JPS6035190A - クライオポンプ - Google Patents
クライオポンプInfo
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- JPS6035190A JPS6035190A JP59093129A JP9312984A JPS6035190A JP S6035190 A JPS6035190 A JP S6035190A JP 59093129 A JP59093129 A JP 59093129A JP 9312984 A JP9312984 A JP 9312984A JP S6035190 A JPS6035190 A JP S6035190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- cryopump
- honeycomb structure
- cooling device
- cryopanel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S417/00—Pumps
- Y10S417/901—Cryogenic pumps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24149—Honeycomb-like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はクライオポンプに関し、特に、仕事環境から大
量の水素、ヘリウム、またはネオンを除去しなければな
らないような用途において使用されるクライオポンプに
関する。
量の水素、ヘリウム、またはネオンを除去しなければな
らないような用途において使用されるクライオポンプに
関する。
クライオポンプは、仕事環境からガスを除去し、そして
その仕事環境を高い真空状態に保つためにしばしば使用
される。多くのプロセスでは良好な結宋を得るために殆
んど完全な真空環境が要求される。成るプロセスでは、
簡単に得られるような低温では容易に凝縮しない水素、
ヘリウム、またはネオンのようなガスが仕事環境内に多
量に存在する。それらのガスは、クライオポンプの最も
低温の区域内に設置される吸着剤によって吸着しなけれ
ばならない。吸着というのは、低温に維持された材料で
ガスを物理的に捕捉して環境から除去するプロセスであ
る。
その仕事環境を高い真空状態に保つためにしばしば使用
される。多くのプロセスでは良好な結宋を得るために殆
んど完全な真空環境が要求される。成るプロセスでは、
簡単に得られるような低温では容易に凝縮しない水素、
ヘリウム、またはネオンのようなガスが仕事環境内に多
量に存在する。それらのガスは、クライオポンプの最も
低温の区域内に設置される吸着剤によって吸着しなけれ
ばならない。吸着というのは、低温に維持された材料で
ガスを物理的に捕捉して環境から除去するプロセスであ
る。
しかしクライオポンプは多量のガスを収集した後、定期
的に再生させなければならない。さもないと操作の効率
が悪くなる。再生というのは、クライオポンプを外気温
度へ戻すプロセスのことである。その再生の際、先にク
ライオポンプに捕捉されていたガスが環境内へ放出され
、そして副ポンプ装置によって除去される。そのガス放
出の後、クライオポンプは元に戻され、そこで再び多量
のガスを仕事室から除去できるようになる。
的に再生させなければならない。さもないと操作の効率
が悪くなる。再生というのは、クライオポンプを外気温
度へ戻すプロセスのことである。その再生の際、先にク
ライオポンプに捕捉されていたガスが環境内へ放出され
、そして副ポンプ装置によって除去される。そのガス放
出の後、クライオポンプは元に戻され、そこで再び多量
のガスを仕事室から除去できるようになる。
スパッタリングのような成るプロセスでは、プ5−
ロセスの副生物として水素ガスが生成され、汚染物とし
て作用する。生成される水素の量が多()れば、その吸
着量も多くなるから、クライオポンプの再生の必要が増
大する。従ってクライオポンプの吸着剤がその容dいっ
ばいまで吸着するのに掛かる時間が短かくなる。そこで
、成るプロセスにおけるクライオポンプの容量が、クラ
イオポンプの吸着できる非凝縮ガスの開に限定されるこ
とは明らかである。
て作用する。生成される水素の量が多()れば、その吸
着量も多くなるから、クライオポンプの再生の必要が増
大する。従ってクライオポンプの吸着剤がその容dいっ
