JPS6035998B2 - フエニルグリシンの製造方法 - Google Patents

フエニルグリシンの製造方法

Info

Publication number
JPS6035998B2
JPS6035998B2 JP53086694A JP8669478A JPS6035998B2 JP S6035998 B2 JPS6035998 B2 JP S6035998B2 JP 53086694 A JP53086694 A JP 53086694A JP 8669478 A JP8669478 A JP 8669478A JP S6035998 B2 JPS6035998 B2 JP S6035998B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phenylglycine
electrolytic
electrolysis
substituted
yield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53086694A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5514841A (en
Inventor
祥三 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokuyama Corp filed Critical Tokuyama Corp
Priority to JP53086694A priority Critical patent/JPS6035998B2/ja
Priority to US06/056,187 priority patent/US4248677A/en
Publication of JPS5514841A publication Critical patent/JPS5514841A/ja
Publication of JPS6035998B2 publication Critical patent/JPS6035998B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフェニルグリシンの製造方法に関し、詳しくは
一般式(ただし Rは置換または非置換芳香族炭化水素残基であり、Rは
水素原子、ァルキル基、または置換あるいは非置換芳香
族炭化水素残基である)で示されるアジン類を炭酸ガス
の存在下に電解還元することにより、フェニルグリシン
を製造する方法を提供するものである。
尚本発明で言うフヱニルグリシンとはN−置換フェニル
グリシン及び非置換フェニルグリシン及び非置換フェニ
ルグリシンの総称である。置換あるいは非置換フェニル
グリシンはたとえば特開昭53−25593などに見ら
れるように医薬品原料として利用され、工業的に極めて
有用な化合物である。
従来フェニルグリシンの製法としては次に示す2,3の
方法が知られている。たとえばオランダ特許(Neth
.App.)6607754号明細書に見られるように
ペンズアルデヒドをアンモニア水、青酸、炭酸アンモニ
ウムの混合物を16ぴ0の高温に加熱することにより合
成する方法がある。また、フェニル酢酸あるいはその誘
導体(アミド、ェステル、ニトリル)を一旦臭素化して
Q−フロムフェニル酢酸謙導体とし、このものにアンモ
ニアを作用させる方法も公知である。しかしながら、前
者の方法では反応試薬として猛毒性の青酸を用いなけれ
ばならず、反応操作上ならびに廃棄物処理上避け難い大
きな欠点を有している。また後者の方法においても、一
般にフェニル酢酸譲導体が極めて強い催涙性を有し、さ
らに反応試薬として有毒で取り扱い難い臭素を用いなけ
ればならないことも大きな欠点であった。先に本発明者
はペンジリデンアミン類を、極性非水溶液中で炭酸ガス
の存在下に電解還元することにより「一段でN−置換フ
ェニルグリシンが得られることを見出し既に提案した。
本発明者は電解炭酸化によるフェニルグリシンの製造方
法をさらに鋭意研究した結果、ヒドラジンとペンズアル
デヒド類、アルキルフェノン類、あるいはペンゾフェノ
ン類とから容易に得られる。アジン類を極性非水溶液中
で炭酸ガスの存在下に電解還元することによりN一層襖
および/または非置換フェニルグリシン類が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。即ち本発明は
極性非水溶液中で炭酸ガス存在下に一般式(但しRは置
換または非置換芳香族炭化水素残基であり、R′は水素
原子、アルキル基、または、置換あるいは非置換芳香族
炭化水素残基である)で示されるアジン類を電解還元す
るフェニルグリシンの製造方法である。
本発明の出発物質は一般式 で示されるアジン類であ る。
該一般式中Rは置換または非置換芳香族炭化水素残基で
あれば特に制限なく使用されるが一般には置換または非
置換フェニル基が最も広く用いられる。該上記置換基は
特に限定されるものではなく本発明の電解条件下に不活
性のものであれば如何なるものであってもよい。該置換
