JPS6036663A - 無定形炭素層の製法 - Google Patents

無定形炭素層の製法

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JPS6036663A
JPS6036663A JP59089601A JP8960184A JPS6036663A JP S6036663 A JPS6036663 A JP S6036663A JP 59089601 A JP59089601 A JP 59089601A JP 8960184 A JP8960184 A JP 8960184A JP S6036663 A JPS6036663 A JP S6036663A
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gas
substrate
layer
siloxane
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イエルク・キーザー
ミヒヤエル・ノイシユ
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Leybold Heraeus GmbH
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、プラズマを励起するために交番宙瞭場を使用
して、反応室内部のイオン化したガス雰囲気内でガス状
炭化水素化合物を分解することυ′こより基体」二υで
無定形炭素層を製造する方法に関する。
この種の層に関する用語″無定形炭素層は、十分に；Ｑ
（＋：定形な構造であると推定された調査に基一つく。
この際（で、僅かな範囲内で典形的なダイヤモンド結合
が存在することが検出された。
従来技術 最近、この種の層を製造することができる原理的条件に
関１〜ては以下のことが公知である。
基板上に生じろ炭素イオン又は炭化水素ラジカルのエネ
ルギー供給主、一定の限界を上回るべきである。層には
水素約６０原子パーセントが導入される。形成条件に相
応して、当該層に関して用語の異なる表示が採用される
・ 無定形炭素 １−カーボン（１は補助イオンを表わす）ａ−Ｃ：Ｈ（
水素化無定形カーボン） ダイヤモンド様カーボン 当該層は大きな硬度を有１〜、化学的に不活性でル）り
かつ赤外線を透過する、従ってこの種の層の用途に関し
ては日用品のあらゆる可能な基体上の機械的及び化学的
保護層として並びに特殊な赤外線透過性光学基体上の光
学的に有効な層として著しい需用がある。
西独国特許出願公開第２７６６５１４号明細凹及びそれ
ｔｃ　イ’Ｈ応する英国特許第１５８２２３１号明細１
）１でより、冒頭に記載した形式の方法が公知であり、
該方法は基体と基体支持体から一方のコンデンサーの板
を形成し、該コンデンサ板０．５〜１００　ＭＬ（ｚの
周波数を印加することより成る。この場合、他方のコン
デンサ板は反応室の基板でル）０てもよいが、しかし反
応室内に組込ま１１゜た第２のコンデンサ板から形成さ
れていてもよい。いずれにせよ、反応室内に２つのコン
デンサ板が存在し、従ってイオン化したガス雰囲気に曝
されろ。このことは基体支持体を成す板にとっては全く
認容されない。
しか１７ながら、経験ｊ（よれは、公知方法及び公知装
置を用いれば１．０〜３．０　ｎｍ／ｓｅｃの炭素の倹
く低い析出速度を達成することかで゛きるυτすぎない
ことが判明１〜だ。更にこの場合、良好な層厚均等性な
達成することは不可能である、それというのもプラズマ
への不均一なエネルギー供給及び）０ラズマの局所的に
異なった強度並びに基体の領域におけるモノマー濃度の
ずれが相応する層厚の偏倚をもたらすからである。この
場合、層の構成においてガス状反応生成物が生じ、該生
成物は連続的に排出１〜なげねばならないことが不利に
作用する。現在公知方法によれは、直径が２０　ａｍ、
　Ｋすぎない平面状基体において、面全体１てわたって
約５％の層厚偏倚が得られる。この場合には、おそらく
大規模なプロセスには転用できないか又はそのままでは
転用可能である実験室的規模の製造が問題にされている
にすぎない。
発明が解決ｌ〜ようとする問題点 本発明の課題は、析出速度を著（−＜高めかつまた大面
積の基体を均一に被俺することができる冒頭に述べた形
式の方法を提供することであった。
問題点を解決するための手段 前記課題は、冒頭に述べた形式の方法において、交番電
磁場の周波数をマイクロ波範囲内に選択しかつマイクロ
波エネルギーを反応室の外部にある少なくとも１つの導
波構造体を通してガス雰囲気に導入することにより解決
される。