ばいまで吸着するのに掛かる時間が短かくなる。そこで
、成るプロセスにおけるクライオポンプの容量が、クラ
イオポンプの吸着できる非凝縮ガスの開に限定されるこ
とは明らかである。
典型的には、20°に以下の温度で操作するクライオポ
ンプの内部のクライオポンプ面は、木炭、ゼオライト、
または粉末金属材料で被覆される。
ンプの内部のクライオポンプ面は、木炭、ゼオライト、
または粉末金属材料で被覆される。
非常な低温においてそれら吸着材料はガス分子を物理的
に捕捉する。ガスの分子運動が、クライオポンプ面への
分子の接触を助長する。
に捕捉する。ガスの分子運動が、クライオポンプ面への
分子の接触を助長する。
従来のクライオポンプにおいては、バッフルまたはシェ
ブロン(山形バッフル)の第1段アレイが、最低温度の
第2段アレイに直接ガスが接近するのを阻む。多くのク
ライオポンプの第2段は多数の翼またはシェブロンを備
え、これらの内の或6− るものが吸着材料を被覆されている。第2段アレイの仙
の実例としては、逆さカップの内部に吸着材料を被覆し
たものがある。このような構成のクライオポンプは再生
をしばしば行わなければならない。
ブロン(山形バッフル)の第1段アレイが、最低温度の
第2段アレイに直接ガスが接近するのを阻む。多くのク
ライオポンプの第2段は多数の翼またはシェブロンを備
え、これらの内の或6− るものが吸着材料を被覆されている。第2段アレイの仙
の実例としては、逆さカップの内部に吸着材料を被覆し
たものがある。このような構成のクライオポンプは再生
をしばしば行わなければならない。
従って、大量の非凝縮ガスを吸着できる大きな容量をも
ったクライオポンプが要望されているのである。
ったクライオポンプが要望されているのである。
本発明の原理によるクライオポンプは、仕事室と流体連
絡するための口を有するハウジング、多段冷却装置、及
びこの冷却装置の低温熱シンクに装架されるクライオパ
ネルを備える。この最低温クライオパネルの中に、ぞれ
ぞれ吸着材料を被覆された多数の室で構成されるハニカ
ム構造体が収納される。この吸着ハニカム構造体は最低
温熱シンクと熱連絡状態に維持されている。
絡するための口を有するハウジング、多段冷却装置、及
びこの冷却装置の低温熱シンクに装架されるクライオパ
ネルを備える。この最低温クライオパネルの中に、ぞれ
ぞれ吸着材料を被覆された多数の室で構成されるハニカ
ム構造体が収納される。この吸着ハニカム構造体は最低
温熱シンクと熱連絡状態に維持されている。
本発明の1つの好適な実施例において、クライオポンプ
の冷却装置は2つの段を有する。その第2の段はより低
温の冷却装置であり、これの上に低温熱シンクが装架さ
れる。この低温熱シンクに第2段クライオパネルが装架
され、ハニカム構造体を収納する。
の冷却装置は2つの段を有する。その第2の段はより低
温の冷却装置であり、これの上に低温熱シンクが装架さ
れる。この低温熱シンクに第2段クライオパネルが装架
され、ハニカム構造体を収納する。
このハニカム構造体は幾つかの異なる実yII態様が可
能である。その第1の実施例においてハニカム構造体は
、第2段クライオパネル内に実質的に収納される吸着室
の円錐台形アレイを備える。相互に結合される垂直と水
平の隔壁が一緒にロウ付けされて、吸着材料を被覆され
る5つの側面をもった室を形成する。これら吸着室の円
111台形アレイは、第2段クライオパネルのシェブロ
ン間の通路を通して、クライオポンプの内部環境と間接
的に流体連絡するように開いている。
能である。その第1の実施例においてハニカム構造体は
、第2段クライオパネル内に実質的に収納される吸着室
の円錐台形アレイを備える。相互に結合される垂直と水
平の隔壁が一緒にロウ付けされて、吸着材料を被覆され
る5つの側面をもった室を形成する。これら吸着室の円
111台形アレイは、第2段クライオパネルのシェブロ
ン間の通路を通して、クライオポンプの内部環境と間接
的に流体連絡するように開いている。
ハニカム構造体のまた別の、しかし同類の実施例は、上
記円錐台形アレイまたはマトリックスと同様な構造の円
筒形マトリックスである。この円筒形マトリックスの室
も、第2段クライオパネルのシェブロン間を通る間接的
流体連絡によって、クライオポンプの内部環境に開いて
いる。
記円錐台形アレイまたはマトリックスと同様な構造の円
筒形マトリックスである。この円筒形マトリックスの室
も、第2段クライオパネルのシェブロン間を通る間接的
流体連絡によって、クライオポンプの内部環境に開いて
