JPS6035234A - 圧力計測装置 - Google Patents
圧力計測装置Info
- Publication number
- JPS6035234A JPS6035234A JP14424283A JP14424283A JPS6035234A JP S6035234 A JPS6035234 A JP S6035234A JP 14424283 A JP14424283 A JP 14424283A JP 14424283 A JP14424283 A JP 14424283A JP S6035234 A JPS6035234 A JP S6035234A
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- JP
- Japan
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- pressure
- light
- crystal plate
- photoluminescence
- measuring device
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L11/00—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00
- G01L11/02—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00 by optical means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明はフォトルミネッセンスによる発光を利用した圧
力計測装置に関するものである。
力計測装置に関するものである。
従来技術とその問題点
従来の圧力計測装置としてはシリコンによってダイヤフ
ラムを形成すると共にその表面上に抵抗体を形成し、圧
力変化に基づくダイヤプラムの形状の変化を抵抗体を流
れる電流値の変化によって検出するものや、圧力によっ
て可動する電極間の静電容量変化を利用したものが知ら
れている。しかしこれらは電気的変化を利用するため高
周波や磁界の生じている環境下では使用することができ
ないという欠点があった。叉ブルドン管を利用して機械
的な変化に基づいて圧力レベルを検出する圧力計測装置
も知られているが、センサ部の機構が複雑であるため小
型化が困難であるという問題点があった。
ラムを形成すると共にその表面上に抵抗体を形成し、圧
力変化に基づくダイヤプラムの形状の変化を抵抗体を流
れる電流値の変化によって検出するものや、圧力によっ
て可動する電極間の静電容量変化を利用したものが知ら
れている。しかしこれらは電気的変化を利用するため高
周波や磁界の生じている環境下では使用することができ
ないという欠点があった。叉ブルドン管を利用して機械
的な変化に基づいて圧力レベルを検出する圧力計測装置
も知られているが、センサ部の機構が複雑であるため小
型化が困難であるという問題点があった。
そこで近年の光フアイバ応用技術の発達によってダイヤ
フラムに光を照射し、その反射強度の変化に基づいて圧
力を測定する方法や、光ファイバを折り晶げてセンサと
し、圧力によってその光透過量の変化を検知するマイク
ロベンディングによる方法、更には光フアイバ間に設け
られた遮蔽板による光路の遮断によって圧力変化を検出
する圧力センサが提案されている。しがしこれらはいず
れも入力波長と出力波長が同一であるため信号の分離が
困難であり、叉分波器を要すると共に光ファイバが投受
光用に二本必要であるため構造が複雑となり、叉計測器
として使用した場合も回路が複雑になるという問題点が
あった。
フラムに光を照射し、その反射強度の変化に基づいて圧
力を測定する方法や、光ファイバを折り晶げてセンサと
し、圧力によってその光透過量の変化を検知するマイク
ロベンディングによる方法、更には光フアイバ間に設け
られた遮蔽板による光路の遮断によって圧力変化を検出
する圧力センサが提案されている。しがしこれらはいず
れも入力波長と出力波長が同一であるため信号の分離が
困難であり、叉分波器を要すると共に光ファイバが投受
光用に二本必要であるため構造が複雑となり、叉計測器
として使用した場合も回路が複雑になるという問題点が
あった。
発明の目的
本発明は従来の圧力センサを用いた圧力計測装置の問題
