JPS59180329A - フアイバ光学測定装置 - Google Patents
フアイバ光学測定装置Info
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- JPS59180329A JPS59180329A JP59053644A JP5364484A JPS59180329A JP S59180329 A JPS59180329 A JP S59180329A JP 59053644 A JP59053644 A JP 59053644A JP 5364484 A JP5364484 A JP 5364484A JP S59180329 A JPS59180329 A JP S59180329A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/268—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light using optical fibres
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は物理量を測定するための光ファイバにより相互
接続された変換装置と電子装置を有するファイバ光学測
定装置に関するものである。
接続された変換装置と電子装置を有するファイバ光学測
定装置に関するものである。
背景技術
光透過を変調するため多数の物理的及び化学的測定物が
光学変換器中に配置される。測定の精度を劣化させるこ
とな（、ファイバ光学測定装置中で透過変化により生じ
た光強度変動を伝送するため、変換器中に波長デマルチ
プレックス及びスペクトル光分割を備えた装置が開発さ
れている。こを必要とし、かつ同時に測定用電子装置の
光学電子系に大きな要求を課している。
光学変換器中に配置される。測定の精度を劣化させるこ
とな（、ファイバ光学測定装置中で透過変化により生じ
た光強度変動を伝送するため、変換器中に波長デマルチ
プレックス及びスペクトル光分割を備えた装置が開発さ
れている。こを必要とし、かつ同時に測定用電子装置の
光学電子系に大きな要求を課している。
物理量の測定に好適な多（の光学効果はセンサ材の光透
過の変化を含む。測定用に十分な精度でこれらの透過変
化をファイバ光学的に感知するた償が必要である。
過の変化を含む。測定用に十分な精度でこれらの透過変
化をファイバ光学的に感知するた償が必要である。
発明の要約
本発明は、相当に安価で簡単な変換器と測定電子装置を
提供する新たな型式の測定装置を与える。
提供する新たな型式の測定装置を与える。
本発明による測定装置は、変換器が少な（とも２つの光
ルミネセンス素子を含み、少なくともその一方が他方の
素子の完全Ｋ又は部分的傾後方のファイバからの光の光
路に配置されていることを特徴とする。前記物理量は前
記素子間の光透過に影響するようになっている。電子装
置は別々の放射スペクトルを有する少な（とも２個の光
源を含み、前記放射スペクトルは一方の光源が前記光ル
ミネセンス素子の一方を実質的に励起し、かつ他方の光
源が他方の素子乞励起する又は他方の素子を実質的に励
起するように前記素子の吸収放射スペクトルに関して選
択されている。従って、この測定装置は上述の問題への
解奪構成し、かつ新たなセンサ原理を用いる可能性を提
供する。
ルミネセンス素子を含み、少なくともその一方が他方の
素子の完全Ｋ又は部分的傾後方のファイバからの光の光
路に配置されていることを特徴とする。前記物理量は前
記素子間の光透過に影響するようになっている。電子装
置は別々の放射スペクトルを有する少な（とも２個の光
源を含み、前記放射スペクトルは一方の光源が前記光ル
ミネセンス素子の一方を実質的に励起し、かつ他方の光
源が他方の素子乞励起する又は他方の素子を実質的に励
起するように前記素子の吸収放射スペクトルに関して選
択されている。従って、この測定装置は上述の問題への
解奪構成し、かつ新たなセンサ原理を用いる可能性を提
供する。
実施例
第１図は光源３．７が光学フィルタ４，８、光学分岐部
９ 、１ ＣＩ、光線分割器１１と光ファイバ２９を介
していかにしてルミネセンス・センサ素子３０．３１を