いる。
最後に、更に別の実施例において、第2段クライオパネ
ルが逆さカップの形にされる。この逆さカップの内部に
室の円筒形マトリックスがカップ内壁に隣接して設置さ
れる。それら室は、円筒形マトリックスと第2段冷却装
置との間に形成される開いたアニコラスと流体連絡する
ように開かれている。このアニコラスは、逆さカップの
底部の環状口を通して、クライオポンプの内部環境に開
いている。
ルが逆さカップの形にされる。この逆さカップの内部に
室の円筒形マトリックスがカップ内壁に隣接して設置さ
れる。それら室は、円筒形マトリックスと第2段冷却装
置との間に形成される開いたアニコラスと流体連絡する
ように開かれている。このアニコラスは、逆さカップの
底部の環状口を通して、クライオポンプの内部環境に開
いている。
以下、添付図面と関連して説明する。
第1図は、大量のガスを吸着できるようにする本発明の
原理を備えるクライオポンプの断面図を示す。
原理を備えるクライオポンプの断面図を示す。
第1図のクライオポンプ20は主ハウジング22を備え
、このハウジングはフランジ26によって仕事室に直接
か、あるいは仕事室との間に中間ゲート弁を置いて装架
される。低温冷却装置の2段低温フィンガ45が開口6
6を貫通してハウジング22内に突出する。図示の実施
例の場合の冷却装置はギフオード−マクマホンサイクル
冷却装置であるが、その他のものにすることもできる。
、このハウジングはフランジ26によって仕事室に直接
か、あるいは仕事室との間に中間ゲート弁を置いて装架
される。低温冷却装置の2段低温フィンガ45が開口6
6を貫通してハウジング22内に突出する。図示の実施
例の場合の冷却装置はギフオード−マクマホンサイクル
冷却装置であるが、その他のものにすることもできる。
冷却装置の低温フィンガ45内に、モーター9−
48で駆動されるディスプレーサが備えられている。ラ
イン36と38を通してヘリウムガスが低温フィンガ4
5に出し入れされる。低温フィンガに入ったヘリウムガ
スはディスプレーサによって膨張され、これによって極
低温を作るように冷却される。このような冷却装置はチ
ェリス等の米国特許第3.218.815号に記載され
ている。
イン36と38を通してヘリウムガスが低温フィンガ4
5に出し入れされる。低温フィンガに入ったヘリウムガ
スはディスプレーサによって膨張され、これによって極
低温を作るように冷却される。このような冷却装置はチ
ェリス等の米国特許第3.218.815号に記載され
ている。
冷却装置45の第1段62の低渇端部熱シンク44に放
射シールド32を介して第1段ボンピング面34が装架
される。同様に冷却装置の第2段52の低温端部熱シン
ク42に第2段ホンピングアレイ40が装架される。低
温フィンガの第2段冷却装置52は放射シールド32の
底部の開口60を通って延出する。
射シールド32を介して第1段ボンピング面34が装架
される。同様に冷却装置の第2段52の低温端部熱シン
ク42に第2段ホンピングアレイ40が装架される。低
温フィンガの第2段冷却装置52は放射シールド32の
底部の開口60を通って延出する。
第1段熱シンク44に装架されるカップ形放射シールド
32は約77°にで操作する。この放射シールドは第2
段クライオボンピング区域を取巻き、そして直接放射と
より高い凝縮温度の蒸気によって該区域の熱を低くづる
。第1段ボンピング面は前部シェブロンとアレイ34の
両方または一10− 方を備え、これらは第2段ボンピング区域の放射シール
ドと、水蒸気のようなより高い凝縮温度のガスのクライ
オボンピング面との両方として動く。
32は約77°にで操作する。この放射シールドは第2
段クライオボンピング区域を取巻き、そして直接放射と
より高い凝縮温度の蒸気によって該区域の熱を低くづる
。第1段ボンピング面は前部シェブロンとアレイ34の
両方または一10− 方を備え、これらは第2段ボンピング区域の放射シール
ドと、水蒸気のようなより高い凝縮温度のガスのクライ
オボンピング面との両方として動く。
ここに図示した前部シェブロンアレイ34は典型的な形
状のものであるが、その前部アレイは幾つかの異なるI
!lI造にすることもでき、それでもより高い凝縮温度
のガスの収集を効果的に行う。このシェブロンアレイは
より低い凝縮温度のガスを第2段ボンピング区域へ通過
させる。
状のものであるが、その前部アレイは幾つかの異なるI
!lI造にすることもでき、それでもより高い凝縮温度
のガスの収集を効果的に行う。このシェブロンアレイは
