JPS6031323A - 半導体レ−ザ光の出力安定化回路 - Google Patents
半導体レ−ザ光の出力安定化回路Info
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- JPS6031323A JPS6031323A JP58140736A JP14073683A JPS6031323A JP S6031323 A JPS6031323 A JP S6031323A JP 58140736 A JP58140736 A JP 58140736A JP 14073683 A JP14073683 A JP 14073683A JP S6031323 A JPS6031323 A JP S6031323A
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明（よ、半導体レーザを使用した光送信回路に係り
、特に、その光出力の安定化回路に関づるものである。
、特に、その光出力の安定化回路に関づるものである。
［背閲技術］
半導体レー１１は、発光ダイオードと比較して高速動作
が可能であり、また、高出力が得られるために、光通信
用の発光素子として広く使用されている。ところで、半
導体レーザの光出力は、周囲温度や紅年変化によって、
大きく変動するのぐ、一般には光出力を一定にするため
の光出力安定化回路が必要である。また、半導体レーザ
をパルス駆動する場合には、パルス電流の立上がりから
し−ザ発振光出力の立上がりまでの時間遅れを小さくす
るために、閾値電流に近いか、またはそれ以上の直流電
流をバイアス電流として半導体レーザに流し、その上に
送信データに対応したパルス電流を加える方式が、一般
的に採用されている。
が可能であり、また、高出力が得られるために、光通信
用の発光素子として広く使用されている。ところで、半
導体レーザの光出力は、周囲温度や紅年変化によって、
大きく変動するのぐ、一般には光出力を一定にするため
の光出力安定化回路が必要である。また、半導体レーザ
をパルス駆動する場合には、パルス電流の立上がりから
し−ザ発振光出力の立上がりまでの時間遅れを小さくす
るために、閾値電流に近いか、またはそれ以上の直流電
流をバイアス電流として半導体レーザに流し、その上に
送信データに対応したパルス電流を加える方式が、一般
的に採用されている。
この時間遅れは、バイアス電流が閾値電流よりも小さい
場合に起きるものであり、数ｎｓにもなるために、数１
００Ｍｂ ： ｔ／ｓ以上の高速動作をさせるときには
問題となる。
場合に起きるものであり、数ｎｓにもなるために、数１
００Ｍｂ ： ｔ／ｓ以上の高速動作をさせるときには
問題となる。
従来の光出力安定化回路は、第１図に示７ように、半導
体レーザ５の光出力信号６に比例した監視用光信号７を
、光電気変換回路１によって電気信号に変換増幅した後
に、整流回路２によって整流し、この整流された出力レ
ベルに応じて、光出力６の平均値が一定となるように、
バイアス電流′１ｆＡ３が半導体レー１Ｆのバイアス電
流を制御ｆＩｌ′ｇるものである。また、送信データに
対応した一定振幅のパルス電流を流まために、パルス電
流源４が設けられている。
体レーザ５の光出力信号６に比例した監視用光信号７を
、光電気変換回路１によって電気信号に変換増幅した後
に、整流回路２によって整流し、この整流された出力レ
ベルに応じて、光出力６の平均値が一定となるように、
バイアス電流′１ｆＡ３が半導体レー１Ｆのバイアス電
流を制御ｆＩｌ′ｇるものである。また、送信データに
対応した一定振幅のパルス電流を流まために、パルス電
流源４が設けられている。
監視用光信号７は、光電気変換回路１によって電気信号
に変換増幅され、さらに整流回路２によって整流される
。整流回路２の出力レベルは光出力信号６の平均値に比
例した値となるために、この出力レベルでバイアス電流
を制ｔｉｌすることによって、光出力信号６の平均値を
一定にすることかできる。たとえば、光出力信号６の平
均値が設定値Ｊ：すｂ増加した場合には、整流回路２の