点を解消するものであって、フォトルミネッセンスによ
って圧力を計測する新規な圧力計測装置を提供するもの
である。
点を解消するものであって、フォトルミネッセンスによ
って圧力を計測する新規な圧力計測装置を提供するもの
である。
発明の構成と効果
本発明は圧力検出用の開口部を有するステム上に該開口
部を取り囲んで密閉されフォトルミネッセンス発光をす
る結晶板と、結晶板の表面を照射して結晶板を励起させ
る光照射手段と、光照射手段によって生じたルミネッセ
ンス光の発光状態の変化を検出する検出手段と、圧力変
化に基づく検出手段の検出値をあらかじめ記憶する記憶
手段と、検出手段による検出量を記憶手段の記憶値と比
較して圧力を演算する演算手段と、を具備することを特
徴とするものである。
部を取り囲んで密閉されフォトルミネッセンス発光をす
る結晶板と、結晶板の表面を照射して結晶板を励起させ
る光照射手段と、光照射手段によって生じたルミネッセ
ンス光の発光状態の変化を検出する検出手段と、圧力変
化に基づく検出手段の検出値をあらかじめ記憶する記憶
手段と、検出手段による検出量を記憶手段の記憶値と比
較して圧力を演算する演算手段と、を具備することを特
徴とするものである。
このような特徴を有する本発明によれば、フォトルミネ
ッセンス光の発光状態の変化に基ツいてステムにかかる
圧力を検出しているので情報の伝達にフォトルミネッセ
ンス光が用いられるため、圧力センサ部に高周波や磁界
が発生する場所にも設置することができ安定な測定が可
能となる。叉励起用に与える励起光とフォトルミネッセ
ンス光の波長は全く異なるため入出力の分離は極めて容
易であり、光ファイバを伝送路として使用する場合には
励起光及びフォトルミネッセンス光に共通の伝送路とし
て用いることができ、プローブを単線化することができ
る。叉センサ部を極めて小型。
ッセンス光の発光状態の変化に基ツいてステムにかかる
圧力を検出しているので情報の伝達にフォトルミネッセ
ンス光が用いられるため、圧力センサ部に高周波や磁界
が発生する場所にも設置することができ安定な測定が可
能となる。叉励起用に与える励起光とフォトルミネッセ
ンス光の波長は全く異なるため入出力の分離は極めて容
易であり、光ファイバを伝送路として使用する場合には
励起光及びフォトルミネッセンス光に共通の伝送路とし
て用いることができ、プローブを単線化することができ
る。叉センサ部を極めて小型。
軽量化することが可能であり、必要に応じて計測部とセ
ンサ部とを分離することが容易になる。
ンサ部とを分離することが容易になる。
実施例の説明
第１図は本発明による圧力計測装置のセン号部分を示す
原理図である。本図においてステムｌ上にその開口部を
取り囲んで密閉された物質２を設ける。この物質２は入
射された光によってフォトルミネッセンス発光をする物
質を用いるものとする。そして図示のようにその物質の
上面にレーザ光源３よりレーザ光を照射すると、物質２
はレーザ光のエネルギーを吸収した後フォトルミネッセ
ンス光を発する。このフォトルミネッセンス光の波長は
物質２のエネルギーギャップに依存する。
原理図である。本図においてステムｌ上にその開口部を
取り囲んで密閉された物質２を設ける。この物質２は入
射された光によってフォトルミネッセンス発光をする物
質を用いるものとする。そして図示のようにその物質の
上面にレーザ光源３よりレーザ光を照射すると、物質２
はレーザ光のエネルギーを吸収した後フォトルミネッセ
ンス光を発する。このフォトルミネッセンス光の波長は
物質２のエネルギーギャップに依存する。
従って物質２に圧力が加わって格子歪を受けた場合には
、その格子間隔や結晶性が変化を起こし、フォトルミネ
ッセンス光の出力に変調を与えることとなる。第１図に
示すように物質２の上面を薄（ダイヤフラム状に形成す
るものとすれば、ステム１より加わった圧力によって図
中に破線で示すように物質２の表面の結晶格子が伸びる
。このためフォトルミネッセンスによる発光は長波長側
に移ることとなる。例えば励起光としてアルゴンレーザ
の５１４．５ｎｍの波長によりＧａＡｓの（１００）の
単結晶を励起した場合には８４０〜８５０ｎｍのフォト
ルミネッセンス発光を生じる。従ってこのＧａＡｓ１結
晶に第１図に示す物質のように異方性エツチングにより
その中央部分にダイヤフラムを形成し、ステム１からの
圧力によって結晶が変化を受＆Ｊ易いような構造とすれ