照射するかを図示している。ルミネセンス光は光フアイ
バ２９中を戻り、分岐部１１゜１８な介して光検出器２
０．２４へ到達し、前記光検出器−は各々光学フィルタ
１９．２３が設けられている。光源は発振器１，５の助
けを得て周波数変調され、検出器信号は帯域フィルタ２
２゜２６により周波数復調される。光源からの変流光を
７アイバ２９中で等しく保持するため、光の一部は部材
１１により検出器１２へ与えられ、その出力信号は部材
１４．１５により周波数分割デマルチプレックヌされて
レイュレータ１７と差信号発生器１６の助けで可変増幅
器２を伶ＩＪ御する。計器２８への測定信号は２７で復
調検出イ言号の藺を形成することにより得られる。光源
３，７の放射スペクトルは、素子３０が一方の光源のみ
によって励起され、又素子３１力；他方の光源のみ（又
（ま実質的にはこれらのみによって）によつ℃励起され
るようにセンサ素子３０．３１の吸収スペクトルに関連
しく選択されて〜・る。このように、商の形成は測、定
信号を与え、この信号をまセンサ材３２の透過にのみ依
存して℃・る。素子３Ｑ、３１４ま１ｌｌ−Ｖ。
９ 、１ ＣＩ、光線分割器１１と光ファイバ２９を介
していかにしてルミネセンス・センサ素子３０．３１を
照射するかを図示している。ルミネセンス光は光フアイ
バ２９中を戻り、分岐部１１゜１８な介して光検出器２
０．２４へ到達し、前記光検出器−は各々光学フィルタ
１９．２３が設けられている。光源は発振器１，５の助
けを得て周波数変調され、検出器信号は帯域フィルタ２
２゜２６により周波数復調される。光源からの変流光を
７アイバ２９中で等しく保持するため、光の一部は部材
１１により検出器１２へ与えられ、その出力信号は部材
１４．１５により周波数分割デマルチプレックヌされて
レイュレータ１７と差信号発生器１６の助けで可変増幅
器２を伶ＩＪ御する。計器２８への測定信号は２７で復
調検出イ言号の藺を形成することにより得られる。光源
３，７の放射スペクトルは、素子３０が一方の光源のみ
によって励起され、又素子３１力；他方の光源のみ（又
（ま実質的にはこれらのみによって）によつ℃励起され
るようにセンサ素子３０．３１の吸収スペクトルに関連
しく選択されて〜・る。このように、商の形成は測、定
信号を与え、この信号をまセンサ材３２の透過にのみ依
存して℃・る。素子３Ｑ、３１４ま１ｌｌ−Ｖ。
１ｌ−Ｖｌ、３元素又は４元素半導体力・ら構成される
。
。
第１図の装置の機能は第２図によるスペクトル関係を調
べることによりさらに明ら力）となる。３３゜３４は光
源３，７の放射スペクトルを示し、３６゜３９はフィル
タ４，８の透過スペクトルを指示し、３７．４０＆’！
、センサ素子３０ 、３１７７１＆収ヌ１１’ト／Ｌ”
ｋ指示し、３５．４２＆まセンサ素子３０゜３１のルミ
ネセンス・ヌペク）／ｌ／を指示し、３８゜４１はフィ
ルタ１９．２３の透過スペクトルを指示する。センサ材
３２の透過カー減少すると、素子３１への励起光と素子
３１からのルミネセンヌ光の両方が大きく減衰され、３
０．３１からのルミネセンス光強度間の商の減少を生じ
る。商の形成は、ファイバ光学系中の反射とは独立な光
フィルタ１９．２３と組合された変換器の波長密度と光
に例示されている多数の方法で測定される異なる量によ
り変調可能である。
べることによりさらに明ら力）となる。３３゜３４は光
源３，７の放射スペクトルを示し、３６゜３９はフィル
タ４，８の透過スペクトルを指示し、３７．４０＆’！
、センサ素子３０ 、３１７７１＆収ヌ１１’ト／Ｌ”
ｋ指示し、３５．４２＆まセンサ素子３０゜３１のルミ
ネセンス・ヌペク）／ｌ／を指示し、３８゜４１はフィ
ルタ１９．２３の透過スペクトルを指示する。センサ材
３２の透過カー減少すると、素子３１への励起光と素子
３１からのルミネセンヌ光の両方が大きく減衰され、３
０．３１からのルミネセンス光強度間の商の減少を生じ
る。商の形成は、ファイバ光学系中の反射とは独立な光
フィルタ１９．２３と組合された変換器の波長密度と光
に例示されている多数の方法で測定される異なる量によ
り変調可能である。
第６図の変換器配置によると、センサ材３０゜３１間の
光透過は、３０．３１間の矢印ａに従う被測定量により