出力レベルはイれに対応して増加するために、出力信号
６の平均値の増加分に見あうだ【ノ、バイアス電流を減
少させることによって、光出力信＠６の平均値を一定に
保つことができる。
に変換増幅され、さらに整流回路２によって整流される
。整流回路２の出力レベルは光出力信号６の平均値に比
例した値となるために、この出力レベルでバイアス電流
を制ｔｉｌすることによって、光出力信号６の平均値を
一定にすることかできる。たとえば、光出力信号６の平
均値が設定値Ｊ：すｂ増加した場合には、整流回路２の
出力レベルはイれに対応して増加するために、出力信号
６の平均値の増加分に見あうだ【ノ、バイアス電流を減
少させることによって、光出力信＠６の平均値を一定に
保つことができる。
なお、上記従来例の回路は、送信データのマーク率が一
定の場合に有効なＦｉｌ路であり、マーク率が一定でな
い場合には、整流回路２の出力レベルはマーク率ととも
に変動りるので使用づることができない。
定の場合に有効なＦｉｌ路であり、マーク率が一定でな
い場合には、整流回路２の出力レベルはマーク率ととも
に変動りるので使用づることができない。
従来例としては、第１図の整流回路２の代りにピーク検
波回路を使用し、これによって検出されたピーク値が一
定になるように制御する方式がある。この方式は、基本
的には、第１の例と同様に考えることができるものであ
る。
波回路を使用し、これによって検出されたピーク値が一
定になるように制御する方式がある。この方式は、基本
的には、第１の例と同様に考えることができるものであ
る。
［青ｍ技術の問題点］
上記従来例は１次の２つの問題点を有する。
第１の問題は、高速動作が制限される点である。
つまり、パルス電流の振幅を一定としているために、微
分吊子効率の高い半導体レーザの場合には、バイアス電
流は閾値電流よりも小さくなり、前述した光出力の立上
がり時の時間遅れが生じる。このために、高速動作が制
限される。第２図を参照して説明づると、この図の曲１
５０Δは半導体レーザの駆動電流の特性を示し、曲線５
０Ｂは光出力静特性を示すものである。曲線５０Ｂの特
性の半導体レーザを駆動する場合、バイアス電流１８Ｂ
の上にパルス電流５１Ｂを加えて駆動する。バイアス電
流Ｉ Ｂｅｔ−１１１１ａ？ｕｒＸｔ Ｉ ＴＢ、Ｊ＝
リモ大ｚ！くしているために、光出力の立上がり時に時
問罪れはなく、パルス電流波形５１Ｂに相似な光出力波
形５２Ｂが出力される。しかし、曲１５０Ａの特性の微
分量子効率の良い半導体レーザを駆動する場合には、光
出力１８号の平均値を一定にするためにバイアス電流Ｉ
ＢΔはＷ４値雷流ＩＴΔよりも小さくなり、そのために
光出力波形は５２Ａのように光出力の立上がり時に時間
遅れが生じてパルス幅が狭くなる。この時間遅れによっ
て、伝送速度の上限が決定されるという問題がある。
分吊子効率の高い半導体レーザの場合には、バイアス電
流は閾値電流よりも小さくなり、前述した光出力の立上
がり時の時間遅れが生じる。このために、高速動作が制
限される。第２図を参照して説明づると、この図の曲１
５０Δは半導体レーザの駆動電流の特性を示し、曲線５
０Ｂは光出力静特性を示すものである。曲線５０Ｂの特
性の半導体レーザを駆動する場合、バイアス電流１８Ｂ
の上にパルス電流５１Ｂを加えて駆動する。バイアス電
流Ｉ Ｂｅｔ−１１１１ａ？ｕｒＸｔ Ｉ ＴＢ、Ｊ＝
リモ大ｚ！くしているために、光出力の立上がり時に時
問罪れはなく、パルス電流波形５１Ｂに相似な光出力波
形５２Ｂが出力される。しかし、曲１５０Ａの特性の微
分量子効率の良い半導体レーザを駆動する場合には、光
出力１８号の平均値を一定にするためにバイアス電流Ｉ
ＢΔはＷ４値雷流ＩＴΔよりも小さくなり、そのために
光出力波形は５２Ａのように光出力の立上がり時に時間
遅れが生じてパルス幅が狭くなる。この時間遅れによっ
て、伝送速度の上限が決定されるという問題がある。
従来例の第２の問題は、いわゆる消光比が悪化するとい
うものである。ヅなわら、半導体レーザの微分吊子効率
が悪い場合、または前記第１の問題を解決づるためにパ
ルス電流Δｌを小さくした場合には、半導体レーザの光