ば、圧力変化によって第２図（ａ）、 （ｂ）に示すよ
うにフォトルミネッセンス光の波長は長くまた輝度は小
さくなる。このダイヤフラムを例えば数十μに加工すれ
ば約Ｑ、５ｋｇ／ｃａｌまでの圧力測定が可能となり、
更に高い圧力を測定する場合にはダイヤフラム部分を厚
くすることによって検知することができる。
、その格子間隔や結晶性が変化を起こし、フォトルミネ
ッセンス光の出力に変調を与えることとなる。第１図に
示すように物質２の上面を薄（ダイヤフラム状に形成す
るものとすれば、ステム１より加わった圧力によって図
中に破線で示すように物質２の表面の結晶格子が伸びる
。このためフォトルミネッセンスによる発光は長波長側
に移ることとなる。例えば励起光としてアルゴンレーザ
の５１４．５ｎｍの波長によりＧａＡｓの（１００）の
単結晶を励起した場合には８４０〜８５０ｎｍのフォト
ルミネッセンス発光を生じる。従ってこのＧａＡｓ１結
晶に第１図に示す物質のように異方性エツチングにより
その中央部分にダイヤフラムを形成し、ステム１からの
圧力によって結晶が変化を受＆Ｊ易いような構造とすれ
ば、圧力変化によって第２図（ａ）、 （ｂ）に示すよ
うにフォトルミネッセンス光の波長は長くまた輝度は小
さくなる。このダイヤフラムを例えば数十μに加工すれ
ば約Ｑ、５ｋｇ／ｃａｌまでの圧力測定が可能となり、
更に高い圧力を測定する場合にはダイヤフラム部分を厚
くすることによって検知することができる。
第３図は本発明による圧力センサの全体構成を示すブロ
ック図である。本図においてフォトルミネッセンスを起
こす物質を励起するための励起用光源４が設けられ、そ
の光源から得られる光は伝送路５を介して結晶板６に与
えられる。この光源４はアルゴンレーザやヘリウムネオ
ンレーザ等の気体レーザであってもよ＜ 、ＡｌＧａＡ
ｓ等の化合物半導体を使った半導体レーザや発光ダイオ
ードであってもよい。但し励起光源４の種類によってそ
の光エネルギーに対して結晶板６のエネルギーギャップ
がより小さいものを選択する必要がある。例えば結晶板
６としてＧａＡｓを使用する場合には前述した気体レー
ザや可視長の半導体レーザ、発光ダイオード等を用いる
ことができるが、結１品板６としてＧａＰを使った場合
にはアルゴンレーザの４８８゜Ｏｎｓ＋や５１４．５ｎ
ｍの励起光でないとフォトルミネッセンスが生じない。
ック図である。本図においてフォトルミネッセンスを起
こす物質を励起するための励起用光源４が設けられ、そ
の光源から得られる光は伝送路５を介して結晶板６に与
えられる。この光源４はアルゴンレーザやヘリウムネオ
ンレーザ等の気体レーザであってもよ＜ 、ＡｌＧａＡ
ｓ等の化合物半導体を使った半導体レーザや発光ダイオ
ードであってもよい。但し励起光源４の種類によってそ
の光エネルギーに対して結晶板６のエネルギーギャップ
がより小さいものを選択する必要がある。例えば結晶板
６としてＧａＡｓを使用する場合には前述した気体レー
ザや可視長の半導体レーザ、発光ダイオード等を用いる
ことができるが、結１品板６としてＧａＰを使った場合
にはアルゴンレーザの４８８゜Ｏｎｓ＋や５１４．５ｎ
ｍの励起光でないとフォトルミネッセンスが生じない。
結晶板６は単結晶のものであってもよく多結晶のもので
あってもよい。この結晶板６に測定すべき圧力を生ずる
圧力発生源７が第１図に示すように接続されており、そ
の結晶板６からのフォトルミネッセンス光が伝送路８を
介して検出回路９に与えられる。この計測装置が第２図
（ｂｌに示すように輝度の変化に基づいて圧力変化を検
出するものであれば、検出回路９ばこのフォトルミネッ
センス光を電気信号に変換する光電変換器が用いられ、
その出力は演算回路１０に与えられる。又この圧力計測
装置が第２図ｆａｔに示すように波長の変化に基づいて
圧力を計測するものであれば、検出回路９はその波長の
変化領域内の異なる透過特性を有する複数のフィルタと
、夫々のフィルタの出力端に設けられる光電変換器が用
いられる。演算回路１０には更に、輝度変化に基づく計
測の場合は与えられた励起光に対応して生ずる結晶板６
のフォトルミネッセンス光の光量を記憶し、波長変化に
基づく計測の場合は与えられた励起光に対応して出力を
生じる光電変換器の組合せのデータを記憶する既知関数
メモリ１１が接続されており、その既知関数と比較する
ことによって圧力を算出するものである。演算回路１０
の出力は圧力表示装置１２に与えられて圧力発生源７の