マイクロ波範囲は約９１５　ＭＨｚから２５４゜ｌ〜４
Ｈ２に及ぶ周波数範囲１である、すなわち周波数は公知
技術水準における周波数よりも少なくとも約１０倍大き
い１、周波数を高めることＣてより、相応する出力」−
昇と結び付き少なくとも７倍大きな析出速度が達成され
る、すなわち本発明方法によればそのままで約２０　ｎ
ｍ／ｓｅｃの析出速度が達成される。ガスプラズマを励
起するためのエネルギー源、すなわち導波構造体を反応
室の外側、ひいてはガス雰囲気の外側に配置することに
より、電気及び熱的にもはや制御不可能な問題を生じる
ことなく、エネルギー供給を著しく高めることができる
。それ自体は公知技術に属する導波構造体はその全長に
わたって均等なエネルギー供給を可能にする、従って層
厚均一性ないしは分布は導波構造体に対する基体の相対
運動と結びつき著（２く改良することができる。基体面
積を倍増しても、偏倚が約６〜４％よりも小さい厚さ均
一性を有する層を製造することが可能でル）る。
高い析出速度にもかかわらず、得られる層は意想外な硬
度並びＩＣまた高い化学的安定１〆Ｆを有する、従って
該層は多数のＪル体と１〜て有利＋ｆｃ使用可能である
。
ガス状であるか又はガス状態は転化可能である炭化水素
化合物としては、アセチレン、ベンゼン、メタン並びに
その他の鎖状も１〜くは環状炭化水素が適当でル）す、
実際には多重結合を有するものが適当である。
Ａｉ前記方法はケゞルマニウムの特殊な基体材料には既
に十分な接着強度をもたらすが、例えは鉱物がラヌ、金
属、プラスチック並びに無機絶縁材料の場合には、接着
強度は、 ａ）先行ぜる工程でまずシロキサン又はシラサ゛ンの群
から成るガスを反応室に導入し、ｂ）基体上にシロキサ
ン又はシラずンの重合体から成る接着層を形成させ、 Ｃ）引続きガス状炭化水素化合物を反応室に導入（７か
つ ｄ）接着層ト匠無定形炭素層を形成させるとと（τより
高めイ）ことかで・きる。
シロキサン及び／又はシラずンから形成された重合体は
、基体材料並びに無定形炭素層にどって優」１．た接着
補助体であることが立証さｊ王だ。
シロキサン又はシラ４ｒン層と無定形の炭素層どの間の
＠着強度に関Ｉ〜では、なお以下のことが重要である。
すなわち、反応室はシロキサン又はシラずンの供給が自
発的に停止した際でも一定址の該ガスを含有すべきで・
ある。該ガスは次第に基体上での凝縮によって消耗され
る。今や、圧力Ｉ／Ｃ依存して制？ｊｌｌされろガス供
給な維持した上でシロキサン又はシラずンの供給の終了
と同時にガス状の炭化水素化合物を導入すると、は程で
層材料の一定の曲進的移行が牛し、該移行は層材旧聞の
１棟の歯状突起として現われうる。
この過梓はなお第１の反応ガス（シロキサン、シラずン
）の１１を給のイ順進的絞り及び炭化水素化（７） 合物の漸進的速度上昇（てより移行帯域を拡大すること
ができ、ひいては接着効果を更に高めることかできるこ
とにＪ：り改善することができる。
更に、シロキサン又はシラずンの群から成るガスを反応
混合物に酸素含有ガス又は純粋酸素と混合して供給し、
その際酸素含有ガス又は酸素の割合を、全ガス散に対し
て１０〜５０容量％に選択することにより、接着層の硬
度をなお一層高めろことが可能である。接着層にそれが
極めて薄くとも、自体で極めて硬い無定形炭素層の効果
を一層高めるために大きな硬度を付与するのが常に有利
である。
本発明はまた、基体と無定形炭素層との間にシロキサン
又はシラずンの群から成る重合体の接着層が介在する、
無定形炭素層が施された基体に関する。
上記以外の本発明の有利な実施態様は、特許請求の範囲
第２項以下に記載されている。
次に本発明方法を実施する装置及び本発明方法により得
られた目的物を示す図面につき、本（８） 発明の詳細な説明する。
第１図には、鉱物ガラスから成る基体Ｓが示されており
、該基体上にシロキサン又はシラずンの重合体から成る
接着層Ｈがあり、その十に本発明してよる無定形の炭化
水素層Ｃが施されている。両者の層の間（Ｃは、移行も
しくは混合帯域］過が介在し、該帯域１′１点線で示さ
れた２つの境界向の間を延びている。下方境界面におけ
る組成はなおシロキサン又はシラずンの重合体１００％
でキ）るが、上方境界面の組成は無定形炭素層１００係
から成る。これら両者の境界向の間では、移行は両者の
層材料に関して実質的に連続的である。
第２図には、反応室１が示され、該反応室内に平板状基
体２が平坦な基体支持体３上に配置されている。この場
合、基体２は基体支持体３（（よって矢印４の方向で反
応室１内を搬送可能である。
この場合、基体支持体３は反応室１の両端に配置された
、図示されていない貯蔵マガジンと、同４ｊｌｉに図示
