JPS603109A - オルソロンビツク材料 - Google Patents
オルソロンビツク材料Info
- Publication number
- JPS603109A JPS603109A JP58111349A JP11134983A JPS603109A JP S603109 A JPS603109 A JP S603109A JP 58111349 A JP58111349 A JP 58111349A JP 11134983 A JP11134983 A JP 11134983A JP S603109 A JPS603109 A JP S603109A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- garnet
- film
- pbo
- liquid phase
- phase epitaxial
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非磁性（１１０）ガリウムガーネット基板上に
育成δれた膜面に垂直な方向が磁化容易軸であるオルソ
ロンビック異方性をもつ磁性ガーネット液相エピタキシ
ャル膜からなるオルソロンビック材料に関する。
育成δれた膜面に垂直な方向が磁化容易軸であるオルソ
ロンビック異方性をもつ磁性ガーネット液相エピタキシ
ャル膜からなるオルソロンビック材料に関する。
ベル・システムテクニカル・ジャーナル（ＤｅｌｌＳｙ
ｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ）第
５８巻第６号第２部第１４５３頁（１９７９年）にボー
ベックらによって発表された二重導体パターン（デュア
ル・コンダクタ・パターン）を用いたバブル磁区素子は
、従来のバブル磁区素子と異なシ、１）回転磁場発生用
のコイルが不要である、１１）バブル磁区の高周波駆動
が可能である、＋ｒｒ）バブル磁区の径を微小化できる
ので素子の記憶密度を向上できる、などの特徴を有して
いる。
ｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ）第
５８巻第６号第２部第１４５３頁（１９７９年）にボー
ベックらによって発表された二重導体パターン（デュア
ル・コンダクタ・パターン）を用いたバブル磁区素子は
、従来のバブル磁区素子と異なシ、１）回転磁場発生用
のコイルが不要である、１１）バブル磁区の高周波駆動
が可能である、＋ｒｒ）バブル磁区の径を微小化できる
ので素子の記憶密度を向上できる、などの特徴を有して
いる。
この素子を実現するためには、膜面に垂直な方向が磁化
容易軸であると同時に、膜面内にも磁気異方性を有する
オルソロ／ビック異方性を持つ材料の採用が提案されて
いる。オルソロ／ビック異方性を有する材料においては
、膜面内の異方性磁界が十分に大きければ、磁壁にこの
面内異方性磁界が働き、磁壁の移動速度の飽和値を通常
の材料におけるそれと比べ著しく大きくできる。また、
オルソロンビック材料ではハードバブルが生ぜず、磁壁
のＳ状態を低く保てるという特徴を有している。したが
って、導体パターンではなく通常のバ−マロイパターン
を用いた素子においても、ｉ）ハード・バブル制御の工
程を省略できる、１１）バブルの高周波駆動が可能であ
る、などの有利な点を有している。
容易軸であると同時に、膜面内にも磁気異方性を有する
オルソロ／ビック異方性を持つ材料の採用が提案されて
いる。オルソロ／ビック異方性を有する材料においては
、膜面内の異方性磁界が十分に大きければ、磁壁にこの
面内異方性磁界が働き、磁壁の移動速度の飽和値を通常
の材料におけるそれと比べ著しく大きくできる。また、
オルソロンビック材料ではハードバブルが生ぜず、磁壁
のＳ状態を低く保てるという特徴を有している。したが
って、導体パターンではなく通常のバ−マロイパターン
を用いた素子においても、ｉ）ハード・バブル制御の工
程を省略できる、１１）バブルの高周波駆動が可能であ
る、などの有利な点を有している。
また、磁気記録媒体の情報を磁気転写・光読み出しによ
って再生させる素子として磁性ガーネット膜を用いる場
合、電子通信学会技術研究報告ＭＲ−８０−６（１９８
０年）第１５頁に述べられているように、従来の材料を
用いる限りその磁壁移動速度に限界があることによって