より低い凝縮温度のガスを第2段ボンピング区域へ通過
させる。
第2段ボンピング面は円錐台形のアレイに配置されるシ
ェブロン40のセットを備える。このシェブロンアレイ
は熱シンク42に装架され、そして約15°にの温度で
操作する。アレイを作るシェブロンの面はクライオボン
ピング面を形成し、この面において低凝縮温度ガスが低
温凝縮して環境から除去される。しかし、その第2段タ
ライオボンビングアレイにおける非常な低温でもなお凝
縮しないガスがある。水素、ヘリウム、及びネオンのよ
うなそれらガスはいわゆるタイプ■ガスである。これら
タイプ■ガスは吸着剤を使ってクライオポンプ及び仕事
室から除去される。
ェブロン40のセットを備える。このシェブロンアレイ
は熱シンク42に装架され、そして約15°にの温度で
操作する。アレイを作るシェブロンの面はクライオボン
ピング面を形成し、この面において低凝縮温度ガスが低
温凝縮して環境から除去される。しかし、その第2段タ
ライオボンビングアレイにおける非常な低温でもなお凝
縮しないガスがある。水素、ヘリウム、及びネオンのよ
うなそれらガスはいわゆるタイプ■ガスである。これら
タイプ■ガスは吸着剤を使ってクライオポンプ及び仕事
室から除去される。
第2段のシェブロンアレイ40内に円錐台形の吸着ハニ
カム46が収納される。このハニカムは第2段熱シンク
42に装架され、従ってほぼ第2段操作温度の15°K
に相持される。ハニカム46は第2図の斜視図において
より明瞭に理解されよう。
カム46が収納される。このハニカムは第2段熱シンク
42に装架され、従ってほぼ第2段操作温度の15°K
に相持される。ハニカム46は第2図の斜視図において
より明瞭に理解されよう。
円錐台形ハニカム46は垂直隔壁54と水平ディスク5
6とによって作られる。第2図の破断部分に示されるよ
うに隔壁54とディスク56とは両方ともスロット55
.57を有し、これらスロットにより筒中に相互に結合
して組立てることができる。隔壁54とディスク56と
はその結合部が一緒にロウ付けされて一体構造物を形成
する。
6とによって作られる。第2図の破断部分に示されるよ
うに隔壁54とディスク56とは両方ともスロット55
.57を有し、これらスロットにより筒中に相互に結合
して組立てることができる。隔壁54とディスク56と
はその結合部が一緒にロウ付けされて一体構造物を形成
する。
ディスクの中心孔内に中心コア70が設けられ、同様に
所定位置にロウ付けされる。
所定位置にロウ付けされる。
ハニカム46は、第2段熱シンク42の操作温度(15
°K)に近い温度での操作を確実にする酸素の無い高伝
導性の銅(OFHC)で作られる。
°K)に近い温度での操作を確実にする酸素の無い高伝
導性の銅(OFHC)で作られる。
隔壁54とディスク56とは一連の囲まれた区域58を
形成し、これら区域内の露出した面は全て木炭のような
吸着材料68を被覆される。この一体構造物46は、第
1段シェブロン34と第2段シェブロン40が組立てら
れる前に、冷却装置45上に組立てられる。
形成し、これら区域内の露出した面は全て木炭のような
吸着材料68を被覆される。この一体構造物46は、第
1段シェブロン34と第2段シェブロン40が組立てら
れる前に、冷却装置45上に組立てられる。
ハニカム46は、垂直面54と水平面56が中心コア7
0の周囲で相互に結合して5つの側面をもったボックス
58を形成することにより、木炭の吊とその表面積を最
大にする。中間寸法範囲の木炭がそれらボックス58の
壁に堅く着けられる。
0の周囲で相互に結合して5つの側面をもったボックス
58を形成することにより、木炭の吊とその表面積を最
大にする。中間寸法範囲の木炭がそれらボックス58の
壁に堅く着けられる。
図示の実施例において木炭は、水平ディスク、垂直隔壁
、及びコアで作られる5つの面の全てに被覆される。木
炭は、ハニカムに予め着けられるエポキシコーティング
上に押圧して着けられる。
、及びコアで作られる5つの面の全てに被覆される。木
炭は、ハニカムに予め着けられるエポキシコーティング
上に押圧して着けられる。
第1図に示されるハニカム46を取囲むシェブロン40
の垂直アレイは、その吸着アレイ46を最高効率で操作
させるための重要な役割を行う。
の垂直アレイは、その吸着アレイ46を最高効率で操作
させるための重要な役割を行う。
それによって吸着アレイに接近するガスが限定される。
というのはシェブロン40が凝縮できるガスを除去した
