酸化処理用の化成処理液は、酸化剤とア
ルカリ添加剤との混合水溶液であり、酸化剤としては、
亜塩素酸ナトリウム(NaCI02)、過硫酸カリウム
(K2S208)、過硫酸ナトリウム(Na2S208
)、過硫酸アンモニウム〔(N比)2S208〕などの
亜塩素酸塩もしくは過硫酸塩が用いられ、アルカリ添加
剤としては水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリ
ウム(KOH)などが用いられる。なお、酸化剤として
NaCI02を、またアルカリ添加剤としてNaOHを
用いるのが実用的に最もすぐれている。化成処理液中の
酸化剤とアルカリ添加剤とのモル比について述べれば、
前述したように、酸化剤のモル数に対し、アルカリ添加
剤のモル数が2.23音以上である必要がある。このよ
うな化成処理液を用いて酸化処理を施せば、前記鋼を含
む薄膜層は、長径方向の長さがほぼ0.6〜2.0ミク
ロンの、おおよそ繊維状ないし藁状を呈する酸化第2鋼
結晶からなる選択吸収膜となるのである。第1図は、こ
のようにして得られる選択吸収膜の微小構造をあらわす
顕微鏡写真(×10000)であり、写真からわかるよ
うに、この選択吸収膜は複雑にからみ合った葵状結晶(
長さ1.3山肌)で構成されている。また、第2図は結
晶の長さが短い葵状結晶(長さ0.3一肌)の顕微鏡写
真(×10000)であり、アルカリ添加剤のモル比が
少ない場合にこのような結晶となる。第3図は、酸化第
2銅(Cu○)系の選択吸収膜の光学的特性をあらわす
グラフであり、Aは前記繊維状ないし葉状の結晶の長径
方向長さが0.6ミクロン以上の場合、Bはその長さが
0.3ミクロン以下の場合およびCは0.1ミクロン以
下の場合の吸収率の変化をあらわす。但し、選択吸収膜
の膜厚は、いずれも0.4ミクロンである。すなわち、
酸化第2銅結晶からなる選択吸収膜では一般に、0.7
ミクロン以上の波長のいわゆる近赤外領域での吸収率が
低下するが、この低下の度合いは選択吸収膜の膜厚や微
小構造によって大きく影響され、結晶の長径方向長さ(
最も長い方向における長さ)が0.6ミクロン以上のも
のが最も低下が少ない。これは、近赤外領域(波長0.
7〜2.5ミクロン)の光に対し、上記結晶の長さが0
.3ミクロン以下であれば幾何学的に平らな面となるが
、0.6ミクロン以下であれば多重反射を起こして吸収
率が向上するためであろうと考えられる。なお、実験の
結果では、上記結晶長が0.6〜2.0ミクロンの範囲
においては、曲線Aで示す吸収率のままで、それ以上吸
収率が向上することはなかった。また、上記説明におい
て、結晶長が0.6〜2.0ミクロンであるにもかかわ
らず選択吸収膜の膜厚が0.4ミクロンと薄いのは、こ
の膜厚が空隙ないし凹凸のない平らな層の厚みに換算し
てあらわされているからである。この選択吸収膜の厚み
は、1000〜7000△(0.1〜0.7ミクロン)
とするのが好ましい。選択吸収層の厚みが0.1ミクロ
ンより薄い場合は太陽熱の吸収が不充分であり、逆に0
.7ミクロンより厚くすると放射率が高くなるので、い
ずれの場合も総合的な吸収効率が低下するからである。
つぎに、このようにして製造される太陽熱吸収体の耐久
性をさらに向上させるには、得られた選択吸収膜の表面
に耐熱性をそなえた保護被膜を形成しておくのが効果的
である。
このような保護被膜としては、シリコン樹脂被膜、フッ
素樹脂被膜、BT樹脂(ビスマレィミド・トリアジン樹
脂)被膜などの樹脂被膜のほか、シリカ質の無機質コー
ティングなどがある。保護被膜として、例えばシリコン
樹脂被膜を表面に形成する場合、市販のシリコン樹脂(
例えば、信越化学工業社製、KR−177N)をキシレ
ンで固形分1の重量%(以下「%」と略す)程度に稀釈
した液に浸潰し、塗膜を形成したのち、10000で5
分間程度加熱し、塗膜を硬化させる。
素樹脂被膜、BT樹脂(ビスマレィミド・トリアジン樹
脂)被膜などの樹脂被膜のほか、シリカ質の無機質コー
ティングなどがある。保護被膜として、例えばシリコン
樹脂被膜を表面に形成する場合、市販のシリコン樹脂(
例えば、信越化学工業社製、KR−177N)をキシレ
ンで固形分1の重量%(以下「%」と略す)程度に稀釈
した液に浸潰し、塗膜を形成したのち、10000で5
分間程度加熱し、塗膜を硬化させる。
フッ素樹脂の場合はトルェンで稀釈するのがよい。保護
被膜としてシリカ質の被膜を形成する方法について説明
すると、選択吸収膜の上にケイ酸リチウム・ケイ酸カリ
ウム・ケイ酸ナトリウムの如きケイ酸塩の水溶液を塗布
し、乾燥して塗膜化し、これを焼き付ける方法が一般的
である。しかしながら、より小孔の少ない、すぐれた被
膜を得ようとすれば、造膜性に富み、かつ耐衝撃性に富