されていない受容マガジンとの間を搬送することかで゛
きる。しかｌ〜また、反応室１の両端にチャージゲート
を設けろこともできろ。
しかしながら、この種の反応室及びケ″−１・又は圧力
段階区分の構成原理は公知技術水準ＩＣ属するので詳細
には説明しない。
この場合、金属から成る反応室１はマイクロ波透過性材
料例えば石英ガラス又は酸化アルミニウムセラミック、
ポリテトラフルオルエチレン等から成る窓５を備えてい
る。窓は平面図で見れば方形でル〕る、この場合この長
辺の長さは少なくとも搬送方向（矢印４）（で対し７て
直角な基板２ない１〜は基体支持体３０幅の寸法に等し
い。
窓５の」二には２つの導波構造体６及び７が配置されて
おり、該構造体は第６図（Ｃよれは対組に相互に平行に
延びる２つの直線状横棒８及び９から成りかつそれらの
間に横棒８．＆び９と金属的に結合された同じ長さの段
棒１０及び１１が延びている。
膜枠１０及び１１は交番に２つの中１１１導体（簡略化
のために省略１．た）と導電接続されてい２）。この種
の導波（１／Ｇ造体の構成及び記聞形式（・主米国）？
！、許第３８１４９８３号明細υ）の第４図〜第８図し
こ詳細に示されている。
第２図によれは、第１の導波構造体６は導波管８を介し
てマイクロ波発振器９と接続されており、この場合この
接続は鎖線によって略示されているにすぎない。マイク
ロ波発振器９の重閥な部分はマグネトロンである。導波
管８（で対する導波構造体６の接続は同様に公知技術で
ル、りかつり・１１えば米国特許第６８１４９８３号明
細書、の第４図及び第５図に示されている。導波構造体
６の他方端部は別の導波管１０を介して、マイクロ波短
絡を成１いわゆるレアクタンス負荷１１ど接続されてい
イ）。導波構造体６は窓５及び基体支持イ」３に対１．
て鋭角を成［２て延びる、この場合導波体８が存在する
端部の間隔が大きくたつ−Ｃいる。迎え角は導波管８を
その左狽１ｊに示さ才また二重矢印の方向で移動させる
ことυてより変えることができる。この場合、迎え角は
放電パラメータが一定であると仮定して、導波構造の全
長にわたってプラズマに均一なエネルギー供給が行なわ
れるように選択すべきである。
導波構造体７は同様に基体の搬送方向に対して直角方向
に延ひるように導波構造体６の傍に１配置されているが
、しかしこれは反対方向に延びかつ基体面１で対して同
じ鋭角を有する。基体表面から最も離れた導波構造体７
の端部は、同様に導波管１２Ｆで完全に類似した形式で
同じマイクロ波発振器９と接続されている。導波構造体
の他方端部は同様に類似ｌ〜た形式でもう１つの導波管
１３を介してもう１つのレアクタンス負荷１４と接続さ
れている。全ての導波管８゜１２及び１３は導波構造体
６及び７を正確に配向するために基体表面に対して相対
的に二重矢印の方向で長手方向で可動に配置されている
。
層厚さ分布の微調整は伺加的に両者の構造体に出力分布
を調和させることにより達成することができる。
プラズマは反応室１の内部で形成され、該反応室内には
接着層のためのトリえはシロキサン又はシラＷン等の反
応性ガス及び／又は無定形炭素層を形成するためのガス
状炭化水素が存在する。付加的Ｋまた酸素又は酸素含有
ガス例えは水蒸気を反応室１に導入することができる。
導波構造体６及び７によって、窓５の下して）０ラズマ
が充Ｗ４　シた細長い２つの空間が形成され、該空間を
基体番ま通過する。この場合、導波構造体６及び７は端
部Ｃ′こ配置された導波管と一緒にその窓５（で対する
放射が窓の有効横断面内にあると理解されるべきである
。プラズマへのエネルギー供給を行なう導波管８及び１
２は、矢印４の搬送方向に対して横方向で見て基体支持
体の反対ｆ１１１１１１端る。この種の装置のより詳細
は、西独国特許出頗公開第３１４７９８６号明細書に開
示されている。
第６図は第２図の窓５の１変更形である窓５ａの詳細を
示す。反応室１は多数の宰壁を有し、そのうちに前壁１
５があり、該壁に係脱自在に支掲枠１６が固定されてお
り、該粋の前方に直方体形状のケーシングが設けられて
いる。このケーシングの前方に、第２図に類似して逆平
行で（化１−７図示さ才１ていない）マイクロ波発振器
及びレアクタンス負荷が配置されていて）。
支持枠１６は方形に構成されかつ長方形の長辺に対１〜
で平行に延びる２つの窓開口部１９及び２０が設けられ
ている。両開開口部の間には、支持枠１６の長手対称軸
線の方向に延びろ枠支柱２１が存在する。窓開口部１９
及び２０内には、石英から成る夫々１つのマイクロ波透
過性窓の半体２２及て）Ｎ２３が存在ずろ。枠支柱２１
はその長子軸線に沿って前記の反応がスのための分配装
