JPH01312878A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH01312878A JPH01312878A JP14346288A JP14346288A JPH01312878A JP H01312878 A JPH01312878 A JP H01312878A JP 14346288 A JP14346288 A JP 14346288A JP 14346288 A JP14346288 A JP 14346288A JP H01312878 A JPH01312878 A JP H01312878A
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- Japan
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- semiconductor laser
- attenuation
- temperature
- laser element
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
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- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速のディノタル変調に用いられる半導体レ
ーザモジー−ルの駆動回路に関し、特に。
ーザモジー−ルの駆動回路に関し、特に。
温度変化に応じて半導体レーザのバイアス電流値と光出
力レベルとを制御する半導体レーザ駆動回路に関する。
力レベルとを制御する半導体レーザ駆動回路に関する。
従来の半導体レーザ駆動回路では、高速ディジタル変調
の際、半導体レーザの電流−光出力特性（１−Ｌ％性）
の温度依存性を補償するために。
の際、半導体レーザの電流−光出力特性（１−Ｌ％性）
の温度依存性を補償するために。
半導体レーザの光出力ｉｊワ一の一部をフォト・ダイオ
ードにて受光して９元出力レベルを常に監視している。
ードにて受光して９元出力レベルを常に監視している。
そして、監視光出力レベルに基づいて半導体レーザのバ
イアス電流を制御することによシ光出力レベルを一定に
保っている。
イアス電流を制御することによシ光出力レベルを一定に
保っている。
上述した従来の半導体レーザ駆動回路の場合。
光出力レベルを常に一定に保つように動作するから、前
述のように半導体レーザのＩ−Ｌ特性が温度依存性金有
し、特に微分量子効率（Ｄ、Ｑ、Ｅ）が低温側でより大
きくなる場合に、バイアス電流■、の発振閾値電流’ｔ
ｈに対する比率（ｒ、／Ｉ、ｈ）がよシ小さくなるよう
に動作してしまい、その結果１発振閾値電流以下で動作
する領域が増加し。
述のように半導体レーザのＩ−Ｌ特性が温度依存性金有
し、特に微分量子効率（Ｄ、Ｑ、Ｅ）が低温側でより大
きくなる場合に、バイアス電流■、の発振閾値電流’ｔ
ｈに対する比率（ｒ、／Ｉ、ｈ）がよシ小さくなるよう
に動作してしまい、その結果１発振閾値電流以下で動作
する領域が増加し。
光出力波形のジッタ成分が増加する等の波形劣化を引き
起こすという問題点がある。
起こすという問題点がある。
本発明によれば、半導体レーザ素子を駆動するための半
導体レーザ駆動回路において、該半導体レーザ素子の出
力レベル全検出するレベル検出手段と、該検出出力レベ
ルに基づいて前記半導体レーザ素子を制御する制御手段
と、前記半導体レーザ素子からの出射光全減衰させる減
衰手段と、前記半導体レーザ素子の温度を検出するため
の温度検出手段と、該検出温度に基づいて前記減衰手段
の減衰量を調整する調整手段とを有し、減衰手段により
レベル検出手段の受光量全調整するようにしたこと全特
徴とする半導体レーザ駆動回路が得られる。
導体レーザ駆動回路において、該半導体レーザ素子の出
力レベル全検出するレベル検出手段と、該検出出力レベ
ルに基づいて前記半導体レーザ素子を制御する制御手段
と、前記半導体レーザ素子からの出射光全減衰させる減
衰手段と、前記半導体レーザ素子の温度を検出するため
の温度検出手段と、該検出温度に基づいて前記減衰手段
の減衰量を調整する調整手段とを有し、減衰手段により
レベル検出手段の受光量全調整するようにしたこと全特
徴とする半導体レーザ駆動回路が得られる。
次に本発明について実施例によって説明する。
第１図全参照して、半導体レーザ素子１からの光信号は
光出力端子７から出力されるとともに。
光出力端子７から出力されるとともに。
この光信号の一部が光減衰回路２を通って光出力レベル
監視用フォトダイオード３によって受光される。光出力
レベル監視用フォトダイオード３で検出された光信号の
強度はバイアス電流制御回路（ＡＰＣ回路）に入力され
、 ＡＰＣ回路４はこの検出光強度レベルに基づいて半
導体レーザ素子１のバイアス電流を制御する。つまり半
導体レーザ素子１の光出力レベルを一定に保つようにバ
イアス電流を可変している。
監視用フォトダイオード３によって受光される。光出力
レベル監視用フォトダイオード３で検出された光信号の
強度はバイアス電流制御回路（ＡＰＣ回路）に入力され
、 ＡＰＣ回路４はこの検出光強度レベルに基づいて半
導体レーザ素子１のバイアス電流を制御する。つまり半
導体レーザ素子１の光出力レベルを一定に保つようにバ
イアス電流を可変している。
ところで、半導体レーザでは、一般に１元出力電力の微
分量子効率（Ｄ、Ｑ、Ｅ）が第２図に示すように低温側
で大きくなる傾向があるため、前述のように従来の駆動
回路では、光出力レベルを一定に保つと、バイアス電流
値と発振閾値電流値との比率（Ｉ、／Ｉ、ｈ）が小さく
なる方向に変化し、その結果、半導体レーザの発振閾値
付近の発振スペクトラムが不安定な領域の光電力成分が
増加して。
分量子効率（Ｄ、Ｑ、Ｅ）が第２図に示すように低温側
で大きくなる傾向があるため、前述のように従来の駆動
回路では、光出力レベルを一定に保つと、バイアス電流
値と発振閾値電流値との比率（Ｉ、／Ｉ、ｈ）が小さく
なる方向に変化し、その結果、半導体レーザの発振閾値