磁気記録媒体の移動速度にガーネットの磁壁移動速度が
追随できない。このような素子にオルソロンピック異方
性材料が用いられれは磁壁の最高移動速度は通常の材料
の２５〜３０ ｍ ／ ｓｅｃよシも格段に大きくなり
磁気転写・光読み出し技術における動特性を格段に改善
できる。
って再生させる素子として磁性ガーネット膜を用いる場
合、電子通信学会技術研究報告ＭＲ−８０−６（１９８
０年）第１５頁に述べられているように、従来の材料を
用いる限りその磁壁移動速度に限界があることによって
磁気記録媒体の移動速度にガーネットの磁壁移動速度が
追随できない。このような素子にオルソロンピック異方
性材料が用いられれは磁壁の最高移動速度は通常の材料
の２５〜３０ ｍ ／ ｓｅｃよシも格段に大きくなり
磁気転写・光読み出し技術における動特性を格段に改善
できる。
また、レーザー光偏向素子においてもオルソロンピック
材料を用いれば駆動周波数を改善できる。
材料を用いれば駆動周波数を改善できる。
オルソロノビツク異方性を有する材料は、通常のバブル
材料である（Ａｌｌ）ガーネット膜からは得られない。
材料である（Ａｌｌ）ガーネット膜からは得られない。
（１１０）ガーネット液相エピタキシャル膜においては
、オルソロンピック異方性が生ずる。ウォルフェらによ
ってアプライド・フィジックス・レターズ第２９巻第１
２号第８１５頁（１９７６年）の論文に示されている如
＜ （１１０）ガーネット膜がオルソロノビツク異方性
を有し、しかも膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する
ためには膜面に垂直方向と膜面内との二つの異方性エネ
ルギ一定数Ｋｕ、△が次の第１式、第２式および第３式
に示すいずれの関係をも満足する必要がある。
、オルソロンピック異方性が生ずる。ウォルフェらによ
ってアプライド・フィジックス・レターズ第２９巻第１
２号第８１５頁（１９７６年）の論文に示されている如
＜ （１１０）ガーネット膜がオルソロノビツク異方性
を有し、しかも膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する
ためには膜面に垂直方向と膜面内との二つの異方性エネ
ルギ一定数Ｋｕ、△が次の第１式、第２式および第３式
に示すいずれの関係をも満足する必要がある。
Ｋ、ｕ ） Ｏ（＋） 、Ｋｕ＋△〉０ 伐）、△”ｖ
Ｏ（３）しかしながら、多くのガーネットにおいては、
Ｋｕ〈０あるいはＫｕ＋△く０であシ、（１１０）面
をもつ非磁性ガーネット基板上に成長させたときに膜面
に垂直な（１１０）方向が磁化容易軸とはならない。し
たがって、第１式および第２式を同時に満たすようなオ
ルソロンピック異方性を有する（ｉｌｏ）ガーネット膜
を提供できるようなガーネット膜組成及びその製造条件
を見出すことが二重導体パターンバブル素子や周波数帯
域の広い磁気転写・光読み出し素子又は高い周波数域で
駆動可能なレーザ光偏向素子を実用化する上で何よシも
大切である、 さらに、アイ・イー・イー・イー・トランザクションズ
・オン・マグネティクス（ＩＥＥＥＴｒ−ａｎｓ ｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ）第ＭＡＧｌ ３巻、第１０８
７頁（１９７７年）にブリードらが発表した論文および
第２５回応用物理学関係連合講演会講演予稿集講演番号
３０ａ−Ｆ−５（１９７８年）第５５８頁に数軒および
檀高が発表した論文に知られているように、一般に（ｌ
ｔＯ）ガーネット膜では抗磁力（Ｌ（ｃ）が大きく、バ
ブル素子として用いるときの安定性を保証しえないこと
がある。
Ｏ（３）しかしながら、多くのガーネットにおいては、
Ｋｕ〈０あるいはＫｕ＋△く０であシ、（１１０）面
をもつ非磁性ガーネット基板上に成長させたときに膜面
に垂直な（１１０）方向が磁化容易軸とはならない。し
たがって、第１式および第２式を同時に満たすようなオ
ルソロンピック異方性を有する（ｉｌｏ）ガーネット膜
を提供できるようなガーネット膜組成及びその製造条件
を見出すことが二重導体パターンバブル素子や周波数帯
域の広い磁気転写・光読み出し素子又は高い周波数域で
駆動可能なレーザ光偏向素子を実用化する上で何よシも
大切である、 さらに、アイ・イー・イー・イー・トランザクションズ