圧力が表示される。
あってもよい。この結晶板６に測定すべき圧力を生ずる
圧力発生源７が第１図に示すように接続されており、そ
の結晶板６からのフォトルミネッセンス光が伝送路８を
介して検出回路９に与えられる。この計測装置が第２図
（ｂｌに示すように輝度の変化に基づいて圧力変化を検
出するものであれば、検出回路９ばこのフォトルミネッ
センス光を電気信号に変換する光電変換器が用いられ、
その出力は演算回路１０に与えられる。又この圧力計測
装置が第２図ｆａｔに示すように波長の変化に基づいて
圧力を計測するものであれば、検出回路９はその波長の
変化領域内の異なる透過特性を有する複数のフィルタと
、夫々のフィルタの出力端に設けられる光電変換器が用
いられる。演算回路１０には更に、輝度変化に基づく計
測の場合は与えられた励起光に対応して生ずる結晶板６
のフォトルミネッセンス光の光量を記憶し、波長変化に
基づく計測の場合は与えられた励起光に対応して出力を
生じる光電変換器の組合せのデータを記憶する既知関数
メモリ１１が接続されており、その既知関数と比較する
ことによって圧力を算出するものである。演算回路１０
の出力は圧力表示装置１２に与えられて圧力発生源７の
圧力が表示される。
第４図は伝送路として光ファイバを用いた場合の実施例
である。光ファイバを用いた場合には、その伝送損失を
考慮すれば励起光源４としては近赤外領域で発光する発
光素子が適当であり、本実施例では発光ダイオード２０
を用いている。発光ダイオード２０の光出力は光ファイ
バ２１を介して分岐器２２に与えられる。分岐器２２は
光ファイバを伝送する光をその波長の相違に基づいて分
岐させるものであって、発光ダイオード２０から与えら
れる光はそのまま光ファイバ２３を介してセンサ部２４
に伝える。センサ部２４は第５図にその拡大図を示すよ
うに、センサ用ステム２５の開口部に設けられた半導体
結晶体２６のダイヤフラム中央部分に光ファイバ２３の
先端が対向するようにフレーム２７によって固定された
構造を持つものである。結晶板２６としては、発光効率
が高（、文具方性エツチングによりダイヤフラムを容易
に形成することができるので、ＡｌＧａＡｓやＧａＡｓ
の結晶板等の直接遷移で発光する化合物半導体が好まし
い。さて光ファイバ２３を通じて照射された光によって
フォトルミネッセンス発光が起こると、そのフォトルミ
ネッセンス光が同しく光ファイバ２３を通じて分岐器２
２に与えられる。分岐器２２はこれを分岐して光フプイ
ハ２８に与える。
である。光ファイバを用いた場合には、その伝送損失を
考慮すれば励起光源４としては近赤外領域で発光する発
光素子が適当であり、本実施例では発光ダイオード２０
を用いている。発光ダイオード２０の光出力は光ファイ
バ２１を介して分岐器２２に与えられる。分岐器２２は
光ファイバを伝送する光をその波長の相違に基づいて分
岐させるものであって、発光ダイオード２０から与えら
れる光はそのまま光ファイバ２３を介してセンサ部２４
に伝える。センサ部２４は第５図にその拡大図を示すよ
うに、センサ用ステム２５の開口部に設けられた半導体
結晶体２６のダイヤフラム中央部分に光ファイバ２３の
先端が対向するようにフレーム２７によって固定された
構造を持つものである。結晶板２６としては、発光効率
が高（、文具方性エツチングによりダイヤフラムを容易
に形成することができるので、ＡｌＧａＡｓやＧａＡｓ
の結晶板等の直接遷移で発光する化合物半導体が好まし
い。さて光ファイバ２３を通じて照射された光によって
フォトルミネッセンス発光が起こると、そのフォトルミ
ネッセンス光が同しく光ファイバ２３を通じて分岐器２
２に与えられる。分岐器２２はこれを分岐して光フプイ
ハ２８に与える。
光ファイバ２８の先端には発光ダイオード２０の励起光
をカットするフィルタ２９及びフォトダイオード３０が
接続される。このフィルタ２９によってフォトルミネッ
センス光のみをフォトダイオード３０に与えてＳＮ比を
改善するようにしている。フォトダイオード３０の出力
は検出回路３１に与えられる。検出回路３１はフォトダ
イオード３０を駆動すると共に、その出力を増幅するも
のであって、その出力は演算回路３２に与えられる。
をカットするフィルタ２９及びフォトダイオード３０が
接続される。このフィルタ２９によってフォトルミネッ
センス光のみをフォトダイオード３０に与えてＳＮ比を