基が電解条件下に不活性か否かについては例えば後述す
る実施例の生成物確認により簡単に確認出来るので予め
確認して用いればよい。一般に広く使用される前記置換
基の代表的なものを例示すれば、フッ素、塩素、臭素な
どのハロゲン原子:アルキル基:ェステル基:エーテル
基:カルボキシル基などの原子或いは基である。また前
記一般式中R′は水素原子、アルキル基または置換ある
いは非置換芳香族炭化水素残基である。該置換或いは非
置換芳香族炭化水素残基は前記一般式Rとして説明した
ものがそのま)使用出来る。またアルキル基としては特
に限定されず直鎖状あるいは分枝状のものが使用出釆る
が一般には炭素原子数1〜6程度の低級アルキル基が最
も広く用いられる。更にまた前記一般式中のRおよびR
はそれぞれ同種のものを用いるのが本発明の原料製造上
或いは安価に且つ容易に入手する面で一般的であるが必
要に応じてそれぞれ異種のものを用いることも出来る。
本発明は一般に極性非水溶媒の存在下に実施される。
該極性非水溶媒は原料を熔解し電解条件下に不活性のも
のであれば特に限定されず用いうる。一般には該極性非
水溶媒としてアセトニトリル、プロピオニトリル、N,
N一ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホトリアミドなどが単独あるいは混合し
て好適に使用される。特に入手が容易でかつ安価であり
、しかも沸点が低く蒸留除去操作が容易な点でアセトニ
トリルは最適である。本発明で用いる炭酸ガスは電解液
中にガス状で吹き込んで実施すればよいが、炭酸ガス加
圧下に電解を行なうことも、あるいは固体状炭酸(ドラ
イアイス)を適宜少量づつ添加しながら電解を行なって
もよい。
その他電解系内に炭酸ガスが存在する手段を必要に応じ
て適宜選択して採用すればよい。本発明に用いられる陰
極としては核電解炭酸化条件下において充分に電導性を
有するものであれば特に制限されない。
特に好適に使用されるものの代表例としては水銀、真ち
ゆう、黒鉛、インコネル、銅、ニクロム、亜鉛、鉛、白
金、ニッケル、ステンレススチール、アルミニウムなど
が挙げられる。また、陽極についても特に限定されず、
白金、黒鉛など一般に該電解条件下で侵され難いものを
使用すれば充分である。本発明における電解手段として
は少くとも原料であるアジン類が還元される条件さえ設
定できるならば定電流電解法、定電圧電解法、定電位電
解法など必要に応じて選択すればよい。
電解は一般に常温で行なうのが便利であるが、温度は特
に限定的ではなく、溶媒の凝固点から沸点までの間であ
れば特に支障はない。すなわち原料であるァジンが電解
溶媒に溶け難い場合などには電解温度を上げることによ
り溶解度を大きくし、効率よく電解を行なうことも可能
である。圧力は炭酸ガス雰囲気下常圧で行なうのが便利
であるが、炭酸ガスあるいは炭酸ガスの存在下陰極還元
され得ない不活性ガスで加圧下に行なっても支障はない
。電解液は通常に用いられる蝿梓手段により蝿拝するこ
とが望ましいが、炭酸ガスおよびその他の不活性ガスを
液中に吹き込みながら電解を行なう場合、吹き込むこと
によって起こる液燈梓で充分である場合もある。本発明
で用いる電解セルは特に限定されず、公知のものを用い
ることができる。
陰陽極室間は適当な粗さのふるい状ガラス隔板で仕切っ
ても良いが、物質移動による生成物収率ならびに電流効
率などの低下を危・摸する場合にはカチオン交換膜で仕
切ることが好ましい。本発明の電解還元に際し電解液の
電導性を付与するため、電解条件下に簸還元性の電解質
物質を介在させることはいまいま好適な手段として利用
される。
一般に電解還元に際して難還元性の電解買物質を用いる
ことは実施される手段であり、本発明に於いても溶媒に
溶解することにより電解還元を行う際電導性を付与する
ものであれば特に制限されず用いうる。一般には電解還
元して得られる反応液から得る目的物と容易に分解出来
るものが好適である。本発明に於いては特に一般式R4
″N由Xeで示されるテトラアルキルアソモニウム塩が
一般に好適に使用される。上記一般式R′はアルキル基
特に炭素原子数1〜6のアルキル基が、また×はCI,
Br,】,OH,OS03CH3,BF4,CI04, 等が一般に好適である。
特にハロゲン化テトラアルキルアンモニウム塩、就中ョ
ウ化又は塩化テトラエチルアンモニウムは前記性状の他
に安価でしかも入手も容易であるため最適である。
またテトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボレー
トなどのホスホニウム塩、過塩素酸マグネシウムなどの
難還元性化合物等も用いることが出来る。本発明におけ
る電解還元反応機構は明確でないが一般に次式のように
推測される。
上式の如く、本発明の目的物は原料であるアジン1モル
に対し、2電子と1モルの炭酸ガスが付加して生成する
Nーベンジリデンアミノ−2−フェニルグリシン、また
は原料であるアジン1モルに対し合計6電子と2モルの