・オン・マグネティクス（ＩＥＥＥＴｒ−ａｎｓ ｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ）第ＭＡＧｌ ３巻、第１０８
７頁（１９７７年）にブリードらが発表した論文および
第２５回応用物理学関係連合講演会講演予稿集講演番号
３０ａ−Ｆ−５（１９７８年）第５５８頁に数軒および
檀高が発表した論文に知られているように、一般に（ｌ
ｔＯ）ガーネット膜では抗磁力（Ｌ（ｃ）が大きく、バ
ブル素子として用いるときの安定性を保証しえないこと
がある。
本発明の目的は、二重導体パターンバブル素子、周波数
帯域の広い磁気転写・光読み出し素子および高い周波数
で駆動可能なレーザ光偏向素子に不可欠であシ、膜面に
垂直な磁化容易軸を有しかつ抗磁力が低いオルソロンピ
ック材料を提供スルコとにある。
帯域の広い磁気転写・光読み出し素子および高い周波数
で駆動可能なレーザ光偏向素子に不可欠であシ、膜面に
垂直な磁化容易軸を有しかつ抗磁力が低いオルソロンピ
ック材料を提供スルコとにある。
本発明のオルソロンピック材料の構成は、非磁性ガーネ
ット基板上にＰｂＯおよびＢｉ２Ｏ３を主成分としＰｂ
ＯとＢｉ２Ｏ３とのモル比が４．５以下である融液よシ
その基板方位を（１１０）として育成され、その膜組成
が（ＬｕＢｉ ）３Ｆｅ６０１ｚであるガーネット液相
エピタキシャル膜からなることを特徴とする。
ット基板上にＰｂＯおよびＢｉ２Ｏ３を主成分としＰｂ
ＯとＢｉ２Ｏ３とのモル比が４．５以下である融液よシ
その基板方位を（１１０）として育成され、その膜組成
が（ＬｕＢｉ ）３Ｆｅ６０１ｚであるガーネット液相
エピタキシャル膜からなることを特徴とする。
本発明の発明者は、ＰｂＯおよびＢｉ２Ｏ３を主成分と
しこれらのモル比が４．５以下である融液よシ（１１０
）非磁性ガーネット基板上に育成した（ＬｕＢｉ）３Ｆ
ｅ５０１２ガーネツト膜が、膜面に垂直な方向を磁化容
易軸とするような磁気異方性を有することを見出した。
しこれらのモル比が４．５以下である融液よシ（１１０
）非磁性ガーネット基板上に育成した（ＬｕＢｉ）３Ｆ
ｅ５０１２ガーネツト膜が、膜面に垂直な方向を磁化容
易軸とするような磁気異方性を有することを見出した。
以下実施例によυ本発明の詳細な説明する。
〔実施例１〕
第１表の実施例１の組成に示すように、ＰｂＯとＢ ｓ
２０３とのモル比が６４．７０７２５．８８−＝２．
５の融液を用いて、７２３℃において（ｌｌｏ）面のガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に（Ｌ
ｕＢ１ ）ａ Ｆｅ５Ｏ１２ガーネツト液相エピタキシ
ヤ１ル膜を育成した。この被膜は、第１表の実施例１の
特性に示すように、Ｋｕ）ＯかつＫｕ＋バ〉０であるオ
ルソロンピック磁気異方性が得られ、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸をもつバブル磁区材料が得られた。
２０３とのモル比が６４．７０７２５．８８−＝２．
５の融液を用いて、７２３℃において（ｌｌｏ）面のガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に（Ｌ
ｕＢ１ ）ａ Ｆｅ５Ｏ１２ガーネツト液相エピタキシ
ヤ１ル膜を育成した。この被膜は、第１表の実施例１の
特性に示すように、Ｋｕ）ＯかつＫｕ＋バ〉０であるオ
ルソロンピック磁気異方性が得られ、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸をもつバブル磁区材料が得られた。
第１表
〔実施例２〕
第１表の実施例２の組成に示すように、ＰｂＯとＢｉ２
Ｏ３とのモル比が７４．２５／１６．５０＝４．５であ
る融液を用いて、８１Ｏ℃において（１１０）ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に（ＬｕＢｉ
）３Ｆｅ５０□２ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育
成した。この被膜によシ、第１表の実施例２の特性に示
すように、Ｋｕ）０かつＫｕ＋△〉Ｏであるようなオル
ソロンピック磁気異方性が得られ、膜面に垂直な方向に
磁化容易軸をもつバブル材料が得られた、 〔比較例〕 第１表の比較例の組成に示すように、ｐｂｏ とＢｉ２