置２５を有し、該装置はこの場合には多数の開口２６か
ら成り、該開口は反応室２１０室内に開口ずろ。開口２
６は枠支柱２１内に配置された縦穴２７に対ｌ−て垂直
に延び、該縦穴は図示されていない形式で、フ０ラズマ
反応によって基体上に表面層を形成すべき当該ガスの供
給導管と接続されている。縦穴２７に対して平行（、τ
、全開口のＭｉｔ方を貫通せる分配板２８が延び、その
平行な縦縁は図示のように僅かに枠支柱２１の方向に曲
げられており、従って枠支柱２１ど分配板２８の間には
２つのガス流出間隙２９及び３０／ンー形成され、該間
隙は枠支柱２１の全長に渡って※１［−ひろ。今や、運
動方向が枠支柱２１の艮手蜘ＩＭ見に対して垂直に延び
て）基体が窓半体２２及び２３に対して平行に運動ぜし
めらＪ′する限り、基体の全幅が当該の反応ガスから成
る均一な流ノ１で洗ｒ）われる。窓半体２２及び２３の
後方で燃焼ずイ）グロー放電の作用を受けて、基体の表
面上１ま所望の層が形成されろ。
なお第３１刈から、枠支柱２１を含む支持枠１６内に縦
穴２７の外側ｔ４ｃなお冷却通路３１が設げら才１てい
ることが明らかであり、該通路は作動中に冷却水が貫流
ぜｌ〜められかっ支持枠１６の全温度水準を低く保つ。
第６図によれば、導波構造体６及び７と窓開口部１９及
び２０との間に調整シャッタ３２及び３３が配置されて
おり、それにより反応室内（１５） へのエネルギー供給の分布を窓開口部１９及び２０の長
手方向で所望に応じて変更可能である。
調整シャッタは両端で調整スピンドル３４に固定され、
該スピンドルは窓面に対して平行な調整シャッタ３２及
び３３の空間的位置の調整を可能にする。
第６図によれば、導波構造体６及び７は窓２２及び２３
の反対側が共通のマイクロ波シールド３６によって包囲
されており、該シールドは窓側に向いた側が開放された
直方体の金属ボックスとして構成されている。マイクロ
波シールドには、第２図の導波管８，１０．１２及び１
３に相当する導波管が固定されている。この固定は支柱
３７を介して行なわれる、従って導波管並ひに導波管と
結合された導波構造体６及び７の固定の立体的配属が生
じる。マイクロ波発振器及びレアクタンス負荷の接続は
接続フランジ３８を介して行なわれる。マイクロ波シー
ルド３６は背壁３６ａを有し、該背壁を導波体１８が貫
通案内されている。背壁３６ａＫ対して（１６） 平行に、２つＪ）１／フ１／クタ３９及び４０が延び、
これらは部分的円筒体シャーレとして構成されかつ導波
構造６／γないしは窓開口部１９／２０に向けられてい
る。これらのレフレクタに基づき、著しく高い割合のマ
イクロ波エネルギーが反応室１の内部に達する。
第４図には、第３図から支持枠１６と両者の窓半体２２
の一方だけが示されている。第６図に示された反応室１
の外側にある他の装置部分の全ては簡略化のために省略
しである。
第４図には、直立した反応室Ｉ　において支持枠１６と
マイクロ波透過性感半休２２０部分の鉛直断面図が示さ
れ、この場合基体支持体３の搬送方向は図面に対して垂
直に延びる。基体支持体３としては、窓に対して平行に
配向され、鉛直に懸吊された平坦な板が使用される。基
体支持体３は山形支持部材５１によって、搬送装＃３７
の一部であるエンドレスチェーンの上側に懸吊されてい
る。両コンベアチェーンは２つのスプロケットを介して
案内され、該スプロケットの一方は図面の後方にかつ他
方はその前方に位置する。チェーンを支承するためには
、運転条件下で滑りやすいフ０ラスチックから成る２つ
のＵ字形ガイドレール３８及び３９が役立つ。
断面した面の後方にあるスプロケット４０は軸受４１内
に支承されかつ直交伝動装置４２及び減速伝動装置４３
を介して駆動モータ４４と接続されている。スプロケッ
ト４０、その軸受４１並ひにガイドレール３８及び３９
は、反応室１の全長を貫通Ｉ−て延びる支持部材４５１
Ｃ固定されている。搬送装置によって、基体支持体３の
反応室１の長手軸線の方向で往復運動させろことが可能
である。この場合、第６図の構造群は前壁１５ないしは
支持枠１６に取付けられていると見なすべきである。
第４図からなお、反応室１の底５２の上に貫通したがイ
ドレール５４を有する支柱５３があり、該支柱に基体支
持体３はガイドローラ５５によって、基体支持体３の振
子運動又は側方変向を阻止するために接触する。反応室
１は低い作動圧に関ｔ７て補強板ｌａ、ｌｂ及び１Ｃに
よって補強されている。
実施例１ 第６図及び第４図に示した装置において、寸法０．４　
Ｘ　Ｏ，４ｍ２を有するガラス基体を冷却してない基板
支持体に載せて反応室に装入１〜だ。
排気宇をＩ　Ｏ−４ミ１７バールの圧力に真空化した後