んだ被膜を形成しやすいケイ酸ナトリウムの被膜を選択
吸収面上にまず形成し、そののち、その上に耐薬品性に
富んだ被膜を形成しやすいケイ酸リチウムの被膜を形成
しておくのがよい。このような二重構造の被膜を形成す
る方法について具体的に説明すれば次の通りである。ケ
イ酸ナトリウムおよびケイ酸リチウムの水溶液は、それ
ぞれ濃度が1〜30%の範囲にあるのが好ましい。
被膜としてシリカ質の被膜を形成する方法について説明
すると、選択吸収膜の上にケイ酸リチウム・ケイ酸カリ
ウム・ケイ酸ナトリウムの如きケイ酸塩の水溶液を塗布
し、乾燥して塗膜化し、これを焼き付ける方法が一般的
である。しかしながら、より小孔の少ない、すぐれた被
膜を得ようとすれば、造膜性に富み、かつ耐衝撃性に富
んだ被膜を形成しやすいケイ酸ナトリウムの被膜を選択
吸収面上にまず形成し、そののち、その上に耐薬品性に
富んだ被膜を形成しやすいケイ酸リチウムの被膜を形成
しておくのがよい。このような二重構造の被膜を形成す
る方法について具体的に説明すれば次の通りである。ケ
イ酸ナトリウムおよびケイ酸リチウムの水溶液は、それ
ぞれ濃度が1〜30%の範囲にあるのが好ましい。
30%より高いと塗布が困難になるとともに、焼付けの
際にクラックが入ったり発泡したりしやすくなる。
際にクラックが入ったり発泡したりしやすくなる。
逆に1%より低いと効果的な塗膜の形成が困難となる。
前記選択吸収膜の表面に、まずケイ酸ナトリウムの水溶
液を、刷毛塗りや浸債法など通常用いられる方法で塗布
する。つぎに、この塗布面を風乾したのち、100℃未
満の温度で予備乾燥する。予備乾燥は暁付けの際の発泡
を防止するために行なうもので、通常5000以上lo
o。0禾満の温度で0.5〜30分間行なわれる。予備
乾燥が終ったら、ケイ酸ナトリウムの塗膜を高温で焼き
付けて第1のシリカ質被膜とするが、この焼付けは、低
温(100〜2000C)で行なう1次暁付けと、高温
(20000を超え40000以下)で行なう2次暁付
けとの2段階に分けて行なうのが、形成される被膜中の
小孔の発生を抑えるうえで好ましい。この場合、1次焼
付けの時間は0.5〜30分間とするのが好ましく、2
次暁付けの時間は0.5〜3■ご間とするのが好ましい
。このようにして第1のシリカ質被膜が形成されたら、
つぎに、その上からケイ酸リチウムの水溶液を塗布し、
ケイ酸ナトリウムの場合と同様な処理を施して第2のシ
リカ質被膜を形成する。このようにして二重構造を有す
る、すぐれた被膜が得られるのである。なお、上記保護
被膜の膜厚は、0.1〜2山肌とするのが好ましい。0
.1仏のより薄くすると保護効果が充分ではなく、2仏
肌より厚くすると熱放射が増大するからである。
前記選択吸収膜の表面に、まずケイ酸ナトリウムの水溶
液を、刷毛塗りや浸債法など通常用いられる方法で塗布
する。つぎに、この塗布面を風乾したのち、100℃未
満の温度で予備乾燥する。予備乾燥は暁付けの際の発泡
を防止するために行なうもので、通常5000以上lo
o。0禾満の温度で0.5〜30分間行なわれる。予備
乾燥が終ったら、ケイ酸ナトリウムの塗膜を高温で焼き
付けて第1のシリカ質被膜とするが、この焼付けは、低
温(100〜2000C)で行なう1次暁付けと、高温
(20000を超え40000以下)で行なう2次暁付
けとの2段階に分けて行なうのが、形成される被膜中の
小孔の発生を抑えるうえで好ましい。この場合、1次焼
付けの時間は0.5〜30分間とするのが好ましく、2
次暁付けの時間は0.5〜3■ご間とするのが好ましい
。このようにして第1のシリカ質被膜が形成されたら、
つぎに、その上からケイ酸リチウムの水溶液を塗布し、
ケイ酸ナトリウムの場合と同様な処理を施して第2のシ
リカ質被膜を形成する。このようにして二重構造を有す
る、すぐれた被膜が得られるのである。なお、上記保護
被膜の膜厚は、0.1〜2山肌とするのが好ましい。0
.1仏のより薄くすると保護効果が充分ではなく、2仏
肌より厚くすると熱放射が増大するからである。
つぎに、この発明の実施例および比較例について説明す
る。
る。
実施例および比較例
冷延鋼板の厚み3ム肌のニッケルメッキを施したものを
基材として使用し、この基材表面にシアン化鋼系の銅〆
ッキを施して銅の薄膜層を形成した。
基材として使用し、この基材表面にシアン化鋼系の銅〆
ッキを施して銅の薄膜層を形成した。
その後、第1表に示す条件で化成処理を施し、第2表に
示すような選択吸収層を基材表面にそなえた太陽熱吸収
体を得た。この太陽熱吸収体の光学的特性は、第3表に
示す通りであった。(試験方法)銅〆ッキ厚:中央製作
所製電解式膜厚測定器を使用した。
示すような選択吸収層を基材表面にそなえた太陽熱吸収