炭酸ガスが付加して生成するN−非置換フェニルグリシ
ンである。
後述する実施例においても記載する通り、電解条件によ
って上記二種のフヱニルグリシンの収量が変化する。例
えばNーベンジリデンアミノ−2−フエニルグリシン則
ちN−置換フヱニルグリシンは−般に定電位電解法ある
いは定電圧電解法によって該電解炭酸化を行なう場合に
は設定電位あるいは亀圧が低いほど、また定電流電解法
による場合には電流値の小さいほど生成しやすい煩向に
ある。
他方N−非置換フェニルグリシンはN−ペンジリデンア
ミノ−2ーフェニルグリシンの場合とは全く逆の煩向に
ある。具体的に1例を示せば定電位電解法においては、
陰極材質或いは原料であるアジンの還元されやすさの度
合等に大いに影響されるが、一般的には水銀陰極を用い
た場合、飽和甘東電極に対して陰極電位を−1.7Vか
ら−2.肌に保って電解を行なうとNーベンジリデンア
ミノ−2−フェニルグリシンが生成しやすく、一2.1
Vから−2.2V‘こ保って電解を行なうとN一非畳換
フェニルグリシンが生成しやすい複向にある。これらの
中間に位置する電位で電解を行なう場合には両アミノ酸
が共に生成し、その生成比は設定電位によって変化する
。更に具体的にペンザルアジンを例に挙げて説明すると
、例えば水銀陰極の設定電位が−1.9Vの場合にはN
ーベンジリデンアミノ一2−フェニルグリシンのみが収
率約40%で生成し、該設定電位を一2.0yで行なっ
た場合にはN−ペンジリデンアミノー2ーフエニルグリ
シンが約31%、フェニルグリシンが約14%の収率で
生成し、さらに該設定電位を−2.1Vで行なった場合
にはN−ペンジリデンアミノー2−フェニルグリシンが
約14%、フェニルグリシンが約21%の収率で生成し
た。すなわち、該電解炭酸化反応においては電解条件を
適当に選択することにより、N−ペンジリヂンアミノー
2−フエニルグリシン則ちN−置換フェニルグリシンの
みを得ることも出釆るし、またフェニルグリシンのみを
得ることもできる。さらには両フェニルグリシンを併産
することも充分可能である。従って必要に応じて電解条
件を予め決定することにより所望のフェニルグリシンを
得ることが出来る。また前記Nーベソジリデンアミノ一
2ーフエニルグリシンは更に高電位で電解炭酸化するこ
とによって高収率でN−非置換フェニルグリシンにする
ことが出来る。従って目的物としてN−非置換フェニル
グリシンのみを得たい場合は、アジン類を電解還元する
ことによって得られるN−置換フェニルグリシンを電解
還元系に循環することも出来る。本発明の電解還元によ
って電解液からは原料のアジン類が回収される。
この原因は完全には明らかではないが、おそらく電解に
より副生するペンジルヒドラジンのフェニルヒドゾンな
どが不安定であり、空気中で酸化されることにより、原
料であるアジンに戻ることも原因と考えられる。
本発明によって得られる目的物の一般的な単離方法は以
下の通りである。
すなわち電解終了後溶媒を蒸留して除き、残澄に水を加
えて炭酸化されていない生成物を水と混じらないクロロ
ホルム・ベンゼン、エーテルなどの溶媒で抽出して除く
。抽出を行なったあとのアルカリ性を呈する水溶液を孫
酸によって中性ないし弱酸性(冊2〜6)とすると、対
応するN−ペンジリデンアミ/一2−フェニルグリシン
が沈澱となって析出してくるのでこれを炉過して単離す
る。高亀位で電解を行なった場合には、上記と同様にN
ーベンジリデンアミノ一2ーフェニルグリシンを除き次
いで炉液を酸型のカチオン交換樹脂カラムに通し、続い
て洲‐アンモニア水で溶出し、その溶出液を乾固するこ
とによりN−非置換フェニルグリシンを単離出釆る。次
に本発明を以下の実施例をもって具体的に詳しく記述す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
なお、実施例における目的生成物の収率は用いたアジン
の重量に対する目的生成物の重量から算出した。原料で
あるアジンがベンゼン抽出などの手段によって回収され
得る場合には電解により実際に消費されたアジンそのも
のに対する目的生成物の収率も補正収率として併せて算
出した。実施例 1 イオン交換膜で仕切ったH型セルの陰極側にペンザルア
ジン2.00夕(9.6仇hmole)、ョウ化テトラ
エチルアンモニウム1.0夕、無水アセトニトリル10
0羽を入れた。
次いで陽極側にョウ化テトラエチルアンモニウム6.0
夕およびアセトニトリル70の‘を入れた。陰極として
水銀(12の‘、20の)、陽極として白金円筒(厚さ
2肋、32c瀞)を用い、磁気擬梓下常時炭酸ガスを吹
き込みながら陰極電位を飽和甘東電極に対して−1.9
Vに保って2080クーロンだけ通電を行なった。この
ときはじめの電流値は48hA、終りの電流値は3hA
であった。電解終了後陰極液をナス型フラスコに移して
アセトニトリルを留去し、残澄に水20の‘を加えた。
まずベンゼン200の‘を加えてベンゼン可溶物を抽出
した。ベンゼン抽出物は除々に黄色に変化し、留去した
ところ不純物の混じった原料であるペンザルアジン0.