、ヘキザメチルジンロキサンを吹込みかつ調ｉをｌＸ１
０”ミＩＪパールの一定の圧力が牛しるように調整ｌま
た。両構造体に２．４５０）Ｈｚで２ＫＷ　（７）入力
で゛、フ０ラズマの点火直後′Ｖｒ４×１０″″２ミリ
バールの圧力が牛した。２秒後、ヘギザメチルジシロギ
ザン供給を中断しかつ作業圧を維持してアセチレンと入
れ替えた。フ０ラズマ中で５０秒の滞在時間中に、１μ
ｍの層系の全厚さが生じた、これは２０　ｎｍ／ｓｅｃ
の平均析出速度に相当する。全基体面に関する層厚偏差
は±４飴であった。層の調査により以下の特徴が生した
゛ 屈折率１．８を有する層は赤外線範囲内で平均透過率９
５係を有する。更に、赤外スペクトルにおいて炭素多重
結合の存在は示されなかった。
この層は極めて硬質（Ｖｌ−（５０００ｋｇ７　ｍｍ”
　）でありかつ接着補助体の無い層に比較して著しく改
良された接着強度を示した。
実施例２ 第２の実験では、他は同じ条件下でアセチレンツ代りに
ベンゼンを使用した。生成した層は実施例１と同じ特性
を有していた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法により被覆ｌ−だ基体の横断面図、
第２図は本発明方法を実施する装置の略示斜視図、第６
図は第２図の窓部分をより詳細に示す横断面図、第４図
は鉛直に懸吊された基体支持体及びその駆動装置を有す
る、第２図とは異なり鉛直に設置された反応室の鉛直断
面図である。 Ｃ・・無定形炭素層、Ｍ・・・移行帯域、１■・・接着
層、Ｓ・・・基体 図面の浄書・１内容に変更なし） 手続補正書（方式） 昭和５９年　８月２３日 特許庁長官殿 １、事件の表示　昭和５９年特許願第８９６０］−号２
、発明の名称 無定形炭素層の製法 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　ライＪ２ルトーヘレーウス・ゲゼルシャフト・
ミツト・ベシュレンクテル・ハフラング ４代理人 ６、補正の対象

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｔ　７’ラズマを励起するために交番１１ｊ、磁場を使
    用し７て、反応室内部のイオン化したガス雰囲気内でガ
    ス状炭化水素化合物を分解することにより基体上に無定
    形炭素層を製造する方法において、交番電磁場の周波数
    をマイクロ波範囲内に選択し７かつマイクロ波エネルギ
    ーを反応室の外部にホ〕る少なくとも１つの導波構造体
    を通してがス雰囲気に導入することを特徴とする無定形
    炭素層の製法。 ２．８）先行ぜろ工程でまずシロキサン又はシラずンの
    群から成るガスを反応室に導入１〜、ｂ）　Ｍ体」−に
    シロキサン又はシラずンの重合体から成る接着層を形成
    させ、 Ｃ）引続きガス状炭化水素化合物を反応宰ＶＣ導入しか
    つ ｃｉ）　接着層十ｊで無定形炭素層を形成さ」十４）、
    特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、　シロキサン又はシラずンのガス供給を次第に絞り
    込ツノ、かつほぼ同時に炭化水素のガス供給を定常運転
    のために必要な速度に上Ｈさせ２）、’ｌ！Ｆ　Ａ′ｌ
    ’　請求の範囲第２項記載の方法。 ４　シＴ］ギ゛す”ン又はシラずンの群から成るガスへ
    ・反応室に酸素含有ガス又は純粋な酸素と混合し、て供
    給（２かつ酸素含有ガス又は酸素の割合が全ｉｔ’ス量
    （で対１２て１０〜５０容址係でル、る、ｌＦ！Ｊ許請
    求の範囲第２項記載の方法。
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DE (1) DE3316693A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871847A (en) * 1988-03-07 1999-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6224952B1 (en) 1988-03-07 2001-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6496680B2 (en) 2000-02-16 2002-12-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image fixing device and method using ultrasonic vibration