スクリーン３２′を移動させることにより影響さ、れる
か、又は光ファイ／々２９に対して矢印す、ｃの一方に
従ってセンサ材３１を移動させることにより影響される
。ルミネセンス材３０．３１はここでは各々基板３０．
３１上に成長したエピタキシャル層４４．４５．４６と
４９゜４８．４７から構成される。４５．４８＆まルミ
ネセンス層を構成し、素子３０中で番ま基板３０力を励
起光を阻止しないようにエッチ除去される。
光透過は、３０．３１間の矢印ａに従う被測定量により
スクリーン３２′を移動させることにより影響さ、れる
か、又は光ファイ／々２９に対して矢印す、ｃの一方に
従ってセンサ材３１を移動させることにより影響される
。ルミネセンス材３０．３１はここでは各々基板３０．
３１上に成長したエピタキシャル層４４．４５．４６と
４９゜４８．４７から構成される。４５．４８＆まルミ
ネセンス層を構成し、素子３０中で番ま基板３０力を励
起光を阻止しないようにエッチ除去される。
素子３０．３１間のより制御され、かつ大体平行な光路
な得るために、第４図によるレンズ系が導入可能である
。いわゆるセルフォック（５ｅｌｆＯＣ）レンズ５１．
５２の使用が有利である。第５図は光ファイバ２９から
の励起光が素子３１へ向けられたダイクロイック鏡５３
により反射される別のレンズ系を図示している。干渉フ
ィルタである鏡５３はルミネセンヌ光を透過し、これに
よりこの光は鋭５４へ向けて反射されてファイバ２９へ
入ることが可能となる。従ってこの配置により鏡５４の
水平変位は素子３１のルミネセンヌ波長の光を変調可能
にする。鏡５３はもち論必要ではないが、その場合３１
の励起光とルミネセンス元の両方が鏡５４によって変調
される。
な得るために、第４図によるレンズ系が導入可能である
。いわゆるセルフォック（５ｅｌｆＯＣ）レンズ５１．
５２の使用が有利である。第５図は光ファイバ２９から
の励起光が素子３１へ向けられたダイクロイック鏡５３
により反射される別のレンズ系を図示している。干渉フ
ィルタである鏡５３はルミネセンヌ光を透過し、これに
よりこの光は鋭５４へ向けて反射されてファイバ２９へ
入ることが可能となる。従ってこの配置により鏡５４の
水平変位は素子３１のルミネセンヌ波長の光を変調可能
にする。鏡５３はもち論必要ではないが、その場合３１
の励起光とルミネセンス元の両方が鏡５４によって変調
される。
第４図に従って、第６図によるスクリーン・パターンを
レンズ５１．５２に設けると、角度測定変換器及び速度
測定変換器又はそのいずれかが得られる。５１．５６間
には平行な光束が得られ、これは比較的大きなレンズ間
の距離にかかわらず高密度ヌクリーン・パターンを可能
とする。
レンズ５１．５２に設けると、角度測定変換器及び速度
測定変換器又はそのいずれかが得られる。５１．５６間
には平行な光束が得られ、これは比較的大きなレンズ間
の距離にかかわらず高密度ヌクリーン・パターンを可能
とする。
第４図によるセンサ形態を用いて、第７図に従って磁場
を測定すると、この場合ポラライプ５７、磁気光学材５
９、アナライｆ５８がレンズ５１゜５２間に配置される
。磁気光学材５９はドメイン屋式のものが望ましく、こ
れは第７図であるドメイン６１を追加することにより図
示されている。
を測定すると、この場合ポラライプ５７、磁気光学材５
９、アナライｆ５８がレンズ５１゜５２間に配置される
。磁気光学材５９はドメイン屋式のものが望ましく、こ
れは第７図であるドメイン６１を追加することにより図
示されている。
上述の技術の重要な応用はファイバ光学のレベル測定で
ある。
ある。
第８図はこのようか測定装置の例を示して〜・る。
発光ダイオードＬＥＤ７１１７２はファイバ系７３へ光
を放射する。光学フィルタ７４．７５の効果により、Ｌ
ＥＤのスペクトルから不要の波長はフィルタ除去される
。センサ７６で放射光は光ルミネセンヌ効果により異な
る波長の光に変換される。
を放射する。光学フィルタ７４．７５の効果により、Ｌ
ＥＤのスペクトルから不要の波長はフィルタ除去される
。センサ７６で放射光は光ルミネセンヌ効果により異な
る波長の光に変換される。
第９図はセンサ部分をより詳細に図示しである。
光はセンサ部９１へ向けてファイバ９４を降下し、この