蝋夕(4.71mmole)が回収された。ベンゼン抽
出した残りのアルカリ性を呈する水溶液を塩酸で注意深
く酸性にすることにより、白色固体0.班夕を得た。エ
タノールから再結晶すると融点164〜165℃(分解
)の白色結晶であり、臭化カリウム錠剤法で測定した赤
外吸収スペクトルで321瓜ネ‐1にNH、3雌0〜2
130肌‐1にアミノ酸2100〜180比ネ‐1、1
70&功ー1にC=0、160&ネ‐1にC=Nに基づ
く吸収を示した。2比Vで測定した質量スペクトルの各
ピークのm/e(強度%)値ならびにそのフラグメント
の解析結果は次の通りであった:m/e2払(10.5
%、M■)、210(34%、M由−C02)、209
(100%、M由−COOH)、131(20%、10
6(655 %、 105(24%、 104(37%、 また重水素化ジメチルスルホ キシド中で測定したIH−核磁気共鳴スペクトルの化学
シフト(6、テトラメチルシラン基準)ならびにそのシ
グナルの解析結果は次の通りであつた:5.13(一重
線、IH、 7.2〜7.6 (多重線、10日、芳香環プロトン)、7.搬(一重線
、IH、一CH=N−)。
さらに元素分析値は日5.44%、C70.49%、N
IO.85%であってC,虹,4N202(254.2
8)の理論値日5.55%、C70.85%、NIl.
02%によく一致した。上記の結果より、塩酸酸性にし
て得られた白色結晶はN−ペンジリデンアミ/一2ーフ
ヱニルグリシンであることが明らかとなった。収率は用
いたペンザルアジンに対し40.1%(3.85mmo
le)であった。なお、ベンゼン抽出により回収したペ
ンザルアジンを考慮に入れた補正収率は78.7%とな
る。実施例 2 ペンザルアジン1.20夕(5.78hmole)を用
い、陰極電位を飽和甘家電極に対して一2.0V‘こ保
つ以外は実施例1と同機に電解を行ない、1170クー
ロンを通電した。
このときはじめの貫流値は6帆い、終りの電流値は離心
であった、電解液のアセトニトリルを蟹去し、残澄に水
を加えてベンゼン抽出したところ不純物の混じったペン
ザルアジン0.47夕(2.27mmole)が回収さ
れた。ベンゼン抽出した残りの水溶液を塩酸酸性にした
ところNーベンジリデンアミノ−2ーフヱニルグリシン
0.46夕(1.79mmole)が得られた。収率は
31.1%(ベンザルアジンの回収を考慮した補正収率
は51.4%)であった。次いでN−ペンジリデンアミ
ノー2ーフェニルグリシンを分離したあとの残水溶液を
酸型のカチオン交換樹脂カラム(ダウェックス50W−
X8、2.40×3ルネ)に通し、が‐アンモニア水4
00の【で藩出した。
溶出液を乾団することにより淡黄色固体0.24夕が縛
られた。水から再結晶すると240℃の昇華点を有する
白色結晶であり、赤外吸収スペクトルで3100〜26
0比ネ‐1にアミノ酸1680〜155比ス‐1に力ル
ボキシルアニオン(一COOe)に基づく吸収を示した
さらに元素分析値は日5.98%、C63.96%、N
9.31%であってC8日州02(151.16)の理
論値日600%、C63.56%、N9.27%によく
一致した。上記の結果より、カチオン交換樹脂カラムを
通して得られる白色結晶はフェニルグリシンであること
が明らかとなった。収率は用いたペンザルアジンに対し
、13.8%(1.59hmole)であった。なお、
ベンゼン抽出により回収したペンザルアジンを考慮に入
れた補正収率は22.8%であった。実施例 3 ペンザルアジン1.20夕(5.76hmole)を用
い陰極電位を飽和甘東電極に対して−2.1Vに保つ以
外は実施例2と同様に電解を行ない、1500クーロン
を通電した。
電解液を実施例2と全く同様に処理し、不純物の混じっ
たペンザルアジンを0.48夕(2.32mmole)
回収し、N−ペンジリデンアミノー2−フェニルグIJ
シン0.20夕(0.79hmole、収率13.8%
;補正収率24.9%)およびフェニルグリシン0.3
7夕(2.42mmole、収率21.0%:補正収率
352%)を得た。実施例 4 実施例におけるペンザルアジンの代わりに表1に示す種
々のアジン類を用い電解条件を表2に示すものとした以
外は実施例と同様に実施した、その結果は表1に示す通
りであった。
実施例 5 Nーベンジリデンアミノ一2ーフエニルグリシン0.5
0夕(1.97mmole)をペンザルアジンの代わり
に用いる他は実施例1と同じ電解液組成とし、まず陰極
電位を飽和甘束電極に対して一1.5〜一1.8Vに保
ちながら260クーロンだけ通電した。
次いで陰極電位を−2.1Vとしてさらに1560クー
ロンを通電した。陰極液を実施例2と同様に処理し、フ
ェニルグリシン0.19夕(1.24mmole)を得
た。収率は63.3%であった。聡 実施例 6 実施例4表INo.3で得られたN−置換フェニルグI
Jシンを0.35夕を実施例5と同様にして−2.2V
で電解した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 極性非水溶液中で炭酸ガス存在下に一般式▲数式、
    化学式、表等があります▼(ただしRは置換または 非置換芳香族炭化水素残基であり、R′は水素原子、炭
    素原子数1から6までのアルキル基、または置換あるい
    は非置換芳香族炭化水素残基である)で示されるアジン
    類を電解還元することを特徴とするフエニルグリシンの
    製造方法。
JP53086694A 1978-07-10 1978-07-18 フエニルグリシンの製造方法 Expired JPS6035998B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53086694A JPS6035998B2 (ja) 1978-07-18 1978-07-18 フエニルグリシンの製造方法