出力信号の低レベルが大きくなり、さらにそれに従って
高レベルも低くなるために、低レベルとへレベルとの比
である消光比が悪化するという問題が生じる。
うものである。ヅなわら、半導体レーザの微分吊子効率
が悪い場合、または前記第１の問題を解決づるためにパ
ルス電流Δｌを小さくした場合には、半導体レーザの光
出力信号の低レベルが大きくなり、さらにそれに従って
高レベルも低くなるために、低レベルとへレベルとの比
である消光比が悪化するという問題が生じる。
［発明の目的］
本発明は、上記従来の問題点に着目してなされたもので
、光出力の立上がり時の時間遅れを無くし、しかも、い
わゆる消光比を一定に制ｔｉｌ＋することができるよう
にした光出力安定化回路を提供ブることを目的とづるも
のである。
、光出力の立上がり時の時間遅れを無くし、しかも、い
わゆる消光比を一定に制ｔｉｌ＋することができるよう
にした光出力安定化回路を提供ブることを目的とづるも
のである。
［充用の概要］
上記目的を達成するために、本発明は、マーク率が一定
の伝送符号に符号化された電気２値信号を、半導体レー
ザを使用することによって、光２信号号に変換して出力
づる光送信回路において、先出ノＪの平均値と光出力の
交流振幅との２つの値を検出し、光出力信号の低レベル
と高レベルとのそれぞれに比例した２つの制御信号を作
り、光出力信号の低レベルと高レベルとがそれぞれ一定
になるように制御するものである。
の伝送符号に符号化された電気２値信号を、半導体レー
ザを使用することによって、光２信号号に変換して出力
づる光送信回路において、先出ノＪの平均値と光出力の
交流振幅との２つの値を検出し、光出力信号の低レベル
と高レベルとのそれぞれに比例した２つの制御信号を作
り、光出力信号の低レベルと高レベルとがそれぞれ一定
になるように制御するものである。
し発明の実施例］
第３図は、本発明の一実施例を承りブロック図である。
監視用光信号２５は、半導体レーザ１８の光出力２４に
比例した信号であり、光電気変換回路１１は、その監視
用光信号２５を入力して電気信号に変換し゛（増幅づる
ものである。３１１．電気変換回路１１の出力信号は、
整流回路１２によって整流される。また、光電気変換回
路１１の出力信号は、その低周波成分が低域遮断フィル
タ１３によって遮断された後に、検波整流回路１４によ
って検波整流される。
比例した信号であり、光電気変換回路１１は、その監視
用光信号２５を入力して電気信号に変換し゛（増幅づる
ものである。３１１．電気変換回路１１の出力信号は、
整流回路１２によって整流される。また、光電気変換回
路１１の出力信号は、その低周波成分が低域遮断フィル
タ１３によって遮断された後に、検波整流回路１４によ
って検波整流される。
一方、整流回路１２の出力信号２０ ／Ｊｌら検波整流
回路１４の出力信号２２が、減ｆｆＩｊｌ路１５によっ
て減拝され、信号２０と２２とが、ＩＩＩ算回ＶＢ２６
によって加粋される。
回路１４の出力信号２２が、減ｆｆＩｊｌ路１５によっ
て減拝され、信号２０と２２とが、ＩＩＩ算回ＶＢ２６
によって加粋される。
まｌ３低レベル電流源１６は、送信データが４氏レベル
のときに、減粋回路１５の出力レベルに１６じて、半導
体レーザ１８の電流を制ｎするものであり、高レベル電
流源１７は、送信データが高レベルのときに、加算回路
２６の出力レベルに応じて、半）り体し−１１１８の電
流を制御りるものである。
のときに、減粋回路１５の出力レベルに１６じて、半導
体レーザ１８の電流を制ｎするものであり、高レベル電
流源１７は、送信データが高レベルのときに、加算回路
２６の出力レベルに応じて、半）り体し−１１１８の電
流を制御りるものである。
次に上記実施例の動作について説明づる。
まず、説明を簡単に覆るために、送信データは、マーク
率が１／２の伝送符号に符号化されているものとする。
率が１／２の伝送符号に符号化されているものとする。
マーク率が１／２の伝送符号として（よ、マンチェスタ
符号、ＣＭＩ符号ま１こはＤＭＩ符号等がある。
符号、ＣＭＩ符号ま１こはＤＭＩ符号等がある。