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD258341A3 (de) * 1986-03-14 1988-07-20 Hochvakuum Dresden Veb Verfahren zur herstellung haftfester ic-schichten
US4753414A (en) * 1986-04-14 1988-06-28 Balzers Optical Corporation Carbon coatings in replicated optics art
DE3630419A1 (de) * 1986-09-06 1988-03-10 Kernforschungsanlage Juelich Verfahren zur beschichtung von hoher waermebelastung ausgesetzten bauelementen mit einer amorphen wasserstoffhaltigen kohlenstoffschicht
DE3635524A1 (de) * 1986-10-18 1988-04-28 Leybold Ag Verfahren zum herstellen von schutzschichten auf magnetischen datentraegern und durch das verfahren hergestellter datentraeger
US4777090A (en) * 1986-11-03 1988-10-11 Ovonic Synthetic Materials Company Coated article and method of manufacturing the article
DE3644822A1 (de) * 1986-12-31 1988-07-14 Basf Ag Verfahren zur herstellung von scheibenfoermigen magnetischen aufzeichnungstraegern
JPH0676666B2 (ja) * 1987-02-10 1994-09-28 株式会社半導体エネルギ−研究所 炭素膜作製方法
US5270029A (en) * 1987-02-24 1993-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Carbon substance and its manufacturing method
US4923578A (en) * 1987-10-08 1990-05-08 The Standard Oil Company Graphite composites and process for the manufacture thereof
US4857395A (en) * 1987-10-08 1989-08-15 The Standard Oil Company Graphite composites and process for the manufacture thereof
US5283087A (en) * 1988-02-05 1994-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
US5041303A (en) * 1988-03-07 1991-08-20 Polyplasma Incorporated Process for modifying large polymeric surfaces
US5202156A (en) * 1988-08-16 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of making an optical element mold with a hard carbon film
DE3832692A1 (de) * 1988-09-27 1990-03-29 Leybold Ag Dichtungselement mit einem absperrkoerper aus einem metallischen oder nichtmetallischen werkstoff und verfahren zum auftragen von hartstoffschichten auf den absperrkoerper
ES2072321T3 (es) * 1989-02-01 1995-07-16 Siemens Ag Capa de pasivado electroactiva.