US06/056,187 US4248677A (en) 1978-07-10 1979-07-10 Process for producing alpha-aminocarboxylic acids and salts thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53086694A JPS6035998B2 (ja) 1978-07-18 1978-07-18 フエニルグリシンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5514841A JPS5514841A (en) 1980-02-01
JPS6035998B2 true JPS6035998B2 (ja) 1985-08-17

Family

ID=13894059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53086694A Expired JPS6035998B2 (ja) 1978-07-10 1978-07-18 フエニルグリシンの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6035998B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5514841A (en) 1980-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1321973C (en) Method for producing high purity quaternary ammonium hydroxides
JPH0152477B2 (ja)
Bedenbaugh et al. Synthesis of aldehydes and secondary amines from carboxylic acids via imines
Maccarone et al. Leaving group effect in the reaction of 2-thiophenesulfonyl halides with anilines in methanol
US3975439A (en) Preparation and amination of iodoaniline
US4461681A (en) Process for the preparation of squaric acid by the electrolysis of carbon monoxide in anhydrous aliphatic nitrile solvent media
JPS6035998B2 (ja) フエニルグリシンの製造方法
US3332970A (en) Per (beta and gamma substituted alkylene)mono-and di-tin compounds and the preparation thereof
US7052593B2 (en) Process for the production of diaryl iodonium compounds
US4076601A (en) Electrolytic process for the preparation of ethane-1,1,2,2-tetracarboxylate esters and related cyclic tetracarboxylate esters
CA1104092A (en) Electrochemical oxidation of alkoxy-substituted aromatic compounds
EP0376858B1 (en) Process for the electrochemical iodination of aromatic compounds
JPS60110887A (ja) α−アルキル化酢酸誘導体の製造方法
US4248677A (en) Process for producing alpha-aminocarboxylic acids and salts thereof
US3431186A (en) Electrolytic process for the cleavage of thiol esters of aromatic carboxylic acids
US2916426A (en) Electrolytic production of unsymmetrical dimethylhydrazine
JPS6035997B2 (ja) N−置換フエニルグリシンの製造方法
JP2674767B2 (ja) ポリフルオロ芳香族アルデヒドの製造方法
JPS6035435B2 (ja) N−置換フエニルグリシンの製造方法
US3536596A (en) Electrochemical reduction of n-alkyl and n,n - dialkyl 2,2 - dichloroaceto-acetamides
JPS61264186A (ja) アルコ−ルおよびエポキシ化合物の電気合成方法
JPH032957B2 (ja)
JP2622115B2 (ja) ベンジルアルコール類の製造方法
PAL et al. Organic Electrosyntheses
WO1982004044A1 (en) Process for preparing beta-hydroxy amino acid