後の残りのガスが吸着アレイ46に13− 入っていき、従って非凝縮ガスだけが吸着剤68へ到達
できるからである。アルゴン、窒素、及び酸素のような
低い凝縮温度のガスはシェブロンアレイ40上で凝縮す
る。従って吸着アレイ46は凝縮可能ガスのオーバーロ
ードから防護される。
後の残りのガスが吸着アレイ46に13− 入っていき、従って非凝縮ガスだけが吸着剤68へ到達
できるからである。アルゴン、窒素、及び酸素のような
低い凝縮温度のガスはシェブロンアレイ40上で凝縮す
る。従って吸着アレイ46は凝縮可能ガスのオーバーロ
ードから防護される。
水素、ネオン、及びヘリウムのようなタイプ■ガスは木
炭6日によって吸着される。
炭6日によって吸着される。
第3図は本発明の原理を備える吸着アレイの変化形実施
例を示す。このハニカムアレイ72は、第1図の凝縮ア
レイ40と同様な垂直第2段凝縮アレイと、第2段冷却
装置52との間に設けられるアニユラスを形成する。そ
れは第1図及び第2図の吸着アレイと非常に類似してい
るものである。
例を示す。このハニカムアレイ72は、第1図の凝縮ア
レイ40と同様な垂直第2段凝縮アレイと、第2段冷却
装置52との間に設けられるアニユラスを形成する。そ
れは第1図及び第2図の吸着アレイと非常に類似してい
るものである。
ディスク74が水平面を形成し、そして隔壁75が垂直
面を形成する。先の第2図の実施例と同様にディスク7
4と隔壁75は両方共スロットを備え、これによって相
互に結合される。ディクスと隔壁は一緒にロウ付けされ
て一体構造物を形成する。内部コア78が5つの側面を
もったボックス79を完成する。それら側面は全て吸着
剤68を14− 被覆され、この吸着剤が非凝縮ガスを捕捉する。
面を形成する。先の第2図の実施例と同様にディスク7
4と隔壁75は両方共スロットを備え、これによって相
互に結合される。ディクスと隔壁は一緒にロウ付けされ
て一体構造物を形成する。内部コア78が5つの側面を
もったボックス79を完成する。それら側面は全て吸着
剤68を14− 被覆され、この吸着剤が非凝縮ガスを捕捉する。
第1図、第2図、及び第3図に示されるような設計のハ
ニカムは、水素のようなガスを、従来のポンプにおける
ものより5倍も多く吸着できることが知られた。円錐台
形設計は、第2段要素へのガス流を阻害することなく、
在来型式のクライオポンプハウジングの吸着面積を大き
くする。第3図に示される円筒形設計も吸着剤の量を著
しく増大できる。
ニカムは、水素のようなガスを、従来のポンプにおける
ものより5倍も多く吸着できることが知られた。円錐台
形設計は、第2段要素へのガス流を阻害することなく、
在来型式のクライオポンプハウジングの吸着面積を大き
くする。第3図に示される円筒形設計も吸着剤の量を著
しく増大できる。
第4図は本発明の更に別の実施例の断面図である。この
実施例において、第3図のハニカム72が底部からガス
を取入れるように構成される。
実施例において、第3図のハニカム72が底部からガス
を取入れるように構成される。
クライオポンプ80は2段冷却装置85を有する。この
冷却装置85の第1段96上に装架される第1段熱シン
ク94に放射シールド82を介してシェブロン及びバッ
フル90が取付けられる。
冷却装置85の第1段96上に装架される第1段熱シン
ク94に放射シールド82を介してシェブロン及びバッ
フル90が取付けられる。
これらシェブロン90は入口100に設置されて、より
高い凝縮温度のガスの凝縮面を形成する。
高い凝縮温度のガスの凝縮面を形成する。
放射シールド82とシェブロン90の中に冷却装置85
の第2段98が設置される。第2段熱シンク92上に第
2段凝縮パネル84が設置される。
の第2段98が設置される。第2段熱シンク92上に第
2段凝縮パネル84が設置される。
熱シンク92は第2段冷却装置98上に装架される。逆
さカップ形の第2段凝縮パネル84の外面上に、より低
い凝縮温度のガスが凝縮する。その第2段クライオパネ
ル84の逆さカップの中に吸着アレイ88が置かれる。
さカップ形の第2段凝縮パネル84の外面上に、より低
い凝縮温度のガスが凝縮する。その第2段クライオパネ
ル84の逆さカップの中に吸着アレイ88が置かれる。
第2段凝縮面84と吸着ハニカム88とはいずれも第2
段冷却装置98の15°Kに近い極低温に維持される。
段冷却装置98の15°Kに近い極低温に維持される。
入口シェブロン90から第2段区域へ入ったガスは、吸
着アレイ88に達する前に、第2段クライオパネル84