改善するようにしている。フォトダイオード３０の出力
は検出回路３１に与えられる。検出回路３１はフォトダ
イオード３０を駆動すると共に、その出力を増幅するも
のであって、その出力は演算回路３２に与えられる。
演算回路３２には前述の実施例と同様に既知関数のメモ
リ３３が接続されており、このデータと比較することに
よって圧力を演算するものであって、演算された圧力は
圧力表示装置３４によって表示される。
リ３３が接続されており、このデータと比較することに
よって圧力を演算するものであって、演算された圧力は
圧力表示装置３４によって表示される。
尚第４図の実施例では発光ダイオード２ｏによって連続
的に結晶板２６を駆動するようにしているが、第６図（
ａｌに示すように励起回路４０によって断続的に結晶板
２６を励起するようにすることもできる。そしてそのと
き第６図（ｂｌに示すようにフォトルミネッセンス光の
残光を圧力の関数となる信号として利用すればフィルタ
２９を設ける必要はない。叉励起光とフォトルミネッセ
ンス光とが共にフォトダイオードの分光感度領域にある
場合には、一つのフォトダイオードと検知回路によって
励起光のモニタとフォトルミネッセンス光の処理とを行
うことが可能となる。
的に結晶板２６を駆動するようにしているが、第６図（
ａｌに示すように励起回路４０によって断続的に結晶板
２６を励起するようにすることもできる。そしてそのと
き第６図（ｂｌに示すようにフォトルミネッセンス光の
残光を圧力の関数となる信号として利用すればフィルタ
２９を設ける必要はない。叉励起光とフォトルミネッセ
ンス光とが共にフォトダイオードの分光感度領域にある
場合には、一つのフォトダイオードと検知回路によって
励起光のモニタとフォトルミネッセンス光の処理とを行
うことが可能となる。
又、ここで説明した実施例では圧力の変化を波長又は輝
度の変化の関数として圧力を測定しているが、これらの
データを組合せて圧力を測定するようにすればより正確
に圧力を測定することが可能となる。
度の変化の関数として圧力を測定しているが、これらの
データを組合せて圧力を測定するようにすればより正確
に圧力を測定することが可能となる。
第１図は本発明による圧力計測装置のセンサ部分を示す
原理図、第２図ｉａ）、 （ｂ）は圧力に対する波長と
輝度の変化を示すグラフ、第３図は本発明による圧力計
測装置の構成を示すブロック図、第４図は光ファイバを
用いた圧力計測装置の一実施例を示すブロック図、第５
図はそのセンサ部分の拡大図、第６図は断続的に結晶板
を励起する場合の励起信号とフォトルミネッセンス光の
検出光を示すタイムチャートである。 １．２５・−−−一−・−ステム ２−−−−一物質
４−−−−一励起光源 ５．８−・−伝送路 ６ 、
２６−−−−−−結晶板 ７−・−圧力発生源 ９ 、
３１−−−−一検出回路 １０ 、 ３２−一一一一
・−演算回路 １１．３３−一−−−−−既知関数メモ
リ １２ 、 ３４−−−−一・圧力表示装置 第２図（？３） 第２図（ｂ） 第３図 ４ ５ ６ ７ 第４図 第５図 第６図
原理図、第２図ｉａ）、 （ｂ）は圧力に対する波長と
輝度の変化を示すグラフ、第３図は本発明による圧力計
測装置の構成を示すブロック図、第４図は光ファイバを
用いた圧力計測装置の一実施例を示すブロック図、第５
図はそのセンサ部分の拡大図、第６図は断続的に結晶板
を励起する場合の励起信号とフォトルミネッセンス光の
検出光を示すタイムチャートである。 １．２５・−−−一−・−ステム ２−−−−一物質
４−−−−一励起光源 ５．８−・−伝送路 ６ 、
２６−−−−−−結晶板 ７−・−圧力発生源 ９ 、
３１−−−−一検出回路 １０ 、 ３２−一一一一
・−演算回路 １１．３３−一−−−−−既知関数メモ
リ １２ 、 ３４−−−−一・圧力表示装置 第２図（？３） 第２図（ｂ） 第３図 ４ ５ ６ ７ 第４図 第５図 第６図
Claims (4)
- （１）圧力検出用の開口部を有するステム上に該開口部
を取り囲んで密閉されフォトルミネッセンス発光をする
結晶板と、 前記結晶板の表面を照射して前記結晶板を励起させる光
照射手段と、 前記光照射手段によって生じたルミネッセンス光の発光
状態の変化を検出する検出手段と、圧力変化に基づく前
記検出手段の検出値をあらかじめ記憶する記憶手段と、 前記検出手段による検出量を前記記憶手段の記憶値と比
較して圧力を演算する演算手段と、を具備することを特