センサはＬＥＤ ７２により放射される波長の光に対し
ては低吸収能を、ＬＥＤ ７１により放射される波長の
光に対しては高吸収能を有している。波長構造体９３は
センサ部９１とセンサ部９２を接続する。センサ部９２
はＬＥＤ ７２で放射される光に対して高吸収能を有す
る。両ＬＥＤ ７１ 、７２と両ルミネセンス・センサ
部９１．９２からのスペクトルは第１０図に示され、こ
の図は又センサ部９１の透過曲線Ｔ１も示しである。２
個のセンサ部から放射された光はファイバ系を測定電子
装置へと戻り、検出器部７７で検出される（第８図参照
）。前記検出器部分はファイバ部岐部１８、光学フィル
タ８１．８２を配置されている２個の光ダイオード７９
．８０から構成される。これらのフィルタの透過曲線Ｔ
ｌｌとＴＩ２は第１０図に図示されている。ＬＥＤ ７
１ 、７２は各々周波数ｆｌ 、ｔ２により振幅変調さ
れる。第１０図で、λは波長を、工は強度を示す。増幅
器８３．８４（第８図参照）はこれらの周波数に位相ロ
ックされて動作する。従って、センサ部９１からのルミ
ネセンヌ強度に依存する電気信号Ｓ１が発生され、かつ
センサ部９２からのルミネセンヌ強度から対応して構成
される信号Ｓ２が発生される。センサ周辺のレベルが第
９図の位置人にある時、１Ａ８１／Ｓ２はある特定値を
取る。この値は装置に含まれる部品の特性により決定さ
れるが、信号Ｓ１と８２の商を形成することにより装置
中の変動減衰の場合にも一定に保持される。商の値は又
センサ部９１．９２の材料特性の適当な整合により温度
とは独立となっている。レベルが第９図の位置Ｂを取る
と、表面上下の媒体の屈折率が一致しないことによりセ
ンサ９３の導波特性が変化する。従って商Ｓ１／Ｓ２の
値が変化する。この商は第９図によりレベルがレペ／ｌ
／Ｃを越えたかどうかの尺度を構成する。
センサはＬＥＤ ７２により放射される波長の光に対し
ては低吸収能を、ＬＥＤ ７１により放射される波長の
光に対しては高吸収能を有している。波長構造体９３は
センサ部９１とセンサ部９２を接続する。センサ部９２
はＬＥＤ ７２で放射される光に対して高吸収能を有す
る。両ＬＥＤ ７１ 、７２と両ルミネセンス・センサ
部９１．９２からのスペクトルは第１０図に示され、こ
の図は又センサ部９１の透過曲線Ｔ１も示しである。２
個のセンサ部から放射された光はファイバ系を測定電子
装置へと戻り、検出器部７７で検出される（第８図参照
）。前記検出器部分はファイバ部岐部１８、光学フィル
タ８１．８２を配置されている２個の光ダイオード７９
．８０から構成される。これらのフィルタの透過曲線Ｔ
ｌｌとＴＩ２は第１０図に図示されている。ＬＥＤ ７
１ 、７２は各々周波数ｆｌ 、ｔ２により振幅変調さ
れる。第１０図で、λは波長を、工は強度を示す。増幅
器８３．８４（第８図参照）はこれらの周波数に位相ロ
ックされて動作する。従って、センサ部９１からのルミ
ネセンヌ強度に依存する電気信号Ｓ１が発生され、かつ
センサ部９２からのルミネセンヌ強度から対応して構成
される信号Ｓ２が発生される。センサ周辺のレベルが第
９図の位置人にある時、１Ａ８１／Ｓ２はある特定値を
取る。この値は装置に含まれる部品の特性により決定さ
れるが、信号Ｓ１と８２の商を形成することにより装置
中の変動減衰の場合にも一定に保持される。商の値は又
センサ部９１．９２の材料特性の適当な整合により温度
とは独立となっている。レベルが第９図の位置Ｂを取る
と、表面上下の媒体の屈折率が一致しないことによりセ
ンサ９３の導波特性が変化する。従って商Ｓ１／Ｓ２の
値が変化する。この商は第９図によりレベルがレペ／ｌ
／Ｃを越えたかどうかの尺度を構成する。
多重モード型の光ファイバを基にした装置では、上記原
理は王にオン／オフ型のレベル測定変換器に適合する。
理は王にオン／オフ型のレベル測定変換器に適合する。
代りに単モード型式のファイバ又は導波構造体を用いる
場合、センサ部９３から出た光のカップリングは正確に
制御可能である。従って測定装置はレベルの位置を連続
的に指示する信号を渡すことが可能である。第１１図は
このようなレベル装置のセンサ部を示している。この場
合センサ部９３は単モード型式の導波構造体である。