の全長を通過しなければならない。
着アレイ88に達する前に、第2段クライオパネル84
の全長を通過しなければならない。
従って低い凝縮温度のガスがパネル84で除去された後
の残りのガスが吸着アレイ88に達する。
の残りのガスが吸着アレイ88に達する。
このガスは第2段上で凝縮せず、カップ84の下から環
状空所102を通って第2段の内部へ流入する。第2段
の内部へ入ったガスは、アニユラス104を取巻く円筒
形ハニカム88によって吸着される。
状空所102を通って第2段の内部へ流入する。第2段
の内部へ入ったガスは、アニユラス104を取巻く円筒
形ハニカム88によって吸着される。
第2段冷却装置98は水平隔壁86と垂直隔壁89で取
巻かれる。これら隔壁86.89は第1図と第3図に示
されるのと同様な半径方向ハニカム8Bを作る。カップ
84の内面は各ハニカム室の背壁を形成する。カップ8
4の内面と隔壁86゜890面とは吸着材料を被覆され
る。カップ84と隔壁86.89によって形成される5
つの側面をもった各室は1つの端部がアニユラス104
の方へ内方向に開き、そしてそこに在るガスを吸着する
。
巻かれる。これら隔壁86.89は第1図と第3図に示
されるのと同様な半径方向ハニカム8Bを作る。カップ
84の内面は各ハニカム室の背壁を形成する。カップ8
4の内面と隔壁86゜890面とは吸着材料を被覆され
る。カップ84と隔壁86.89によって形成される5
つの側面をもった各室は1つの端部がアニユラス104
の方へ内方向に開き、そしてそこに在るガスを吸着する
。
従来のカップ形第2段はカップの内壁だけに吸着材料が
着けられている。本発明によるハニカム構造はカップ形
第2段の吸着容量を約2倍に増大する。
着けられている。本発明によるハニカム構造はカップ形
第2段の吸着容量を約2倍に増大する。
このような増大された吸着容量は、副生物の1つとして
水素が放出されるような製造プロセスにおいて特に有用
である。スパッタリングのようなプロセスにおいては材
料析出物が加工品に接着される。そのプロセスにおいて
水素が放出され、そして汚染物となって加工品への正し
い材料接着を妨げる。製造を中断しないためにはクライ
オポンプによって環境から水素を迅速に除去しなければ
17− ならない。ここに開示してきたようなりライオポンプで
は、元素の中で分子量の最も小さい水素は第1段シェブ
ロンから第2段クライオパネルへと流通する間に非常に
迅速に引出され、そして第2段吸着区域へ入る。
水素が放出されるような製造プロセスにおいて特に有用
である。スパッタリングのようなプロセスにおいては材
料析出物が加工品に接着される。そのプロセスにおいて
水素が放出され、そして汚染物となって加工品への正し
い材料接着を妨げる。製造を中断しないためにはクライ
オポンプによって環境から水素を迅速に除去しなければ
17− ならない。ここに開示してきたようなりライオポンプで
は、元素の中で分子量の最も小さい水素は第1段シェブ
ロンから第2段クライオパネルへと流通する間に非常に
迅速に引出され、そして第2段吸着区域へ入る。
以上の説明から分かるように、本発明は、真空内で行わ
れる操作が大量の水素、ヘリウム、またはネオンを吸着
する必要がある場合に最も有用である。本発明はここに
好適な実施例を図示し叙述してきたが、本発明の形態ま
たはその詳細部において、特許請求の範囲に記述される
精神から逸llqせずに、なお様々な変化形が可能なこ
とは当該技術者に理解されよう。
れる操作が大量の水素、ヘリウム、またはネオンを吸着
する必要がある場合に最も有用である。本発明はここに
好適な実施例を図示し叙述してきたが、本発明の形態ま
たはその詳細部において、特許請求の範囲に記述される
精神から逸llqせずに、なお様々な変化形が可能なこ
とは当該技術者に理解されよう。
第1図は本発明の原理に従って吸着容量を大きくされた
クライオポンプの断面図、 第2図は第1図のハニカム吸着アレイの斜視図、第3図
は本発明の原理を備える変化形吸着アレイの斜視図、 第4図は第1図と第2図の実施例と同じ原理に18− よる本発明の更に他の実施例の断面図である。 20.80・・・クライオポンプ、 22・・・ハウジング、32.82・・・放射シールド
、34.90・・・第1段ボンピング面、40.84・
・・第2段ポンピング而、42.44,92.94・・
・熱シンク、45.85・・・2段冷却装置、 46.72.88・・・吸着ハニカム、48・・・モー
タ、52.98・・・冷却装置第2段、54.56,7