EP0381109A3 (de) * 1989-02-01 1990-12-12 Siemens Aktiengesellschaft Feuchtesperre für organische Dielektrika
US5023056A (en) * 1989-12-27 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Plasma generator utilizing dielectric member for carrying microwave energy
US4980196A (en) * 1990-02-14 1990-12-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of coating steel substrate using low temperature plasma processes and priming
JPH046265A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 鉄系合金基体への固体潤滑被膜の形成方法および固体潤滑被膜をもつ摺動部材
US5073785A (en) * 1990-04-30 1991-12-17 Xerox Corporation Coating processes for an ink jet printhead
KR930011413B1 (ko) 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
US5268217A (en) * 1990-09-27 1993-12-07 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
US5637353A (en) * 1990-09-27 1997-06-10 Monsanto Company Abrasion wear resistant coated substrate product
US5527596A (en) * 1990-09-27 1996-06-18 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
US5190807A (en) * 1990-10-18 1993-03-02 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant polymeric substrate product
JP2929779B2 (ja) * 1991-02-15 1999-08-03 トヨタ自動車株式会社 炭素被膜付撥水ガラス
US5442160A (en) * 1992-01-22 1995-08-15 Avco Corporation Microwave fiber coating apparatus
DE4204082A1 (de) * 1992-02-12 1993-08-19 Leybold Ag Verfahren zur herstellung einer haftvermittelnden schicht auf werkstueckoberflaechen
US5470447A (en) * 1992-08-19 1995-11-28 Stormedia, Inc. Method for applying a protective coating on a magnetic recording head
US5249554A (en) * 1993-01-08 1993-10-05 Ford Motor Company Powertrain component with adherent film having a graded composition
US5237967A (en) * 1993-01-08 1993-08-24 Ford Motor Company Powertrain component with amorphous hydrogenated carbon film
US5405515A (en) * 1993-08-17 1995-04-11 Fang; Pao-Hsien Method and apparatus for production of a carbon nitride
US5565248A (en) * 1994-02-09 1996-10-15 The Coca-Cola Company Method and apparatus for coating hollow containers through plasma-assisted deposition of an inorganic substance
PE47195A1 (es) 1994-02-16 1996-02-07 Coca Cola Co Recipientes huecos con superficie interna inerte o impermeable obtenida mediante reaccion de la superficie facilitada por plasma o polimerizacion sobre la superficie
US6149982A (en) * 1994-02-16 2000-11-21 The Coca-Cola Company Method of forming a coating on an inner surface
US5571470A (en) * 1994-02-18 1996-11-05 The Coca-Cola Company Method for fabricating a thin inner barrier layer within a preform
US5618619A (en) * 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
US5846649A (en) * 1994-03-03 1998-12-08 Monsanto Company Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
GB9420089D0 (en) * 1994-10-05 1994-11-16 Applied Vision Ltd Coatings for optical lens having low surface energy properties
US5543605A (en) * 1995-04-13 1996-08-06 Avco Corporation Microwave fiber coating apparatus
US5712000A (en) * 1995-10-12 1998-01-27 Hughes Aircraft Company Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films
US6243112B1 (en) 1996-07-01 2001-06-05 Xerox Corporation High density remote plasma deposited fluoropolymer films
JP2000516018A (ja) 1996-08-07 2000-11-28 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 絶縁スリーブ形成用の低導電性材料
US5948532A (en) * 1996-12-10 1999-09-07 International Business Machines Corporation Cermet adhesion layer with carbonaceous wear layer for head/disk interfaces
US6150719A (en) * 1997-07-28 2000-11-21 General Electric Company Amorphous hydrogenated carbon hermetic structure and fabrication method
US6155675A (en) * 1997-08-28 2000-12-05 Hewlett-Packard Company Printhead structure and method for producing the same
US6071597A (en) * 1997-08-28 2000-06-06 3M Innovative Properties Company Flexible circuits and carriers and process for manufacture
US6062679A (en) * 1997-08-28 2000-05-16 Hewlett-Packard Company Printhead for an inkjet cartridge and method for producing the same
US6203898B1 (en) 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US6964731B1 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6660365B1 (en) * 1998-12-21 2003-12-09 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6974629B1 (en) 1999-08-06 2005-12-13 Cardinal Cg Company Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces
WO2000060663A1 (de) * 1999-04-01 2000-10-12 Infineon Technologies Ag Integrierter schaltkreis mit schutzschicht aus diamantähnlichem amorphem kohlenstoff