場合、センサ部９３から出た光のカップリングは正確に
制御可能である。従って測定装置はレベルの位置を連続
的に指示する信号を渡すことが可能である。第１１図は
このようなレベル装置のセンサ部を示している。この場
合センサ部９３は単モード型式の導波構造体である。
第１２図は単安定設計の変換器部分を図示する。
変換器はＧａＡｓ基板９５、Ａｔｘ、Ｇａ、 、９Ａｓ
のエピタキシャル層９６、Ａｔｘ３Ｇａｌ□３Ａｓの工
ぜタキシャル層９３、Ａｚｏａ のエピタキシャル
層９１、Ｘｌ １−ＸＩ Ａ ＺＸ ２ Ｇａ□−Ｘ２Ａｓの別なエピタキシャル
層９２を含む。
のエピタキシャル層９６、Ａｔｘ３Ｇａｌ□３Ａｓの工
ぜタキシャル層９３、Ａｚｏａ のエピタキシャル
層９１、Ｘｌ １−ＸＩ Ａ ＺＸ ２ Ｇａ□−Ｘ２Ａｓの別なエピタキシャル
層９２を含む。
層中に含まれるドーピングとＡＬ容はｘ９が最大値を取
り、これが導波体の「内部」限定面で導波効果を与える
ように選択されている。Ｘ６は、装置中を透過する波長
の吸収が小さくなるように選択されている。従って、Ｘ
９＞Ｘ３＞Ｘｌ＞Ｘ２の値が選択される。センサ部９１
．９２は良好な効率でこれらの部分にルミネセンヌが発
生するようなげ−ぎングが与えられている。このように
して放射されたスペクトルは第１０図による外観を有す
る。
り、これが導波体の「内部」限定面で導波効果を与える
ように選択されている。Ｘ６は、装置中を透過する波長
の吸収が小さくなるように選択されている。従って、Ｘ
９＞Ｘ３＞Ｘｌ＞Ｘ２の値が選択される。センサ部９１
．９２は良好な効率でこれらの部分にルミネセンヌが発
生するようなげ−ぎングが与えられている。このように
して放射されたスペクトルは第１０図による外観を有す
る。
上記による測定装置を例えば各種液体のレベル測定に利
用する時に生じる１つの問題は、これらの液体の流体及
び誘電特性が測定装置の機能と七の較正に効果を有する
ことである。従って第１６図に示す原理による設計を測
定装置に与えるのが適切である。ここでの境界面１００
は被測定レベルを指示する。上述した特性のセンサ部９
１゜９２．９３は液体を１０２で示す内部容器１０１内
に囲まれている。この液体の特性は本実施例により自由
に選択可能である。ダイヤフラム１０３はそのたわみに
より容器１０１の容積を決定する。
用する時に生じる１つの問題は、これらの液体の流体及
び誘電特性が測定装置の機能と七の較正に効果を有する
ことである。従って第１６図に示す原理による設計を測
定装置に与えるのが適切である。ここでの境界面１００
は被測定レベルを指示する。上述した特性のセンサ部９
１゜９２．９３は液体を１０２で示す内部容器１０１内
に囲まれている。この液体の特性は本実施例により自由
に選択可能である。ダイヤフラム１０３はそのたわみに
より容器１０１の容積を決定する。
ダイヤフラム１０３のたわみはその両面の圧力差、従っ
てレベル１００により決定される。内部容器１０１の容
積、ダイヤフラム１０３の厚さと面積の適切な選択によ
り、変換器は異なる応用に対して適切な特性を与え得る
。
てレベル１００により決定される。内部容器１０１の容
積、ダイヤフラム１０３の厚さと面積の適切な選択によ
り、変換器は異なる応用に対して適切な特性を与え得る
。
第１４図と第１５図は電場と電圧を測定するため関連す
るスペクトル関係を有するセンサを図示する。第３図と
同様に１変換器は基板４３．５０に各々印加したエピタ
キシャル層４４〜４６．４７〜４９を有する２個のルミ
ネセンヌ素子３０゜３１を含む。しかしながら、素子３
０は層４４〜４６にエッチした穴１１３を有し、この穴
を通して光は素子３０により影響されることなく素子３
１へと通過可能である（素子３１は第６図の素子３１と
同一である）。貫通穴の代りに１層４４゜４５をエツチ
ング除去し、一方層４６を保持してもよい。素子３０．
３１間には電気光学変調器が配置され、これはポラライ
ｆ１０４、ガラス板１．０５、透明電極１０６、液晶層
１０７、透明電極１０８、ガラス板１０９、ポラライず
１１０がら構成される。接点１１１．１１２により、電
圧Ｕが電極１０５，１０３に印加されて液晶の光学特性
を変調する。
るスペクトル関係を有するセンサを図示する。第３図と