徴とする圧力計測装置。 - （２）前記結晶板は、前記光照射手段による光照射領域
をダイヤフラムとして構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の圧力計測装置。 - （３）前記検出手段は、ルミネッセンス光をその発光強
度に対応した電気信号に変換する光電変換器を有するも
のであり、ルミネッセンス光出力の強度変化に基づいて
圧力を計測するものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の圧力計測装置。 - （４）前記検出手段は、前記圧力に対応したフォトルミ
ネッセンス光の発光波長の変化領域のフィルタとそのフ
ィルタ透過後の光が与えられる光電変換器とを夫々複数
有するものであり、圧力変化に基づく波長変化によって
圧力を計測するものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の圧力計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14424283A JPS6035234A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 圧力計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14424283A JPS6035234A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 圧力計測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035234A true JPS6035234A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15357544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14424283A Pending JPS6035234A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 圧力計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472243A2 (en) * | 1990-08-20 | 1992-02-26 | The Board Of Regents Of The University Of Washington | Surface pressure measurement by oxygen quenching of luminescence |
| WO2003067208A3 (en) * | 2002-02-07 | 2003-12-04 | Honeywell Int Inc | Optically powered resonant integrated microstructure pressure sensor |
| JP2007178335A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP14424283A patent/JPS6035234A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472243A2 (en) * | 1990-08-20 | 1992-02-26 | The Board Of Regents Of The University Of Washington | Surface pressure measurement by oxygen quenching of luminescence |
| WO2003067208A3 (en) * | 2002-02-07 | 2003-12-04 | Honeywell Int Inc | Optically powered resonant integrated microstructure pressure sensor |
| JP2007178335A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ |
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