US6579833B1 (en) 1999-09-01 2003-06-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens
US6290331B1 (en) 1999-09-09 2001-09-18 Hewlett-Packard Company High efficiency orifice plate structure and printhead using the same
DE19952465C1 (de) * 1999-10-29 2001-03-01 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer haftfesten, diamantähnlichen Kohlenstoffschicht auf einer Substratoberfläche
US6749813B1 (en) 2000-03-05 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Fluid handling devices with diamond-like films
US6795636B1 (en) 2000-03-05 2004-09-21 3M Innovative Properties Company Radiation-transmissive films on glass articles
US6696157B1 (en) 2000-03-05 2004-02-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like glass thin films
EP1158088A3 (de) * 2000-05-26 2003-01-22 Voith Paper Patent GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Faserstoffsuspension
DE10056242A1 (de) 2000-11-14 2002-05-23 Alstom Switzerland Ltd Kondensationswärmeübertrager
US7106939B2 (en) * 2001-09-19 2006-09-12 3M Innovative Properties Company Optical and optoelectronic articles
EP1713736B1 (en) * 2003-12-22 2016-04-27 Cardinal CG Company Graded photocatalytic coatings and methods of making such coatings
US7713632B2 (en) * 2004-07-12 2010-05-11 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
KR100700000B1 (ko) * 2004-10-19 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 표시장치와 그 제조방법
US8092660B2 (en) * 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) * 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
US7989094B2 (en) * 2006-04-19 2011-08-02 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
EP2066594B1 (en) * 2007-09-14 2016-12-07 Cardinal CG Company Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings
KR20090107882A (ko) * 2008-04-10 2009-10-14 삼성전자주식회사 고정층을 포함하는 경사 조성 봉지 박막 및 그의 제조방법
US9333696B2 (en) 2010-06-03 2016-05-10 Cryovac, Inc. Plate and apparatus for forming a plastic material flanged hollow article
WO2014066802A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Flexible strain sensors
EP3541762B1 (en) 2016-11-17 2022-03-02 Cardinal CG Company Static-dissipative coating technology

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4060660A (en) * 1976-01-15 1977-11-29 Rca Corporation Deposition of transparent amorphous carbon films
GB1582231A (en) * 1976-08-13 1981-01-07 Nat Res Dev Application of a layer of carbonaceous material to a surface
JPS5518403A (en) * 1978-07-25 1980-02-08 Toshiba Corp Formation of organic thin film
US4181772A (en) * 1978-12-13 1980-01-01 Xerox Corporation Adhesive generator overcoated photoreceptors
CA1159729A (en) * 1980-02-11 1984-01-03 James B. Mcgee Adhesion of metals to solid substrates
DE3172609D1 (en) * 1980-08-21 1985-11-14 Nat Res Dev Coating infra red transparent semiconductor material
DE3147986C2 (de) * 1981-12-04 1992-02-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
DE3224426A1 (de) * 1982-06-30 1984-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von regenerierfaehigen dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen
DE3244391A1 (de) * 1982-12-01 1984-06-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur beschichtung von substraten durch plasmapolymerisation
US4483883A (en) * 1982-12-22 1984-11-20 Energy Conversion Devices, Inc. Upstream cathode assembly
US4524106A (en) * 1983-06-23 1985-06-18 Energy Conversion Devices, Inc. Decorative carbon coating and method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871847A (en) * 1988-03-07 1999-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6207281B1 (en) 1988-03-07 2001-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6224952B1 (en) 1988-03-07 2001-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6265070B1 (en) 1988-03-07 2001-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6583481B2 (en) 1988-03-07 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US7144629B2 (en) 1988-03-07 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same
US6496680B2 (en) 2000-02-16 2002-12-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image fixing device and method using ultrasonic vibration

Also Published As

Publication number Publication date
US4569738A (en) 1986-02-11
US4661409A (en) 1987-04-28
DE3316693C2 (ja) 1991-07-25
DE3316693A1 (de) 1984-11-08

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