半導体レー１ｆ１８は、送信データが低レベルのときは
、低レベル電流源１６から電流を供給され、逆に送信デ
ータが高レベルのときは九レベル電流源１７から電流を
供給される。
、低レベル電流源１６から電流を供給され、逆に送信デ
ータが高レベルのときは九レベル電流源１７から電流を
供給される。
監視用光用）ｊ信号２５は、半導体レー１１１８の光出
力信号２４に比例した信号であるが、この監視用光信号
２５を得るには、半導体レーザ１８の後方光出力を利用
するか、または分波器を使用覆る。
力信号２４に比例した信号であるが、この監視用光信号
２５を得るには、半導体レーザ１８の後方光出力を利用
するか、または分波器を使用覆る。
光出力信号２４が第５図（ａ）に示すような信号である
場合、その光出力信号２４は、光電気変換回路１１によ
って第５図（ｂ）に突栓で示１電気信号１９に変換され
、低域遮断フィルタ１３によって第５図（ｂ）に実線で
示１ノ信号２１になる光電気変換回路１１の出力信号１
９は整流回Ｆｉｌ １２Ｃ整流されて、ｍ５図（ｂ）に
破線で示リレベルの信号になる。
場合、その光出力信号２４は、光電気変換回路１１によ
って第５図（ｂ）に突栓で示１電気信号１９に変換され
、低域遮断フィルタ１３によって第５図（ｂ）に実線で
示１ノ信号２１になる光電気変換回路１１の出力信号１
９は整流回Ｆｉｌ １２Ｃ整流されて、ｍ５図（ｂ）に
破線で示リレベルの信号になる。
光出力信号２４の高レベルをＰ ＯＮ 、低レベルをＰ
ＯＦ Ｉ＝、整流回路１２の出力レベルをＶ２Ｏと覆
ると、出ノルベルＶ２０は、 Ｖ２０＝に１・（ＰＯＮ＋ｐＯＦＦ）／２・・・・・・
（１） と表される。ここで、Ｋ１は比例定数である。
ＯＦ Ｉ＝、整流回路１２の出力レベルをＶ２Ｏと覆
ると、出ノルベルＶ２０は、 Ｖ２０＝に１・（ＰＯＮ＋ｐＯＦＦ）／２・・・・・・
（１） と表される。ここで、Ｋ１は比例定数である。
低域遮断フィルタ１３の出ツノ信号２１は検波整流回路
１４で半波整流されて（または全波整流されて）、第５
図（Ｃ）に破線で示すレベルの信号になる。検波整流回
路１４の出力レベルをＶ２２とづると、半波整流の場合
において、出力レベルＶ２２は、 Ｖ２２＝に２・（ＰＯＮ−ＰＯＦＦ＞／４・・・・・・
（２） と表され、光出力信号２４の交流振幅に比例した値どな
る。ここで、１り２は比例定数である。
１４で半波整流されて（または全波整流されて）、第５
図（Ｃ）に破線で示すレベルの信号になる。検波整流回
路１４の出力レベルをＶ２２とづると、半波整流の場合
において、出力レベルＶ２２は、 Ｖ２２＝に２・（ＰＯＮ−ＰＯＦＦ＞／４・・・・・・
（２） と表され、光出力信号２４の交流振幅に比例した値どな
る。ここで、１り２は比例定数である。
（１）式と（２）式から、光出力信号２４の低レベルｐ
ＯＦ ｒ：と高レベルＰＯＮとをめると、ＰＯＦＦ＝
Ｖ２０／に１−Ｖ２２ ・ ２／に２ＰＯＮ＝Ｖ２０／
に１＋Ｖ２２ ・ ２／に２となり、Ｋ１＝に２／２に
設定すると、１）ＯＦＦ＝Ｖ２０／に１−Ｖ２２／に１
であり、したがって、 １）ＯＦ’Ｆ＝ （Ｖ２Ｏ−Ｖ２２）／に１・・・・・
・（３） となる。また、 ＰＯＮ＝Ｖ２０／に１＋Ｖ２２／に１ であり、したがって、 ＰＯＮ＝ （Ｖ２０＋Ｖ２２＞／に１ ・・・・・・（４） となる。
ＯＦ ｒ：と高レベルＰＯＮとをめると、ＰＯＦＦ＝
Ｖ２０／に１−Ｖ２２ ・ ２／に２ＰＯＮ＝Ｖ２０／
に１＋Ｖ２２ ・ ２／に２となり、Ｋ１＝に２／２に
設定すると、１）ＯＦＦ＝Ｖ２０／に１−Ｖ２２／に１
であり、したがって、 １）ＯＦ’Ｆ＝ （Ｖ２Ｏ−Ｖ２２）／に１・・・・・
・（３） となる。また、 ＰＯＮ＝Ｖ２０／に１＋Ｖ２２／に１ であり、したがって、 ＰＯＮ＝ （Ｖ２０＋Ｖ２２＞／に１ ・・・・・・（４） となる。
このために、上記低レベルＰＯＦＦに比例したレベルと
、高レベルＰＯＮに１５例したレベルとは、整流回路１
２の出力レベルＶ２０と検波整流回路１４の出力レベル
Ｖ２２とを、それぞれ甲に、減算、加算を行なうことに
よって、容易にめられる。（３）式に相当する減鋒は、
減算回路１５で行ない、低レベルＰ ＯＦ Ｆに比例し