同様に１変換器は基板４３．５０に各々印加したエピタ
キシャル層４４〜４６．４７〜４９を有する２個のルミ
ネセンヌ素子３０゜３１を含む。しかしながら、素子３
０は層４４〜４６にエッチした穴１１３を有し、この穴
を通して光は素子３０により影響されることなく素子３
１へと通過可能である（素子３１は第６図の素子３１と
同一である）。貫通穴の代りに１層４４゜４５をエツチ
ング除去し、一方層４６を保持してもよい。素子３０．
３１間には電気光学変調器が配置され、これはポラライ
ｆ１０４、ガラス板１．０５、透明電極１０６、液晶層
１０７、透明電極１０８、ガラス板１０９、ポラライず
１１０がら構成される。接点１１１．１１２により、電
圧Ｕが電極１０５，１０３に印加されて液晶の光学特性
を変調する。
第１５図は２個の光源３，７の放射スペクトル３３．３
４を示す。第１５図で、αは光吸収、Ｌは光放射、Ｔは
光透過、λは波長である。
４を示す。第１５図で、αは光吸収、Ｌは光放射、Ｔは
光透過、λは波長である。
上述の実施例は前記特許請求の範囲内で多様に変換可能
である。
である。
第１図は本発明実施例の全測定装置を示した図、第２図
は第１図の光学部品に適用されるそのスペクトル関係を
示したグラフ、第６図から第５図は変位を測定するため
のセンサを示した図、第６図は角度と回転数を測定する
センサを示した斜視図、第７図は磁場を測定するための
センサを示した斜視図、第８図はレベルを測定するため
の測定装置を示す図、第９図はレベル測定のためのセン
サを示す図、第１０図はスペクトル図、第１１図はレベ
ル測定装置のセンサ部分を・示した図、第１２図は単安
定設計の変換器部分を示した図、第１６図は測定装置の
センサ部分を示した図、第１４図は電界と電圧を測定す
るためのセンサを示した図、および第１５図はスペクト
ル図である。 ３．７・・・・・光源、４，８・・・光学フィルタ、９
゜１０・・・・・・光学分岐部、１１・・・・光線分割
器、２９・・・・・・光ファイバ、２０．２４・・・・
光検出器、１９゜２３・・・・・・光学フィルタ、２２
．２６・・・・・・帯域ライ。 ルタ、３０，３１・・・・・・センサ素子、３２・・・
・・・センサ材。 代理人 浅 村 皓 Ｆ／６．４ ５７ ｇ１ Ｆ１６．５
は第１図の光学部品に適用されるそのスペクトル関係を
示したグラフ、第６図から第５図は変位を測定するため
のセンサを示した図、第６図は角度と回転数を測定する
センサを示した斜視図、第７図は磁場を測定するための
センサを示した斜視図、第８図はレベルを測定するため
の測定装置を示す図、第９図はレベル測定のためのセン
サを示す図、第１０図はスペクトル図、第１１図はレベ
ル測定装置のセンサ部分を・示した図、第１２図は単安
定設計の変換器部分を示した図、第１６図は測定装置の
センサ部分を示した図、第１４図は電界と電圧を測定す
るためのセンサを示した図、および第１５図はスペクト
ル図である。 ３．７・・・・・光源、４，８・・・光学フィルタ、９
゜１０・・・・・・光学分岐部、１１・・・・光線分割
器、２９・・・・・・光ファイバ、２０．２４・・・・
光検出器、１９゜２３・・・・・・光学フィルタ、２２
．２６・・・・・・帯域ライ。 ルタ、３０，３１・・・・・・センサ素子、３２・・・
・・・センサ材。 代理人 浅 村 皓 Ｆ／６．４ ５７ ｇ１ Ｆ１６．５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）物理量を測定するための、少なくとも１本の光フ
ァイバに・より相互接続された変換装置と電子装置とを
有するファイバ光学測定装置において、変換器は少なく
とも２個の光ルミネセンス素子を含み、その少なくとも
第１の素子は第２の素子の完全に又は部分的に後方のフ
ァイバからの光の光路に配置され、前記物理量は前記素
子間の光透過に影響を与えるようになっており、前記電
子装置は別々の放射スペクトルを有する少なくとも２個
の光源を有し、前記放射スペクトルは前記素子の吸収及
び透過スペクトルに対して、前記一方の光源が前記光ル
ミネセンス素子の一方を実質的に励起し、又前記他方の
光源が前記他方の素子を少なくとも実質的に励起するよ