付近の発振スペクトラムが不安定な領域の光電力成分が
増加して。
光出力波形が劣化してしまう。
このため１本発明による駆動回路では、半導体レーザ素
子１の温度ヲ、温度検出回路５（ＴＥＭＰ。
子１の温度ヲ、温度検出回路５（ＴＥＭＰ。
ＤＥＴ 、 ）によシ検出し、検出温度全光減衰量制御
回路６に与える。そして９光減衰量制御回路６はこの検
出温度に基づいて光減衰回路２の減衰量を制御する。つ
まり１元減衰量制御回路（ＡＴＴ 、Ｃ０ＮＴ 、）６
は半導体レーザ素子１の発振特性の温度依存性に対応す
る光減衰量を光減衰回路２に与えることになる。この際
、低温側において、高温側に比べて光減衰量を増加させ
ることによって微分量子効率の上昇分全等価的に打ち消
す。光出力レベル監視用フォトダイオード３における受
光レベルについてみると、微分量子効率が温度に関係な
く一定となった状態と等価であり” ｂ／Ｉｔｈの値は
温度依存性を持たなくなる。その結果、＃導体レーザの
環境温度が変化しても光出力波形が変動することがない
。
回路６に与える。そして９光減衰量制御回路６はこの検
出温度に基づいて光減衰回路２の減衰量を制御する。つ
まり１元減衰量制御回路（ＡＴＴ 、Ｃ０ＮＴ 、）６
は半導体レーザ素子１の発振特性の温度依存性に対応す
る光減衰量を光減衰回路２に与えることになる。この際
、低温側において、高温側に比べて光減衰量を増加させ
ることによって微分量子効率の上昇分全等価的に打ち消
す。光出力レベル監視用フォトダイオード３における受
光レベルについてみると、微分量子効率が温度に関係な
く一定となった状態と等価であり” ｂ／Ｉｔｈの値は
温度依存性を持たなくなる。その結果、＃導体レーザの
環境温度が変化しても光出力波形が変動することがない
。
以上説明したように本発明の半導体レーザ駆動回路では
半導体レーザの高速ピットレートディジタル変調時の光
出力波形の良否の要因となるＩ、／’ｔｈの値を一定に
保つようにしているから光送信装置の環境温度範囲の全
域に渡って良好な光出力波形を得ることができるという
効果がある。
半導体レーザの高速ピットレートディジタル変調時の光
出力波形の良否の要因となるＩ、／’ｔｈの値を一定に
保つようにしているから光送信装置の環境温度範囲の全
域に渡って良好な光出力波形を得ることができるという
効果がある。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例
の構成を示す図、第２図は、半導体レーザのＩ−Ｌ特性
の温度依存性の一例を示す図である。 １・・・半導体し〒ザ素子、２・・・光減衰回路、３・
・・光出力レベル監視用フォトダイオード、４・・・ノ
Ｚイアス電流制御回路（ＡＰＣ回路）５・・・温度検出
回路（ＴＥＭＰ、ＤＥＴ、 ） 、 ６・・・光減衰量
制御回路（ＡＴＴ。 Ｃ０ＮＴ、 ） 、 ７・・・光出力端子。
の構成を示す図、第２図は、半導体レーザのＩ−Ｌ特性
の温度依存性の一例を示す図である。 １・・・半導体し〒ザ素子、２・・・光減衰回路、３・
・・光出力レベル監視用フォトダイオード、４・・・ノ
Ｚイアス電流制御回路（ＡＰＣ回路）５・・・温度検出
回路（ＴＥＭＰ、ＤＥＴ、 ） 、 ６・・・光減衰量
制御回路（ＡＴＴ。 Ｃ０ＮＴ、 ） 、 ７・・・光出力端子。
Claims (1)
- １、半導体レーザ素子を駆動するための半導体レーザ駆
動回路において、該半導体レーザ素子の出力レベルを検
出するレベル検出手段と、該検出出力レベルに基づいて
前記半導体レーザ素子を制御する制御手段と、前記半導
体レーザ素子からの出射光を減衰させる減衰手段と、前
記半導体レーザ素子の温度を検出するための温度検出手
段と、該検出温度に基づいて前記減衰手段の減衰量を調
整する調整手段とを有することを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14346288A JPH01312878A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14346288A JPH01312878A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312878A true JPH01312878A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15339268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14346288A Pending JPH01312878A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1981135A3 (en) * | 2007-03-29 | 2010-03-31 | Nec Corporation | Optical communication module and output control method of semiconductor laser |
| JP2011003743A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザダイオード駆動方法及び光送信器 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP14346288A patent/JPH01312878A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1981135A3 (en) * | 2007-03-29 | 2010-03-31 | Nec Corporation | Optical communication module and output control method of semiconductor laser |
| JP2011003743A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザダイオード駆動方法及び光送信器 |
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