4.75.86.89・・・ハニカム隔壁、 58.79・・・ハニカム室、 62.96・・・冷却装置第2段、 68・・・吸着剤 代理人 浅 利 皓 19− FIG、1 FIG、2 FIG、3
クライオポンプの断面図、 第2図は第1図のハニカム吸着アレイの斜視図、第3図
は本発明の原理を備える変化形吸着アレイの斜視図、 第4図は第1図と第2図の実施例と同じ原理に18− よる本発明の更に他の実施例の断面図である。 20.80・・・クライオポンプ、 22・・・ハウジング、32.82・・・放射シールド
、34.90・・・第1段ボンピング面、40.84・
・・第2段ポンピング而、42.44,92.94・・
・熱シンク、45.85・・・2段冷却装置、 46.72.88・・・吸着ハニカム、48・・・モー
タ、52.98・・・冷却装置第2段、54.56,7
4.75.86.89・・・ハニカム隔壁、 58.79・・・ハニカム室、 62.96・・・冷却装置第2段、 68・・・吸着剤 代理人 浅 利 皓 19− FIG、1 FIG、2 FIG、3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) クライオポンプにおいて a、低温冷却装置、 b、該冷却装置上の低温熱シンクに装架されるクライオ
パネル、及び、 C3該クライオパネル内に収納され、そして該低温熱シ
ンクと熱連絡する、吸着材料を被覆された多数の室を備
えるハニカム構造体 を備えるクライオポンプ。 (2、特許請求の範囲第1項のクライオポンプにおいて
、該ハニカム構造体が、環状マトリックス状に配置され
る、それぞれ5つの側面をもつ多数の室を備える、クラ
イオポンプ。 (3) 特許請求の範囲第1項のクライオポンプにおい
て、該ハニカム構造体が、相互に結合して一緒にロウ付
けされて1つの一体構造物を形成でる垂直隔壁及び水平
ディスクによって構成される、クライオポンプ。 (4) クライオポンプにおいて、 a、仕事室と流体連絡し、そして第1段と第2段を有す
る低温冷却装置。 b、該第2段冷却装置−Fの低温熱シンクに装架される
第2段クライオパネル、及び、C0該第2段クライオパ
ネル内に収納され、そして該第2段熱シンクと熱連絡す
る、吸着材料を被覆された多数の室を備えるハニカム構
造体を備えるクライオポンプ。 (5) 特許請求の範囲第4項のクライオポンプにおい
て、該ハニカム構造体が、環状マトリックス状に配置さ
れ、そしてこの環状マトリックスの外径においてクライ
オポンプ環境へ開いた、それぞれ5つの側面をもつ多数
の室を備え、各該室の全額側面が吸着剤を被覆される、
クライオポンプ。 (6) 特許請求の範囲第4項のクライオポンプにおい
て、該ハニカム構造体が、酸素を含まない高伝導性の銅
の単一のロウ付けされた構造物で構成される、クライオ
ポンプ。 (7) 特許請求の範囲第4項のクライオポンプにおい
て、該ハニカム構造体が、該第2段クライオパネル内に
実質的に収納され、そして該第2段冷却装置と熱連絡す
る吸着室の円錐台形アレイを協える、クライオポンプ。 (8) 特許請求の範囲第4項のクライオポンプにおい
て、該ハニカム構造体が、該第2段冷却装置と熱連絡す
る逆さのカップを備え、このカップの内部に、カップ内
壁に隣接して設置される吸着室の円筒形マトリックスが
備えられる、クライオポンプ。 (9) 特許請求の範囲第4項のクライオポンプにおい
て、該ハニカム構造体が、相互に結合して一緒にロウ付
すされて1つの一体構造物を形成する垂直隔壁及び水平
ディスクにJ:つて構成される、クライオポンプ。 (10) クライオポンプにおいて、 a、仕事室と流体連絡するための口を有するクライオポ
ンプハウジング、 b、該ハウジング内に設置される、第1段と第2段を有
する冷却装置、 C0低温第2段と熱連絡する第2段クライオパネル、 d、該第2段クライオパネルを部分的に収納する、該第
1段と熱接触する放射シールド、e、該仕事室への該口
に隣接する該シールドの開口を横断して延在する、該冷
却装置の該第1段と熱接触する前部クライオパネル、及
び、「、第2段熱シンクと熱連絡する、該第2段クライ
オパネル内に実質的に収納される室のマトリックスを備
える、吸着材料を被覆されたハニカム構造体 を備えるクライオポンプ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US494758 | 1983-05-13 | ||