たレベルを出力づる。また、（１式に相当する加算は、
加算回路２６ｃ行ない、高レベルＰＯＮに化倒したレベ
ルを出力する。
、高レベルＰＯＮに１５例したレベルとは、整流回路１
２の出力レベルＶ２０と検波整流回路１４の出力レベル
Ｖ２２とを、それぞれ甲に、減算、加算を行なうことに
よって、容易にめられる。（３）式に相当する減鋒は、
減算回路１５で行ない、低レベルＰ ＯＦ Ｆに比例し
たレベルを出力づる。また、（１式に相当する加算は、
加算回路２６ｃ行ない、高レベルＰＯＮに化倒したレベ
ルを出力する。
でし文、減算回路１５の出力レベルに応じｃ ｉｒ（レ
ベル電流源１６の電流値を制！１１シ、これによって、
光出力信号２／Ｉの低レベルＰ ＯＦ Ｆを一定に維持
することができる。一方、加掠回路２６の出ノルベルに
応じて高レベル電流源１７のｍ、Ｎ １ｉ１７を制御し
、これによって、光出力信＠２４の高レベルＰＯＮを一
定に維持することができる。
ベル電流源１６の電流値を制！１１シ、これによって、
光出力信号２／Ｉの低レベルＰ ＯＦ Ｆを一定に維持
することができる。一方、加掠回路２６の出ノルベルに
応じて高レベル電流源１７のｍ、Ｎ １ｉ１７を制御し
、これによって、光出力信＠２４の高レベルＰＯＮを一
定に維持することができる。
ここで、低レベルＰ ＯＦ Ｆとして、閾値値電流での
光出力レベルの最大値に等しく設定するか、または若干
大きい（白に設定づることによって、光出力信号の立上
がり詩にＪ月］る時間遅れを無くづことができるという
利点がある。
光出力レベルの最大値に等しく設定するか、または若干
大きい（白に設定づることによって、光出力信号の立上
がり詩にＪ月］る時間遅れを無くづことができるという
利点がある。
また、高レベルＰＯＮと低レベルＰＯＦＦとを一定に維
持するために、いわゆる消光比も一定にｅｌｆ持するこ
とができるという利点がある。
持するために、いわゆる消光比も一定にｅｌｆ持するこ
とができるという利点がある。
第４図は、半導体レー１１１８の静特性を示づ図である
。駆すノ電流に対する光出力の特性が、曲線６０である
ような半導体レーザ１８を使用したとする。この場合、
低レベル光出力ＰＯＦＦが閾値電流ＩＴＣの光出力より
′ｔ）若干大きくなるように、低レベル電流源１６の電
流値１ＯＦＦを制御し、また所要の高レベル光出力ＰＯ
ＮになるＪ：うにへレベル電流源１７の電流値１ＯＮを
制御Ｉ覆る。送信データに応じて低レベルｌ０ＦＦと高
レベル■ＯＮとを＃Ｊ換えながら、波形６１として承り
電流によりて半導体レーザ１８を駆動すると、光出力の
立上がり時の時間遅れが無くなるという利点がある。さ
らに、この場合、消光比が一定な光出力信号波形６２を
得ることができる。
。駆すノ電流に対する光出力の特性が、曲線６０である
ような半導体レーザ１８を使用したとする。この場合、
低レベル光出力ＰＯＦＦが閾値電流ＩＴＣの光出力より
′ｔ）若干大きくなるように、低レベル電流源１６の電
流値１ＯＦＦを制御し、また所要の高レベル光出力ＰＯ
ＮになるＪ：うにへレベル電流源１７の電流値１ＯＮを
制御Ｉ覆る。送信データに応じて低レベルｌ０ＦＦと高
レベル■ＯＮとを＃Ｊ換えながら、波形６１として承り
電流によりて半導体レーザ１８を駆動すると、光出力の
立上がり時の時間遅れが無くなるという利点がある。さ
らに、この場合、消光比が一定な光出力信号波形６２を
得ることができる。
次に、送信マーク率が１／２以外の場合についても、上
記と同様な動作をｂなうことについてＭｌ明づる。
記と同様な動作をｂなうことについてＭｌ明づる。
マーク率が一定のｍである場合につぃＣ６える。
整流回路１２の出力レベルＶ２０は、
Ｖ２Ｏ＝に１ − （ｍ−ＰＯＮ＋ （１−ｍ）ＸＰＯ
ＦＦ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（
５）と表される。
ＦＦ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（
５）と表される。
一方、半波整流の場合、検波整流回路１４の出ノルベル