うに選択されていることを％徴とするファイバ光学測定
装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載のファイバ光学測定装
置において、前記素子は１ｉｔ−Ｖ、ＩＩ−Ｖｌ、
３元素又は４元素半導体から構成され、前記素子は前記
素子の少な（とも一方に干渉及び／又は吸収フィルタを
設けることにより、及び／又は光路の少なくとも１部に
ある前記素子が異なるバンド・ギャップを有する半導体
材から構成されることにより、異なる透過及び／又は吸
収スペクトルを有するように配置されていることを特徴
とするファイバ光学測定装置。 （３１特許請求の範囲第２項記載のファイバ光学測定装
置において、光路中の前記素子は異なるバンド・イヤツ
ゾを有し、これらは、光ファイバの端部の最も近くに位
置している素子が光ファイバの端部から２番目に近い位
置に位置している素子より大きなバンド・ギャップを有
し、又この２番目の素子は次の素子より大きなバンド・
ギャップを有する等々のように選択されており、これは
例えばＧａＸＡｔ１□Ａｓ系で素子が光ファイバの端部
近くに位置していればいる程高濃度のＡｔを与えること
により達成されることを特徴とするファイバ光学測定装
置。 （４）％許請求の範囲第１項記載のファイバ光学測定装
置において、前記光源からの励起光は、これらの光源の
光強度間の関係を制御可能なるように光源を制御するた
めのレギュレータに接続された光検出器により検出され
るようになっており、異なる励起光の変換器の光ルミネ
センスから発する検出器からの信号は光源又は検出増幅
器を制御するために、例えば商を形成するための計算部
材又はレギュレータへ送られることを特徴とするファイ
バ光学測定装置。 （５）特許請求の範囲第４項記載のファイバ光学測定装
置において、前記光源はＬＥＤ及び／又はレーザ゛−・
ダイオードから構成され、これらは時分割及び／又は周
波数分割多重化されており、前記光源には光ルミネセン
スが発生する波長域の光を阻止するため干渉型の光学フ
ィルタが設けられ、前記検出器には励起光が発生する波
長域の光を阻止するため光学フィルタが設けられている
こと乞特徴とするファイバ光学測定装置。 （６）％許詩求の範囲第２項記載のファイバ光学測定装
置において、前記センサ素子は基板上に成長したエピタ
キシャル層から構成され、光ルミネセンス層はグレーテ
ィング・インターフニースト大きなバンド・ギャップを
有する層に取囲まれていることを特徴とするファイバ光
学測定装置。 （７）％許請求の範囲第２項記載のファイバ光学測定装
置において、ファイバの端部に最も近いセンサ素子の少
なくとも一部は光路中に配置されておらず、その後ろに
ある素子へ光を通過させることを可能とすることを特徴
とするファイバ光学測定装置。 （８）特許請求の範囲第６項又は第７項記載のファイバ
光学測定装置において、前記光路中に配置されていない
部分は基板と少なくとも２つのエピタキシャル層をエッ
チ除去することにより得られ、この層の一方はフィルタ
層を、他方はルミネセンヌ層を構成することを特徴とす
るファイバ光学測定装置。 （９）％許請求の範囲第１項記載のファイバ光学測定装
置において、前記素子間の光路の少な（とも一部で、光
がファイバから出る時に生じるものよりも平行な光を得
るためにレンズ系を前記素子間に導入するように配置し
たことを特徴とするファイバ光学測定装置。 ００）％許請求の範囲第９項記載のファイバ光学測定装
置において、前記物理量は平行光が多少存在する光路中
の部分で光透過忙影響を与えるようになっていることを
特徴とするファイバ光学測定装置。 （１１） ％許請求の範囲第９項記載のファイバ光学
測定装置において、平行光が多少存在する光路中の部分
に干渉フィルタが配置されていることを特徴とするファ
イバ光学測定装置。 （１４特許請求の範囲第９項から第１１項までのいずれ
かに記載のファイバ光学測定装置において、前記レンズ
系は１個以上のいわゆる５ＥＬＦＯＣレンズから構成さ
れていることを特徴とするファイバ光学測定装置。 （１３）特許請求の範囲第１項記載のファイバ光学測定
装置において、前記素子間の前記光透過は、前記物理量
を配置してスクリーンの位置又は素子間の２個のスクリ