体を得た。この太陽熱吸収体の光学的特性は、第3表に
示す通りであった。(試験方法)銅〆ッキ厚:中央製作
所製電解式膜厚測定器を使用した。
Cu○膜厚:定電流還元法を用いた。
結晶長:C山0形成初期(Cu○結晶がまだらなとき)
に電子顕微鏡写真により長径方向の長さを測定した。
に電子顕微鏡写真により長径方向の長さを測定した。
Cu○結晶は、時間、温度に関係なく、化成処理液の組
成により定まるので、この方法によってよい。ここで Q;吸収率(太陽全エネルギーに対する)Q入:波長入
での吸収率 1入:太陽光の波長^の放射強度 ここで ど;放射率(悪体放射全エネルギーに対する)S入T=
側;150qoの黒体からの波長^の放射強度ご入:波
長^の放射率(黒体に対する) なお、赤外分光光度計で赤外城の反射率P入を測定し、
ど^=1一P入とした。
成により定まるので、この方法によってよい。ここで Q;吸収率(太陽全エネルギーに対する)Q入:波長入
での吸収率 1入:太陽光の波長^の放射強度 ここで ど;放射率(悪体放射全エネルギーに対する)S入T=
側;150qoの黒体からの波長^の放射強度ご入:波
長^の放射率(黒体に対する) なお、赤外分光光度計で赤外城の反射率P入を測定し、
ど^=1一P入とした。
第 1 表
第 2 表
第 3 表
以上の説明から明らかなように、この発明にかかる太陽
熱吸収体の製法によれば、太陽熱の吸収効率が良好で、
耐熱性にすぐれた太陽熱吸収体をうまく製造することが
できるのである。
熱吸収体の製法によれば、太陽熱の吸収効率が良好で、
耐熱性にすぐれた太陽熱吸収体をうまく製造することが
できるのである。
第1図および第2図は選択吸収膜の電子顕微鏡写真、第
3図はCu○からなる選択吸収膜の光学的特性をあらわ
すグラフである。 第1図 第2図 第3図
3図はCu○からなる選択吸収膜の光学的特性をあらわ
すグラフである。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 化学的および熱的に安定な金属基材の表面に銅を含
有する薄膜層を形成し、この薄膜層を酸化処理すること
によつて選択吸収膜化するにあたり、化成処理液として
、亜塩素酸塩もしくは過硫酸塩からなる酸化剤およびア
ルカリ添加剤を含む水溶液であつて、上記酸化剤とアル
カリ添加剤とのモル比が、(アルカリ添加剤のモル数)
/ (酸化剤のモル数)≧2.25 であるような化成処理液を用いることを特徴とする太陽
熱吸収体の製法。 2 酸化剤およびアルカリ添加剤がそれぞれ亜塩素酸ナ
トリウムおよび水酸化ナトリウムである特許請求の範囲
第1項記載の太陽熱吸収体の製法。 3 選択吸収膜の膜厚が0.1〜0.7ミクロンである
特許請求の範囲第1項または第2項記載の太陽熱吸収体
の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56041254A JPS6037376B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 太陽熱吸収体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56041254A JPS6037376B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 太陽熱吸収体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57155057A JPS57155057A (en) | 1982-09-25 |
JPS6037376B2 true JPS6037376B2 (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=12603296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56041254A Expired JPS6037376B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 太陽熱吸収体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037376B2 (ja) |
-
1981
- 1981-03-20 JP JP56041254A patent/JPS6037376B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57155057A (en) | 1982-09-25 |
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