US06/494,758 US4494381A (en) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | Cryopump with improved adsorption capacity |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6035190A true JPS6035190A (ja) | 1985-02-22 |
Family
ID=23965851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59093129A Pending JPS6035190A (ja) | 1983-05-13 | 1984-05-11 | クライオポンプ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4494381A (ja) |
EP (1) | EP0128323B1 (ja) |
JP (1) | JPS6035190A (ja) |
CA (1) | CA1221553A (ja) |
DE (1) | DE3468726D1 (ja) |
IL (1) | IL71730A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0447180A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Daikin Ind Ltd | クライオポンプ |
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JPS63501585A (ja) * | 1985-10-31 | 1988-06-16 | ヘリツクス テクノロジ− コ−ポレ−シヨン | 迅速吸着クライオポンプ |
US4718241A (en) * | 1985-10-31 | 1988-01-12 | Helix Technology Corporation | Cryopump with quicker adsorption |
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EP3710763B1 (en) | 2017-11-17 | 2021-08-25 | Edwards Vacuum, LLC | Cryopump with peripheral first and second stage arrays |
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-
1983
- 1983-05-13 US US06/494,758 patent/US4494381A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-05-02 IL IL71730A patent/IL71730A/xx not_active IP Right Cessation
- 1984-05-02 DE DE8484104896T patent/DE3468726D1/de not_active Expired
- 1984-05-02 EP EP84104896A patent/EP0128323B1/en not_active Expired
- 1984-05-11 JP JP59093129A patent/JPS6035190A/ja active Pending
- 1984-05-11 CA CA000454185A patent/CA1221553A/en not_active Expired
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Also Published As
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US4494381A (en) | 1985-01-22 |
CA1221553A (en) | 1987-05-12 |
IL71730A0 (en) | 1984-09-30 |
EP0128323A2 (en) | 1984-12-19 |
EP0128323A3 (en) | 1985-01-23 |
DE3468726D1 (en) | 1988-02-18 |
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