ーン・パターンの相対位置又は光路に対して垂直の距離
、角度、相対位置及び／又は素子間の相対回転角度及び
／又は素子間又は鏡の距離を変調することにより物理量
によって影響されるよ５になっていることを特徴とする
ファイバ光学測定装置。 ■ 特許請求の範囲第１項記載のファイバ光学測定装置
において、前記素・子間の前記光透過は磁気光学又は電
気光学光変調器により変調されるようになっていること
を特徴とするファイバ光学測定装置。 α５） 特許請求の範囲第１４項記載のファイバ光学測
定装置において、前記変調器は偏光回転であり、変調器
のどちら側かの光路に配置された光ボラライプが設げら
れていることを特徴とするファイバ光学測定装置。 （１６）％許詩求の範囲第１５項記載のファイバ光学測
定装置において、前記変調器は磁気ドメインを備えた磁
気薄膜又は液晶から構成されていることを特徴とするフ
ァイバ光学測定装置。 αη 特許請求の範囲第１項記載のファイバ光学測定装
置において、前記光ルミネセンス素子間には、透過が前
記物理量により変調されるようになっている導光部材が
配置されていることを％徴とするファイバ光学測定装置
。 叫 特許請求の範囲第１７項記載のファイバ光学測定装
置において、前記変調は前記導光器の変形により得られ
るようになっていることを特徴とするファイバ光学測定
装置。 叫 特許請求の範囲第１７項記載のファイバ光学測定装
置において、多少良好な屈折率を有する媒体を前記導光
器と接触させて前記導光器から光を外すことにより前記
変調が得られるようになっていることを特徴とするファ
イバ光学測定装置。 蜘 特許請求の範囲第１９項記載のファイバ光学測定装
置において、前記導光器はレベル検出器を構成し、これ
によりレベルを測定すべき媒体を直接用いて導光器から
光を外すか、又は前記導光器との接触により導光器から
光を外すために、ダイヤフラムを介してこの媒体が取囲
まれた媒体に影響を与えることを可能とすることを特徴
とするファイバ光学測定装置。、 １２１） 特許請求の範囲第１９項記載のファイバ光
学測定装置において、前記導光器は前記光ルミネセンス
素子と同じ量で一体化された導波器から構成されている
ことを特徴とするファイバ光学測定装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8301629A SE435761B (sv) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | Fiberoptiskt luminiscensmetdon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59180329A true JPS59180329A (ja) | 1984-10-13 |
Family
ID=20350516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053644A Pending JPS59180329A (ja) | 1983-03-24 | 1984-03-22 | フアイバ光学測定装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4644154A (ja) |
| JP (1) | JPS59180329A (ja) |
| CA (1) | CA1221556A (ja) |
| DE (1) | DE3409618A1 (ja) |
| SE (1) | SE435761B (ja) |
Cited By (1)
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- 1984-03-22 JP JP59053644A patent/JPS59180329A/ja active Pending
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| SE8301629D0 (sv) | 1983-03-24 |
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