Ｏ３とのモル比が７２．５ ／ １４．５ ＝ ５．０
であるような融液を用いて、７７７℃において（ＬｕＢ
ｉ）３Ｆｅ５０１２ガーネツトを（１１０）ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に育成した。こ
の場合には、第１表の比較例の特性に示すように、Ｋｕ
（０となシ膜面に垂直な方向が磁化容易軸とはならず
そのためバブル材料となることはできなかった。
Ｏ３とのモル比が７４．２５／１６．５０＝４．５であ
る融液を用いて、８１Ｏ℃において（１１０）ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に（ＬｕＢｉ
）３Ｆｅ５０□２ガーネツト液相エピタキシヤル膜を育
成した。この被膜によシ、第１表の実施例２の特性に示
すように、Ｋｕ）０かつＫｕ＋△〉Ｏであるようなオル
ソロンピック磁気異方性が得られ、膜面に垂直な方向に
磁化容易軸をもつバブル材料が得られた、 〔比較例〕 第１表の比較例の組成に示すように、ｐｂｏ とＢｉ２
Ｏ３とのモル比が７２．５ ／ １４．５ ＝ ５．０
であるような融液を用いて、７７７℃において（ＬｕＢ
ｉ）３Ｆｅ５０１２ガーネツトを（１１０）ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に育成した。こ
の場合には、第１表の比較例の特性に示すように、Ｋｕ
（０となシ膜面に垂直な方向が磁化容易軸とはならず
そのためバブル材料となることはできなかった。
以上説明したように、ＰｂＯおよびＢ １２０３を主成
分とし、これらＰｂＯとＢ ｉ２０Ｂとのモル比が４．
５以下である融液によ、！ｌ） （ＬｕＢ１ ）３Ｆｅ
、０１□液相エピタキシヤル膜を（１１０）方向に成長
させることによシ、オルソロンピック磁気異方性を有す
るバブル材料が得られる。
分とし、これらＰｂＯとＢ ｉ２０Ｂとのモル比が４．
５以下である融液によ、！ｌ） （ＬｕＢ１ ）３Ｆｅ
、０１□液相エピタキシヤル膜を（１１０）方向に成長
させることによシ、オルソロンピック磁気異方性を有す
るバブル材料が得られる。
Claims (1)
- 非磁性ガーネット基板上に、ＰｂＯおよびＢｉ２Ｏ３を
主成分としＰｂＯとＢ Ｉ ２０３とのモル比が４．５
以下である融液よりその基板面方位を（１１０）として
育成ｑｉ、その膜組成が（Ｌ ｕ Ｂ ｒ ） ３ Ｆ
ｅ ５０１２であるガーネット液相エピタキシャル膜
からなることを特徴とするオルソロンビック材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111349A JPS603109A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | オルソロンビツク材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111349A JPS603109A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | オルソロンビツク材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603109A true JPS603109A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14558936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111349A Pending JPS603109A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | オルソロンビツク材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603109A (ja) |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58111349A patent/JPS603109A/ja active Pending
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