Ｖ２２は、 Ｖ２２ ＝に２ ・ｍ （１−ｍ） Ｘ （ＰＯＮ−ＰＯＦＦ）・・・・・・（６）と表され
る。（５）、（６）式がら、 ＰＯＦＦ＝Ｖ２０／に１ −Ｖ２２／（Ｋ２ ・ （１−ｍン ）・・・・・・（
７） ＰＯＮ＝２０／に１−＋−Ｖ２２／ （Ｋ２・ｍ）・・
・・・・ （８） となるために、減紳回路１５と加ｎ回路２６とにおいて
、それぞれの入力に対する定数を選択ηることによって
、減算回路１５の出力レベルを低レベルＰＯＦＦに比例
した値にνることができ、また、加ｎ回路２６の出力レ
ベルを高レベルＰＯＮに比例した値にりることかできる
。これは、マーク率ｍがどの１１１であっても成立りる
ものであり、したがって、マーク率ｍが１／２以外の場
合も、同様な動作を行なうことになる。
Ｖ２２は、 Ｖ２２ ＝に２ ・ｍ （１−ｍ） Ｘ （ＰＯＮ−ＰＯＦＦ）・・・・・・（６）と表され
る。（５）、（６）式がら、 ＰＯＦＦ＝Ｖ２０／に１ −Ｖ２２／（Ｋ２ ・ （１−ｍン ）・・・・・・（
７） ＰＯＮ＝２０／に１−＋−Ｖ２２／ （Ｋ２・ｍ）・・
・・・・ （８） となるために、減紳回路１５と加ｎ回路２６とにおいて
、それぞれの入力に対する定数を選択ηることによって
、減算回路１５の出力レベルを低レベルＰＯＦＦに比例
した値にνることができ、また、加ｎ回路２６の出力レ
ベルを高レベルＰＯＮに比例した値にりることかできる
。これは、マーク率ｍがどの１１１であっても成立りる
ものであり、したがって、マーク率ｍが１／２以外の場
合も、同様な動作を行なうことになる。
［発明の効果］
上記のように本発明は、マーク率が一定である伝送符号
に符号化された電気２値信号を、半導体レーデを使ｌＯ
することによりＣ１光２値４ｒｉ号に変換して出力する
光送信回路にＪ３い（、光出力の立上がり時の時間遅れ
が無く、しかも、いわゆる消光比を一定に制御＋１１す
ることかできるという効果をイｊする。
に符号化された電気２値信号を、半導体レーデを使ｌＯ
することによりＣ１光２値４ｒｉ号に変換して出力する
光送信回路にＪ３い（、光出力の立上がり時の時間遅れ
が無く、しかも、いわゆる消光比を一定に制御＋１１す
ることかできるという効果をイｊする。
第１図は従来の光出力安定化回路を示すブロック図、ｍ
２図は従来例におＧノる動作説明図、第３図は本発明の
一実施例を示づブロック図、第４図は上記実施例の動作
説明図、第５図は第３図の要部の信号波形図である。 １．１１・・・光電気安挽回路、２．１２・・・整流回
路、３・・・バイアス電流源、４・・・パルス電流源、
５゜１８・・・半導体レーザ、１３・・・低域遮断フィ
ルタ、１４・・・検波整流回路、１５・・・減惇回路、
１６・・・低レベル電流源、１７・・・高レベル電流源
、２６・・・加ｎ回路、６，２４・・・半導体レーザ光
出力信号、７゜２５・・・監視用光信号。 特許出願人 日本電気株式会社
２図は従来例におＧノる動作説明図、第３図は本発明の
一実施例を示づブロック図、第４図は上記実施例の動作
説明図、第５図は第３図の要部の信号波形図である。 １．１１・・・光電気安挽回路、２．１２・・・整流回
路、３・・・バイアス電流源、４・・・パルス電流源、
５゜１８・・・半導体レーザ、１３・・・低域遮断フィ
ルタ、１４・・・検波整流回路、１５・・・減惇回路、
１６・・・低レベル電流源、１７・・・高レベル電流源
、２６・・・加ｎ回路、６，２４・・・半導体レーザ光
出力信号、７゜２５・・・監視用光信号。 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- マーク率が一定の伝送符号に符号化された電気２値信号
を、半導体レーザを使用することによって、光２値信号
に変換して出力づる光送信回路において、前記半導体レ
ーザの光出力１３号に比例した監視用光信号を電気信号
に変換して増幅づ）光電気変換回路と、この光電気変換
回路の出力信号を整流づる整流回路と、前記光電気変換
回路の出力信号の低周波信号成分を遮断する低域遮断フ
ィルタと、この低域遮断フィルタの出力信号を検波整流
する検波整流回路と、前記整流回路の出力レベルと前記
検波整流回路の出力レベルとの減９１を行なう減算回路
と、前記整流回路の出力レベルと前記検波整流回路の出
力レベルとを加律する加算回路と、送信データが低レベ
ルの時に、前記減算回路の出力レベルに応じて、光出力
信号の低レベルが一定になるように、前記半導体レーザ
の電流を制御する低レベル電流源と、送信データが高レ
ベルの時に、前記加算回路の出力レベルに応じて、先出
ノ〕信号の高レベルが一定になるように、前記半導体レ
ーザの電流を制御りる高レベル電流源とを有ηることを
特徴とする半導体レーザ光の出力安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140736A JPS6031323A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体レ−ザ光の出力安定化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140736A JPS6031323A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体レ−ザ光の出力安定化回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031323A true JPS6031323A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15275511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140736A Pending JPS6031323A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 半導体レ−ザ光の出力安定化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031323A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0281188A2 (de) * | 1987-02-28 | 1988-09-07 | Philips Patentverwaltung GmbH | Regelung von Laserdioden |
| US6571087B1 (en) | 1998-09-24 | 2003-05-27 | Fujitsu Limited | Radio transmitter apparatus |
| CN117080860A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-11-17 | 成都明夷电子科技有限公司 | 调制电流控制电路及数据传输电路 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58140736A patent/JPS6031323A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0281188A2 (de) * | 1987-02-28 | 1988-09-07 | Philips Patentverwaltung GmbH | Regelung von Laserdioden |
| US6571087B1 (en) | 1998-09-24 | 2003-05-27 | Fujitsu Limited | Radio transmitter apparatus |
| CN117080860A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-11-17 | 成都明夷电子科技有限公司 | 调制电流控制电路及数据传输电路 |
| CN117080860B (zh) * | 2023-10-16 | 2024-01-19 | 成都明夷电子科技有限公司 | 调制电流控制电路及数据传输电路 |
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